專利名稱：電極薄膜和坐標檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及坐標檢測裝置中所使用的電極薄膜，其中該坐標檢測裝置用以檢測顯示屏上的指示位置，以及使用該電極薄膜的坐標檢測裝置。
背景技術(shù)：
能夠檢測到顯示器上的指示位置的觸摸屏采用了各種檢測原理。其中，近年來，投影型電容觸摸屏受到了相對小型的顯示器的青睞。投影型電容觸摸屏被構(gòu)造為使得電極薄膜被配置在顯示屏上，其中，在電極薄膜中，電極圖案形成在基底上。當(dāng)操作子諸如用戶的手指接近電極薄膜時，該操作子被電耦合至該電極，并且流向電極的電流發(fā)生了改變。該觸摸屏基于電流的變化來檢測支撐體上的位置。在此，由于電極薄膜被配置在顯示器上，所以期望不會降低用戶對該顯示器的視覺識別性。具體而言，期望一種光透過性較高并且色調(diào)變化較小的電極薄膜。例如，日本專利申請公報No. 2007-299534(第0044段，圖1)(在此，被稱作“專利文獻1”)公開了一種 “透明電極薄膜”。該“透明電極薄膜”被構(gòu)造為使得由高折射率材料制成的兩片高折射率層以及由低折射率材料制成的兩片低折射率層交替層壓在透明薄膜上，并且進一步層壓透明導(dǎo)電層。據(jù)描述，由于該透明電極薄膜，被反射的光因高折射率層和低折射率層的光路不同而彼此抵消，所以其光透過性較高，并且色調(diào)變化較低。但是，在上述透明電極薄膜的結(jié)構(gòu)中，沒有考慮光透過性和色調(diào)變換因透明導(dǎo)電層的有/無而產(chǎn)生的差異。在上述電容觸摸屏所使用的電極薄膜中，電極層(透明導(dǎo)電層) 經(jīng)受了圖案化，藉以檢測位置。結(jié)果，該電極薄膜具有存在電極層的區(qū)域和不存在電極層的區(qū)域。如果存在電極層的區(qū)域與不存在電極層的區(qū)域的光透過性和色調(diào)變化之間的差異較大，則用戶會在視覺上識別電極圖案，并且會降低該顯示器的視覺識別性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，期望提供可以阻止視覺識別性因電極圖案而降低的電極薄膜和坐標檢測裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種電極薄膜，該電極薄膜包括基板和層壓板。該基板具有光透過性。該層壓板包括高折射率層，該高折射率層層壓在該基板上并且由高折射率材料制成，該高折射率材料具有大于1. 50的絕對折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm 的厚度；低折射率層，該低折射率層層壓在該高折射率層上并且由低折射率材料制成，該低折射率材料具有小于1. 50的絕對折射率并且具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度；以及被圖案化的電極層，該被圖案化的電極層層壓在該低折射率層上并且由透明導(dǎo)電材料制成，并且該被圖案化的電極層具有小于等于350 Ω / □的表面阻抗，所述層壓板具有大于等于85%的全光透過率，該全光透過率由JIS Κ-7105規(guī)定，并且該全光透過率因該電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2%。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于全光透過率大于等于85%，所以光透過性較高。此外，由于全光透過率因該電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2%，所以阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別。在上述電極薄膜中，由JIS Z-8701規(guī)定的透過率的刺激值Y因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異可以小于等于2.0。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于全光透過率因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異較小，所以阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別。在上述電極薄膜中，由JIS Z-8701規(guī)定的反射率的刺激值Y因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異可以小于等于2.0。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于全光透過率因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異較小，所以阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別。在上述電極薄膜中，由JIS Z-8729規(guī)定的透過率的f-b*色彩坐標空間中的坐標因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異可以小于等于4. 0。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于透過光中的色彩因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異較小，所以阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別。在上述電極薄膜中，由JIS Z-8729規(guī)定的反射率的f-b*色彩坐標空間中的坐標因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異可以小于等于4. 0。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于反射光中的色彩因電極層的有/無而產(chǎn)生的差異較小，所以阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別。高折射率層可以由一氧化鈮制成，低折射率層可以由二氧化硅制成，并且電極層可以由氧化銦錫制成。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，該電極薄膜的全光透過率可以大于等于85%，并且該全光透過率因該電極層的有/無而產(chǎn)生的差異可以小于等于2%。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種坐標檢測裝置，該坐標檢測裝置包括顯示屏和至少一個電極薄膜。該顯示屏被構(gòu)造為顯示圖像。該至少一個電極薄膜包括基板和層壓板，該基板具有光透過性，該層壓板包括高折射率層，該高折射率層層壓在該基板上并且由高折射率材料制成，該高折射率材料具有大于1. 50的絕對折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度；低折射率層，該低折射率層層壓在該高折射率層上并且由低折射率材料制成，該低折射率材料具有小于1. 50 的絕對折射率并且具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度；以及被圖案化的電極層， 該被圖案化的電極層層壓在該低折射率層上并且由透明導(dǎo)電材料形成，并且該被圖案化的電極層具有小于等于350 Ω / 口的表面阻抗，所述層壓板具有由大于等于85 %的全光透過率，該全光透過率由JIS Κ-7105規(guī)定，并且該全光透過率因該電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2%。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于阻止了用戶對電極層圖案的視覺識別，所以可以設(shè)置對顯示在顯示器上的圖像的視覺識別性較高的坐標檢測裝置。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以提供能夠阻止視覺識別性因電極圖案而降低的電極薄膜和坐標檢測裝置。
如附圖所示，本發(fā)明的這些及其其它目的、特征和優(yōu)點將隨著具體實施方式
的描述越來越清楚。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的電極薄膜的層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2是示出電極薄膜的電極層的圖案化外觀的透視圖；圖3是示出包括電極層、高折射率層和低折射率層的層壓板的各個光學(xué)性能的測
量結(jié)果表；圖4是示出包括電極層、高折射率層和低折射率層的層壓板的各個光學(xué)性能的測
量結(jié)果表；圖5是示出電極薄膜的制造設(shè)備的概要視圖；圖6是概要示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的觸摸屏結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖7A及圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的電極薄膜的電極區(qū)域和非電極區(qū)域的配置的平面圖；以及圖8是示出根據(jù)本發(fā)明引用示例的觸摸屏的圖案的視覺識別性的評估結(jié)果圖。
具體實施例方式下面，將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。(電極薄膜的結(jié)構(gòu))圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電極薄膜1的層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖1所示，電極薄膜1包括基板2、高折射率層3、低折射率層4和電極層5。它們依次層壓。電極層5經(jīng)受了圖案化。電極薄膜1包括電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域lb。在電極區(qū)域Ia上，形成有電極層5。在非電極區(qū)域Ib上，沒有形成電極層5。圖2示出了電極層5的圖案化外觀的透視圖。如圖2所示，電極層5經(jīng)受了沿一個方向排列的菱形圖案化。布線6被連接到各行。上述圖案僅為示例。電極層5可以經(jīng)受不同于上述圖案的圖案化。上述圖案對于檢測顯示器上的位置是有必要的。下面將具體進行描述。下面，將描述各層的結(jié)構(gòu)。圖1所示的基板2可以由光透過性較高的柔性材料，例如PET (Polyethylene Ter印hthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)，PEN (Polyethylene naphthalate，聚奈二甲酸乙二醇酯)，延展的C0P(CyClOOlefin Polymer，環(huán)烯烴聚合物)或者非延展的COP制成。為了防止刻劃，可以使用通過利用紫外線硬化樹脂涂覆上述此案料的任一者所得到的基板。此外，基板2的厚度可以，例如大于等于50 μ m且小于等于188 μ m。高折射率層3可以由絕對折射率大于1. 50的高折射率材料(例如，一氧化鈮 (niobium monoxide, NbO)、五氧化二鈮(niobium pentoxide, Nb2O5)、二氧化鐵(titanium dioxide, TiO2)、氮化娃(silicon nitride、Si3N4)、二氧化錫(tin dioxide, SnO2)、五氧化二鉭(tantalum pentoxide, Ta2O5)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)或者一氧化娃(silicon monoxide, SiO)等)制成。此外，高折射率層3的厚度可以，例如大于等于2nm且小于等于 20nmo
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低折射率層4可以由絕對折射率小于1.50的低折射率材料，例如二氧化硅 (silicon dioxide, SiO2)或者氟化鎂(magnesium fluoride, MgF2)等制成。此外，低折射率層4的厚度可以大于等于IOnm并小于等于lOOnm。電極層5可以由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或者摻雜鋁的氧化鋅(AZO)等制成。電極層5可以具有表面阻抗小于350 Ω / □的厚度(在IT0、15nm> 的情況下)。表面阻抗可以通過使用“Loresta-GP(注冊商標)”(由Mitsubishi Chemical Analytech Co. , Ltd.制造)遵循 “ JIS K-7194” 來測量。電極薄膜1被構(gòu)造為使得電極區(qū)域la(其中層壓基板2、高折射率層3、低折射率層4和電極層5的區(qū)域)的全光透過率大于等于85%。此外，電極薄膜1被構(gòu)造為使得電極區(qū)域Ia的全光透過率與非電極區(qū)域Ib (其中層壓基板2、高折射率層3和低折射率層4的區(qū)域)的全光透過率之間的差異小于2%。注意，全光透過率可以通過使用“NDH 5000”(由 Nippon Denshoku Industries Co. , Ltd.制造)遵循“JIS K-7105” 來測量。圖3及圖4示出了包括電極層、高折射率層和低折射率層的各層壓板的光學(xué)性能的測量結(jié)果表。其中層壓有電極層、高折射率層和低折射率層的層壓板被稱作“層壓結(jié)構(gòu)”。 在層壓結(jié)構(gòu)的任一者中，電極層由ITO制成，高折射率層由一氧化鈮制成，并且低折射率層由二氧化硅制成。圖3及圖4示出了各層的厚度、各層壓結(jié)構(gòu)的“表面阻抗”、“刺激值Y”、 “全光透過率”、“分光透過率”和“分光反射率”的對應(yīng)數(shù)值。表面阻抗依賴于電極層的厚度。由于層壓結(jié)構(gòu)1和層壓結(jié)構(gòu)2的電極層的厚度比較小，所以其表面阻抗大于等于350 Ω / 口。結(jié)果，層壓結(jié)構(gòu)1和層壓結(jié)構(gòu)2不適用于觸摸屏的電極薄膜。全光透過率是由“ JIS Κ-7105”所規(guī)定的測量方法測得的數(shù)值。全光透過率依賴于電極層、高折射率層和低折射率層的厚度以及絕對折射率。圖3及圖4示出了電極區(qū)域的全光透過率、非電極區(qū)域的全光透過率、以及任一層壓結(jié)構(gòu)的電極區(qū)域的全光透過率和非電極區(qū)域的全光透過率之間的差異。如圖3及圖4所示，電極區(qū)域和非電極區(qū)域的全光透過率不會響應(yīng)于電極層、高折射率層和低折射率層的厚度而增加/降低。即使各層的厚度較大，它們也可能會降低。原因如下。進入層壓板的光被各層的界面反射。反射光的相位因各層的絕對折射率的不同而彼此不同。如果各層的厚度是適當(dāng)?shù)模瑒t反射光彼此抵消，并且其透過率增大。如圖3及圖4所示，在各層的厚度合適的層壓結(jié)構(gòu)中，該層壓結(jié)構(gòu)的全光透過率大于等于85%。除了層壓機構(gòu)12和15以外的層壓結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了大于等于85%的全光透過率。透過率差異是電極區(qū)域與非電極區(qū)域的全光透過率之差。注意，正值表示存在電極區(qū)域的情況下，全光透過率降低。負值表示存在電極區(qū)域的情況下，全光透過率增加。 如圖3及圖4所示，層壓結(jié)構(gòu)4、7、8、10、17、19和22實現(xiàn)了小于2%的透過率差異。鑒于以上測量結(jié)果，層壓結(jié)構(gòu)4、7、8、10、17、19和22實現(xiàn)了小于350Ω/□的電極層的表面阻抗、大于等于85%的全光透過率和小于2%的透過率差異。也就是說，在各層的厚度具有上述層壓結(jié)構(gòu)的數(shù)值的情況下，電極薄膜1實現(xiàn)了較高的光透過性。此外，降低了電極區(qū)域Ia與非電極區(qū)域Ib的光透過性之間的差異。因此，用戶可以容易地視覺識別到電極區(qū)域Ia與非電極區(qū)域Ib之間的界面，即電極圖案。此外，除了上述結(jié)構(gòu)之外，電極薄膜1被構(gòu)造為使得“刺激值Y”因電極層的有 /無而產(chǎn)生的差異“ΔΥ”小于等于2.0?？梢曰谌肷浣菫?2°時，通過使用分光測量
7設(shè)備和“JIS Z-8701”所規(guī)定的測量方法所測得的波長范圍在380nm到780nm之間的透過率和反射率的測量值，來計算刺激值。具體而言，可以通過使用“U-4100” (由Hitachi High-Technologies Corporation (注冊商標 registered trademark) ffjljia )來 貝Ij量來自光源D65的光的透過率和反射率。在刺激值中，存在關(guān)于藍色(ζ)的刺激值(Z)，關(guān)于紅色 (χ)的刺激值⑴和關(guān)于綠色ω的刺激值⑴。在此，使用了關(guān)于綠色ω的刺激值⑴。 如圖3及圖4所示，在層壓結(jié)構(gòu)4、7、8、10、17、19和22中，層壓結(jié)構(gòu)4、7和19具有小于等于2.0%的分光透過率的Δ Y和小于等于2.0%的分光反射率的Δ Y。具有任一上述層壓結(jié)構(gòu)的電極薄膜1具有較小的電極區(qū)域Ia的光反射率與非電極區(qū)域Ib的光反射率之間的差異。結(jié)果，阻止了用戶因電極區(qū)域Ia的光反射率與非電極區(qū)域Ib的光反射率之間的差異而對電極圖案的識別。此外，除了上述結(jié)構(gòu)之外，電極薄膜1被構(gòu)造為使得f-b*色彩坐標空間中因電極層的有/無而產(chǎn)生的變化量Δ Eab小于等于4. 0。f-b*色彩坐標空間是一種色彩坐標空間， 以及人眼的模擬物非線性響應(yīng)。因此，f-b*色彩坐標空間中的兩個坐標之間的幾何距離可以被看作是人眼之間的相對知覺差異。可以基于入射角為12°時，通過使用分光測量設(shè)備和“JIS Z-8729”所規(guī)定的測量方法所測得的波長范圍在380nm到780nm之間的透過率和反射率的測量值，來計算f-b*色彩坐標空間中的變化量。如圖3及圖4所示，層壓結(jié)構(gòu)4、 7和19的任一者具有小于等于2. 0%的分光透過率的Δ Y和小于等于2. 0%的分光反射率的ΔΥ。此外，層壓結(jié)構(gòu)4、7和19的任一者具有小于等于4.0%的分光透過率的AEab和小于等于4.0%的分光反射率的ΔΕε 。具有上述層壓結(jié)構(gòu)的電極薄膜1比較小，使得電極區(qū)域Ia的色彩與非電極區(qū)域Ib 的色彩之間的差異對于人眼可以忽略。結(jié)果，阻止了用戶因電極區(qū)域Ia的色彩與非電極區(qū)域Ib的色彩之間的差異而對電極圖案的識別。如上所述，本實施例的電極薄膜1被構(gòu)造為使得電極區(qū)域Ia的全光透過率大于等于85%，電極區(qū)域Ia的全光透過率與非電極區(qū)域Ib的全光透過率之間的差異小于2%。結(jié)果，阻止了用戶因電極區(qū)域Ia的光透過率與非電極區(qū)域Ib的光透過率之間的差異而對電極圖案的識別。此外，本實施例的電極薄膜被構(gòu)造為使得電極區(qū)域Ia的刺激值Y與非電極區(qū)域Ib的刺激值Y之間的差異小于等于2. 0。結(jié)果，阻止了用戶因電極區(qū)域Ia的光反射率與非電極區(qū)域Ib的光反射率之間的差異而對電極圖案的識別。此外，本實施例的電極薄膜被構(gòu)造為使得電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的色彩坐標空間中的變化量小于等于 4. 0。結(jié)果，阻止了用戶因電極區(qū)域Ia的色彩與非電極區(qū)域Ib的色彩之間的差異而對電極圖案的識別。換言之，在電極薄膜1中，電極區(qū)域Ia的光學(xué)性能與非電極區(qū)域Ib的光學(xué)性能之間的差異較小。因此，由于電極薄膜1，可以阻止用戶對圖案的視覺識別，并且顯示器的視覺識別性不會降低。(電極薄膜的制造方法)將描述電極薄膜1的制造方法。在此，作為示例，假定在電極薄膜1中，高折射率層3是五氧化二鈮(Nb2O5),低折射率層4是二氧化硅(SiO2)，并且電極層5是氧化銦錫(ITO)，并且進行描述。圖5示出了電極薄膜1的制造設(shè)備10的概要視圖。如圖5所示，制造設(shè)備10包括腔室11、卷出軸12、主輥13、卷入軸14、導(dǎo)向輥15、第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18。卷出軸12、主輥13、卷入軸14、導(dǎo)向輥15、第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18被存放在腔室11中。作為基板2的材料的薄膜F被設(shè)定在卷出軸12、主輥13、和導(dǎo)向輥15上。該薄膜 F可以是通過利用丙烯酸樹脂涂覆PET樹脂而得到的薄膜。從卷出軸12卷開的薄膜F經(jīng)由導(dǎo)向輥15繞主輥13和卷入軸14卷繞。通過旋轉(zhuǎn)卷出軸12和卷入軸14，薄膜F可以經(jīng)由主輥13從卷出軸12移向卷入軸14。第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18分別是噴濺性陰極，預(yù)定的噴濺目標被設(shè)置在該噴濺性陰極上。第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18分別以面對主輥13的方式配置。它們從卷出軸12側(cè)(即，薄膜F的上游側(cè))開始以第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18的次序配置。此外，第一氣體導(dǎo)入管19設(shè)置在第一陰極16附近。第二氣體導(dǎo)入管 20設(shè)置在第二陰極17附近。第三氣體導(dǎo)入管21設(shè)置在第三陰極18附近。第一陰極16是用以形成高折射率層3的陰極，并且包括Nb制成的目標材料16a。 第二陰極17是用以形成低折射率層4的陰極，并且包括Si制成的目標材料17a。第三陰極 18是用以形成電極層5的陰極，并且包括IN-Sn-O復(fù)合氧化物制成的目標材料18a。Ar和 O2被供給到腔室11作為等離子體產(chǎn)生氣體，并且通過使用上述目標產(chǎn)生噴濺聲(反應(yīng)性噴濺聲)。因此，形成了分別由Nb205、SiO2* ITO制成的薄膜?？梢皂憫?yīng)于各層的材料，任意改變上述目標材料和等離子體產(chǎn)生氣體。將描述電極薄膜1的制造流程。在如上所述設(shè)定薄膜F之后，抽空腔室11。在此情況下，可以使薄膜F往復(fù)運動， 以去除包含在該薄膜F中的氣體。在使腔室11減壓到約IxlO-3I^時，從第一氣體導(dǎo)入管 19、第二氣體導(dǎo)入管20和第三氣體導(dǎo)入管21中引出等離子體產(chǎn)生氣體(如Ar)。在此情況下，等離子體產(chǎn)生氣體的流速被調(diào)節(jié)為使得腔室11內(nèi)的壓力約為0. 5Pa。接著，將電力施加到第一陰極16、第二陰極17和第三陰極18，并且將等離子體產(chǎn)生氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體。逐漸增加并調(diào)節(jié)被施加到各陰極的電壓，以達到預(yù)定的功率。在此情況下，可以通過使薄膜F以極低的速度移動而阻止薄膜F因等離子體放電伴隨的熱載荷而發(fā)生變形?；陬A(yù)先得到的薄膜成形速度與電力之間的關(guān)系來確定被施加至各陰極的電力。隨后，從氣體導(dǎo)入管中導(dǎo)入極其少量的O2，并且開始移送薄膜F。旋轉(zhuǎn)卷出軸12和卷入軸14，從而使薄膜F在主輥13上移送。通過等離子體從各陰極的目標材料中產(chǎn)生的噴濺微粒飛向薄膜F。設(shè)置在移動薄膜F上游側(cè)上的第一陰極16 層壓薄膜F (基板2，其具有由Nb2O5制成的高折射率層幻。被設(shè)置的第二陰極17接著層壓高折射率層3 (其具有由S^2制成的低折射率層4)。此外，第三陰極18層壓低折射率層4 和ITO制成的電極層5。卷入軸14卷繞所形成的層壓板，并且完成了薄膜的成形。隨后，上述層壓板的電極層5通過蝕刻法等經(jīng)受圖案化，并且以預(yù)定的尺寸切割該層壓板。結(jié)果，制造了電極薄膜1。注意，電極薄膜1可以通過不同于上述方法的方法來制造。例如，可以使用一種材料設(shè)置多個噴濺性陰極?？商鎿Q地，可以只設(shè)置一個噴濺性陰極，并且在形成單一材料制成的薄膜之后，改變噴濺目標，并且再次形成薄膜。除了噴濺法之外，可以采用沉積法、等離子體化學(xué)汽相沉積(CVD)法或者激光消融法來形成各層。以上述方式，可以制造電極薄膜1。注意，使如上所述制造的電極薄膜1在150°C的烤爐中經(jīng)受熱處理達60min，藉以阻止其尺寸變形，并且使電極層5晶格化。對上述被熱處理過的薄膜執(zhí)行上述光學(xué)性能的測量。(觸摸屏的結(jié)構(gòu))接著，將描述使用了電極薄膜1的觸摸屏。圖6概要示出了觸摸屏30的結(jié)構(gòu)的分解透視圖。如圖6所示，觸摸屏30包括層壓的顯示器D、兩片電極薄膜1(以下稱為電極薄膜 IX和電極薄膜1Y)以及罩面板C。顯示器D是IXD(液晶顯示器)或者類似物。罩面板C 保護電極薄膜1。罩面板C和顯示器D夾持著電極薄膜IX和電極薄膜1Y。電極薄膜IX和電極薄膜IY與透明粘合劑和膠黏劑結(jié)合在一起。注意，在圖6中，并未示出電子裝置的殼體，其中該電子裝置包括觸摸屏30、用于觸摸的驅(qū)動電路等。電極薄膜IX的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置不同于電極薄膜IY的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置。圖7A和圖7B示出了電極薄膜IX的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置以及電極薄膜IY的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置的平面圖。圖7A 示出了電極薄膜IX的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置以及電極薄膜IY的電極區(qū)域Ia 和非電極區(qū)域Ib的配置。圖7B示出了在電極薄膜IX和電極薄膜IY彼此重疊的情況下， 各個電極薄膜IX和電極薄膜IY的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib的配置。如圖7A和圖7B 所示，菱形電極圖案被連接在電極薄膜IX上的方向不同于菱形電極圖案被連接在電極薄膜IY上的方向。上述方向彼此正交。此外，電極薄膜IX和電極薄膜IY被配置為使得當(dāng)層壓電極薄膜IX的電極區(qū)域Ia和電極薄膜IY的電極區(qū)域Ia時，兩者不會彼此重合。在此，觸摸屏30的工作原理使用了下述現(xiàn)象。也就是說，當(dāng)操作子經(jīng)由罩面板C 靠近電極薄膜IX和電極薄膜IY時，由于操作子與各電極膜中的電極區(qū)域Ia之間的電容耦合作用，使電極布線交叉電容降低?；诒贿B接到電極區(qū)域Ia的檢測電路的輸出，指定了其中交叉電容降低的交叉位置，即用戶手指靠近的交叉位置。因此，檢測了指示位置坐標。 由此，電極薄膜IX的電極區(qū)域Ia和電極薄膜IY的電極區(qū)域Ib被形成為使得它們不會彼此重合，并且能夠與操作子電容耦合的區(qū)域增大。如圖7B所示，電極薄膜IX和電極薄膜IY之一的電極區(qū)域Ia與其它電極薄膜的非電極區(qū)域Ib不會完全一致。在兩個電極薄膜的電極區(qū)域Ia之間形成了間隙。原因如下。 如果電極區(qū)域Ia彼此重合，則重合部分中的光透過性降低。因此，在電極薄膜IX和電極薄膜IY互相重疊的狀態(tài)下，存在各個電極薄膜的電極區(qū)域Ia和非電極區(qū)域Ib彼此重合的區(qū)域(以下，圖案化區(qū)域)和各個電極薄膜的非電極區(qū)域Ib彼此重合的區(qū)域(以下，無圖案化區(qū)域)。因此，在電極薄膜1中，如果電極區(qū)域Ia的光學(xué)性能不同于非電極區(qū)域Ib的光學(xué)性能，則上述圖案化區(qū)域的光學(xué)性能不同于上述無圖案化區(qū)域的光學(xué)性能。在此，在本實施例的觸摸屏中，如上所述，電極區(qū)域Ia的光學(xué)性能與非電極區(qū)域Ib的光學(xué)性能之間的差異較小。因此，圖案化區(qū)域的光學(xué)性能與無圖案化區(qū)域的光學(xué)性能之間的差異也較小。此外， 顯示器的視覺識別性不會降低。(應(yīng)用示例)下面，將描述本實施例的應(yīng)用示例。在應(yīng)用示例中，具有不同結(jié)構(gòu)的電極薄膜IX和電極薄膜IY互相重疊，通過眼睛來
10評估視覺識別性。圖8示出了對應(yīng)用示例的觸摸屏的圖案的視覺識別性的評估結(jié)果表。被采用的層壓結(jié)構(gòu)是上述實施例的各個層壓結(jié)構(gòu)。如圖8所示，在所采用的層壓結(jié)構(gòu)是上述實施例所述的層壓結(jié)構(gòu)4、7、8、10、17、19 和22的情況下，即在全光透過率大于等于85%，并且電極區(qū)域與非電極區(qū)域之間的透過性差異小于2%的情況下，觸摸屏圖案化的視覺識別性是令人滿意的。本發(fā)明并不限于本實施例，并且可以在本發(fā)明的范疇內(nèi)對其進行修改。 在本實施例中，假定坐標檢測裝置是投影型電容觸摸屏，但是并不限于此。本發(fā)明可以例如被施加到其中形成有電極圖案的矩陣型抵抗觸摸屏。本申請包含于2010年9月8日向日本特許廳遞交的日本在先專利申請 JP2010-200776涉及的主題，在此通過引用將其全部內(nèi)容包含在本說明書中。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不脫離所附權(quán)利要求的范圍及其等同范圍的前提下，取決于設(shè)計要求及其他因素，可以進行各種改變、組合、子組合以及替換。
權(quán)利要求
1.一種電極薄膜，其包括基板，所述基板具有光透過性；以及層壓板，所述層壓板包括高折射率層，所述高折射率層層壓在所述基板上并且由高折射率材料制成，所述高折射率材料具有大于1. 50的絕對折射率，并且所述高折射率層具有大于等于2nm且小于等于 20nm的厚度，低折射率層，所述低折射率層層壓在所述高折射率層上并且由低折射率材料制成，所述低折射率材料具有小于1. 50的絕對折射率，并且所述低折射率層具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度，以及被圖案化的電極層，所述被圖案化的電極層層壓在所述低折射率層上并且由透明導(dǎo)電材料制成，并且所述被圖案化的電極層具有小于等于350Ω/ □的表面阻抗，所述層壓板具有大于等于85%的全光透過率，所述全光透過率由JISK-7105規(guī)定，并且所述全光透過率因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極薄膜，其中由JIS Z-8701規(guī)定的透過率的刺激值Y因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于等于 2. 0。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極薄膜，其中由JIS Z-8701規(guī)定的反射率的刺激值Y因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于等于 2. 0。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極薄膜，其中由JIS Z-8729規(guī)定的透過率的f-b*色彩坐標空間中的坐標因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于等于4.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極薄膜，其中由JIS Z-87^規(guī)定的反射率的色彩坐標空間中的坐標因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于等于4.0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極薄膜，其中所述高折射率層由一氧化鈮制成， 所述低折射率層由二氧化硅制成，并且所述電極層由氧化銦錫制成。
7.一種坐標檢測裝置，其包括顯示屏，所述顯示屏被構(gòu)造為顯示圖像；以及至少一個電極膜，所述至少一個電極膜包括基板，所述基板具有光透過性，以及層壓板，所述層壓板包括高折射率層，所述高折射率層層壓在所述基板上并且由高折射率材料制成，所述高折射率材料具有大于1. 50的絕對折射率，并且所述高折射率層具有大于等于2nm且小于等于 20nm的厚度，低折射率層，所述低折射率層層壓在所述高折射率層上并且由低折射率材料制成，所述低折射率材料具有小于1. 50的絕對折射率，并且所述低折射率層具有大于等于IOnm且小于等于IOOnm的厚度，以及被圖案化的電極層，所述被圖案化的電極層層壓在所述低折射率層上并且由透明導(dǎo)電材料制成，并且所述被圖案化的電極層具有小于等于350Ω/ □的表面阻抗，所述層壓板具有大于等于85%的全光透過率，所述全光透過率由JIS K-7105規(guī)定，并且所述全光透過率因所述電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2%。
全文摘要
本發(fā)明涉及電極薄膜和坐標檢測裝置，該電極薄膜包括基板和層壓板，該層壓板包括高折射率層，該高折射率層層壓在該基板上并且由高折射率材料制成，該高折射率材料具有大于1.50的絕對折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度；低折射率層，該低折射率層層壓在該高折射率層上并且由低折射率材料制成，該低折射率材料具有小于1.50的絕對折射率并且具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度；以及被圖案化的電極層，該被圖案化的電極層層壓在該低折射率層上并且由透明導(dǎo)電材料形成，并且該被圖案化的電極層具有小于等于350Ω/□的表面阻抗，所述層壓板具有大于等于85％的全光透過率，該全光透過率由JIS K-7105規(guī)定，并且該全光透過率因該電極層的有/無而產(chǎn)生的差異小于2％。
文檔編號G06F3/044GK102446577SQ20111026564
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者若生任志, 高浜吉隆 申請人:索尼公司