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透明導(dǎo)電玻璃的制作方法

文檔序號:2476027閱讀:301來源:國知局
專利名稱:透明導(dǎo)電玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種透明導(dǎo)電膜玻璃,尤其是顯示屏用導(dǎo)電玻璃,具體地說是一種具有高透光率的透明導(dǎo)電玻璃。
背景技術(shù)
透明導(dǎo)電玻璃,是以玻璃為基片,鍍以氧化物、金屬或氧化物復(fù)合膜,透明導(dǎo)電玻璃不僅具有導(dǎo)電性,同時(shí)具有透光性,具有廣泛的應(yīng)用前景。目前,透明導(dǎo)電玻璃主要應(yīng)用于平板顯示器。通常在玻璃的表面從內(nèi)至外依次設(shè)有二氧化硅膜SiO2和氧化銦、錫ITO的三層式玻璃結(jié)構(gòu);導(dǎo)電性好,但是,存在透光率不高的問題,其可見光平均透射率(含1. 1 mm厚玻璃基底)小于89%,使得在制造IXD液晶顯示器的時(shí)候,使得器間顯示時(shí)清晰度降低。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提出一種導(dǎo)電性好、透光率高的透明導(dǎo)電玻璃。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種透明導(dǎo)電玻璃,在玻璃的表面從內(nèi)至外依次設(shè)有第一二氧化硅膜SiO2、二氧化鈦膜TiO2、第二二氧化硅膜SiO2和氧化銦錫膜ΙΤ0。本實(shí)用新型的第一二氧化硅膜SiA的厚度為20 nm— 35nm。本實(shí)用新型的二氧化鈦膜TW2的厚度為150 nm— 250nm。本實(shí)用新型的第二二氧化硅膜SW2的厚度為20 nm— 35nm。本實(shí)用新型的氧化銦錫膜ITO的厚度為2 nm— lOOnm。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型由于采用了不同折射率的膜層,相互疊加,使得光線在通過膜層和玻璃以后,總的折射率降低,透射率增加。同時(shí)鍍制在多層膜層上的ITO膜導(dǎo)電性能增加,電阻值降低,采用這種膜系結(jié)構(gòu)的玻璃制造出來的LCD液晶顯示器,器件透光率高,顯示的各個(gè)數(shù)值、圖像清晰、完美。本實(shí)用新型的采用五層式結(jié)構(gòu),導(dǎo)電性好、透光率高,可以使得透光率達(dá)到96%以上。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。1、玻璃;2、第一二氧化硅膜SW2 ;3、二氧化鈦膜TW2 ;4、第二二氧化硅膜SW2 ;5、氧化銦錫膜IT0。
具體實(shí)施方式
3[0017]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。如圖1所示,一種透明導(dǎo)電玻璃,在玻璃(1)的表面從內(nèi)至外依次設(shè)有第一二氧化娃膜SiO2 (2)、二氧化鈦膜TiO2 (3)、第二二氧化硅膜SiO2 (4)和氧化銦錫膜ITO (5)。本實(shí)用新型的第一二氧化硅膜SiA (2)的厚度為20 nm— 35nm。本實(shí)用新型的二氧化鈦膜TW2 (3)的厚度為150 nm— 250nm。本實(shí)用新型的第二二氧化硅膜SW2 (4)的厚度為20 nm— 35nm。本實(shí)用新型的氧化銦錫膜ITO (5)的厚度為2 nm 一 lOOnm。本實(shí)用新型的采用五層式結(jié)構(gòu),導(dǎo)電性好、透光率高,可以使得透光率達(dá)到96%以上。本實(shí)用新型未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求1.一種透明導(dǎo)電玻璃,其特征是在玻璃(1)的表面從內(nèi)至外依次設(shè)有第一二氧化硅膜 SiO2 (2)、二氧化鈦膜TiO2 (3)、第二二氧化硅膜SiO2 (4)和氧化銦錫膜ITO (5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電玻璃,其特征是所述的第一二氧化硅膜S^2(2)的厚度為20 nm — ;35歷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電玻璃,其特征是所述的二氧化鈦膜TW2(3)的厚度為 150nm — 250nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電玻璃,其特征是所述的第二二氧化硅膜SiA(4)的厚度為 20nm — 35nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電玻璃,其特征是所述的氧化銦錫膜ITO(5)的厚度為 2nm — IOOnm0
專利摘要一種透明導(dǎo)電玻璃,在玻璃(1)的表面從內(nèi)至外依次設(shè)有第一二氧化硅膜SiO2(2)、二氧化鈦膜TiO2(3)、第二二氧化硅膜SiO2(4)和氧化銦錫膜ITO(5)。本實(shí)用新型的采用五層式結(jié)構(gòu),導(dǎo)電性好、透光率高,可以使得透光率達(dá)到96%以上。
文檔編號B32B9/04GK202037923SQ20112006597
公開日2011年11月16日 申請日期2011年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者朱殿榮, 李俊 申請人:無錫康力電子有限公司
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