本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)，并且更具體地，涉及考慮在電路設(shè)計(jì)中使用的器件的老化可靠性的半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件經(jīng)受隨著使用和隨時(shí)間使其性能劣化的各種現(xiàn)象。隨著制造處理技術(shù)的發(fā)展，特征尺寸變得更小，當(dāng)前小到幾十納米，這樣加重了這種劣化。在這些現(xiàn)象中，有熱載流子注入(HCI)、負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和與時(shí)間相關(guān)的電介質(zhì)(柵極氧化物)擊穿(TDDB)。器件特性發(fā)生的改變改變了電路性能，并且可以引發(fā)電路故障。因此，需要在集成電路(IC)的設(shè)計(jì)階段模擬這些現(xiàn)象的影響，以便檢查和分析可靠性問題，并且在需要的情況下，使得能夠修改設(shè)計(jì)。超大規(guī)模集成電路(VLSI)可以包括幾億個(gè)半導(dǎo)體器件。VLSI的設(shè)計(jì)和制造通常使用將綜合、布局和布線算法與IC的性能和行為仿真和用于設(shè)計(jì)閉合的分析流程集成在一起的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)工具和程序。已知的模擬仿真器是“以集成電路為重心的模擬程序(SimulationprogramwithIntegratedCircuitEmphasis，SPICE)”，并且已知的數(shù)字仿真器基于Verilog和VHDL(超高速IC硬件描述語言)。電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具通常使用標(biāo)準(zhǔn)單元法，其中不同類型的標(biāo)準(zhǔn)單元被匯編到庫中。每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元定義相應(yīng)邏輯或存儲(chǔ)功能(邏輯圖)的布局和某些特性(示意圖)。所述示意圖通常提供網(wǎng)表，網(wǎng)表是對(duì)器件(各個(gè)晶體管，或晶體管或存儲(chǔ)器件的連接組)、對(duì)它們與單元內(nèi)的其它器件的連接、以及用于將該單元連接到其它單元和外部環(huán)境的該標(biāo)準(zhǔn)單元的引腳的節(jié)點(diǎn)描述。然后，仿真器可以仿真作為定義的輸入信號(hào)的函數(shù)的(包括互連的電阻、電容和電感的影響)網(wǎng)表的電子行為(包括諸如功耗、定時(shí)和信號(hào)傳播延遲的參數(shù))。通常以邏輯綜合工具、布局和布線(PNR)工具和RC提取定義整個(gè)IC布局，邏輯綜合工具使用標(biāo)準(zhǔn)單元庫內(nèi)的與技術(shù)相關(guān)的網(wǎng)表，將IC的寄存器傳輸級(jí)(RTL)描述變換為平面布置網(wǎng)表(floorplannetlist)，布局和布線(PNR)工具然后定位并且將所選擇尺寸的標(biāo)準(zhǔn)單元的實(shí)例與設(shè)計(jì)特定的單元連接在一起，RC提取計(jì)算互連的電特性。然后通過驗(yàn)證工具檢驗(yàn)所產(chǎn)生的IC布局的定義，所述驗(yàn)證工具諸如DesignRuleCheck(設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，DRC)、ParasiticExtraction(寄生提取，PEX)和LayoutVsSchematic(布局與示意，LVS)，如果需要，以PNR工具反復(fù)進(jìn)行。標(biāo)準(zhǔn)單元庫是通常具有相同高度和各種寬度、不同單元面積和速度的相同標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能(諸如門、反相器、觸發(fā)器、鎖存器和緩沖器)的多個(gè)定義的集合。典型的標(biāo)準(zhǔn)單元庫包含兩個(gè)主要組件：庫數(shù)據(jù)庫，通常包括布局、示意、符號(hào)、簡介(abstract)和其它邏輯或仿真視圖；以及定時(shí)簡介，其提供每個(gè)單元的功能定義、定時(shí)、功率和噪聲信息。布局?jǐn)?shù)據(jù)可以根據(jù)美國信息交換標(biāo)準(zhǔn)碼(ASCII)以及SynopsysMilkyWay格式以多種格式保存，諸如CadenceDesignExchangeFormat(Cadence設(shè)計(jì)交換格式，′.def′)和LibraryExchangeFormat(庫交換格式，′.lef′)。定時(shí)簡介可以以例如SynopsisLiberty格式存儲(chǔ)。即使對(duì)于新的(未使用過的)單個(gè)器件的特性，在器件級(jí)別仿真VLSI的網(wǎng)表的行為涉及大量數(shù)據(jù)和處理。單獨(dú)地計(jì)算組件器件的使用以及由此產(chǎn)生的老化以便計(jì)算所導(dǎo)致的老化的VLSI的性能特性將增加數(shù)據(jù)和處理的量。已經(jīng)提出根據(jù)布局執(zhí)行單元級(jí)計(jì)算，僅僅考慮HCI影響，并且按照預(yù)期劣化比例外推單元新品變化率，以便僅僅獲得定時(shí)的結(jié)果，從而簡化老化計(jì)算。然而，這種仿真提議不夠靈活或準(zhǔn)確，不能考慮其它老化現(xiàn)象，并且不能仿真VLSI的其它性能特性(諸如功率和熱效應(yīng))的結(jié)果，其僅僅在新品狀態(tài)下分析。附圖說明以示例方式說明本發(fā)明，并且本發(fā)明不限于附圖中所示的其實(shí)施例，在附圖中類似的參考號(hào)指示類似的要素。為了簡單和清楚起見示出圖中的要素，并且它們不必按照比例繪制。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的以示例方式給出的設(shè)計(jì)IC的方法的示意方框圖，示出了用于仿真IC老化的設(shè)計(jì)處理步驟和數(shù)據(jù)文件之間的交互作用；以及圖2是圖1的方法中的用于仿真IC性能的老化發(fā)展的處理的流程圖。具體實(shí)施方式圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)例子，設(shè)計(jì)半導(dǎo)體集成電路(IC)的方法100，并且圖2示出了方法100中的用于仿真IC性能的老化發(fā)展的處理200的例子。方法100包括提供標(biāo)準(zhǔn)單元的庫102，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元具有互連的器件和用于連接到其它單元和/或端口的引腳的相應(yīng)定義，該庫包含相應(yīng)單元的布局和性能數(shù)據(jù)。方法100包括提供器件活動(dòng)文件(DAF)202，其包含作為標(biāo)準(zhǔn)單元的引腳處的電活動(dòng)的函數(shù)的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)的器件的電活動(dòng)；DAF202可以是庫文件102的一部分。提供標(biāo)準(zhǔn)單元發(fā)展文件(SCEF)204，其包含作為標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)的器件的電特性的老化發(fā)展的函數(shù)的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)單元的電特性的發(fā)展；SCEF204可以是庫文件102的一部分。提供實(shí)例活動(dòng)文件(IAF)104，其仿真IC內(nèi)的單元的各個(gè)實(shí)例在引腳處的電活動(dòng)。IAF104和DAF202被用于提供IC內(nèi)的器件的活動(dòng)以及作為結(jié)果的這些器件的電特性的老化發(fā)展的仿真206。作為結(jié)果的器件的電特性的老化發(fā)展的SCEF204和仿真206被用于產(chǎn)生用于實(shí)例的電特性的結(jié)果老化發(fā)展的數(shù)據(jù)208。用于實(shí)例的電特性的結(jié)果老化發(fā)展的數(shù)據(jù)208被用于產(chǎn)生IC的電特性的結(jié)果老化發(fā)展的數(shù)據(jù)210。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種制造IC的方法包括以方法100設(shè)計(jì)IC，和使用該設(shè)計(jì)制造IC。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上具有在執(zhí)行方法100時(shí)，可被數(shù)據(jù)處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序元件。更具體地，設(shè)計(jì)IC的方法100包括提供設(shè)計(jì)定義文件，所述設(shè)計(jì)定義文件包括定義要滿足的定時(shí)條件的定時(shí)約束數(shù)據(jù)106，以及定義從布局中提取的電容和其它阻抗數(shù)據(jù)的.capbl數(shù)據(jù)108。標(biāo)準(zhǔn)單元庫102包括可以采用.lef庫交換格式的布局?jǐn)?shù)據(jù)110、可以采用.lib庫格式的庫數(shù)據(jù)112以及門級(jí)網(wǎng)表114。該設(shè)計(jì)定義處理可以包括設(shè)計(jì)編輯階段116和綜合階段118，設(shè)計(jì)編輯階段116提供IC的寄存器-傳輸級(jí)(′RTL′)描述，綜合階段118使用標(biāo)準(zhǔn)單元的實(shí)例，如果希望連同特定于設(shè)計(jì)的單元，以及單元的引腳的互連，將RTL描述變換為平面布置網(wǎng)表。綜合操作之后可以是平面布置階段120、定位平面布置中的單元的每個(gè)實(shí)例以及信號(hào)和功率連接的布局和布線階段122、以及計(jì)算互連的電特性的RC提取階段124。結(jié)果數(shù)據(jù)可被存儲(chǔ)在包括門級(jí)網(wǎng)表114的標(biāo)準(zhǔn)單元庫102內(nèi)。設(shè)計(jì)檢驗(yàn)處理產(chǎn)生輸出文件125。設(shè)計(jì)檢驗(yàn)處理可以包括設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)、寄生提取(PEX)和布局與示意(LVS)階段(未示出)。階段126內(nèi)的對(duì)包括定時(shí)、功率和熱特性在內(nèi)的參數(shù)的分析可以產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)延遲格式(′.sdf′)文件128中的數(shù)據(jù)。階段130中對(duì)IC的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能的仿真可以產(chǎn)生值變化轉(zhuǎn)儲(chǔ)(′.vcd′)文件132內(nèi)的數(shù)據(jù)以及文件133內(nèi)的各種格式的其它仿真實(shí)例活動(dòng)的數(shù)據(jù)。結(jié)果數(shù)據(jù)最初與新品狀態(tài)的集成電路的性能相關(guān)。然后，在數(shù)字老化仿真階段134中，將IAF104的數(shù)據(jù)與布局文件110、標(biāo)準(zhǔn)單元庫112、門級(jí)網(wǎng)表114和.vcd格式文件132的數(shù)據(jù)一起使用，IAF104中的數(shù)據(jù)仿真IC壽命期間內(nèi)的單元的各個(gè)實(shí)例的引腳處的假定電活動(dòng)。數(shù)字老化仿真階段134產(chǎn)生老化示意圖135，包括與新品文件110、112和114的格式相同，并且使用與新品實(shí)例名稱相關(guān)的老化名稱的老化布局文件136、老化標(biāo)準(zhǔn)單元庫138以及老化門級(jí)網(wǎng)表140。然后在數(shù)據(jù)檢驗(yàn)階段126和130中使用老化文件136、138和140產(chǎn)生IC的電特性的老化發(fā)展的數(shù)據(jù)，例如，包括老化定時(shí)、功率、熱和其它特性。用于仿真IC的性能的老化發(fā)展的處理200的例子包括產(chǎn)生DAF202，其存儲(chǔ)作為標(biāo)準(zhǔn)單元的引腳處的電活動(dòng)的函數(shù)的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)的器件的電活動(dòng)。DAF202的數(shù)據(jù)與制造技術(shù)相關(guān)，并且可與數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫102一起發(fā)布。對(duì)于每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，DAF202包含標(biāo)準(zhǔn)單元的名稱、單元的輸入和輸出引腳的名稱、在不同的操作狀態(tài)下以及對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)的器件工作的每個(gè)操作狀態(tài)的引腳的狀態(tài)。處理200還包括產(chǎn)生SCEF204，SCEF204存儲(chǔ)作為標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)的器件的電特性的老化發(fā)展的函數(shù)的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)單元的電特性的發(fā)展。SCEF204的數(shù)據(jù)與制造技術(shù)相關(guān)，并且可被與與標(biāo)準(zhǔn)單元的數(shù)字庫102一起發(fā)布。對(duì)于每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，SCEF204包含標(biāo)準(zhǔn)單元的名稱，以及該單元內(nèi)的每個(gè)器件的特性的老化發(fā)展在該單元的特性的老化發(fā)展中的權(quán)重。產(chǎn)生IAF104，IAF104仿真作為在IC的規(guī)定壽命內(nèi)的假定IC靜態(tài)和動(dòng)態(tài)活動(dòng)的函數(shù)的IC內(nèi)的單元的各個(gè)實(shí)例的引腳處的電活動(dòng)。IAF104可以具有IC內(nèi)的單元的每個(gè)實(shí)例的切換數(shù)目(switchnumber)和傳號(hào)空號(hào)比(mark-spaceratio)。IAF104可以以.vcd格式保存?？捎赡_本實(shí)現(xiàn)IAF104的產(chǎn)生。用戶可以設(shè)想針對(duì)設(shè)計(jì)靜態(tài)活動(dòng)的設(shè)計(jì)工作狀態(tài)，包括器件的電偏置，或可替換地，可將設(shè)計(jì)靜態(tài)活動(dòng)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)到.vcd文件內(nèi)。用戶可以將設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)活動(dòng)數(shù)據(jù)作為基于設(shè)計(jì)的實(shí)際仿真的輸入轉(zhuǎn)儲(chǔ)到.vcd文件內(nèi)。可以執(zhí)行并行數(shù)據(jù)處理，以便處理大量數(shù)據(jù)。根據(jù)引腳的活動(dòng)數(shù)據(jù)，為IAF104計(jì)算每個(gè)實(shí)例的輸入和輸出引腳的切換數(shù)目和傳號(hào)空號(hào)比。IAF104和DAF202被用于提供IC內(nèi)的器件在IC壽命上的活動(dòng)的仿真206，以及作為結(jié)果的這些器件的電特性的老化發(fā)展。IC內(nèi)的單元的每個(gè)實(shí)例的引腳的切換數(shù)目和傳號(hào)空號(hào)比用于獲得每個(gè)實(shí)例內(nèi)的器件的切換數(shù)目和傳號(hào)空號(hào)比。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)單元引腳狀態(tài)和器件引腳狀態(tài)之間的關(guān)系已知時(shí)，基于這種實(shí)例信息從IAF104計(jì)算每個(gè)器件的引腳的切換數(shù)目和傳號(hào)空號(hào)比。由仿真206產(chǎn)生的器件活動(dòng)數(shù)據(jù)被用于計(jì)算器件的電特性的預(yù)期老化發(fā)展。每個(gè)器件的定時(shí)數(shù)據(jù)的老化發(fā)展可以基于器件老化變化率和負(fù)載電容。在這個(gè)例子中，基于器件引腳的切換數(shù)目和傳號(hào)空號(hào)比，針對(duì)熱載流子注入(HCI)、負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和與時(shí)間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿(TDDB)和其它適當(dāng)?shù)腟PICE模型參數(shù)的影響，計(jì)算每個(gè)器件的特性的老化發(fā)展。這些影響可被合并，從而仿真不同現(xiàn)象的累積作用。可以同時(shí)或分別仿真HCI、NBTI、TDDB和其它現(xiàn)象的影響。仿真206可由腳本執(zhí)行。當(dāng)用戶使用固有公式定義可靠性壓力時(shí)間時(shí)，可以計(jì)算對(duì)每個(gè)器件的影響。輸出每個(gè)器件的電特性的老化發(fā)展的數(shù)據(jù)。器件的電特性的結(jié)果老化發(fā)展的SCEF204和仿真206被用于產(chǎn)生每個(gè)實(shí)例的電特性的結(jié)果老化發(fā)展的數(shù)據(jù)208。數(shù)據(jù)208的產(chǎn)生可通過腳本執(zhí)行。然后，基于每個(gè)實(shí)例的老化特性產(chǎn)生每個(gè)實(shí)例的老化庫數(shù)據(jù)138。新品門級(jí)網(wǎng)表114和布局?jǐn)?shù)據(jù)文件110被變換為老化實(shí)例的對(duì)應(yīng)的老化門級(jí)網(wǎng)表140和老化布局?jǐn)?shù)據(jù)文件136，從而產(chǎn)生老化IC的示意圖135?？梢栽谝话銛?shù)字設(shè)計(jì)檢驗(yàn)階段126和130中使用這些老化文件，以便產(chǎn)生用于老化定時(shí)、功率、熱和其它高級(jí)分析的老化輸出文件125。文件136、138和140的產(chǎn)生可由腳本執(zhí)行。可以執(zhí)行并行數(shù)據(jù)處理，以便處理大量數(shù)據(jù)。使用每個(gè)實(shí)例的對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且以每個(gè)實(shí)例的老化電特性替代新品特性以便獲得老化定時(shí)，從而產(chǎn)生老化數(shù)據(jù)庫138，功率和其它信息通過使用新品定時(shí)庫和產(chǎn)生的實(shí)例損壞計(jì)算。老化實(shí)例的示意圖135被用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)210，以便獲得IC的電特性的結(jié)果老化發(fā)展。應(yīng)當(dāng)理解，方法100和處理200提供了靈活并且準(zhǔn)確的仿真，該仿真可以考慮各種老化現(xiàn)象，并且可以仿真各種性能特性(不僅是定時(shí))的結(jié)果。方法100提供了一種包括用于數(shù)字電路的可靠性分析的模型、方法和軟件的系統(tǒng)。在數(shù)字設(shè)計(jì)階段，方法100基于數(shù)字電路的壽命期間的預(yù)期偏置電壓、溫度和動(dòng)態(tài)切換活動(dòng)，計(jì)算在老化(burn-in)、壓力時(shí)間和產(chǎn)品操作時(shí)間期間，由HCI、NBTI和其它可靠性影響引起的每個(gè)實(shí)例內(nèi)的每個(gè)器件的電特性的發(fā)展。由于該計(jì)算是器件級(jí)別的，因此分析準(zhǔn)確性高。方法100使得能夠合并不同可靠性現(xiàn)象的影響，并且獲得累積老化分析。方法100基于對(duì)老化設(shè)計(jì)的分析，諸如定時(shí)、功率、熱分析和其它，支持不同的所希望的數(shù)字定時(shí)庫。用戶可以從任意數(shù)字設(shè)計(jì)階段(諸如綜合、平面布置或布局和布線)開始老化分析。方法100可以產(chǎn)生老化仿真的老化SDF文件128。基于對(duì)新品和老化設(shè)計(jì)分析或仿真的比較，設(shè)計(jì)者可以調(diào)試和/或修改設(shè)計(jì)，以便考慮預(yù)期的老化問題。本發(fā)明可被整個(gè)或部分地以用于在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序?qū)崿F(xiàn)，至少包括用于當(dāng)運(yùn)行在諸如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的可編程裝置上時(shí)，執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟，或使得可編程裝置執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備或系統(tǒng)的功能的代碼部分。計(jì)算機(jī)程序是指令列表，諸如特定應(yīng)用程序和/或操作系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)程序可以例如包括下列的一個(gè)或多個(gè)：子例程、函數(shù)、過程、對(duì)象方法、對(duì)象實(shí)現(xiàn)、可執(zhí)行應(yīng)用、小程序、服務(wù)器程序、源代碼、目標(biāo)碼、共享庫/動(dòng)態(tài)加載庫和/或設(shè)計(jì)為在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行的其它指令序列。該計(jì)算機(jī)程序可被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)部，或通過計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)傳輸?shù)接?jì)算機(jī)系統(tǒng)。所有或某些計(jì)算機(jī)程序可被永久地、可刪除地提供在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上，或被遠(yuǎn)程地耦連到信息處理系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括，例如，任意數(shù)目的下列介質(zhì)：磁存儲(chǔ)介質(zhì)，包括盤和帶存儲(chǔ)介質(zhì)；光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，諸如壓縮盤介質(zhì)(例如，CD-ROM、CD-R等)和數(shù)字視頻盤存儲(chǔ)介質(zhì)；非易失存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)，包括基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器單元，諸如閃速存儲(chǔ)器、EEPROM、EPROM、ROM；鐵磁數(shù)字存儲(chǔ)器；MRAM；易失存儲(chǔ)介質(zhì)，包括寄存器、緩沖器或高速緩存器、主存儲(chǔ)器、RAM等；和數(shù)據(jù)傳輸介質(zhì)，僅僅列舉幾個(gè)，包括計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)到點(diǎn)電信裝置和載波傳輸介質(zhì)。在前面的說明中，已經(jīng)參考本發(fā)明的實(shí)施例的特定例子描述了本發(fā)明。然而，顯而易見可以做出各種修改和改變，而不脫離在所附的權(quán)利要求中提出的本發(fā)明的更寬的精神和范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到邏輯塊之間的邊界僅是說明性的，并且另選實(shí)施例可以合并邏輯塊或電路元件，或?qū)Ω鞣N邏輯塊或電路元件施加功能的交替分解。因此，應(yīng)當(dāng)理解，此處示出的體系結(jié)構(gòu)僅僅是示例性的，并且實(shí)際上可以實(shí)施許多實(shí)現(xiàn)相同功能的其它體系結(jié)構(gòu)。另外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，上述操作之間的邊界僅是說明性的。多個(gè)操作可被組合到單個(gè)操作中，單個(gè)操作可被分布在附加操作內(nèi)，并且操作可被至少部分地以時(shí)間重疊的方式執(zhí)行。另外，另選實(shí)施例可以包括特定操作的多個(gè)實(shí)例，并且操作的順序可被在各種其它實(shí)施例中改變。在權(quán)利要求中，單詞“包括”、“包含”或“具有”的使用不排除除了權(quán)利要求中所列之外的其它要素或步驟的存在。另外，此處使用的術(shù)語“一”或“一個(gè)”被定義為一個(gè)或多于一個(gè)。另外，權(quán)利要求中對(duì)諸如“至少一個(gè)”和“一個(gè)或多個(gè)”的引導(dǎo)性短語的使用不應(yīng)被認(rèn)為暗示以非限定性冠詞“一”或“一個(gè)”引入的另一個(gè)要求要素將包含這種引入的要求要素的任意特定權(quán)利要求局限于僅僅包含一個(gè)這種要素的發(fā)明，即使當(dāng)相同權(quán)利要求包括引入性短語“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”和諸如“一”或“一個(gè)”的非限定性冠詞時(shí)也是如此。這對(duì)于限定性冠詞的使用也成立。除非另外說明，使用諸如“第一”和“第二”的術(shù)語以便任意區(qū)分這種術(shù)語描述的元件。因此，這些術(shù)語不必然旨在指示這些要素的時(shí)間或其它優(yōu)先順序。在相互不同的權(quán)利要求中提及某些措施的這一事實(shí)不指示這些措施的組合不能被用于使得優(yōu)點(diǎn)更加突出。