專利名稱：透明導電元件、信息輸入裝置以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及透明導電元件、信息輸入裝置以及顯示裝置。具體地，本發(fā)明涉及具有防反射性的透明導電元件。
背景技術(shù)：
透明導電膜用于諸如電子紙的顯示裝置和諸如觸摸板的輸入裝置。將具有約2. 0 的高折射率的材料(例如，銦錫氧化物(ITO))用作用于這些裝置的透明導電膜的材料。因此，即使在透明導電膜形成在諸如玻璃或粘合劑的介質(zhì)中的情況下，反射率也能根據(jù)透明導電膜的厚度增大，這有時使得顯示裝置和輸入裝置的質(zhì)量劣化。已經(jīng)使用了形成防反射膜的技術(shù)來改善導電元件的透明度。例如，日本未審查專利申請公開第2003-136625號披露了一種用于觸摸板的透明導電元件，該透明導電元件包括形成在基體和透明導電膜之間的防反射膜。通過順序堆積多個具有不同折射率的介電膜形成該防反射膜。近年來，顯示裝置和輸入裝置對于減小反射的要求不斷增加，并且期望不用使用防反射膜來實現(xiàn)防反射性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，期望提供具有防反射性質(zhì)的透明導電元件、信息輸入裝置以及顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明實施方式，提供了一種透明導電元件，包括具有第一表面和第二表面的導電層以及形成在第一表面和第二表面中的至少一個上的介質(zhì)層，其中，第一表面和第二表面中的至少一個是具有小于等于可見光波長的平均波長λ的波面；波面的平均峰間振幅(mean peak-to-peak amplitude) A與平均波長λ的比率(Α/λ )為1· 8以下；并且導電層的平均厚度大于波面的平均峰間振幅A。這里，介質(zhì)層是固體層、液體層或氣體層。介質(zhì)層可以含有諸如微粒的材料。氣體層優(yōu)選地主要由除空氣之外的氣體構(gòu)成。介質(zhì)層優(yōu)選形成為與導電層緊密接觸。在導電層的第一表面和第二表面上都形成介質(zhì)層的情況下，可以選擇相同種類或不同種類的介質(zhì)層。在本發(fā)明中，第一表面和第二表面優(yōu)選分別是均具有小于等于可見光波長的波長的第一波面和第二波面。第一波面的平均峰間振幅優(yōu)選與第二波面的平均峰間振幅不同。第一波面的平均峰間振幅優(yōu)選大于第二波面的平均峰間振幅。優(yōu)選地，第一波面的平均峰間振幅Aml與平均波長λ ml的比率(Ami/λ ml)為1. 8以下，并且第二波面的平均峰間振幅Am2與平均波長λπι2的比率(Am2/Xm2)為1. 8以下。導電層的表面電阻優(yōu)選地為 1000 Ω / □以下。在本發(fā)明中，導電層優(yōu)選含有選自由導電高分子、金屬納米粒子以及碳納米管組成的組中的至少一種。導電層優(yōu)選含有透明氧化物半導體。透明導電元件優(yōu)選還包括形成為與導電層相鄰的金屬層。第一波面和第二波面的位置關(guān)系可以彼此不同步。第一波面和第二波面的位置關(guān)系可以彼此同步。介質(zhì)層優(yōu)選具有20%以上的可見光透射率，可見光具有400nm以上且800nm以下的波長。在本發(fā)明中，優(yōu)選地，介質(zhì)層具有與波面形成界面的凹凸表面，凹凸表面由以小于或等于可見光波長的間距配置的大量結(jié)構(gòu)形成，以及結(jié)構(gòu)的平均縱橫比為1.8以下。優(yōu)選地，介質(zhì)層包括形成在第一表面上的第一介質(zhì)層和形成在第二表面上的第二介質(zhì)層；第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層中的至少一個具有與波面形成界面的凹凸表面；凹凸表面由以小于等于可見光波長的間距配置的大量結(jié)構(gòu)體形成，并且結(jié)構(gòu)體的平均縱橫比為1.8以下。在本發(fā)明中，導電層的第一表面和第二表面中的至少一個是具有小于等于可見光波長的波長λ的波面，并且波面的平均峰間振幅A與平均波長λ的比率(Α/λ)為1.8以下。因此，可以減小導電層的表面的光反射。根據(jù)本發(fā)明，如上所述，可以提供具有防反射性的透明導電元件。包括該導電元件的信息輸入裝置或顯示裝置可以具有良好的顯示特性。


圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖；圖IB是示出圖IA所示的電極區(qū)域Rl的放大截面圖；圖IC是示出圖IA所示的絕緣區(qū)域R2的放大截面圖；圖2Α是示出電極區(qū)域Rl中的光學層和第一透明導電膜之間的界面的第一實例的放大截面圖；圖2Β是示出電極區(qū)域Rl中的光學層和第一透明導電膜之間的界面的第二實例的放大截面圖；圖3Α是示出電極區(qū)域Rl中的光學層和第一透明導電膜之間的界面的第三實例的放大截面圖；圖:3Β是示出電極區(qū)域Rl中的光學層和第一透明導電膜之間的界面的第三實例的放大截面圖；圖4Α是示出絕緣區(qū)域R2中的第一光學層和第二光學層之間的界面的第一實例的放大截面圖；圖4Β是示出絕緣區(qū)域R2中的第一光學層和第二光學層之間的界面的第二實例的放大截面圖；圖5Α是示出大量的作為凸起的結(jié)構(gòu)體形成在兩個主面上的第一光學層的第一實例的示意性平面圖；圖5Β是圖5Α所示的第一光學層的部分的放大平面圖；圖5C是沿圖5Β的軌道Τ1、Τ3、…截取的截面圖；圖5D是沿圖5Β的軌道Τ2、Τ4、…截取的截面圖；圖6Α是圖5Β所示的第一光學層在軌道延伸方向上的截面圖；圖6Β是圖5Β所示的第一光學層在θ方向上的截面圖；圖7Α是示出圖5Β所示的結(jié)構(gòu)體的第一形狀實例的透視圖；圖7Β是示出圖5Β所示的結(jié)構(gòu)體的第二形狀實例的透視圖；圖8Α是示出圖5Β所示的結(jié)構(gòu)體的第三形狀實例的透視圖；圖8Β是示出圖5Β所示的結(jié)構(gòu)體的第四形狀實例的透視圖9A示出了具有圓錐形或圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的配置實例；圖9B示出了具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的結(jié)構(gòu)體的配置實例；圖IOA是示出大量的作為凹陷的結(jié)構(gòu)體形成在兩個主面上的第一光學層的第二實例的示意性平面圖；圖IOB是圖IOA所述的第一光學層的部分的放大平面圖；圖IOC是沿圖IOB的軌道Tl、T3、…截取的截面圖；圖IOD是沿圖IOB的軌道T2、T4、…截取的截面圖；圖11是圖IOB所示的第一光學層的部分的放大透視圖；圖12Α是示出用于制造第一光學層的輥型原盤的實例的透視圖；圖12Β是圖12Α所示的輥型原盤的部分的放大平面圖；圖13示意性示出了輥型原盤曝光裝置的實例；圖14Α至圖14Ε是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的實例的處理圖；圖15Α至圖15D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的實例的處理圖；圖16Α至圖16D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的實例的處理圖；圖17Α是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的修改例的平面17Β是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的修改例的平面18Α是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的修改例的截面18Β是圖18Α所示的導電元件的部分的放大截面圖；圖19Α至圖19D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的修改例的處理圖；圖20Α至圖20C是用于描述根據(jù)本發(fā)明第改例的處理圖；圖2IA至圖2ID是用于描述根據(jù)本發(fā)明第改例的處理圖； 圖22Α和圖22Β是用于描述根據(jù)本發(fā)明第改例的處理圖；圖23Α是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的導電元件的第性平面圖；圖2 是圖23A所示的第一光學層的部分的放大平面圖；圖23C是沿圖23B的軌道T1、T3、…截取的截面圖；圖23D是沿圖23Β的軌道Τ2、Τ4、…截取的截面圖；圖24Α是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的導電元件的第性平面圖；圖24Β是圖24Α所示的第一光學層的部分的放大平面圖；圖25Α是示出根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的導電元件的第性平面實施方式的導電元件的制造方法的修
實施方式的導電元件的制造方法的修
實施方式的導電元件的制造方法的修
-光學層的實例的示意
-光學層的實例的示意
-光學層的實例的示意
6
圖25B是圖25A所示的第一光學層的部分的放大平面圖；圖25C是沿圖25B所示的線XXVC-XXVC截取的截面圖；圖2隊是示出根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖；圖^B是圖2隊所示的觸摸板的部分的放大截面圖；圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖；圖28k是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖；圖28B是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的第一導電元件的實例的截面圖；圖^C是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的第二導電元件的實例的截面圖；圖29A至圖29D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的第一導電元件的制造方法的實例的處理圖；圖30是示出根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例的截面圖；圖31是示出根據(jù)參考例1-1至1-3以及比較例1的導電元件的反射特性的圖表；圖32是示出根據(jù)參考例2-1至2-3以及比較例2的導電元件的反射特性的圖表；圖33是示出根據(jù)參考例3-1和3-2以及比較例3的導電元件的反射特性的圖表；圖34是示出根據(jù)參考例20-1至20_3的導電元件以及根據(jù)參考例20_4的光學元件的反射特性的圖表；圖35是示出根據(jù)參考例4-1和4-2以及比較例4_2的導電片以及根據(jù)比較例4_1 的光學片的反射特性的圖表；圖36A是示出根據(jù)參考例5-1至5_4的導電片以及根據(jù)比較例5的光學片的反射特性的圖表；圖36B是示出根據(jù)參考例6-1至6_4的導電片以及根據(jù)比較例6的到光學片的反射特性的圖表；圖37A是示出根據(jù)參考例7-1至7_4的導電片以及根據(jù)比較例7的光學片的反射特性的圖表；圖37B是示出根據(jù)參考例8-1至8_4的導電片以及根據(jù)比較例8的光學片的反射特性的圖表；圖38A是示出根據(jù)參考例9-1至9-4的導電片以及根據(jù)比較例9的光學片的反射特性的圖表；圖38B是示出根據(jù)參考例10-1至10_4的導電片以及根據(jù)比較例10的光學片的反射特性的圖表；圖39是示出根據(jù)參考例11-1至11-4的導電片以及根據(jù)比較例11的光學片的反射特性的圖表；圖40A是示出根據(jù)參考例12-1至12_6的導電片的表面電阻的圖表；圖40B是示出根據(jù)參考例13-1至18_4的導電片的表面電阻的圖表；以及；圖40C是示出根據(jù)參考例19-1至19_4的導電片的表面電阻的圖表。
具體實施例方式將參照附圖按如下順序描述本發(fā)明的實施方式。1.第一實施方式(在光學層中形成兩層透明導電膜的情況參照圖IA至圖1C)
2.第二實施方式(結(jié)構(gòu)體二維配置成四方點陣圖樣的情況參照圖23A至圖23D)3.第三實施方式(兩種以上結(jié)構(gòu)體二維配置的情況參照圖24A和圖MB)4.第四實施方式(結(jié)構(gòu)體隨機配置的情況參照圖25A至圖25C)5.第五實施方式(在光學層中形成單層透明導電膜的情況參照圖26A和圖^B)6.第六實施方式(電阻式觸摸板的第一應用例參照圖27)7.第七實施方式(電阻式觸摸板的第二應用例參照圖28A至圖^C)8.第八實施方式(顯示裝置的應用例參照圖30)<1.第一實施方式>[觸摸板的結(jié)構(gòu)]圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖。如圖IA所示，用作信息輸入裝置的觸摸板10設置在顯示裝置12的顯示表面上?？蓱糜|摸板10的顯示裝置12的實例包括但不特別限于諸如液晶顯示器、陰極射線管(CRT)顯示器、等離子顯示面板(PDP)、電致發(fā)光(EL)顯示器、以及表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(SED)的各種顯示裝置。觸摸板10是所謂的投影型靜電電容觸摸板并包括導電元件11。導電元件11包括光學層1，其包括形成為其間具有特定距離的第一透明導電膜5和第二透明導電膜6。例如，第一透明導電膜5是具有特定圖樣的X電極(第一電極)。例如，第二透明導電膜6是具有特定圖樣的Y電極(第二電極)。例如，X電極和Y電極布置為彼此垂直。例如，光學層1的折射率η為1. 2以上且1. 7以下。第一透明導電膜5的表面電阻優(yōu)選為1000 Ω / □以下，并且更優(yōu)選為500 Ω / □以下。當?shù)谝煌该鲗щ娔?具有上述范圍內(nèi)的表面電阻時，其可以用于靜電電容觸摸板。第二透明導電膜6的表面電阻優(yōu)選地為1000 Ω /平方以下，并且更優(yōu)選地為500Ω/平方以下。 當?shù)诙该鲗щ娔?具有上述范圍內(nèi)的表面電阻時，其可以用于靜電電容觸摸板。觸摸板10包括形成了第一透明導電膜5或第二透明導電膜6的電極區(qū)域Rl以及沒有形成第一透明導電膜5或第二透明導電膜6的絕緣區(qū)域R2，絕緣區(qū)域R2在相鄰的透明導電膜之間提供電隔離。圖IB是示出圖IA所示的電極區(qū)域Rl的放大截面圖。圖IC是示出圖IA所示的絕緣區(qū)域R2的放大截面圖。光學層1包括第一光學層2、第二光學層3以及第三光學層4。 第一透明導電膜5設置在第一光學層2和第二光學層3之間。第二透明導電膜6設置在第一光學層2和第三光學層4之間。光學層1包括彼此面對的第一表面Sol和第二表面So2以及彼此面對的第三表面 So3和第四表面So4。具體地，光學層1包括具有第一表面Sol和第四表面So4的第二光學層2、具有第二表面So2的第二光學層3、以及具有第三表面So3的第三光學層4。光學層 1包括彼此面向的第一表面Sol和第二表面So2以及彼此面向的第三表面So3和第四表面 So4。特別地，光學層1包括具有第一表面Sol和第四表面So4的第二光學層2、具有第二表面So2的第二光學層3、以及具有第三表面So3的第三光學層4。第一透明導電膜5設置在第一表面Sol和第二表面So2之間，以與第一表面Sol和第二表面So2緊密接觸。第二透明導電膜6設置在第三表面So3和第四表面So4之間，以與第三表面So3和第四表面So4 緊密接觸。
(導電層形成區(qū)域Rl)電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜5具有第一表面Sl和第二表面S2。第一透明導電膜5的第一表面Sl是與第一光學層2形成界面的表面。第一透明導電膜5的第二表面S2是與第二光學層3形成界面的表面。第一表面Sl和第二表面S2中的至少一個是波長λ小于等于可見光的波長的波面。優(yōu)選地，第一表面Sl和第二表面S2均為上述波面。 這是因為可以抑制界面反射。該波面的平均峰間振幅Am與平均波長λπι的比率(Am/Xm) 為1.8以下。如果該比率超過1.8，則轉(zhuǎn)印會變得困難。第一透明導電膜5的平均厚度Dm 優(yōu)選大于該波面的平均峰間振幅Am。這增加了導電材料的自由度，因此可以簡化處理。電極區(qū)域Rl中的第二透明導電膜6具有第一表面Sl和第二表面S2。第二透明導電膜6的第一表面Sl是與第三光學層4形成界面的表面。第二透明導電膜6的第二表面S2是與第一光學層2形成界面的表面。第一表面Sl和第二表面S2中的至少一個是波長λ小于等于可見光的波長的波面。優(yōu)選地，第一表面Sl和第二表面S2均為上述波面。 這是因為可以抑制界面反射。該波面的平均峰間振幅Am與平均波長λπι的比率(Am/λπι) 為1.8以下。如果該比率超過1.8，則轉(zhuǎn)印會變得困難。第二透明導電膜6的平均厚度Dm 優(yōu)選大于該波面的平均峰間振幅Am。這增加了導電材料的自由度，因此可以簡化處理。可以獨立地選擇第一透明導電膜5和第二透明導電膜6各自的材料、厚度等。還可以獨立地選擇第一透明導電膜5和第二透明導電膜6各自的第一表面Sl和第二表面S2 的形狀、波長、振幅等。電極區(qū)域Rl中的第一表面Sol和第二表面So2中的至少一個是以小于等于可見光波長的間距配置了大量結(jié)構(gòu)體的凹凸表面。優(yōu)選地，第一表面Sol和第二表面So2均為上述凹凸表面。這是因為可以進一步抑制界面反射。結(jié)構(gòu)體的平均縱橫比(Hm/Pm)優(yōu)選為 1. 8以下。第一透明導電膜5的平均厚度Dm優(yōu)選大于結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm。電極區(qū)域Rl中的第三表面So3和第四表面So4中的至少一個是以小于等于可見光波長的間距配置了大量結(jié)構(gòu)體的凹凸表面。優(yōu)選地，第三表面So3和第四表面So4均為上述凹凸表面。這是因為可以進一步抑制界面反射。結(jié)構(gòu)體的平均縱橫比(Hm/Pm)為1.8 以下。第二透明導電膜6的平均厚度Dm大于結(jié)構(gòu)體的平均高度Hm?，F(xiàn)在將參照圖2A至圖;3B描述電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜5的第一表面Sl 和第二表面S2以及光學層1的第一表面Sol和第二表面So2。電極區(qū)域Rl中的第二透明導電膜6的第一表面Sl和第二表面S2與電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜5的第一表面 Sl和第二表面S2相同，因此省略描述。類似地，電極區(qū)域Rl中的光學層1的第三表面So3 和第四表面So4與電極區(qū)域Rl中的光學層1的第一表面Sol和第二表面So2相同，因此省略描述。(第一實例)圖2A是示出電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜的第一實例的放大截面圖。第一透明導電膜5具有第一波面Swl和第二波面Sw2。例如，第一波面Swl和第二波面Sw2彼此同步或非同步。第一波面Swl是與第一光學層2形成界面的波面。第二波面Sw2是與第二光學層3形成界面的波面。第一波面Swl的波長λ 1和第二波面Sw2的波長λ 2小于等于可見光的波長。例如，第一波面Swl的平面峰間振幅Aml和第二波面Sw2的平均峰間振幅Am2可以彼此相同或不同。當單向切割第一波面Swl和第二波面Sw2使得截面包括峰間振幅最大化的位置時獲得的截面形狀，例如是三角波形、正弦波形、通過重復二次曲線或二次曲線的一部分獲得的波形、或與上述類似的波形。二次曲線的實例包括圓、橢圓以及拋物線。第一波面Swl和第二波面Sw2不必具有相同波形，并可以根據(jù)需要的光學性質(zhì)等具有不同波形。電極區(qū)域Rl中的第一波面Swl的平均峰間振幅Aml與平均波長λ ml的比率(Ami/ λ ml)優(yōu)選為1.8以下。如果該比率小于0. 1，則反射率趨于增大。如果該比率大于1.8，則趨于不能滿足表面電阻的期望值。第二波面Sw2的平均峰間振幅Am2與平均波長λπ 的比率(Am2/Xm2)優(yōu)選為1.8以下。如果該比率小于0.1，則反射率趨于增大。如果該比率大于1.8，則趨于不能滿足表面電阻的期望值。可以根據(jù)導電材料的類型選擇第一透明導電膜5的平均厚度Dm。第一波面Swl和第二波面Sw2的諸如振幅和波長的物理性質(zhì)不必彼此相同，而可以彼此不同。如下確定第一波面Swl的平均波長λ ml、平均峰間振幅Ami和比率(Ami/ λ ml)以及第二波面Sw2的平均波長λπι2、平均峰間振幅Am2和比率(Am2/λ m2)。首先，單向切割導電元件11，使得截面包括第一透明導電膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2的峰間振幅最大化的位置。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片確定第一波面Swl的波長λ 1和峰間振幅Al，或者第二波面Sw2的波長λ 2和峰間振幅A2。在從導電元件11隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單地平均(算術(shù)平均)，以確定第一波面Swl的平均波長λ ml和平均峰間振幅Ami，或者第二波面Sw2的平均波長λ m2 和平均峰間振幅Am2。隨后，使用平均波長λ ml和平均峰間振幅Aml或者平均波長λ m2和平均峰間振幅Am2來確定比率(Ami/ λ ml)或比率(Am2/ λ m2)。平均厚度表示最大厚度的平均值，并具體地如下確定。首先，單向切割導電元件 11，使得截面包括第一透明導電膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2的峰間振幅最大化的位置。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片測量第一透明導電膜5在厚度最大化的位置的厚度。在從第一透明導電膜5隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單平均(算術(shù)平均)，以確定平均厚度。第一光學層2具有第一波面Sowl，并且第二光學層3具有第二波面Sow2。第一透明導電膜5設置在第一波面Sowl和第二波面Sow2之間。第一波面Sowl是與第一透明導電膜5的第一波面Swl形成界面的波面。第二波面Sow2是與第一透明導電膜5的第二波面Sw2形成界面的波面。通過二維配置多個第一結(jié)構(gòu)體加形成第一波面Sowl。通過二維配置多個第二結(jié)構(gòu)體3a形成第二波面Sow2。電極區(qū)域Rl中的第一結(jié)構(gòu)體加的平均縱橫比(平均高度Hml/平均配置間距Riil) 優(yōu)選為1. 8以下。電極區(qū)域Rl中的第二結(jié)構(gòu)體3a的平均縱橫比(平均高度Hm2/平均配置間距Rii2)優(yōu)選為1. 8以下。對應于第一結(jié)構(gòu)體加的頂部的位置的第一透明導電膜5的平均厚度優(yōu)選為120nm以下。如果平均厚度大于120nm，則反射率趨于增大。當假設對應于第一結(jié)構(gòu)體加的頂部的位置的第一透明導電膜5的厚度為D1，假設對應于第一結(jié)構(gòu)體加的斜面的位置的第一透明導電膜5的厚度為D2，以及假設與第一結(jié)構(gòu)體加之間的位置對應的位置的第一透明導電膜5的厚度為D3時，優(yōu)選地滿足Dl > D3 > D2的關(guān)系。這里，如下確定平均縱橫比(Hml/Riil)。首先，切割導電元件11，使得截面包括第一結(jié)構(gòu)體加的頂部。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片確定第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距Pl以及第一結(jié)構(gòu)體加的高度或深度HI。在從導電元件11 隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單平均(算術(shù)平均)，以確定平均配置間距Riil和平均高度Hml。然后使用平均配置間距Riil和平均高度Hml確定平均縱橫比(Hml/ Riil)。可以以與上述平均縱橫比(Hml/Riil)相同的方式獲得平均縱橫比(Hm2/Rii2)。平均厚度表示最大厚度的平均值，并具體地如下來確定。首先，切割導電元件11， 使得截面包括第一結(jié)構(gòu)體加的頂部。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片測量對應于第一結(jié)構(gòu)體加的位置的第一透明導電膜5的厚度。在從導電元件11隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單平均(算術(shù)平均)，以確定平均厚度。(第二實例)圖2B是示出電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜的第二實例的放大截面圖。第一透明導電膜5具有第一波面Swl和第二波面Sw2。第一波面Swl和第二波面Sw2具有不同波長λ和/或不同振幅Α。第一波面Swl和第二波面Sw2的波形可以彼此不同。(第三實例)圖3A是示出電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜的第三實例的放大截面圖。第一透明導電膜5具有波面Swl和平面表面Sp2。波面Swl是與第一光學層2形成界面的表面。 平面表面Sp2是與第二光學層3形成界面的表面。在該第三實例中，由于第一透明導電膜 5具有波面Swl，因此可以抑制第一透明導電膜5和第一光學層2之間的界面的光反射。(第四實例)圖:3B是示出電極區(qū)域Rl中的第一透明導電膜的第四實例的放大截面圖。第一透明導電膜5具有平面表面Spl和波面Sw2。平面表面Spl是與第一光學層2形成界面的表面。波面Sw2是與第二光學層3形成界面的表面。在該第四實例中，由于第一透明導電膜 5具有波面Sw2，因此可以抑制第二光學層3和第一透明導電膜5之間的界面的光反射。(絕緣區(qū)域R2)絕緣區(qū)域R2中的第一光學層2和第二光學層3之間的界面具有例如平面表面或波面，并優(yōu)選具有波長λ小于等于可見光波長的波面。這是因為，當?shù)谝还鈱W層2和第二光學層3具有不同折射率時，可以抑制其間的界面處的反射。具體地，界面具有與第一光學層的第一表面Sol或第二光學層的第二表面So2相同的形狀?，F(xiàn)在將參照圖4A和圖4B描述絕緣區(qū)域R2中的第一光學層2和第二光學層3之間的界面。絕緣區(qū)域R2中的第一光學層2和第三光學層4之間的界面與絕緣區(qū)域R2中的第一光學層2和第二光學層3之間的界面相同，因此省略描述。(第一實例)圖4A是示出絕緣區(qū)域R2中的第一光學層和第二光學層之間的界面的第一實例的放大截面圖。第一光學層2和第二光學層3之間的界面具有與第一透明導電膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2相同的形狀。在圖4A中，描述了第一光學層2和第二光學層3之間的界面具有與第一透明導電膜5的第一波面Swl相同形狀的情況。(第二實例)圖4B是示出絕緣區(qū)域R2中的第一光學層和第二光學層之間的界面的第一實例的放大截面圖。第一光學層2和第二光學層3之間的界面具有與第一透明導電膜5的平面表面Spl或Sp2相同的形狀。在圖4B中，描述了第一光學層2和第二光學層3之間的界面具有與第一透明導電膜5的平面表面Spl相同的形狀的情況。(第一光學層)(第一實例)圖5A是示出第一光學層的第一實例的示意性平面圖，在第一光學層中，大量的凸起的結(jié)構(gòu)體形成在兩個主面上。圖5B是圖5A所示的第一光學層的部分的放大平面圖。圖 5C是沿圖5B的軌道T1、T3、…截取的截面圖。圖5D是沿圖5Β的軌道Τ2、Τ4、…截取的截面圖。圖6Α是圖5Β所示的第一光學層在軌道延伸方向(X方向(下文中，可以稱為軌道方向))上的截面圖。圖6Β是圖5Β所示的第一光學層在θ方向上的截面圖。圖7Α至圖 8Β是示出圖5Β所示的結(jié)構(gòu)體的形狀實例的透視圖。第一光學層2包括具有第一主面和第二主面的基體2c、形成在第一主面上的大量第一結(jié)構(gòu)體2a、以及形成在第二主面上的大量第二結(jié)構(gòu)體2b。例如，第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b是凸起。(基體)基體2c例如是透明基體?；w2c的材料例如是具有透明性的塑料材料或主要由玻璃制成的材料，但是不特別地限制于此。玻璃的實例包括鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬玻璃、石英玻璃、以及液晶玻 ^ ( # M the Chemical Society of Japan ^mStJ “kagaku Binran (Chemical Handbook) "Kiso-hen(Basic)，p. 1-537)。就諸如透明度、折射率和色散的光學性質(zhì)、耐沖擊性、耐熱性以及耐用性而言，塑料材料的優(yōu)選實例包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯以及甲基丙烯酸甲酯和乙烯單體的共聚物(例如烷基(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯)的(甲基)丙烯酸類樹脂；諸如聚碳酸酯和二甘醇雙(烯丙基碳酸酯)(CR-39)的聚碳酸酯類樹脂；諸如 (溴化)雙酚A 二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物、以及(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的尿烷改性單體的聚合物或共聚物的熱固性(甲基)丙烯酸類樹脂；諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不飽和聚酯的聚酯；以及丙烯腈-苯乙烯共聚物、 聚氯乙烯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮以及環(huán)烯烴聚合物(產(chǎn)品名ART0N和 ZE0N0R)。另外，還可以考慮到耐熱性使用芳族聚酰胺類樹脂。當基體2c由塑料材料構(gòu)成時，可以通過設置底涂層執(zhí)行表面處理，以進一步提高塑料表面的表面能、涂布容易性、滑動性以及光滑度。底涂層例如由有機烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯以及聚氨酯構(gòu)成。為了產(chǎn)生與通過沉積底涂層達到的相同效果， 可以在基體2c的表面執(zhí)行電暈放電或紫外線照射處理。當基體2C是塑料膜時，例如，可以通過拉伸上述樹脂或者將樹脂在溶劑中稀釋、 形成膜、然后將膜干燥來獲得基體2c。優(yōu)選地，根據(jù)導電元件11的用途來適當?shù)剡x擇基體 2c的厚度，例如，大約25μπι至500μπι?；w2c的形狀例如是片狀形、板狀形或塊狀形，但是不限于此。這里，將片定義為包括膜。(結(jié)構(gòu)體)通過在基體2c的第一主面上配置大量作為凸起的第一結(jié)構(gòu)體加形成第一波面
12Sowl。通過在基體2c的第二主面上配置大量作為凸起的第二結(jié)構(gòu)體沘形成第四波面Sow4。 這些第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體ab以小于等于要減小反射的光的波長范圍的平均配置間距(例如，以大致等于可見光波長的平均配置間距)以規(guī)則的間隔二維配置。要減小反射的光的波長范圍包括紫外光、可見光以及紅外光的波長范圍。紫外光的波長范圍是IOnm至 360nm，可見光的波長范圍是360nm至830nm，而紅外光的波長范圍是830nm至1mm。具體地，第一結(jié)構(gòu)體加的平均配置間距優(yōu)選為180nm以上且350nm以下，更優(yōu)選為IOOnm以上且320nm以下，進一步優(yōu)選為IlOnm以上且^Onm以下。如果平均配置間距小于180nm，則趨于變得難以制造第一結(jié)構(gòu)體加。如果平均配置間距大于350nm，則趨于引起可見光衍射。由于除了第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b形成在基體2c的不同表面上，第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b相同，因此下面只描述第一結(jié)構(gòu)體加。具有包括多行軌道Tl、T2、T3、…(下文中統(tǒng)稱為“軌道T”)的布置的第一光學層2的第一結(jié)構(gòu)體加設置在基體2c的表面上。在本發(fā)明中，術(shù)語“軌道”表示第一結(jié)構(gòu)體加線性地成行配置的部分。術(shù)語“列方向”表示在基體2c表面上與軌道延伸方向(X方向) 正交的方向。在相鄰的兩個軌道T中，一個軌道上配置的第一結(jié)構(gòu)體加從另一軌道上配置的第一結(jié)構(gòu)體加偏移半個間距。具體地，在相鄰的兩個軌道T中，在一個軌道(例如，Tl)上配置的第一結(jié)構(gòu)體加之間的中間位置(在偏移了半個間距的位置)處，設置有另一軌道(例如，T2)上的第一結(jié)構(gòu)體加。因此，如圖5B所示，在相鄰的三行軌道(Tl至T3)中，第一結(jié)構(gòu)體加配置為使得形成第一結(jié)構(gòu)體加的中心位于點al至a7的六方點陣圖樣或類六方點陣圖樣。在該實施方式中，術(shù)語“六方點陣圖樣”表示具有規(guī)則六邊形形狀的點陣圖樣。術(shù)語“類六方點陣圖樣”表示不同于具有規(guī)則六邊形形狀的點陣圖樣的、在軌道延伸方向(X 軸方向)上被拉伸并變形的六方點陣圖樣。除類六方點陣圖樣和六方點陣圖樣外，結(jié)構(gòu)體可以具有諸如四方點陣圖樣和隨機凹凸表面的其他圖樣。如圖5B所示，當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加配置為使得形成類六方點陣圖樣時，同一軌道(例如，Tl)上的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距Pl (al和a2之間的距離)優(yōu)選長于兩個相鄰軌道 (例如，Tl和T2)之間的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距，即，第一結(jié)構(gòu)體加在相對于軌道延伸方向的士 θ方向的配置間距ρ2(例如，al和a7之間或a2和a7之間的距離)。通過以這樣的方式配置第一結(jié)構(gòu)體2a，可以進一步提高第一結(jié)構(gòu)體加的充填密度。就成型容易性而言，第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選具有圓錐形式或在軌道方向上拉伸或收縮的圓錐形式。第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選具有軸對稱圓錐形式或在軌道方向上拉伸或收縮的圓錐形式。當相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加彼此接合時，除了彼此接合的相鄰第一結(jié)構(gòu)體加的下部， 第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選地具有軸對稱圓錐形式或在軌道方向上拉伸或收縮的圓錐形式。圓錐形式的實例包括圓錐形、圓錐臺形、橢圓錐形以及橢圓錐臺形。如上所述，除了圓錐形和圓錐臺形，圓錐形式的概念還包括橢圓錐形以及橢圓錐臺形。圓錐臺形是通過從圓錐形去除圓錐形的頂部獲得的形狀。橢圓錐臺形是通過從橢圓錐形去除橢圓錐形的頂部獲得的形狀。第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選具有圓錐形式，該圓錐形式具有其中軌道延伸方向上的寬度大于與軌道延伸方向正交的列方向上的寬度的底面。具體地，如圖7A和圖7B所示，第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選具有橢圓錐形，其中，底面為具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形，并且頂部具有曲面。如圖8A所示，第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選具有橢圓錐臺形，其中，底面是具有長軸和短軸的橢圓形、長圓形或卵形，并且頂部是平坦的。借助于這種形狀，可以提高第一結(jié)構(gòu)體加在列方向上的充填率。為了改善反射特性，在頂部具有平緩斜率并在中央至底部具有逐漸增大的斜率的圓錐形式(參照圖7B)是優(yōu)選的。為了改善反射和透射特性，中央的斜率比底部和頂部的斜率更陡的圓錐形式(參照圖7A)或者頂部是平的圓錐形式(參照圖8A)是優(yōu)選的。當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加具有橢圓錐形或橢圓錐臺形時，底面的長軸方向優(yōu)選平行于軌道延伸方向。在圖7A至圖8B中，第一結(jié)構(gòu)體加每個都具有相同結(jié)構(gòu)，但是第一結(jié)構(gòu)體加的形狀不限于此。 可以在基體的表面上形成具有兩種以上形狀的第一結(jié)構(gòu)體加。第一結(jié)構(gòu)體加可以與基體 2c 一體形成。如圖7A至圖8B所示，優(yōu)選在每個第一結(jié)構(gòu)體加的外圍的部分或整體中形成突出部加。即使在第一結(jié)構(gòu)體加的充填率低時，這也能減小反射率。具體地，如圖7A至圖8B 所示，突出部加形成在相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加之間。此外，如圖8B所示，細長的突出部加可以形成在每個第一結(jié)構(gòu)體加的外圍的部分或整體中。細長的突出部2e例如在從第一結(jié)構(gòu)體加的頂部到下部的方向延伸。當從截面看時，突出部2e的形狀例如是三角形或四邊形，但是不限于此?？梢钥紤]成型的容易性來選擇形狀。通過使每個第一結(jié)構(gòu)體加的周圍表面的部分或整體粗糙，可以形成微小凸起和凹陷。具體地，通過使相鄰第一結(jié)構(gòu)體加之間的表面粗糙，可以形成微小凸起和凹陷?？梢栽诿總€第一結(jié)構(gòu)體加的表面中(例如在其頂部)形成微孔。第一結(jié)構(gòu)體加在軌道延伸方向上的高度Hl優(yōu)選小于第一結(jié)構(gòu)體加在列方向上的高度H2。即，第一結(jié)構(gòu)體加的高度Hl和H2優(yōu)選滿足Hl <H2的關(guān)系。如果第一結(jié)構(gòu)體加配置為使得滿足Hl彡H2的關(guān)系，則軌道延伸方向上的配置間距Pl不得不增大。因此， 第一結(jié)構(gòu)體加在軌道延伸方向上的充填率減小。充填率的這種減小使反射特性劣化。所有第一結(jié)構(gòu)體加的縱橫比不必都相同，并且第一結(jié)構(gòu)體加可以配置為使得具有一定的高度分布。通過設置具有高度分布的第一結(jié)構(gòu)體加為，可以抑制反射特性的波長依賴性。因此，可以獲得具有良好防反射特性的導電元件11。術(shù)語“高度分布”表示在基體2c的表面上設置具有兩種以上不同高度(深度)的第一結(jié)構(gòu)體加。即，表示在基體2c的表面上設置了具有基準高度的第一結(jié)構(gòu)體加和具有不同于基準高度的高度的第一結(jié)構(gòu)體加。例如，具有不同于基準高度的高度的第一結(jié)構(gòu)體加周期或非周期(隨機)地設置在基體2c的表面上。例如，軌道延伸方向和列方向可以作為周期性的方向的例子。襟部(hem) 2d優(yōu)選設置在第一結(jié)構(gòu)體加的外圍部分。這是因為，在導電元件的制造處理中，第一結(jié)構(gòu)體加可以容易地從模具等剝離。這里，襟部2d是形成在第一結(jié)構(gòu)體加的底部的外圍部分中的突出部。就剝離特性而言，襟部2d優(yōu)選具有高度在從第一結(jié)構(gòu)體加的頂部到下部的方向上逐漸減小的曲面。襟部2d可以僅設置在第一結(jié)構(gòu)體加的部分外圍部分中，但是為了提高剝離特性，優(yōu)選設置在第一結(jié)構(gòu)體加的整個外圍部分中。當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加是凹陷時，襟部具有形成在凹陷的開口的外圍中的曲面。當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加配置為形成六方點陣圖樣或類六方點陣圖樣時，假設第一結(jié)構(gòu)體加的高度H是第一結(jié)構(gòu)體加在列方向上的高度。第一結(jié)構(gòu)體加在軌道延伸方向(X方向)上的高度小于在列方向(Y方向)上的高度。另外，由于除第一結(jié)構(gòu)體加在軌道延伸方向上的部分之外的部分的高度大致等于列方向上的高度，因此，用列方向上的高度表示亞波長結(jié)構(gòu)體的高度。當假設同一軌道上的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距為Pl并且假設兩個相鄰軌道之間的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距為P2時，比率pl/p2優(yōu)選地滿足1. 00 ( pl/p2 < 1. 2或1. 00 <pl/p2彡1. 2的關(guān)系，并且更優(yōu)選為1.00彡pl/p2彡1. 1或1. 00 < pl/p2彡1. 1。通過將比率P1/P2設置在該范圍內(nèi)，可以增大具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的第一結(jié)構(gòu)體加的充填率，因此可以提高防反射特性?；w表面上的第一結(jié)構(gòu)體加的充填率(最大100%)為65%以上，優(yōu)選為73%以上，并且更優(yōu)選為86%以上。通過將充填率設置在該范圍內(nèi)，可以提高防反射特性。為了提高充填率，相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選在其下部彼此接合，或者優(yōu)選通過調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)體底面的橢圓率使第一結(jié)構(gòu)體加變形。圖9A示出了具有圓錐形或圓錐臺形的第一結(jié)構(gòu)體加的布置實例。圖9B示出了具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的第一結(jié)構(gòu)體加的布置實例。如圖9A和圖9B所示，第一結(jié)構(gòu)體加優(yōu)選地彼此接合，使得其下部彼此重疊。具體地，第一結(jié)構(gòu)體加的下部優(yōu)選接合到相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加的下部的部分或整體。更具體地，第一結(jié)構(gòu)體加的下部優(yōu)選在軌道方向、在θ方向、或在上述兩個方向上彼此接合。圖9Α和圖9Β示出了相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加的整個下部彼此接合的情況。通過以這樣的方式使第一結(jié)構(gòu)體加彼此接合，可以提高第一結(jié)構(gòu)體加的充填率?；诳紤]折射率所采用的光路長度，第一結(jié)構(gòu)體優(yōu)選在每個的尺寸都小于等于使用環(huán)境中的光的1/4最大波長的部分處彼此接合。這可以提供良好的防反射特性。如圖9Β所示，第一接合部a是通過使同一軌道上相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加的下部彼此重疊而形成的，而同時，第二接合部b是通過使相鄰軌道之間的相鄰的第一結(jié)構(gòu)體加的下部彼此重疊而形成的。交點部c形成在第一接合部a和第二接合部b之間的交叉點。交點部c的水平位置例如低于第一接合部a和第二接合部b。當具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的第一結(jié)構(gòu)體加的下部彼此接合時，例如，接合部a、接合部b以及交點部c的高度以該順序減小。尺寸2r與配置間距pi的比率((2r/pl) X 100)為85%以上，優(yōu)選為90%以上，并且更優(yōu)選為95%以上。通過將該比率設置在該訪問內(nèi)，可以提高第一結(jié)構(gòu)體加的充填率， 并且可以改善防反射特性。如果比率((2r/pl)X100)增大因此使得第一結(jié)構(gòu)體加過分地彼此重疊，則防反射特性趨于劣化。因此，比率((2r/pl)X100)的上限優(yōu)選設置為使得結(jié)構(gòu)體在每個的尺寸都小于等于基于考慮折射率所采用的光路長度的使用環(huán)境中的光的1/4 最大波長的部分處彼此接合。這里，配置間距Pl是第一結(jié)構(gòu)體加在軌道方向上的配置間距，尺寸2r是每個第一結(jié)構(gòu)體加的底面在軌道方向上的尺寸。在第一結(jié)構(gòu)體的底面是圓形的情況下，尺寸zr是直徑。在第一結(jié)構(gòu)體的底面是橢圓形的情況下，尺寸2r是長軸。(第二實例)圖IOA是示出大量的作為凹陷的結(jié)構(gòu)體形成在兩個主面上的第一光學層的第二實例的示意性平面圖。圖IOB是圖IOA所示的第一光學層的部分的放大平面圖。圖IOC是沿圖IOB的軌道Tl、T3、…截取的截面圖。圖IOD是沿圖IOB的軌道T2、T4、…截取的截
15面圖。圖11是圖IOB中所示的第一光學層的部分的放大透視圖。第二實例與第一實例的不同在于第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b是凹陷。當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b是凹陷時，作為凹陷的第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b的開口 (凹陷的入口部)被定義為下部，并且基體2c在深度方向上的最下部(凹陷的最深部分) 被定義為頂部。換言之，使用非實體空間的第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b定義頂部和下部。(透明導電膜)第一透明導電膜5和第二透明導電膜6是例如有機或無機透明導電膜。有機透明導電膜可以用作第一透明導電膜5和第二透明導電膜6中的一個，無機透明導電膜可以用作另一個。有機透明導電膜優(yōu)選主要由導電高分子或碳納米管構(gòu)成。導電高分子的實例包括聚噻吩類、聚苯胺類以及聚吡咯類導電高分子，并且優(yōu)選使用聚噻吩類導電高分子。優(yōu)選通過用PSS摻雜的PEDOT獲得的聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸酯(PSQ類材料來用作聚噻吩類導電高分子。無機透明導電膜優(yōu)選主要由透明氧化物半導體構(gòu)成。透明氧化物半導體的實例包括諸如Sn02、InO2, ZnO和CdO的二元化合物；包括選自作為二元化合物的構(gòu)成元素的Sn、 IruSi和Cd的至少一種元素的三元化合物；以及多元(復合)氧化物。透明氧化物半導體的具體實例包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、鋁摻雜的氧化鋅(AZO(Al2C)3，ZnO)), SZ0, 氟摻雜的氧化鋅(FTO)、氧化錫(SnO2)、鎵摻雜的氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(ΙΖ0(Ιη203， ZnO))0就高可靠性和低阻抗而言，氧化銦錫(ITO)是特別優(yōu)選的。為了改善導電性，構(gòu)成無機透明導電膜的材料優(yōu)選以混合方式具有非晶和多晶狀態(tài)。就生產(chǎn)率而言，第一透明導電膜5和第二透明導電膜6優(yōu)選主要由選自導電高分子、金屬納米顆粒和碳納米管的組中的至少一種材料構(gòu)成。通過使用這些材料作為主要成分，可以通過濕涂布容易地形成導電膜，而不用使用昂貴的真空設備等。第一透明導電膜5的平均厚度Dm優(yōu)選是小于等于實現(xiàn)20%以上的透射率的厚度的厚度。第二透明導電膜6的平均厚度Dm優(yōu)選是小于等于實現(xiàn)20%以上的透射率的厚度的厚度。在本說明書中，如上所述，第一透明導電膜5的平均厚度Dm是對應于第一結(jié)構(gòu)體 2a的頂部的位置的第一透明導電膜5的平均厚度。第二透明導電膜6的平均厚度Dm是對應于第二結(jié)構(gòu)體2b的頂部的位置的第二透明導電膜6的平均厚度。[輥型原盤的結(jié)構(gòu)體]圖12A示出了用于制造上述第一光學層的輥型原盤的實例。圖12B是圖12A示出的輥型原盤的部分的放大平面圖。輥型原盤101包括以小于等于諸如可見光的光的波長的間距配置在輥的表面的大量的作為凹陷的結(jié)構(gòu)體102。輥型原盤101具有圓柱或圓筒形。 輥型原盤101的材料例如是玻璃，但是不特別局限于此。借助于以下描述的輥型原盤曝光裝置，極性反轉(zhuǎn)格式器信號(polarity inversion formatter signal)被同步于記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器，以生成用于每個軌道的信號，使得二維圖樣空間地彼此連接，并且以適當進給間距以恒定角速度(CAV)執(zhí)行圖樣化。因此，可以記錄六方或類六方點陣圖樣。通過適當?shù)卦O置極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率和輥的轉(zhuǎn)數(shù)，在期望的記錄區(qū)域中形成了具有均勻空間頻率的點陣圖樣。[曝光裝置的構(gòu)成]
圖13示意性地示出了用于制造輥型原盤的輥型原盤曝光裝置的構(gòu)造實例。輥型原盤曝光裝置基于光盤記錄裝置。例如，激光源21是用于將形成在用作記錄介質(zhì)的輥型原盤101的表面的抗蝕劑曝光的光源，并且例如振蕩266nm的波長λ的用于進行記錄的激光束104。從激光源21發(fā)射的激光束104作為平行光束直線傳播，并進入電光調(diào)制器(EOM) 22。透過電光調(diào)制器22的激光束104被反射鏡23反射，并被導向光學調(diào)制系統(tǒng)25。反射鏡23包括偏光分束器并且具有反射一種偏光成分并透射另一種偏光成分的功能。透過反射鏡23的偏光成分被光電二極管M接收，并且電光調(diào)制器22根據(jù)所接收的偏光成分的信號被控制為執(zhí)行激光束104的相位調(diào)制。在光學調(diào)制系統(tǒng)25中，激光束104被由玻璃(SiO2)等構(gòu)成的聲光調(diào)制器(AOM) 27 上的聚光透鏡沈所會聚。在激光束104由聲光調(diào)制器27強度調(diào)制并發(fā)散后，激光束104 由透鏡觀準直(平行)。從光學調(diào)制系統(tǒng)25發(fā)射的激光束104被反射鏡31反射，并以水平和平行方式被導向到移動光學臺32上。移動光學臺32包括擴束器33和物鏡34。被導向移動光學臺32的激光束104通過擴束器33而成形為期望的光束形式，然后通過物鏡34施加到輥型原盤101上的抗蝕劑層。輥型原盤101置于連接至主軸馬達35的轉(zhuǎn)臺36上。之后，通過在旋轉(zhuǎn)輥型原盤101 并且激光束104在輥型原盤101的高度方向上移動的同時，用激光束104間歇地照射抗蝕劑層，來執(zhí)行抗蝕劑層的曝光步驟。例如，所得的潛像為具有在圓周方向上的長軸的大致橢圓形。通過在箭頭R表示的方向上移動移動光學臺32來移動激光束104。曝光裝置包括控制機構(gòu)37，用于在抗蝕劑層上形成對應于圖12Β所示的六方點陣或類六方點陣的二維圖樣的潛像?？刂茩C構(gòu)37包括格式器四和驅(qū)動器30。格式器四包括極性反轉(zhuǎn)單元，并且極性反轉(zhuǎn)單元控制用激光束104照射抗蝕劑層時的定時。驅(qū)動器30 響應于來自極性反轉(zhuǎn)單元的輸出控制聲光調(diào)制器27。在輥型原盤曝光裝置中，極性反轉(zhuǎn)格式器信號被同步于記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器， 以生成用于每個軌道的信號，使得二維圖樣空間地彼此連接，并且由聲光調(diào)制器27執(zhí)行強度調(diào)制。通過以恒定角速度(CAV)并以適當轉(zhuǎn)數(shù)、適當調(diào)制頻率以及適當進給間距執(zhí)行圖樣化，可以記錄六方或類六方點陣圖樣。例如，將進給間距設置為251nm，以實現(xiàn)在圓周方向上的315nm的周期和與圓周方向成大約60度的方向(大約-60度方向)上的300nm的周期(畢達哥拉斯定律，Pythagoras' law)。利用輥的轉(zhuǎn)數(shù)(例如，1800rpm、900rpm、450rpm 以及225rpm)來改變極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率。例如，輥的轉(zhuǎn)數(shù)1800rpm、900rpm、450rpm 以及225rpm分別對應于極性反轉(zhuǎn)格式器信號的頻率37. 70MHz、18. 85MHz、9. 34MHz以及 4.71MHz。通過利用移動光學臺32上的擴束器(BEX) 33擴展遠紫外激光束使得遠紫外激光束變得具有原始光束直徑五倍的光束直徑，通過用激光束通過數(shù)值孔徑(NA)為0. 9的物鏡 34照射輥型原盤101上的抗蝕劑層，以及通過形成微細潛像，獲得了類六方點陣圖樣，其具有均勻的空間頻率(圓周方向上的周期315nm ；以及與圓周方向成大約60度的方向(大約-60度方向)上的周期300nm)并形成在期望的記錄區(qū)域中。[用于制造導電元件的方法]現(xiàn)在將參照圖14A至圖16D描述上述導電元件11的制造方法。(抗蝕劑層形成步驟)
首先，如圖14A所示，準備柱形輥型原盤101。輥型原盤101例如是玻璃原盤。如圖14B所示，抗蝕劑層103形成在輥型原盤101的表面上?？刮g劑層103可以由例如有機抗蝕劑或無機抗蝕劑構(gòu)成。有機抗蝕劑的實例包括酯醛樹脂抗蝕劑和化學增強的抗蝕劑。 無機抗蝕劑的實例包括含有一種或多種過渡金屬的金屬化合物。(曝光步驟)如圖14C所示，使用上述輥型原盤曝光裝置，在旋轉(zhuǎn)輥型原盤101的同時用激光束(曝光束)104照射抗蝕劑層103。這里，通過在激光束104在輥型原盤101的高度方向 (平行于圓柱形或圓筒形輥型原盤101的中心軸的方向)移動的同時用激光束104間歇地照射抗蝕劑層103，使抗蝕劑層103的整個表面曝光。結(jié)果是，在抗蝕劑層103的整個表面上，以大致等于可見光波長的間距，形成跟隨光束104的軌跡的潛像105。例如，潛像105配置為使得在原盤的表面上形成多行軌道，并形成六方點陣圖樣或類六方點陣圖樣。例如，每個潛像105都具有橢圓形，其長軸方向為軌道延伸方向。(顯影步驟)在旋轉(zhuǎn)輥型原盤101的同時將顯影劑逐滴地施加到抗蝕劑層103上，從而抗蝕劑層103如圖14D所示顯影。在使用正抗蝕劑形成抗蝕劑層103的情況下，相比于未曝光的部分，曝光到光束104的部分具有對顯影劑的增大的溶解率。結(jié)果是，如圖所示，對應于潛像(曝光部分)105的圖樣形成在抗蝕劑層103上。(蝕刻步驟)如圖14E所示，通過使用形成在輥型原盤101上的抗蝕劑層103(抗蝕劑圖樣)的圖樣作為掩模，使輥型原盤101的表面進行輥蝕刻處理。隨后，如圖15A所示，可以獲得具有橢圓錐形或橢圓錐臺形的凹陷，其長軸方向是軌道延伸方向，即，可以獲得結(jié)構(gòu)體102。通過干蝕刻等執(zhí)行蝕刻。這里，通過交替執(zhí)行蝕刻處理和灰化(拋光)處理，例如，可以形成圓錐結(jié)構(gòu)體102的圖樣。另外，可以制造深度是抗蝕劑層103的厚度的3倍以上(選擇比 3倍以上)的輥型原盤101，以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)體102的高縱橫比。優(yōu)選通過使用輥蝕刻裝置的等離子體蝕刻執(zhí)行干蝕刻。因此，可以獲得具有包括每個都具有大約120nm至350nm深度的凹陷的六方點陣圖樣或類六方點陣圖樣的輥型原盤101。(第一光學層形成步驟)如圖15B所示，例如，在基體2c的一個主面上涂覆轉(zhuǎn)印材料106 ；通過按壓輥型原盤101同時用紫外線等照射轉(zhuǎn)印材料106將其固化；并且基體2c從輥型原盤101剝離。隨后，如圖15C所示，在基體2c的主面上形成大量的作為凸起的第一結(jié)構(gòu)體加。隨后，例如，在基體2c的另一主面(與形成多個結(jié)構(gòu)體的面相反的面)上涂覆轉(zhuǎn)印材料106 ；通過按壓輥型原盤101同時用紫外線等照射轉(zhuǎn)印材料106使其固化；并且基體 2c從輥型原盤101剝離。因此，如圖15D所示，在基體2c的另一主面上形成大量的作為凸起的第二結(jié)構(gòu)體2b。因此，獲得了第一光學層2。第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b的形成順序不限于該實例，并且第一結(jié)構(gòu)體加和第二結(jié)構(gòu)體2b可以同時地形成在基體2c的兩個表面上。轉(zhuǎn)印材料106例如由紫外線可固化材料和引發(fā)劑構(gòu)成，并且可選地含有填充劑和功能添加劑。
紫外線可固化材料的實例包括單官能團單體、雙官能團單體以及多官能團單體。 特別地，以下材料可以單獨或者作為兩種以上材料的混合物來使用。單官能團單體的實例包括羧酸(丙烯酸)、羥基化合物(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基化合物、脂環(huán)族化合物(異丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、硬脂酰丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯和環(huán)己基丙烯酸酯)、以及其他官能團單體O-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、 2-乙氧基丙烯酸、四氫化糠基丙烯酸酯、芐基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N, N- 二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基) 乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥丙基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2- (2,4,6三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、以及2-乙基己基丙烯酸酯。雙官能團單體的實例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷己二烯醚以及尿烷丙烯酸酯。多官能團單體的實例包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五/六丙烯酸酯、以及二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯。引發(fā)劑的實例包括2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯乙烷-1-酮、1-羥基-環(huán)己基苯基酮以及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮。作為填充劑，例如，可以使用無機微?；蛴袡C微粒。無機微粒的實例包括諸如 SiO2, TiO2, ZrO2, SnO2或Al2O3的金屬氧化物的微粒。功能添加劑的實例包括勻染劑、表面控制劑以及防發(fā)泡劑?；w2c的材料包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素二醋酸酯、纖維素三醋酸酯、纖維素醋酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚氨酯以及玻璃。用于形成基體2c的方法沒有特別限制?；w2c可以是注射成型體、拉伸體或鑄造體。在基體的表面上可以可選地執(zhí)行諸如電暈處理的表面處理。例如，旋涂玻璃材料也可以用作轉(zhuǎn)印材料106。(涂布步驟)如圖16A所示，例如，在第一光學層2的第一波面Sowl上涂覆導電涂料5m。例如， 導電涂料5m含有選自導電高分子、金屬納米粒子以及碳納米管的組中的至少一種導電材料。導電涂料5m可以可選地含有有機聚合物、交聯(lián)劑以及溶劑。只要導電涂料5m可以基本上均勻地涂覆于波面Sowl上，則對于涂覆導電涂料5m的方法沒有特別限制。方法的實例包括旋涂、輥涂、逆向涂、刮涂、噴涂、浸涂以及層流涂布。使用諸如絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷的印刷技術(shù)涂覆導電涂料5m，以形成預定圖樣。(固化步驟)如圖16B所示，例如，將第二光學層3置于導電涂料5m上，并且將導電涂料5m固化。(涂布步驟)
如圖16C所示，例如，在第一光學層2的第四波面Sow4上涂覆導電涂料6m?？梢詫⑴c導電涂料5m相同的導電涂料用作導電涂料6m。(固化步驟)如圖16D所示，例如，將第三光學層4置于導電涂料6m上，并且將導電涂料6m固化。通過上述步驟，獲得了期望的導電元件11。在第一透明導電膜5和第二透明導電膜6是無機透明導電膜的情況下，可以通過諸如熱CVD、等離子體CVD或光CVD的化學氣相沉積(CVD 利用化學反應從氣相沉積薄膜的技術(shù))方法或者諸如真空沉積、等離子體輔助沉積、濺射或離子鍍的物理氣相沉積(PVD 通過將真空中物理蒸發(fā)的材料聚集到襯底上形成薄膜的技術(shù))方法形成這種透明導電膜。在第一透明導電膜5和第二透明導電膜6是無機透明導電膜的情況下，在形成膜之后，可以可選地對無機透明導電膜執(zhí)行退火處理。因此，無機透明導電膜可以具有混合方式的非晶和多晶狀態(tài)。根據(jù)第一實施方式，導電元件11在光學層中包括具有第一表面Sl和第二表面S2 的第一透明導電膜5以及具有第一表面Sl和第二表面S2的第二透明導電膜6。透明導電膜的第一表面Sl和第二表面S2中的至少一個是波長小于等于可見光波長的波面。這可以減少光學層1和第一透明導電膜5之間的界面以及光學層1和第二透明導電膜6之間的界面處的反射。在第一透明導電膜5和第二透明導電膜6形成為具有特定電極圖樣的情況下，可以減小具有第一透明導電膜5和第二透明導電膜6的配線圖樣的部分和沒有配線圖樣的部分之間的反射率差異。因此，可以抑制配線圖樣的可見性。此外，采用納米壓印技術(shù)和具有高產(chǎn)量的膜結(jié)構(gòu)而不用使用多層光學膜，從而可以實現(xiàn)大規(guī)律生產(chǎn)以及低成本。在通過將光盤的原盤的制作處理和蝕刻處理彼此組合的方法制造導電元件11的情況下，可以提高導電元件11的生產(chǎn)率，同時可以增大導電元件11的尺寸。[修改例](修改例1)在上述第一實施方式中，已經(jīng)描述了軌道線性配置的情況，但是軌道的形狀不限于該情況。在下文中，將僅描述光學層1的第一表面Sol上形成的第一結(jié)構(gòu)體加的軌道的形狀，但是光學層1的第一表面Sol之外的表面上形成的結(jié)構(gòu)體也可以具有相同的軌道形狀。圖17A是示出根據(jù)第一實施方式的導電元件的軌道的修改例的平面圖。該修改例與第一實施方式的不同在于，大量第一結(jié)構(gòu)體加配置成圓弧形。在相鄰的三行軌道中(Tl 至T3)，第一結(jié)構(gòu)體加配置為使得形成第一結(jié)構(gòu)體加的中心位于點al至a7的六方點陣圖樣或類六方點陣圖樣。圖17B是示出根據(jù)第一實施方式的導電元件的軌道的修改例的平面圖。該修改例與第一實施方式的不同在于，大量第一結(jié)構(gòu)體加配置在迂曲的軌道上(下文中，稱為“擺動軌道”)。通過以這樣的方式將第一結(jié)構(gòu)體加配置在擺動軌道上，可以抑制外部凹凸的發(fā)生。 基體2c上的軌道的擺動優(yōu)選地彼此同步。即，擺動優(yōu)選是同步的擺動。通過以這樣的方式使擺動同步，可以保持六方點陣或類六方點陣的單位點陣形狀，并且可以保持高充填率。擺動軌道的波形實例包括正弦波和三角波。擺動軌道的波形不限于周期性波形，并且可以是非周期性波形。擺動軌道的擺動幅度設置為例如大約士 ΙΟμπι。(修改例2)圖18Α是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的修改例的截面圖。圖18Β是圖18Α中所示的導電元件的部分的放大截面圖。該修改例與第一實施方式的不同在于，導電元件11包括布置為與第一透明導電膜5相鄰的第一金屬層fe和/或布置為與第二透明導電膜6相鄰的第二金屬膜6a。通過形成第一金屬膜fe和/或第二金屬膜6a，可以減小電阻率，因此可以減小第一透明導電膜5和/或第二透明導電膜6的厚度。此外，在僅有第一透明導電膜5或第二透明導電膜6而沒有實現(xiàn)足夠電導率的情況下，形成第一金屬膜fe和/或第二金屬膜6a 可以補償不足的電導率。第一金屬膜fe例如形成在第一光學層2和第一透明導電膜5之間的界面、形成在第一透明導電膜5和第二光學層3之間的界面、或者形成在這兩個界面。層疊結(jié)構(gòu)不限于兩層結(jié)構(gòu)，并且可以采用通過將第一透明導電膜5和第一金屬膜如彼此組合而堆疊三個以上的層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，可以采用堆疊兩個第一透明導電膜5并且其間夾有第一金屬膜 5a的層疊結(jié)構(gòu)。第二金屬膜6a例如形成在第一光學層2和第二透明導電膜6之間的界面、形成在第二透明導電膜6和第三光學層4之間的界面、或者形成在這兩個界面。層疊結(jié)構(gòu)不限于兩層結(jié)構(gòu)，并且可以采用通過將第二透明導電膜6和第二金屬膜6a彼此組合而堆疊三個以上的層的層疊結(jié)構(gòu)。例如，可以采用堆疊兩個第二透明導電膜6并且其間夾有第二金屬膜 6a的層疊結(jié)構(gòu)。對于第一金屬膜fe和第二金屬膜6a的厚度沒有特別限制，并且例如，為大約為幾納米。由于第一金屬膜如和第二金屬膜6a具有高電導率，因此可以以幾納米的厚度實現(xiàn)足夠的表面電阻。這樣的幾納米的厚度幾乎不會產(chǎn)生諸如由第一金屬膜fe和第二金屬膜 6a引起的吸收和反射的光學效果。第一金屬膜fe和第二金屬膜6a優(yōu)選由具有高電導率的金屬材料構(gòu)成。這樣的材料是選自Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt和Nb的組中的至少一種材料。 在這些材料中，就高電導率和使用結(jié)果而言^g是優(yōu)選的。可以僅使用第一金屬膜如和第二金屬膜6a實現(xiàn)足夠的表面電阻。然而，如果第一金屬膜fe和第二金屬膜6a過薄，則它們具有島狀結(jié)構(gòu)，這使得其難以確保連續(xù)性。在該情況下，島狀的第一金屬膜如優(yōu)選通過第一透明導電膜5彼此電連接，并且島狀的第二金屬膜6a優(yōu)選通過第二透明導電膜6彼此電連接。(修改例3)圖19A至圖19D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的修改例的處理圖。圖20A至圖20C是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的修改例的處理圖。(原盤制作步驟)如圖19A所示，以與第一實施方式相同的方式制作輥型原盤101。(第三光學層形成步驟)如圖19B所示，例如，在基體4b的一個主面上涂覆轉(zhuǎn)印材料106 ；通過按壓輥型原盤101同時用紫外線等照射轉(zhuǎn)印材料106使其固化；并且將基體4b從輥型原盤101剝離。 因此，如圖19C所示，在基體4b的主面上形成大量的作為凸起的第一結(jié)構(gòu)體如。(涂布步驟)如圖19D所示，例如，在第三光學層4的第三波面Sow3上涂覆導電涂料6m。(固化步驟)如圖20A所示，例如，將第一光學層2置于導電涂料6m上，然后將導電涂料6m固化。(涂布步驟)如圖20B所示，例如，在第一光學層2的第一波面Sowl上涂覆導電涂料5m。(固化步驟) 如圖20C所示，例如，將第二光學層3置于導電涂料5m上，然后將導電涂料5m固化。通過上述步驟，獲得了期望的導電元件11。(修改例4)圖21A至圖21D是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的修改例的處理圖。圖22A和圖22B是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的導電元件的制造方法的修改例的處理圖。首先，例如，通過將輥型原盤等的凹凸形狀轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上，形成了具有波面 Sow3的第三光學層4。然后在第三光學層4的波面Sow3上形成第二透明導電膜6。接著，例如，通過將輥型原盤等的凹凸形狀轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上，形成了具有波面 Sow2的第二光學層3。然后在第二光學層3的波面Sow2上形成第一透明導電膜5。如圖22A所示，例如，在第二透明導電膜6的平面表面Sp2上形成由紫外線固化樹脂或粘合劑構(gòu)成的層壓層107。如圖22B所示，第二光學層3上形成的第一透明導電膜5和第三光學層4上形成的第二透明導電膜6彼此結(jié)合，并且其間夾有層壓層107。通過上述步驟，獲得了期望的導電元件11。<2.第二實施方式>[導電元件的結(jié)構(gòu)體]圖23A是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的導電元件的第一光學層的實例的示意性平面圖。圖2 是圖23A所示的導電元件的部分的放大平面圖。圖23C是沿圖23B的軌道T1、T3、…截取的截面圖。圖23D是沿圖23Β的軌道Τ2、Τ4、…截取的截面圖。根據(jù)第二實施方式的導電元件11與第一實施方式的導電元件的不同在于，在相鄰的三行軌道中，第一結(jié)構(gòu)體加配置成四方點陣或類四方點陣圖樣。在該實施方式中，術(shù)語“類四方點陣圖樣”表示不同于規(guī)則的四方點陣圖樣的、在軌道延伸方向(X方向)上拉伸或變形的四方點陣圖樣。第一結(jié)構(gòu)體加的高度或深度沒有特別限制，并且為例如大約IOOnm至^Onm。在與軌道方向成(大約)45度的方向上的配置間距p2為例如大約200nm至300nm。第一結(jié)構(gòu)體加的縱橫比(高度/配置間距)為例如大約0. 54至1. 13。所有第一結(jié)構(gòu)體加的縱橫比不必都相同，并且第一結(jié)構(gòu)體加可以配置為使得具有一定的高度分布。當假設同一軌道上的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距為Pl并且假設相鄰的兩個軌道之間的第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距為p2時，配置間距pi優(yōu)選大于配置間距p2。比率pl/p2優(yōu)選滿足1. 4 < pl/p2 ( 1. 5的關(guān)系。通過將比率pl/p2設置在該范圍內(nèi)，可以增大橢圓錐形或橢圓臺形的第一結(jié)構(gòu)體加的充填率，因此可以提高防反射特性。與軌道方向成45度或大約45度的方向上的第一結(jié)構(gòu)體加的高度或深度優(yōu)選小于軌道延伸方向的第一結(jié)構(gòu)體加的高度或深度。 與軌道延伸方向?qū)堑呐渲梅较?Θ方向)上第一結(jié)構(gòu)體加的高度H2優(yōu)選小于軌道延伸方向上第一結(jié)構(gòu)體加的高度HI。即，第一結(jié)構(gòu)體加的高度Hl和H2優(yōu)選滿足Hl >H2的關(guān)系。當?shù)谝唤Y(jié)構(gòu)體加配置為使得形成四方點陣圖樣或類四方點陣圖樣時，第一結(jié)構(gòu)體加的高度H限定為軌道延伸方向(軌道方向)上的第一結(jié)構(gòu)體加的高度?；w表面上的第一結(jié)構(gòu)體加的充填率(最大100%)為65%以上，優(yōu)選為73%以上，并且更優(yōu)選為86%以上。通過將充填率設置在該范圍內(nèi)，可以提高防反射特性。尺寸2r與配置間距pi的比率((2r/pl) X 100)為64%以上，優(yōu)選為69%以上，并且更優(yōu)選為73%以上。通過將比率設置在該范圍內(nèi)，增大了第一結(jié)構(gòu)體加的充填率并且可以提高防反射特性。這里，配置間距Pl是軌道方向上第一結(jié)構(gòu)體加的配置間距，尺寸2r 是軌道方向上每個結(jié)構(gòu)體的底面的尺寸。在每個結(jié)構(gòu)體的底面都是圓形的情況下，尺寸2r 是直徑。在每個結(jié)構(gòu)體的底面都是橢圓形的情況下，尺寸2r是長軸。<3.第三實施方式>圖24A是示出根據(jù)第三實施方式的導電元件的第一光學層的實例的示意性平面圖。圖24B是圖24A所示的第一光學層的部分的放大平面圖。在第三實施方式中，與第一實施方式中的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。根據(jù)第三實施方式的導電元件與第一實施方式的導電元件的不同在于，在基體表面上形成了具有兩種以上尺寸和/或形狀的大量結(jié)構(gòu)體2a。具有兩種以上尺寸和/或形狀的第一結(jié)構(gòu)體加例如配置為使得具有相同尺寸和/或形狀的第一結(jié)構(gòu)體加以重復的方式周期性地在軌道方向等上配置。具有相同尺寸和/或形狀的結(jié)構(gòu)體加可以配置為隨機地出現(xiàn)在基體的表面上。這里，已經(jīng)描述了第一結(jié)構(gòu)體加具有兩種以上尺寸和/或形狀的情況。然而，還可以形成每個都具有兩種以上尺寸和/或形狀的第二結(jié)構(gòu)體3a、第三結(jié)構(gòu)體 4a以及第四結(jié)構(gòu)體2b。不是所有第一結(jié)構(gòu)體2a、第二結(jié)構(gòu)體3a、第三結(jié)構(gòu)體如以及第四結(jié)構(gòu)體2b都必須具有兩種以上尺寸和/或形狀。根據(jù)所期望的光學性質(zhì)，其中的至少之一可以具有兩種以上尺寸和/或形狀。<4.第四實施方式〉圖25A是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的導電元件的第一光學層的實例的示意性平面圖。圖25B是圖25A示出的第一光學層的部分的放大平面圖。圖25C是沿圖25B 所示的線XXVC-XXVC截取的截面圖。在第四實施方式中，與第一實施方式的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。根據(jù)第四實施方式的導電元件與第一實施方式的導電元件的不同在于，大量第一結(jié)構(gòu)體加隨機地配置。配置在基體表面上的第一結(jié)構(gòu)體加不必具有相同尺寸和/或形狀， 并且可以具有兩種以上不同尺寸和/或形狀。優(yōu)選地，第一結(jié)構(gòu)體加是隨機地二維或三維形成的。術(shù)語“第一結(jié)構(gòu)體加隨機地二維形成”表示它們隨機地在導電元件11或第一光學層2的面內(nèi)方向上形成。術(shù)語“第一結(jié)構(gòu)體加隨機地三維形成”表示它們隨機地在導電
23元件11或第一光學層2的面內(nèi)方向上形成并且還在導電元件11或第一光學層2的厚度方向上形成。這里，已經(jīng)描述了第一結(jié)構(gòu)體加隨機形成的情況。然而，第二結(jié)構(gòu)體3a、第三結(jié)構(gòu)體如以及第四結(jié)構(gòu)體2b也可以隨機地形成。并不是所有第一結(jié)構(gòu)體2a、第二結(jié)構(gòu)體 3a、第三結(jié)構(gòu)體如以及第四結(jié)構(gòu)體2b都必須隨機形成。其中的至少之一可以根據(jù)期望的光學性質(zhì)而隨機地形成。<5.第五實施方式>圖26A是示出根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖。圖26B是圖26A所示的觸摸板的部分的放大截面圖。在第五實施方式中，與第一實施方式中的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。根據(jù)第五實施方式的觸摸板(信息輸入裝置)200 是所謂的表面電容型觸摸板并且包括導電元件201。觸摸板200例如結(jié)合至顯示裝置12的顯示表面，其間夾有由粘合劑等構(gòu)成的層壓層206。包括光學層202和透明導電膜203的導電元件201形成在光學層202中。透明導電膜203優(yōu)選具有第一波面Swl和第二波面Sw2。即，光學層202優(yōu)選包括具有第一波面Sowl的第一光學層204和具有第二波面Sow2的第二光學層205。這是因為可以抑制光學層202中的界面反射。第二光學層205是主要由諸如SiO2的電介質(zhì)構(gòu)成的介電層。透明導電膜203例如形成在第一光學層204的大致整個第一波面Sowl上。透明導電膜203可以由與第一實施方式中的第一透明導電膜5相同的材料構(gòu)成。<6.第六實施方式>圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖。在第六實施方式中，與第五實施方式中的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。觸摸板(信息輸入裝置)300是所謂的數(shù)字電阻式觸摸板，并且包括第一導電元件301和面向第一導電元件301的第二導電元件302。第一導電元件301和第二導電元件302設置為在其間具有一定厚度的空氣層(介質(zhì)層)303。第一導電元件301和第二導電元件302彼此結(jié)合，并在其外圍之間設置有層壓件304。粘合漿、粘合帶等可以用作層壓件304。為了改善耐劃性，觸摸板300優(yōu)選在要觸摸的第一導電元件301的表面上還包括硬涂層305。優(yōu)選賦予硬涂層 305的表面防污性質(zhì)。為了改善顯示特性，觸摸板300優(yōu)選在硬涂層305上還包括防反射層307。防反射層307的實例包括防反射(AR)層、低反射(LR)層以及防眩光(AG)層。賦予觸摸板的表面防反射性質(zhì)的結(jié)構(gòu)不限于此。例如，可以賦予硬涂層305本身防反射性質(zhì)。 觸摸板300例如結(jié)合到顯示裝置12的顯示表面，其間夾有層壓層306。層壓層306可以由丙烯酸酯類、橡膠類或硅類粘合劑構(gòu)成。就透明性而言，丙烯酸酯類粘合劑是優(yōu)選的。第一導電元件301包括具有面向第二導電元件302的第一相對面S5的第一基體 (第一光學層)311和形成在第一基體311的相對面S5上的第一透明導電膜312。第二導電元件302包括具有面向第一導電元件301的相對面S6的第二基體(第二光學層)321和形成在第二基體321的相對面S6上的第二透明導電膜322。第一透明導電膜312是例如具有諸如條紋圖樣的特定圖樣的X電極(第一電極)。 第二透明導電膜322是例如具有諸如條紋圖樣的特定圖樣的Y電極(第二電極)。X電極和Y電極例如設置為彼此垂直。第一透明導電膜312具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2優(yōu)選是波長小于等于可見光波長的波面。第二透明導電膜322具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2優(yōu)選是波長小于等于可見光波長的波面。由于第一透明導電膜312或第二透明導電膜322的波面與第一實施方式中的波面相同，因此省略描述。<7.第七實施方式〉圖28A是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的觸摸板的結(jié)構(gòu)實例的截面圖。圖28B是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的第一導電元件的實例的截面圖。圖28C是示出根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的第二導電元件的實例的截面圖。在第七實施方式中，與第六實施方式中的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。觸摸板(信息輸入裝置)350是所謂的模擬電阻型觸摸板，并且包括第一導電元件 331和面向第一導電元件331的第二導電元件341。第一導電元件331和第二導電元件341 設置為其間具有一定厚度的空氣層(介質(zhì)層)303?？梢栽趯щ娫?41上設置點間隔件 (dot spacer) 0第一導電元件331和第二導電元件341彼此結(jié)合，它們的外圍之間設置有層壓件304。第一導電元件331和第二導電元件341含有例如選自導電高分子、金屬納米粒子以及碳納米管的組中的至少一種導電材料。第一導電元件331具有第一表面Sl和第二表面S2，優(yōu)選其中至少一個是波面。第二導電元件341具有第一表面Sl和第二表面S2，優(yōu)選其中至少一個是波面。第一導電元件331或第二導電元件341的波面是例如波長小于等于可見光波長的波面。特別地，波面與第一實施方式的波面相同。圖28B示出了在第一導電元件331中，面向第二導電元件341的第一表面Sl是波面Swl的情況。圖28C示出了在第二導電元件341中，面向第一導電元件331的第二表面 S2是波面Sw2的情況?，F(xiàn)在將參照圖29A至圖29D描述第一導電元件331的制造方法的實例。這里，第二導電元件341可以以與第一導電元件331相同的方式制造，因此省略描述。如圖29A所示，例如，以與第一實施方式相同的方式制作原盤360。如圖29B所示， 優(yōu)選在原盤360的處理面上形成諸如金屬膜或氧化膜的薄膜361，以改善脫模性能。如圖 29C所示，將導電涂料362涂覆于原盤360的處理面，然后進行固化。隨后，將固化的導電涂料362從原盤360剝離。因此，如圖29D所示，獲得了具有波面Swl的第一導電元件331。<8.第八實施方式>圖30是示出根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)實例的截面圖。在第八實施方式中，與第六實施方式中的部分相對應的部分用相同的參考標號表示。顯示裝置400 是所謂的電泳式電子紙，并且包括第一導電元件401、設置為面向第一導電元件401的第二導電元件402、以及設置在導電元件401和402之間的微膠囊層(介質(zhì)層)403。這里，將描述將本發(fā)明應用于電泳式電子紙的實例，但是電子紙不限于該實例。只要介質(zhì)層設置在彼此面對的導電元件之間，就可以應用本發(fā)明。除了液體和固體，介質(zhì)還包括諸如空氣的氣體。介質(zhì)還包含膠囊、染料、粒子等。除了電泳式電子紙，可以應用本發(fā)明的電子紙的實例還包括捻球型電子紙、熱敏可擦寫電子紙、色粉顯示型電子紙、平面電泳式電子紙、以及電子粉末和顆粒型電子紙。膠囊層403包含大量微膠囊431。在微膠囊中，封裝了例如分布有黑粒子和白粒子的透明液體(分散介質(zhì))。第一導電元件401包括具有面向第二導電元件402的第一相對面S5的第一基體(第一光學層)311和形成在第一基體311的相對面S5上的第一透明導電膜411。第一基體311可以可選地結(jié)合至由玻璃等構(gòu)成的支撐件413，并且其間夾有由粘合劑等構(gòu)成的層壓層412。第二導電元件402包括具有面向第一導電元件401的相對面S6的第二基體(第二光學層)321以及形成在第二基體321的相對面S6上的第二透明導電膜421。第一透明導電膜411具有第一表面Sl和第二表面S2。第二透明導電膜421具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2優(yōu)選是波長小于等于可見光波長的波面。由于第一透明導電膜411或第二透明導電膜421的波面與第一實施方式的波面相同，因此省略描述。第一透明導電膜411和第二透明導電膜421根據(jù)電子紙400的驅(qū)動方法形成為預定電極圖樣。驅(qū)動方法的實例包括簡單矩陣驅(qū)動方法、有源矩陣驅(qū)動方法、以及分段驅(qū)動方法。實施例現(xiàn)在將基于實施例具體地描述本發(fā)明，但是不限于此。(平均高度H、平均配置間距P以及平均縱橫比)在下文中，如下確定導電片的結(jié)構(gòu)體的平均高度H、平均配置間距P以及平均縱橫比(H/P)。首先，切割導電片，使得截面包括結(jié)構(gòu)體的頂部。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片，確定結(jié)構(gòu)體的配置間距P和高度H。在從導電片隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單地平均(算術(shù)平均)以確定平均配置間距P 和平均高度H。然后使用平均配置間距P和平均高度H確定平均縱橫比(H/P)。(ΙΤ0膜的平均厚度)在下文中，如下確定ITO膜的厚度。首先，切割導電片，使得截面包括結(jié)構(gòu)體的頂部。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片，測量對應于結(jié)構(gòu)體的頂部的位置處的ITO膜的厚度。在從導電片隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。將測量值簡單地平均(算術(shù)平均)以確定平均厚度。(平均波長λ、平均峰間振幅A以及平均比率(Α/λ))在下文中，如下確定第一波面和第二波面的平均波長λ、第一波面的平均峰間振幅Α、第二波面的平均峰間振幅B、以及平均比率(Α/λ)和平均比率(Β/λ)。首先，單向切割導電片，使得截面包括ITO膜的第一波面或第二波面的峰間振幅最大化的位置。然后用透射電子顯微鏡(TEM)觀察該截面。從獲得的TEM顯微照片，確定第一波面或第二波面的波長λ、第一波面的峰間振幅A以及第二波面的峰間振幅B。在從ITO膜隨機選擇的十個位置重復執(zhí)行該測量。隨后，將測量的第一波面和第二波面的波長λ、測量的第一波面的峰間振幅A以及測量的第二波面的峰間振幅B簡單地平均(算術(shù)平均)，以分別確定第一波面和第二波面的平均波長λ、第一波面的平均峰間振幅A以及第二波面的平均峰間振幅B。 使用平均波長λ、平均峰間振幅Α、平均峰間振幅B確定平均比率(Α/λ)和平均比率(B/ λ)0(實施例1)制備具有126mm的外徑的玻璃輥型原盤，并且如下在玻璃輥型原盤的表面上形成抗蝕劑層。即，用稀釋劑將光致抗蝕劑稀釋十倍，并且通過使用浸涂將稀釋的光致抗蝕劑涂覆到玻璃輥型原盤的圓柱表面上，形成厚度大約為70nm的抗蝕劑層。隨后，將用作記錄介質(zhì)的玻璃輥型原盤傳送到圖13所示的輥型原盤曝光裝置。通過使抗蝕劑層曝光，在抗蝕劑層中圖樣化了螺旋延伸并在三行相鄰軌道中具有六方點陣圖樣的潛像。具體地，用功率為0. 50mff/m的可以執(zhí)行對玻璃輥型原盤表面的曝光的激光束照射將形成六方點陣曝光圖樣的區(qū)域，以形成凹狀六方點陣曝光圖樣。列方向上的抗蝕劑層的厚度大約為60nm，并且軌道延伸方向上的抗蝕劑層的厚度大約為50nm。然后，形成在玻璃輥型原盤上的抗蝕劑層進行顯影處理，以溶解在曝光區(qū)域中形成的抗蝕劑層。具體地，將未顯影的玻璃輥型原盤放置在顯影機的轉(zhuǎn)臺(未示出)上，并且在玻璃輥型原盤與轉(zhuǎn)臺一起轉(zhuǎn)動的同時將顯影劑滴到玻璃輥型原盤的表面上，以使表面上形成的抗蝕劑層顯影。因此，獲得了抗蝕劑層以六方點陣圖樣開口的抗蝕劑玻璃原盤。然后，使用輥蝕刻機在CHF3氣氛中執(zhí)行等離子體蝕刻。因此，在玻璃輥型原盤的表面上，只有具有從抗蝕劑層露出的六方點陣圖樣的區(qū)域被蝕刻，而其他區(qū)域因為抗蝕劑層用作掩模而未被蝕刻。因此，在玻璃輥型原盤中形成了具有橢圓錐形的凹陷。這里，通過蝕刻時間調(diào)節(jié)蝕刻的量(深度)。最后，通過O2灰化完全去除抗蝕劑層，獲得具有凹狀六方點陣圖樣的蛾眼玻璃輥型原盤。列方向上的凹陷深度大于軌道延伸方向上的凹陷深度。上述蛾眼玻璃輥型原盤和涂覆紫外線固化樹脂的三醋酸纖維素(TAC)片彼此緊密接觸。然后將TAC片在用紫外線照射并固化時從蛾眼玻璃輥型原盤剝離。因此，獲得了具有配置在其一個主面上的多個下述結(jié)構(gòu)體的光學片。結(jié)構(gòu)體的形狀橢圓錐臺形平均高度 H:170nm平均配置間距P :270nm平均縱橫比0.63通過在光學片上涂覆PED0T/PSS分散水溶液并干燥光學片，獲得了在結(jié)構(gòu)體上形成有平均厚度為IOym的PED0T/PSS層的光學片。隨后，制備兩個光學片并且將UV固化樹脂夾于光學片的導電層之間。用紫外線照射光學片以固化UV固化樹脂。因此，光學片彼此
纟口口。通過上述步驟，獲得了期望的導電片。評價如上所述制造的導電片的光學性質(zhì)。從而，確認通過目視檢查沒有觀察到波紋，并且實現(xiàn)了滿意的透明度。
此外，使用導電片的端部評價導電性。從而，確認實現(xiàn)了低電阻率。(實施例2)除了通過調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件使得以下結(jié)構(gòu)體形成在TAC片上之外， 通過與實施例1相同的方法制造導電片。結(jié)構(gòu)體的形狀橢圓錐形平均高度 H:150nm平均配置間距P :250nm平均縱橫比(H/P)0. 63通過在光學片上涂覆分散有Ag納米粒子的乙醇溶液并干燥光學片，獲得了在結(jié)構(gòu)體上形成有平均厚度為3 μ m的細層的光學片。隨后，制備兩個光學片并且將UV固化樹脂夾于光學片的導電層之間。用紫外線照射光學片以固化UV固化樹脂。因此，光學片彼此結(jié)合。通過上述步驟，獲得了期望的導電片。評價如上所述制造的導電片的光學性質(zhì)。從而，確認通過目視檢查沒有觀察到波紋，并且實現(xiàn)了滿意的透明度。此外，使用導電片的端部評價導電性。從而，確認實現(xiàn)了低電阻率。(實施例3)除了通過調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件使得以下結(jié)構(gòu)體形成在TAC片上之外， 通過與實施例1相同的方法制造導電片。結(jié)構(gòu)體的形狀橢圓錐臺形平均高度H:120nm平均配置間距P :250nm平均縱橫比(H/P)0. 48通過在光學片上涂覆分散有ITO納米粒子的乙醇溶液并干燥光學片，獲得了在結(jié)構(gòu)體上形成有3μπι厚度的ITO層(導電層)的光學片。隨后，制備兩個光學片并且將UV 固化樹脂夾在光學片的導電層之間。用紫外線照射光學片以固化UV固化樹脂。因此，光學片彼此結(jié)合。通過上述步驟，獲得了期望的導電片。評價如上所述制造的導電片的光學性質(zhì)。從而，確認通過目視檢查沒有觀察到波紋，并且實現(xiàn)了滿意的透明度。此外，使用導電片的端部評價導電性。從而，確認實現(xiàn)了低電阻率。(實施例4)除了通過調(diào)整曝光步驟和蝕刻步驟的條件使得以下結(jié)構(gòu)體形成在TAC片上之外， 通過與實施例1相同的方法制造導電片。結(jié)構(gòu)體的形狀橢圓錐形平均高度 H:360nm平均配置間距P :300nm平均縱橫比(H/P) :1.2通過在光學片上涂覆PED0T/PSS分散水溶液并干燥光學片，獲得了在結(jié)構(gòu)體上形成有平均厚度為IOym的PED0T/PSS層的光學片。隨后，制備兩個光學片并且將UV固化樹脂夾于光學片的導電層之間。用紫外線照射光學片以固化UV固化樹脂。因此，光學片彼此結(jié)合。通過上述步驟，獲得了期望的導電片。評價如上所述制造的導電片的光學性質(zhì)。從而，確認使用紅外相機沒有觀察到干擾圖樣等，并且在使用的波長范圍內(nèi)實現(xiàn)了滿意的透明度。此外，使用導電片的端部評價導電性。從而，確認實現(xiàn)了低電阻率。將按以下順序描述本發(fā)明的參考例和比較例。1.通過模擬檢查反射特性2.通過樣本制造檢查反射特性
3.通過樣本制造檢查電阻特性<1.通過模擬檢查反射特性〉(參考例1-1)通過嚴格耦合波分析(RCWA)模擬確定導電元件的反射率的波長依賴性。圖31示出了結(jié)果。以下示出了模擬的條件。(導電元件的層疊結(jié)構(gòu))(出射表面?zhèn)?樹脂層/蛾眼結(jié)構(gòu)體/ITO膜/樹脂層(入射表面?zhèn)?(樹脂層)折射率η :1. 52(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0第一波面的截面形狀通過周期性地重復拋物線獲得的形狀第一波面的波長λ :400nm第一波面的峰間振幅A :20nm第一波面的峰間振幅A與波長λ的比率(Α/ λ ) :0. 05第二波面的截面形狀通過周期性地重復拋物線獲得的形狀第二波面的波長λ :400nm第二波面的峰間振幅B :20nm第二波面的峰間振幅B與波長λ的比率(B/ λ ) :0. 05在參考例1-1中，第一波面的截面形狀是當單向切割導電元件使得截面包括ITO 膜的第一波面的峰間振幅最大化的位置時獲得的截面形狀。第二波面的截面形狀是當單向切割導電元件使得截面包括ITO膜的第二波面的峰間振幅最大化的位置時獲得的截面形狀。(蛾眼結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體的形狀拋物面形配置圖樣六方點陣圖樣結(jié)構(gòu)體之間的配置間距P :400nm結(jié)構(gòu)體的高度H :20nm縱橫比(H/P):0. 05折射率η :1. 52(樹脂層)折射率η :1. 52(參考例1-2)除了將模擬條件變?yōu)橐韵履M條件之外，通過執(zhí)行與參考例1-1相同的模擬來確定反射率的波長依賴性。圖31示出了結(jié)果。(蛾眼結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體的高度H :40nm
縱橫比(H/P)0. 1(ΙΤ0 膜)第一和第二波面的峰間振幅40nm比率(Α/λ )和比率(B/ λ) :0. 1(參考例1-3)除了將模擬條件變?yōu)橐韵履M條件之外，通過執(zhí)行與參考例1-1相同的模擬來確定反射率的波長依賴性。圖31示出了結(jié)果。(蛾眼結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體的高度H :70nm縱橫比(H/P)0. 175(ΙΤ0 膜)第一和第二波面的峰間振幅70nm比率(Α/λ )和比率(B/ λ ) :0. 175(比較例1)除了不在樹脂層上形成結(jié)構(gòu)體從而提供平面表面并且在平面表面上形成ITO膜之外，通過在與參考例1-1相同的條件下執(zhí)行模擬來確定反射率的波長依賴性。圖31示出了結(jié)果。從圖31可以獲知以下內(nèi)容。當在表面中形成高度為40nm(縱橫比為0. 1)以下的結(jié)構(gòu)體時，可以獲得與不在表面中形成結(jié)構(gòu)體的情況基本上相同的光譜。當結(jié)構(gòu)體的高度為40nm(縱橫比為0. 1)以上時，在可見區(qū)域050歷至650nm)中反射率的變化量AR可以減小到AR< 1%。換言之，在可見區(qū)域中反射率基本上不變。(參考例2-1)通過RCWA模擬確定導電元件的反射率的波長依賴性。圖32示出了結(jié)果。以下示出了模擬的條件。(導電元件的層疊結(jié)構(gòu)體)(出射表面?zhèn)?樹脂層/蛾眼結(jié)構(gòu)體/ITO膜/樹脂層(入射表面?zhèn)?(樹脂層)折射率η :1. 52(ΙΤ0 膜)厚度 d: IOnm折射率η :2.0第一波面的截面結(jié)構(gòu)體通過周期性地重復拋物線獲得的形狀第一波面的波長λ :250nm第一波面的峰間振幅A :150nm第一波面的峰間振幅A與波長λ的比率(Α/ λ) 0.6第二波面的截面形狀通過周期性地重復拋物線獲得的形狀第二波面的波長λ :250nm第二波面的峰間振幅B :150nm
第二波面的峰間振幅B與波長λ的比率(B/ λ) 0.6(蛾眼結(jié)構(gòu)體)結(jié)構(gòu)體的形狀拋物面形配置圖樣六方點陣圖樣配置間距P:250nm結(jié)構(gòu)體的高度H :150nm縱橫比(Η/Ρ):0.6折射率η :1. 52(樹脂層)折射率η :1.52(參考例2-2)除了將ITO膜的厚度d變?yōu)?0nm之外，通過在與參考例2-1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖32示出了結(jié)果。(參考例2-3)除了將ITO膜的厚度d變?yōu)?0nm之外，通過在與參考例2-1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖32示出了結(jié)果。(比較例2)除了不在樹脂層上形成結(jié)構(gòu)體從而提供平面表面并且在平面表面上形成ITO膜之外，通過在與參考例2-1相同的條件下執(zhí)行模擬來確定反射率的波長依賴性。圖32示出
了結(jié)果。從圖32可以獲知以下內(nèi)容。當ITO膜的厚度在IOnm至50nm的范圍內(nèi)時，在可見區(qū)域中實現(xiàn)了足夠的防反射特性。具體地，在可見區(qū)域G50nm至750nm)中反射率可以減小到1.5%以下。相比于ITO膜夾在樹脂層的平面表面之間的情況，通過將ITO膜夾在樹脂層的凹凸表面之間，可以顯著減小反射率。特別地，可以減小可見區(qū)域的較短波長側(cè)的反射率。(參考例3-1)
通過RCWA模擬確定導電元件的反射率的波長依賴性。圖33示出了結(jié)果。
以下示出了模擬的條件。
(導電元件的層疊結(jié)構(gòu))
樹脂層/蛾眼結(jié)構(gòu)體/ITO膜/空氣
(樹脂層)
折射率η :1.52
(蛾眼結(jié)構(gòu)體)
結(jié)構(gòu)體的形狀拋物面形
配置圖樣六方點陣圖樣
配置間距P :250nm
結(jié)構(gòu)體的高度H:120nm
縱橫比(H/P) 0. 48
折射率η :1.52
(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0第一波面的截面形狀通過周期性的重復拋物線獲得的形狀第一波面的波長λ :250nm第一波面的峰間振幅A :120nm第一波面的峰間振幅A與波長λ的比率(Α/ λ ) :0. 48第二波面的截面形狀通過周期性的重復拋物線獲得的形狀第二波面的波長λ :250nm第二波面的峰間振幅B :120nm第二波面的峰間振幅B與波長λ的比率(B/ λ ) :0. 48(參考例3-2)除了將ITO膜的厚度d變?yōu)?0nm之外，通過在與參考例3-1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖33示出了結(jié)果。(比較例3)除了將ITO膜的厚度d變?yōu)镺nm之外，通過在與參考例3-1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖33示出了結(jié)果。從圖33可以獲知以下內(nèi)容。當在樹脂層的表面中形成大量結(jié)構(gòu)體時，在大約450nm至700nm的波長，ITO膜形成在結(jié)構(gòu)體上的情況和ITO膜不形成在結(jié)構(gòu)體上的情況之間的反射率的差異趨于變小。 因此，可以抑制具有ITO膜的電極圖樣的區(qū)域和不具有電極圖樣的區(qū)域之間的反射率的差異。換言之，可以抑制數(shù)字電阻型觸摸板等的配線圖樣的可見性。(參考例20-1)通過模擬來確定導電元件的反射率的波長依賴性。圖34示出了結(jié)果。以下示出了模擬的條件。(導電元件的層疊結(jié)構(gòu))基體/ITO膜/介質(zhì)(基體)基體玻璃基體形成的表面平面表面折射率η :1.5(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0(介質(zhì))介質(zhì)的類型空氣(參考例20-2)除了將ITO膜的厚度變?yōu)?0nm之外，通過在與參考例20-1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖34示出了結(jié)果。
(參考例20-3)除了將ITO膜的厚度變?yōu)?0nm之外，通過在與參考例20_1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖34示出了結(jié)果。(參考例 20-4)除了將ITO膜的厚度變?yōu)镺nm之外，通過在與參考例20_1相同的條件下執(zhí)行模擬確定反射率的波長依賴性。圖34示出了結(jié)果。從圖34可以獲知以下內(nèi)容。當不在基體的表面中形成蛾眼結(jié)構(gòu)體并且在基體的平面表面上形成ITO膜時，相比于不在基體的平面表面上形成ITO膜的情況，反射率趨于增大。反射率增大的程度趨于與ITO膜的厚度成比率。<2.通過樣本制造檢查反射特性>(參考例4-1)制備外徑為U6nm的玻璃輥型原盤，并且如下在玻璃輥型原盤的表面上形成抗蝕劑層。即，用稀釋劑將光致抗蝕劑稀釋十倍，并且通過使用浸涂將稀釋的光致抗蝕劑涂覆到玻璃輥型原盤的圓柱表面上，形成厚度大約為70nm的抗蝕劑層。隨后，將用作記錄介質(zhì)的玻璃輥型原盤傳送到圖13示出的輥型原盤曝光裝置。通過使抗蝕劑層曝光，在抗蝕劑層中圖樣化了螺旋延伸并在三行相鄰軌道中具有六方點陣圖樣的潛像。具體地，用功率為0. 50mff/m的可以執(zhí)行對玻璃輥型原盤表面的曝光的激光束照射將形成六方點陣曝光圖樣的區(qū)域，以形成凹狀六方點陣曝光圖樣。在列方向上的抗蝕劑層的厚度大約為60nm，而在軌道延伸方向上的抗蝕劑層的厚度大約為50nm。然后，形成在玻璃輥型原盤上的抗蝕劑層進行顯影處理，以溶解曝光區(qū)域中形成的抗蝕劑層。具體地，將未顯影的玻璃輥型原盤放置在顯影機的轉(zhuǎn)臺(未示出)上，并且在玻璃輥型原盤與轉(zhuǎn)臺一起轉(zhuǎn)動的同時將顯影劑滴到玻璃輥型原盤的表面上，以使表面上形成的抗蝕劑層顯影。因此，獲得了抗蝕劑層以六方點陣圖樣開口的抗蝕劑玻璃原盤。然后，使用輥蝕刻機在CHF3氣氛中執(zhí)行等離子體蝕刻。因此，在玻璃輥型原盤的表面上，只有具有從抗蝕劑層露出的六方點陣圖樣的區(qū)域被蝕刻，而其他區(qū)域因為抗蝕劑層用作掩模而未被蝕刻。因此，在玻璃輥型原盤中形成了具有橢圓錐形的凹陷。這里，通過蝕刻時間調(diào)節(jié)蝕刻的量(深度)。最后，通過O2灰化完全去除抗蝕劑層，獲得了具有凹狀六方點陣圖樣的蛾眼玻璃輥型原盤。列方向上的凹陷深度大于軌道延伸方向上的凹陷深度。上述蛾眼玻璃輥型原盤和涂覆紫外線固化樹脂的三醋酸纖維素(TAC)片彼此緊密接觸。然后在TAC片用紫外線照射并固化時將其從蛾眼玻璃輥型原盤剝離。因此，獲得了在一個主面上配置有多個結(jié)構(gòu)體的光學片。隨后，通過在已經(jīng)形成了大量結(jié)構(gòu)體的TAC片的整個表面上濺射，形成了平均厚度為30nm的ITO膜。然后將另一 TAC片附著到ITO膜，并且將粘合劑夾在其間。關(guān)于如上所述獲得的光學片的結(jié)構(gòu)體，平均配置間距P為270nm，平均高度H為 170nm，并且平均縱橫比為0.63。關(guān)于ITO膜，波長λ為270nm，第一波面的峰間振幅A為 170nm，第二波面的峰間振幅B為170nm至180nm，比率(Α/λ )為0. 63，并且比率(B/λ )為 0. 63 至 0. 67。通過上述處理，制造了期望的導電片。
(參考例4-2)除了將ITO膜的厚度變?yōu)?0nm之外，通過與參考例4_1相同的方法制造導電片。(比較例4-1)除了沒有形成ITO膜之外，通過與參考例4-1相同的方法制造光學片。(比較例4-2)除了省略了通過涂覆紫外線固化樹脂形成結(jié)構(gòu)體的步驟、以及在TAC片的平面表面上直接形成ITO膜之外，通過與參考例4-1相同的方法制造導電片。(表面電阻的評價)通過四端子方法測量如上所述制造的導電片和光學片的表面電阻。表1示出了結(jié)(光譜反射特性的評價)通過如下方法測量如上所述制造的導電片和光學片的光譜反射特性。將黑膠帶 (black tape)附著到已經(jīng)形成有大量結(jié)構(gòu)體或ITO膜的TAC片的背面。隨后，使用JASCO 公司的評價裝置(V-550)來確定當光入射到與黑膠帶所附著的表面相反側(cè)的表面時，所獲得的導電片的光譜反射特性。圖35示出了結(jié)果。
權(quán)利要求
1. 一種透明導電元件，包括導電層，具有第一表面和第二表面；以及介質(zhì)層，形成在所述第一表面和所述第二表面中的至少一個上，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個是波長小于等于可見光波長的波所述波面的平均峰間振幅Am與平均波長λ m的比率Am/ λ m為1. 8以下，以及所述導電層的平均厚度Dm大于所述波面的平均峰間振幅Am。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述第一表面和所述第二表面分別是均具有小于等于可見光波長的波長的第一波面和第二波面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電元件，其中，所述第一波面的平均峰間振幅與所述第二波面的平均峰間振幅不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電元件，其中，所述第一波面的平均峰間振幅大于所述第二波面的平均峰間振幅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電元件，其中，所述第一波面的平均峰間振幅Aml與平均波長Aml的比率Aml/λ ml為1. 8以下，以及所述第二波面的平均峰間振幅Am2與平均波長λ m2的比率Am2/ λ m2為1. 8以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述導電層的表面電阻為1000Ω / □以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述導電層含有選自由導電高分子、金屬納米粒子以及碳納米管組成的組中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述導電層含有透明氧化物半導體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，還包括形成為與所述導電層相鄰的金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電元件，其中，所述第一波面和所述第二波面的位置關(guān)系彼此不同步。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導電元件，其中，所述第一波面和所述第二波面的位置關(guān)系彼此同步。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述介質(zhì)層對于具有400nm以上 SOOnm以下的波長的可見光的透射率為20%以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述介質(zhì)層具有與所述波面形成界面的凹凸表面，所述凹凸表面由以小于等于所述可見光波長的間距配置的大量結(jié)構(gòu)體形成，以及所述結(jié)構(gòu)體的平均縱橫比為1. 8以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件， 其中，所述介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層，形成在所述第一表面上；以及第二介質(zhì)層，形成在所述第二表面上，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層中的至少一個具有與所述波面形成界面的凹凸表所述凹凸表面由以小于等于所述可見光波長的間距配置的大量結(jié)構(gòu)體形成，以及所述結(jié)構(gòu)體的平均縱橫比為1. 8以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述導電層是銦錫氧化物膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導電元件，其中，所述介質(zhì)層是空氣層。
17.一種信息輸入裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的透明導電元件。
18.—種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的透明導電元件。
全文摘要
本發(fā)明提供了透明導電元件、信息輸入裝置以及顯示裝置，該透明導電元件包括具有第一表面和第二表面的導電層以及形成在第一表面和第二表面中的至少一個上的介質(zhì)層。在透明導電元件中，第一表面和第二表面中的至少一個是具有小于等于可見光波長的波長的波面；波面的平均峰間振幅Am與平均波長λm的比率(Am/λm)為1.8以下；并且導電層的平均厚度Dm大于波面的平均峰間振幅Am。
文檔編號G06F3/041GK102236462SQ20111010129
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者林部和彌, 梶谷俊一, 田澤洋志, 遠藤惣銘 申請人:索尼公司