專利名稱：透明導體薄膜的形成的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及觸摸感測系統(tǒng)中基本透明的導體層，尤其涉及在形成基本透明的導體層之前在有機層之間形成阻擋(barrier)層。
背景技術：
基本透明的導體(在這里也簡單地稱為“透明導體”或者“透明導體材料”)是在例如形成為薄膜時可以對光基本透明的導電材料。因為其光學和電學屬性的結合，基本透明導體的薄膜已經(jīng)應用在很多產(chǎn)品中，例如液晶顯示器、觸摸屏、防靜電涂層、太陽能電池， 等等。在有些應用中，透明導體的薄膜可以形成為多層材料的疊層(stack up)中的一層， 這些多層材料包括例如半導體層、絕緣層、金屬層，等等。有機層，即，由有機材料形成的層， 也可以在一些疊層中使用。有機層一般是可以通過把有機材料機械地應用到疊層表面(例如，涂覆)而形成的絕緣層。在有些應用中，有機絕緣層可以是對無機絕緣層的較低成本的替代，其中無機絕緣層可能需要更慢且更昂貴的方法來形成層，例如外延生長。在有些傳統(tǒng)的應用(例如，有些傳統(tǒng)的LCD顯示器)中，透明導體薄膜可以淀積到包括有機層的疊層上。在這些應用中，形成某些透明導體薄膜(例如，氧化銦錫(ITO))可能需要的高溫會導致從有機材料除氣(OUtgass)，即，有機材料內所存的氣體釋放到周圍環(huán)境中。在使用ITO和有機層兩者的傳統(tǒng)應用中，ITO薄膜形成期間的除氣不會造成問題。然而，更加新的技術可能需要更高質量的ITO薄膜，如果發(fā)生有機層的除氣，則這種更高質量的薄膜可能更難以形成。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及觸摸感測系統(tǒng)中基本透明的導體層，尤其涉及在有機層和基本透明的導體層之間形成阻擋層。在一個示例實施方式中，在包括有機層的觸摸傳感器面板疊層上的透明導體層可以通過在有機層之上形成阻擋層并在該阻擋層之上形成透明導體層來形成。例如，通過阻止氣體從有機層進入環(huán)境，阻擋層可以減少或者防止在透明導體層形成期間有機層的除氣。在另一示例實施方式中，透明導體層可以通過在有機層之上形成透明導體的阻擋層并且在該阻擋層上形成透明導體的第二層來形成。以這種方式，例如，可以形成兩種不同類型透明導體的組合層，這是因為在阻擋層形成期間會出現(xiàn)的有機層的除氣會使得阻擋層的透明導體比第二層的透明導體質量低。換句話說，阻擋層會減少或者防止第二層形成期間的除氣，這使得可以得到第二層的更高質量的透明導體。


根據(jù)一個或者多個不同的實施方式，參考以下附圖具體描述本公開內容。附圖僅僅是為了例示而提供的，而且僅僅描述了本公開的示例實施方式。提供這些圖是為了方便讀者理解本公開，而且這些圖不應當認為是對本公開的廣度、范圍或者適用性的限制。應當指出，為了清晰且容易地例示，這些圖不一定是按比例繪制的。圖1A-1C例示了示例移動電話、示例數(shù)字媒體播放器和示例個人計算機，它們各自都包括示例觸摸屏。圖2是例示示例觸摸屏的一種實現(xiàn)的示例計算系統(tǒng)的框圖。圖3是示出圖2的示例計算系統(tǒng)的細節(jié)的截面圖，包括根據(jù)本公開實施方式的在有機層和透明導體層之間的阻擋層。圖4-8例示了根據(jù)本公開實施方式的形成阻擋層的示例處理。圖9-13例示了根據(jù)本公開實施方式的形成阻擋層的另一示例處理。圖14-18例示了根據(jù)本公開實施方式的形成阻擋層的另一示例處理。圖19-23例示了根據(jù)本公開實施方式的形成阻擋層的另一示例處理。
具體實施例方式在以下對實施方式的描述中，參考構成本公開一部分的附圖，其中附圖中通過例示示出了可以實踐的具體實施方式
。應當理解，在不背離所公開實施方式的范圍的情況下， 可以采用其它實施方式而且可以進行結構性變化。在有些觸摸傳感器面板中，可能期望利用用于不同目的的兩種類型的導體材料來提供電連接，例如在期望透明性的區(qū)域中采用ITO而在不需要透明性的區(qū)域中采用金屬。 在有些情況下，除了預期的互連點之外，這兩種類型的導體材料可以利用電絕緣層彼此絕緣。有機層可以用作底層的導體材料(例如，金屬)和覆蓋的導體材料(例如，ΙΤ0)之間的絕緣層，盡管這兩種材料的次序也可以顛倒。本公開的實施方式總體上涉及觸摸感測系統(tǒng)中基本透明的導體層，而且尤其涉及在有機層和基本透明的導體層之間形成阻擋層。例如，通過防止氣體從有機層進入環(huán)境，阻擋層可以減少或者防止在隨后的透明導體層形成期間有機層的除氣。在這種環(huán)境下形成的透明導體層會是較高質量的，例如，與在除氣未加抑制地發(fā)生的環(huán)境下形成的透明導體層相比具有更好的光學和/或電學屬性。較高質量的透明導體層在有些應用中可能是特別有利的，例如在更加新的觸摸屏設計中。例如，可能期望在觀看區(qū)域(即，觸摸屏中顯示用戶可見圖像的區(qū)域)中的ITO層由高質量的晶體ITO形成。觸摸屏技術是可以受益于淀積到包括有機材料的疊層上的較高質量透明導體層的技術的一個示例。觸摸屏可以包括位于諸如LCD的顯示設備前面的透明觸摸傳感器面板，或者可以包括其中觸摸感測電路部分地或完全地集成到顯示器中的集成觸摸屏，等等。 觸摸屏可以允許用戶通過用手指、觸筆或者其它物體在可由顯示設備所顯示的用戶界面 (UI)規(guī)定的位置觸摸觸摸屏來執(zhí)行各種功能。一般來說，觸摸屏可以識別觸摸事件及該觸摸事件在觸摸傳感器面板上的位置，然后計算系統(tǒng)可以根據(jù)觸摸事件發(fā)生時出現(xiàn)的顯示解釋該觸摸事件，其后可以基于該觸摸事件執(zhí)行一個或多個動作。例如，互電容觸摸傳感器屏幕可以由諸如ITO的透明導體材料的驅動線和感測線的矩陣形成，這些驅動線和感測線常常在基本透明疊層的觀看區(qū)域上沿水平和垂直方向排列成行和列。盡管以下采用ITO作為一個示例透明導體材料，但是也可以采用其它透明導體材料。驅動信號可以通過驅動線發(fā)送，這會導致在驅動線和感測線的交叉點或者相鄰區(qū)域(感測像素)處形成靜態(tài)互電容。該靜態(tài)互電容及由于觸摸事件對該靜態(tài)互電容造成的任何變化，可以從由于驅動信號而在感測線中生成的感測信號確定。在觸摸屏的觀看區(qū)域中形成的驅動線和感測線在有些觸摸屏設計中可能是可見的。因此，在有些觸摸屏設計中，ITO的光學質量是很重要的。此外，在有些觸摸屏設計中，驅動線和感測線的布局及用于檢測觸摸的觸摸感測策略可能對ITO的電學質量更敏感。在這些及其它應用中，在ITO層形成期間減少有機層除氣的阻擋層可能是特別有利的，因為所得的ITO層潛在地具有提高的光學和/或電學質量。有機層和透明導體層之間的阻擋層還可以提供其它優(yōu)點，例如為ITO層提供更剛硬的底層，并且改進光學質量、階梯覆蓋(St印 coverage)、耐熱性及導電性。阻擋層還可以幫助緩解有機材料與ITO的導熱性的不匹配， 而且可以幫助減小疊層的刮擦風險。本發(fā)明各種實施方式的有些潛在優(yōu)點，例如薄度、亮度和功率效率，可能對于便攜式設備是特別有用的，但是本發(fā)明實施方式的用途不限于便攜式設備。圖1A-1C示出了其中可以實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實施方式的集成觸摸屏的示例系統(tǒng)。圖IA例示了包括集成觸摸屏 124的示例移動電話136。圖IB例示了包括集成觸摸屏126的示例數(shù)字媒體播放器140。 圖IC例示了包括集成觸摸屏128的示例個人計算機144。圖2是示例計算系統(tǒng)200的框圖，其例示了具有阻擋層的示例觸摸屏220的一種實現(xiàn)。計算系統(tǒng)200可以包括在例如包括觸摸屏的移動電話136、數(shù)字媒體播放器140、個人計算機144或者任何移動或非移動計算設備中。計算系統(tǒng)200可以包括觸摸感測系統(tǒng)， 該觸摸感測系統(tǒng)包括一個或多個觸摸處理器202、外圍設備204、觸摸控制器206和觸摸感測電路(下面更具體地描述)。外圍設備204可以包括但不限于隨機存取存儲器(RAM)或者其它類型的存儲器或儲存器、看門狗定時器等。觸摸控制器206可以包括但不限于一個或多個感測通道208、通道掃描邏輯210和驅動器邏輯214。通道掃描邏輯210可以訪問 RAM 212、自發(fā)地從感測通道讀取數(shù)據(jù)并提供對感測通道的控制。此外，通道掃描邏輯210 還可以控制驅動器邏輯214在各種頻率和相位下生成激勵信號216，激勵信號216可以選擇性地應用到觸摸屏220的觸摸感測電路系統(tǒng)的驅動區(qū)域，如以下更具體描述的。在有些實施方式中，觸摸控制器206、觸摸處理器202和外圍設備204可以集成到單個專用集成電路 (ASIC)中。計算系統(tǒng)200還可以包括用于從觸摸處理器202接收輸出并基于該輸出執(zhí)行動作的主機處理器228。例如，主機處理器2 可以連接到程序儲存器232和諸如IXD驅動器234的顯示控制器。主機處理器2 可以使用IXD驅動器234在觸摸屏220上生成圖像，例如用戶界面(UI)的圖像，而且可以使用觸摸處理器202和觸摸控制器206檢測觸摸屏220上或者其附近的觸摸，例如對所顯示UI的觸摸輸入。觸摸輸入可以由存儲在程序儲存器232中的計算機程序用于執(zhí)行動作，這些動作可以包括但不限于移動諸如光標或指示符的對象、滾動或搖攝(pan)、調整控制設置、打開文件或文檔、瀏覽菜單、進行選擇、執(zhí)行指令、操作連接到主機設備的外圍設備、應答電話呼叫、發(fā)出電話呼叫、終止電話呼叫、改變音量或音頻設置、存儲與電話通信相關聯(lián)的信息(例如，地址、經(jīng)常撥打的號碼、已接呼叫、未接呼叫)、登錄到計算機或計算機網(wǎng)絡、允許授權個人訪問該計算機或計算機網(wǎng)絡的受限區(qū)域、加載與用戶的優(yōu)選計算機桌面布置相關聯(lián)的用戶簡檔、允許訪問網(wǎng)絡內容、啟動特定程序、加密或者解碼消息，等等。主機處理器2 還可以執(zhí)行可能不與觸摸處理相關的附加功能。
觸摸屏220可以包括觸摸感測電路，該觸摸感測電路包括具有多條驅動線222和多條感測線223的電容性感測介質。應當指出，術語“線”有時候在這里用來簡單地指示導電通路，就象本領域技術人員很容易理解的，而不限于嚴格直線性的結構，而是包括改變方向的通路，而且包括不同大小、形狀、材料等的通路。多條驅動線222和多條感測線223中的一方或者雙方都可以由ITO層形成。驅動線222可以被來自驅動器邏輯214的激勵信號 216通過驅動接口 2 驅動，而且在感測線223中所得的感測信號217通過感測接口 225發(fā)送到觸摸控制器206中的感測通道208(也稱為事件檢測與解調電路)。以這種方式，驅動線和感測線是觸摸感測電路的一部分，它們可以交互以便形成電容性感測節(jié)點，該電容性感測節(jié)點可以看作觸摸圖像元素(觸摸像素)，例如觸摸像素226。驅動接口 224、感測接口 225及其它(未示出的)電路置于觀看區(qū)域邊界MO的后面，觀看區(qū)域邊界240將這些元件隱藏起來不可見，同時使得觸摸像素2 及驅動線222和感測線223的對應部分在觀看區(qū)域M2中露出以可以看到。圖3示出了觸摸屏220的邊界區(qū)域M6的更詳細視圖。圖3是沿圖2中線A_A， 取的邊界區(qū)域M6的截面圖，其示出了邊界區(qū)域中觸摸屏220的疊層301的一部分。疊層 301包括玻璃襯底303、金屬層305、有機層307、阻擋層309和ITO層311。觸摸屏還包括可以將疊層301結合到柔性銅連接器315的各向異性導體膜(ACF) 313，其中柔性銅連接器 315可以連接到驅動接口 224(在圖3中未示出)。疊層301可以包括接觸區(qū)域317，在這個區(qū)域可以在ITO層311和金屬層305之間形成電接觸。接觸區(qū)域317可以放置到觀看區(qū)域邊界MO的后面在布線(routing)/接觸區(qū)域319中。例如，ITO層311的部分從布線/接觸區(qū)域319中的接觸區(qū)域317延伸到觀看區(qū)域M2以形成驅動線222。阻擋層309可以減少或者防止有機層除氣對ITO層311的影響。相比而言，如果沒有阻擋層309，可以形成通過有機層接觸金屬層的單個ITO層，但是，在這種情況下，ITO 質量嚴重地依賴于有機層的物理、化學和/或熱屬性。在利用ITO的有些應用中，為了實現(xiàn)期望的導電性和光學需求，即，諸如100-200ohm/sq的低薄片電阻，和諸如200A或更薄的薄膜厚度，ITO層可能必須在升高的溫度下被淀積，該升高的溫度可能比有機層所能耐受的溫度還要高。在這種情況下，由于高溫造成的有機除氣或分解/化學反應以及結合濺射期間的離子轟擊可能會導致差的ITO質量，而且有機層本身可能也會被損傷。在本例中，阻擋層309可以在布線/接觸區(qū)域319的大部分之上形成，包括覆蓋有機層307，但不延伸到觀看區(qū)域242中。在本示例實施方式中，阻擋層309直接在有機層307 上形成，而ITO層311直接在阻擋層309上形成。然而，在有些實施方式中，阻擋層可以不直接在有機層上形成，而是可以在會減少或防止有機層除氣的其他位置形成。同樣，在本示例實施方式中，ITO層311直接在阻擋層309上形成，但是在有些實施方式中，阻擋層可以在其他位置形成。圖4-8描述了一種示例實施方式，其中阻擋層309由不延伸到觀看區(qū)域M2中的導體材料形成。圖9-13示出了一種示例實施方式，其中阻擋層309由不延伸到觀看區(qū)域 242中的無機介電材料形成。圖14-18示出了一種實施方式，其中阻擋層309由不延伸到觀看區(qū)域M2中的有機材料形成。圖19-23示出了一種示例實施方式，其中阻擋層309由延伸到觀看區(qū)域M2中的透明導體形成。圖4示出了玻璃襯底303上金屬層305的構圖。圖5示出了覆蓋金屬層305的有機層307。圖6示出了阻擋層309，在本例中阻擋層309由ITO形成。阻擋層309被淀積為基本上覆蓋布線/接觸區(qū)域319，并由此基本上覆蓋有機層307的全部。阻擋層309不延伸到觀看區(qū)域M2中。在本例中，由ITO形成的阻擋層309的構圖可以通過諸如利用光致抗蝕劑掩蔽、利用遮光板等的技術來實現(xiàn)。參考第一示例實施方式，圖4-7可以例示利用導體材料形成阻擋層309的示例處理的步驟。在本例中，可以使用多種不同的導體材料。盡管在本例中，ITO是用于阻擋層309的導體，但是也可以采用非透明導體。特別地，在本例中， 阻擋層形成在邊界區(qū)域246中并因此將被觀看區(qū)域邊界240隱藏而不可見。導體材料的示例可以包括鉬(Mo)材料、導電透明氧化物(CTO)、氧化鋅、氧化鈦、氧化銦鋅、碳納米管、導電有機聚合物，等等。盡管可能期望在觀看區(qū)域M2中的ITO層311中形成高質量的ΙΤ0，但是在阻擋層309中形成的ITO可能不需要是高質量的ΙΤ0。例如，阻擋層309的ITO被觀看區(qū)域邊界 240隱藏而不可見。因為ITO阻擋層309將不會被看到，所以其光學質量不需要很高。然而，阻擋層309的ITO的電學質量可能需要為高，以便在高質量的ITO層311和金屬層305 之間提供良好的電連接。此外，ITO阻擋層309可能需要具有良好的機械屬性，以對要在阻擋層上形成的高質量晶體ITO層311的部分提供牢固的基礎。牢固的基礎可以允許形成更薄的高質量ITO層311，由此改進觀看區(qū)域M2中高質量ITO層的光學質量。例如，在包括 ITO阻擋層的有些實施方式中，阻擋層的ITO可以在有機層上淀積得更厚，以便減少由于有機層的熱膨脹和收縮可以到達ITO層311的機械應變的量。這還可以幫助允許ITO層311 更薄。相比之下，阻擋層309的ITO可以隱藏而不可見，就象在本示例實施方式中一樣。在這種情況下，使ITO阻擋層309更厚，并由此降低該層的光學質量，應當不影響觸摸屏220 的性能。在有些實施方式中，在布線/接觸區(qū)域319上但不在觀看區(qū)域242上形成阻擋層 309可以通過利用例如光致抗蝕劑掩蔽觀看區(qū)域來實現(xiàn)。在其它實施方式中，位于觀看區(qū)域之上的遮光板可以用于阻止濺射、蒸發(fā)等的ITO淀積到觀看區(qū)域中。遮光板可以是阻止濺射物淀積到觀看區(qū)域上但允許濺射物淀積到布線/接觸區(qū)域上的物理阻擋。當阻擋層厚到足以充分地減少除氣時，可以除掉遮光板。圖7示出了基本上在疊層301的整個表面上淀積的ITO層311。如上所述，ITO 層311可以通過例如物理汽相淀積、化學汽相淀積等工藝淀積。應當指出，如果缺少阻擋層 309，那么，即使觀看區(qū)域中的ITO不是直接在有機層上形成而實際上是遠離有機層，在觀看區(qū)域M2中淀積的ITO也會受到有機層307除氣的影響。這是因為來自有機層的除氣導致氣體釋放到有機層周圍的環(huán)境中，這可以包括疊層301遠離有機層的區(qū)域。因為一層ITO 已經(jīng)淀積到有機層307上用以形成阻擋層309，所以有機層的除氣減少了。因此，可以采用更高溫度的方法來淀積ITO層311，這會得到高質量的晶體ΙΤ0。這種高質量的晶體ITO層 311可以淀積到觀看區(qū)域M2中。在如圖7中所示淀積高質量的ITO層311之后，布線/接觸區(qū)域319中ITO層311 的部分和較低質量的ITO層(阻擋層309)可以作為兩個單獨的層來制造，或者可以作為單個ITO層來制造，在作為單個ITO層來制造的情況下ITO的質量可以在通過層厚度的不同距離處不同。換句話說，阻擋層309和ITO層311可以作為包括不同類型ITO的組合層來制造。相比之下，在觀看區(qū)域對2中形成的高質量ITO層311的部分可以是單一類型的ΙΤ0，例如高質量的晶體ΙΤ0。盡管在本示例實施方式中，阻擋層309由較低質量的ITO形成(例如，在低溫下形成)，但是，例如，阻擋層309也可以由與ITO層311相同的高質量ITO形成。 換句話說，可以使ITO的第一次淀積淀積特定質量的ΙΤ0，作為阻擋層309。淀積將繼續(xù)，直到已經(jīng)淀積了足夠的ITO來形成對有機層307除氣的有效阻擋。通過例如用惰性氣體充注淀積室來除去來自有機層307除氣的氣體，可以清潔圍繞疊層301的環(huán)境。對于ITO是在真空下淀積的有些實施方式，淀積處理可以簡單地在獲得期望厚度的阻擋層309之后暫停。在暫停期間，淀積室中的真空可以維持，以便清除來自有機層307除氣的氣體。當除去足夠多的氣體后，可以在第二階段繼續(xù)對高質量ITO的淀積。在第二階段中，圍繞疊層301 的環(huán)境可以充分地清除除氣所帶來的氣體，使得在第二階段中可以形成高質量的晶體ΙΤ0。圖8示出了由掩蔽與蝕刻步驟得到的構圖ITO 801，以便形成作為多行ITO層311 的驅動線222。掩蔽與蝕刻步驟只需要應用一次，因為ITO層311和阻擋層309都是ITO 層，盡管這兩個層的質量可以不同。換句話說，阻擋層309和ITO層311可以同時構圖。圖9-13例示了另一示例實施方式，其中阻擋層309可以由介電材料形成。圖9示出了玻璃襯底303上金屬層305的構圖。在本例中，金屬層305可以是與前一個示例中相同的金屬層。圖10示出了有機層307的形成。圖11示出了由介電材料形成的阻擋層309 的形成。就象在前一個示例中，當阻擋層309在布線/接觸區(qū)域319的大部分上淀積時，它覆蓋了有機層307。同樣，阻擋層309不延伸到觀看區(qū)域242中。介電阻擋層309可以通過例如以下步驟來形成掩蔽觀看區(qū)域Μ2，并且執(zhí)行物理汽相淀積，以將介電材料淀積到布線/接觸區(qū)域319上，以便形成其阻擋層309。因為介電阻擋309不導電，所以必須在阻擋層309中構圖并且開通接觸孔，以便為ITO層311通過電介質接觸金屬層305提供通路。圖12示出了基本上在疊層301的整個表面上淀積的ITO層311。就象在前一個示例中，ITO層311可以利用較高溫度的工藝形成，這是因為介電阻擋層309可以減少或者防止由于較高溫度造成的有機層307的除氣。圖13示出了得到構圖ITO層1301的掩蔽與蝕刻步驟的結果。類似于圖8所示的前一個示例中的ITO層311的構圖，構圖的多行ITO層形成驅動線222。然而，與前一個示例不同，掩蔽與蝕刻步驟不除去由介電材料形成的阻擋層309。相反，阻擋層309留下來作為有機層307的遮蓋物。圖14-18例示了另一示例實施方式，其中阻擋層309可以由低除氣的有機材料形成。圖14-15示出了在玻璃襯底303上對金屬層305的構圖，及覆蓋金屬層305的有機層 307的形成，與前面圖9-10的示例類似。圖16示出了由低除氣有機材料形成的阻擋層309。 就象在前面的示例中，阻擋層309覆蓋布線/接觸區(qū)域319并因此覆蓋有機層307，但不延伸到觀看區(qū)域242中。圖17示出了基本上覆蓋疊層301的整個表面的ITO層311的形成。 圖18示出了類似于上述示例實施方式可以通過掩蔽與蝕刻處理形成的構圖ITO 1801。就象在前面的實施方式中，構圖ITO 1801可以形成驅動線222。同樣，可以用于形成構圖ITO 1801的處理不除去阻擋層309。因此，阻擋層309繼續(xù)基本上覆蓋有機層307。圖19-23例示了另一示例實施方式，其中阻擋層309可以由透明導體形成。然而， 與前面圖4-8中所示的示例實施方式不同，本實施方式的阻擋層309基本上在疊層301的整個表面上形成，包括觀看區(qū)域對2。圖19-20示出了玻璃襯底303上對金屬層305的構圖， 及覆蓋金屬層305的有機層307的形成，與前面的示例實施方式類似。圖21示出了由諸如 ITO的透明導體形成的阻擋層309。與前面的示例實施方式不同，阻擋層309可以基本上在疊層301的整個表面上形成。換句話說，形成阻擋層309的處理可以不包括諸如通過利用光致抗蝕劑掩蔽、遮光等的防止在某些區(qū)域中形成阻擋層的步驟，或者諸如可以包括掩蔽、 蝕刻等的構圖處理的在形成后從某些區(qū)域除去阻擋層的步驟。因此，形成阻擋層的本示例處理可以帶來更少的步驟，這可能比有些其它處理更加成本有效。圖22示出了基本上覆蓋疊層301的整個表面的ITO層311的形成。類似于前面的示例實施方式，阻擋層309可以減少或者防止有機層307的除氣影響ITO層311的形成， 這會允許使用更高的溫度而且會得到高質量的ITO層311。然而，與前面的示例實施方式不同，觀看區(qū)域M2中的高質量ITO層311形成在低質量ITO的阻擋層309之上。圖23示出了可以通過例如掩蔽與蝕刻處理形成的構圖IT02401 ；類似于以上參考圖8所述的示例實施方式，阻擋層309與ITO層311可以同時構圖。就象在前面的實施方式中，構圖ITO 2301可以形成驅動線222。就象在圖8的示例中，可以用于形成構圖ITO 2301 的處理也可以給阻擋層309構圖；然而，該處理可能需要調整，以便解決ITO的組合層，即， 低質量ITO阻擋層309與高質量ITO層311的組合。如上所述，有些實施方式可以包括其它透明導體的阻擋層，例如，高質量的ITO(在除氣所帶來的約束之內，等等)、導電透明氧化物(CTO)、氧化鋅、氧化鈦、氧化銦鋅、碳納米管、導電有機聚合物，等等。盡管以上已經(jīng)描述了各種實施方式，但是應當理解，它們僅僅是作為示例給出的， 而不是作為限制。同樣，各個圖可以描述用于所公開內容的示例體系結構或者其它配置，這么做是為了幫助理解可以包括在所公開內容中的特征與功能性。本公開不限于所例示的示例體系結構或者配置，而是可以利用多種替代的體系結構和配置來實現(xiàn)。此外，盡管以上關于各種示例實施方式和實現(xiàn)描述了本公開，但是應當理解，在一個或多個單獨實施方式中所描述的各種特征與功能性就其適用性而言不限于描述其的特定實施方式。相反，它們可以單獨地或者以某種組合應用到本公開的一個或多個其它實施方式，不管這種實施方式是否描述過，也不管這種特征是否作為所述實施方式的一部分給出過。如此，本公開的廣度與范圍不應當受以上所述的任何示例實施方式的限制。例如，盡管以上所述的實施方式例示了驅動線的形成，但是應當理解，感測線也可以以類似的方式形成。而且，本公開的實施方式包括在不同襯底上、在相同襯底的相對側上或者在一個襯底的相同側上形成的驅動線和感測線。此外，驅動線和感測線可以不按附圖中所例示的那樣朝向，而是可以非正交的，而且可以構形為金字塔形、菱形、截頂 (truncated)的菱形、磚形、片形，等等。示例實施方式是參考笛卡爾坐標系統(tǒng)描述的。然而，本領域技術人員將理解，對特定坐標系統(tǒng)的參考僅僅是為了清晰，而不是要把結構的方向限定到特定的方向或者特定的坐標系統(tǒng)。此外，盡管具體的材料和材料類型可以包括在示例實施方式的描述中，但是，本領域技術人員將理解，實現(xiàn)相同功能的其它材料也可以使用。
權利要求
1.一種在包括有機層的觸摸傳感器面板疊層上形成透明導體層的方法，該方法包括在所述有機層之上形成第一層，其中該第一層實質上減少了所述有機層的除氣；及在所述第一層之上形成所述透明導體層。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一層包括選自由以下構成的組的材料低除氣有機材料、介電材料、透明導體和非透明導體。
3.如權利要求1所述的方法，其中，所述觸摸傳感器面板疊層是觸摸屏的部件，而且其中形成第一層包括掩蔽所述觸摸傳感器面板疊層，使得所述第一層不在所述觸摸屏的觀看區(qū)域中形成。
4.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一層由與所述透明導體層相同的材料形成， 其中所述第一層由較低質量的透明導體形成，而所述透明導體層由較高質量的所述透明導體形成。
5.如權利要求1所述的方法，還包括在形成所述透明導體層之前從所述疊層的周圍環(huán)境除去氣體，所述氣體是在形成所述第一層期間由所述有機層除氣排出的。
6.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一層的至少一部分形成在所述有機層上。
7.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明導體層的至少一部分形成在所述第一層上。
8.—種在包括有機層的觸摸傳感器面板疊層上形成透明導體層的方法，該方法包括在所述有機層之上形成透明導體的第一層；在所述第一層上形成所述透明導體的第二層；及同時對所述第一層和所述第二層構圖。
9.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一層和所述第二層都形成在觸摸屏的觀看區(qū)域中。
10.如權利要求8所述的方法，其中，所述第二層具有不大于大約200ohm/Sq的薄片電阻，而且具有不大于大約200埃的厚度。
11.一種觸摸傳感器面板疊層，包括導體層；在所述導體層的第一部分之上的有機層；及在所述有機層之上的組合層，該組合層包括較低質量透明導體的第一部分和較高質量透明導體的第二部分，其中所述第一部分布置得比所述第二部分更靠近所述有機層。
12.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述組合層的第一部分接觸所述導體層的第二部分。
13.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述有機層接觸所述導體層的第一部分。
14.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述組合層的第一部分接觸所述有機層。
15.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述觸摸傳感器面板疊層是具有觀看區(qū)域和觀看區(qū)域邊界的觸摸屏的部件，而且其中所述有機層基本上位于所述觀看區(qū)域邊界的后面，及所述組合層的第二部分延伸到所述觀看區(qū)域中。
16.如權利要求15所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述組合層的第一部分不延伸到所述觀看區(qū)域中。
17.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述組合層的第一部分的薄片電阻不高于所述組合層的第二部分的薄片電阻。
18.如權利要求11所述的觸摸傳感器面板疊層，其中，所述組合層的第一部分的厚度不大于所述組合層的第二部分的厚度。
19.如權利要求15所述的觸摸傳感器面板疊層，該觸摸傳感器面板疊層結合到計算系統(tǒng)中。
20.一種包括觸摸傳感器面板疊層的移動電話，包括導體層；在所述導體層的第一部分之上的有機層；及在所述有機層之上的組合層，該組合層包括較低質量透明導體的第一部分和較高質量透明導體的第二部分，其中所述第一部分布置得比所述第二部分更靠近所述有機層。
21.一種包括觸摸傳感器面板疊層的數(shù)字媒體播放器，包括導體層；在所述導體層的第一部分之上的有機層；及在所述有機層之上的組合層，該組合層包括較低質量透明導體的第一部分和較高質量透明導體的第二部分，其中所述第一部分布置得比所述第二部分更靠近所述有機層。
全文摘要
觸摸感測系統(tǒng)中基本上透明的導體層可以通過在有機層和基本上透明的導體層之間形成阻擋層來形成。例如，阻擋層可以在有機層之上形成，而且透明的導體層可以在該阻擋層之上形成。阻擋層可以減少或者防止有機層的除氣，以便幫助提高透明導體層的質量。在另一個示例中，通過形成透明導體的阻擋層并且在該阻擋層上形成透明導體的第二層，可以在有機層之上形成兩種不同類型透明導體的組合層。當形成阻擋層時會發(fā)生的除氣可能使得阻擋層的透明導體是低質量的，但會得到第二層的較高質量的透明導體。
文檔編號G06F3/041GK102460352SQ201080025800
公開日2012年5月16日 申請日期2010年6月7日 優(yōu)先權日2009年6月19日
發(fā)明者仲正中, 張世昌, 洪承載, 黃麗麗 申請人:蘋果公司