專利名稱：有機發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，尤指一種觸控式有機發(fā)光二極管顯 示裝置。
背景技術(shù)：
功能先進的顯示器漸成為現(xiàn)今消費電子產(chǎn)品的重要特色，其中有機發(fā)光二極管顯 示裝置已經(jīng)逐漸成為各種電子設(shè)備如電視、行動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機、計算 機屏幕或筆記型計算機屏幕所廣泛應(yīng)用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。不同于市面上常見的有機發(fā)光二極管顯示裝置利用加在液晶像素的電壓決定像 素亮度，有機發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display, OLED)發(fā)光強度是 由LED順向偏壓電流決定像素亮度。有機發(fā)光二極管顯示裝置利用自發(fā)光技術(shù)，不但不需 要背光照明，還能提供比有機發(fā)光二極管顯示裝置更快的響應(yīng)時間。除此之外，有機發(fā)光二 極管顯示裝置甚至還有較佳的對比值和寬廣的視角等優(yōu)點。而且，有機發(fā)光二極管顯示裝 置能使用現(xiàn)有的薄膜晶體管有機發(fā)光二極管顯示裝置的基板技術(shù)來制造，目前常見的主動 有機發(fā)光二極管顯示裝置使用非晶硅(a-Si)或低溫多晶硅(LTPS)基板。由于現(xiàn)今有機發(fā)光二極管顯示裝置為了方便攜帶與使用，使用者可直接觸碰的觸 控式有機發(fā)光二極管顯示面板也成為市場開發(fā)的方向。傳統(tǒng)上的電阻式或電容式觸控有 機發(fā)光二極管顯示面板，其在面板上設(shè)置額外的電阻電容元件，并透過檢測觸壓點電壓值 的變化來判斷觸壓的位置坐標。然而，由于電阻電容等元件直接設(shè)置在面板上，故會導致 有機發(fā)光二極管顯示面板的光線穿透率下降，并且增加面板的整體厚度。另一種光學式 觸控面板則是在有機發(fā)光二極管顯示面板的四周設(shè)置大量的光源以及對應(yīng)的光學感測元 件，利用光學感測元件是否檢測到對應(yīng)的光源的光線來判斷觸壓點的位置坐標。光學式觸 控面板，有兩種感測模式光遮蔽模式(Optical shadow type)以及光反射模式(Optical reflective type)。光遮蔽模式是指在環(huán)境光充足的操作情況下，會依據(jù)環(huán)境光的變化來判定是否觸 碰。舉例來說，在一明亮的空間中，當對象(例如手指、觸控筆等等)觸壓于一像素上時，該 被觸壓像素的光感應(yīng)器所感應(yīng)的環(huán)境光線亮度較其它像素的光感應(yīng)器所感應(yīng)的環(huán)境光線 亮度來得低。而有機發(fā)光二極管顯示裝置系統(tǒng)會判斷感應(yīng)到較小亮度的像素為被觸壓的像 素，反之，其它較大亮度的像素為未被觸壓的像素。光反射模式是指在環(huán)境光微弱的狀態(tài)下，依據(jù)有機發(fā)光二極管顯示面板背光源的 反射光的變化來檢測感應(yīng)觸碰的動作。舉例來說，在一幽暗的房間內(nèi)，此時背光源的光線亮 度較環(huán)境光的亮度大。當對象(例如手指、觸控筆等等)觸壓于一像素上時，因為來自背光 源的光線會經(jīng)由該對象反射至被觸壓像素的光感應(yīng)器上，所以被觸壓像素的光感應(yīng)器所感 應(yīng)的光線亮度較其它像素的光感應(yīng)器所感應(yīng)的光線亮度來得大。有機發(fā)光二極管顯示裝置 系統(tǒng)會判斷感應(yīng)到較大亮度的像素為被觸壓的像素，反之，其它較小亮度的像素為未被觸 壓的像素。
然而，因為背光源產(chǎn)生的光線經(jīng)反射后已是相當微弱，因此在環(huán)境光較弱的環(huán)境 下，光感應(yīng)器通常感測的信號較弱，信號辨別度較差。再者對于所需觸控位置而言，如果周 圍圖形為較低灰階(例如黑色)的畫面時，此時欲進行圖形拖曳的動作，更容易因像素光量 不足，而導致無法感應(yīng)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種觸控式有機發(fā)光二極管顯示裝置，將紅外線 發(fā)光區(qū)、紅外線感應(yīng)單元與有機發(fā)光二極管整合在一起。在光反射模式下，有機發(fā)光二極管 顯示裝置采用檢測紅外線的大小來決定像素是否被觸壓，以解決先前技術(shù)的問題。本發(fā)明的目的是提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包含柵極驅(qū)動器、源極驅(qū) 動器、復數(shù)個紅外線單元以及復數(shù)個像素單元。柵極驅(qū)動器用來產(chǎn)生掃描信號。源極驅(qū)動 器用來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號。復數(shù)個像素單元呈矩陣排列，每一像素單元包含第一晶體管、驅(qū)動 電路、儲存電容以及有機發(fā)光二極管。每一紅外線單元包含紅外線發(fā)光區(qū)以及紅外線感光 區(qū)。該第一晶體管用來于接收該掃描信號時，導通該數(shù)據(jù)信號。該驅(qū)動電路用來根據(jù)一第 一電源信號和該數(shù)據(jù)信號間的壓差產(chǎn)生一驅(qū)動電流，該儲存電容耦接于該第二晶體管的輸 出端，用來儲存該數(shù)據(jù)信號。該有機發(fā)光二極管用來依據(jù)該驅(qū)動電流產(chǎn)生光線。紅外線發(fā) 光區(qū)用來發(fā)出紅外線。該紅外線感光區(qū)用來感應(yīng)自一反射物反射回來的該紅外線。依據(jù)本發(fā)明，有機發(fā)光二極管顯示裝置另包含一處理單元，用來依據(jù)該紅外線感 光區(qū)感應(yīng)的該紅外線，決定該反射物對應(yīng)于該等單元的位置。依據(jù)本發(fā)明，該紅外線發(fā)光區(qū)用來于接收該第一電源信號時，發(fā)出該紅外線。該 有機發(fā)光二極管顯示裝置另包含一檢測單元，用來檢測該有機發(fā)光二極管顯示裝置的一亮 度，當該亮度小于一默認值時，啟動該第一電源信號。依據(jù)本發(fā)明，每一單元另包含電源電極金屬層、顯示陽極、紅外線發(fā)光區(qū)以及陰極 金屬層。電源電極金屬層用來導通該第一電源信號。顯示陽極設(shè)置于該電源電極金屬層之 上。該紅外線發(fā)光區(qū)設(shè)置于該顯示陽極上。依據(jù)本發(fā)明，該紅外線發(fā)光區(qū)是一有機發(fā)光二極管。該有機發(fā)光二極管用來發(fā)出 紅、綠、藍色光線。該紅外線感光區(qū)是一富硅感光元件或一 PN接面感光元件或一非晶硅薄 膜晶體管感光元件。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下


圖1是本發(fā)明的移位緩存器的有機發(fā)光二極管顯示裝置的功能方塊圖。圖2A是圖1的顯示區(qū)的等效電路圖。圖2B是圖1的紅外線單元的紅外線發(fā)光區(qū)的等效電路圖。圖2C是圖1的紅外線單元的紅外線感光區(qū)的等效電路圖。圖3A是圖2B的紅外線發(fā)光區(qū)的剖面圖。圖3B是圖2C的紅外線感光區(qū)的剖面圖。圖4是本發(fā)明第二實施例的像素單元30’的等效電路圖。
圖5是圖4的第一啟動信號、第二啟動信號、第三三啟動信號和數(shù)據(jù)信號的時序圖
附圖標號
10有機發(fā)光二極管顯示裝置12有機發(fā)光二極管顯示面板
14柵極驅(qū)動器16源極驅(qū)動器
18處理單元15檢測單元
22晶體管
30像素單元32紅外線單元
34儲存電容202基板
213源極215漏極
208半導體層210柵極絕緣層
211柵極金屬212層間絕緣層
218金屬層220平坦保護層
228電源電極金屬層222a,222b 顯示陽極
224a有機層224b紅外線發(fā)光層
24有機發(fā)光二極管25第二晶體管
26紅外線發(fā)光區(qū)28紅外線感光區(qū)
具體實施例方式請參閱圖1，圖1是本發(fā)明的移位緩存器的有機發(fā)光二極管顯示裝置10的功能方 塊圖。有機發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED) 10包含有機發(fā) 光二極管顯示面板12、柵極驅(qū)動器(gate driver) 14、源極驅(qū)動器(source driver) 16、處理 單元18以及檢測單元15。有機發(fā)光二極管顯示面板12包含基板13，基板13上包含復數(shù) 個呈矩陣排列的像素單元30和復數(shù)個紅外線單元32，而每一個像素單元30包含分別代表 紅綠藍(RGB)。紅外線單元32包含紅外線發(fā)光區(qū)26以及紅外線感光區(qū)28。紅外線發(fā)光區(qū) 26用來發(fā)出紅外線。紅外線感光區(qū)28用來感應(yīng)自一反射物反射回來的紅外線。請一并參閱圖2A、圖2B以及圖2C，圖2A是圖1的像素單元30的等效電路圖，圖 2B是圖1的紅外線單元32的紅外線發(fā)光區(qū)26的等效電路圖，圖2C是圖1的紅外線單元 32的紅外線感光區(qū)28的等效電路圖。每一像素單元30包含第一晶體管22、有機發(fā)光二極 管24、儲存電容34以及第二晶體管25。第一晶體管22的輸入端耦接于源極驅(qū)動器16，第 一晶體管22的控制端耦接于柵極驅(qū)動器14，第一晶體管22的輸出端耦接第二晶體管25的 控制端，第二晶體管25的輸入端耦接于第一電源信號Vdd，第二晶體管25的輸出端耦接于有 機發(fā)光二極管24。第一晶體管22用來于接收來自柵極驅(qū)動器14傳送的掃描信號Vsran時， 導通來自源極驅(qū)動器16的數(shù)據(jù)信號Vdata。此時第二晶體管25根據(jù)電源信號Vdd和數(shù)據(jù)信 號Vdata間的壓差產(chǎn)生不同大小的電流。而有機發(fā)光二極管24則依據(jù)流經(jīng)第二晶體管25的 電流發(fā)出紅、綠、藍三原色的光線，再依據(jù)數(shù)據(jù)信號Vdata來調(diào)整射出三原色光線的比例而產(chǎn) 生不同的灰階。儲存電容34的兩端分別耦接于有機發(fā)光二極管24以及第二晶體管25的 控制端。儲存電容34會儲存數(shù)據(jù)信號Vdata，使得像素單元30在沒有接收到掃描信號Vs_時 仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號Vdata產(chǎn)生所要的灰階。紅外線單元32包含紅外線發(fā)光區(qū)26以及紅外線感光區(qū)28。紅外線發(fā)光區(qū)26耦接電源信號Vdd，用來發(fā)出紅外線。紅外線感光區(qū)28用來感 應(yīng)自一反射物反射回來的紅外線。紅外線感光區(qū)28可以是一富硅感光元件(silicon rich sensor)或一PN接面感光元件(P-I-N sensor)或一非晶硅薄膜晶體管感光元件(a-Si TFT sensor)。本實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置10在不同環(huán)境光的亮度下有兩種操作方 式。在環(huán)境光較強的狀態(tài)下，當對象(例如手指、觸控筆等等)觸壓于一像素單元30上時， 被觸壓像素單元30所感應(yīng)的環(huán)境光線亮度較其它像素單元30所感應(yīng)的環(huán)境光線亮度來得 低。而有機發(fā)光二極管顯示裝置10會判斷感應(yīng)到較小亮度的像素為被觸壓的像素，反之， 其它較大亮度的像素則被判定為未被觸壓的像素。在環(huán)境光微弱的狀態(tài)下，即使是被觸壓 的像素單元30所感測的亮度與未被觸壓的像素單元差不多，故無法利用像素單元30來判 定觸壓位置。此時，電源信號Vdd會啟動使得紅外線發(fā)光區(qū)26發(fā)出紅外線，而紅外線感光 區(qū)28則用來感應(yīng)反射回來的紅外線。也就是說紅外線單元32來取代像素單元30來判斷 觸壓位置。如果紅外線感光區(qū)28沒有感測到紅外線時，則意味著有該紅外線單元32沒有 被觸壓。反之，如果紅外線感光區(qū)28感測到紅外線時，則意味該紅外線單元32被觸壓。最 后，處理單元18用來依據(jù)紅外線感光區(qū)28感應(yīng)的紅外線，決定對象觸壓紅外線單元32的 位置。較佳地，檢測單元15會檢測環(huán)境光的亮度。在環(huán)境光較弱的環(huán)境下，檢測單元15會 控制電源信號Vdd導通紅外線發(fā)光區(qū)26以產(chǎn)生紅外線，而在環(huán)境光較強的狀態(tài)下，電源信號 Vdd不會導通紅外線發(fā)光區(qū)26故不會產(chǎn)生紅外線，以減少功率消耗。因人眼并無法辨識紅 外線，所以在光線亮度較暗的環(huán)境下，紅外線發(fā)光區(qū)26產(chǎn)生的紅外線也不會影響原本像素 的對比。所以即使觸控位置的部位周圍的圖形為較低灰階(例如黑色)的畫面時，也沒有 先前技術(shù)欲進行圖形拖曳的動作，因像素光量不足而導致無法感應(yīng)的問題。請參閱圖3A和圖3B，圖3A是圖2B的紅外線發(fā)光區(qū)26的剖面圖，圖3B是圖2C的 紅外線感光區(qū)28的剖面圖。如圖3A所示，在玻璃基板202上沉積一層非晶硅薄膜(未顯 示)，并通過準分子激光等退火制作工藝，使此非晶硅薄膜再結(jié)晶成多晶硅薄膜(未顯示)。 然后對此多晶硅薄膜進行微影蝕刻，即可得到所需的半導體層208的圖案。在半導體層208 表面沉積一柵極絕緣層210。然后進行一金屬薄膜沉積制作工藝，以于柵極絕緣層210表面 形成一層金屬薄膜(未顯示)，并進行微影蝕刻(PEP)，以蝕刻得到柵極金屬211。隨后即可 利用柵極金屬211作為自我對準屏蔽，對半導體層208進行硼離子布植制作工藝，以于半導 體層208中形成源極213和漏極215。請注意，第一晶體管22亦即包含源極213、漏極215 以與門極金屬211。接著沉積一層間絕緣層(inter-layer dielectric，ILD) 212，并覆蓋柵極金屬211 和柵極絕緣層210。接下來，再進行微影蝕刻用以去除源極213和漏極215上方的部份層 間絕緣層212和柵極絕緣層210，直至源極213與漏極215表面，以分別于漏極215與源極 213上方形成復數(shù)個介層洞。接下來，進行另一金屬沉積制作工藝以及微影蝕刻以蝕刻出位于紅外發(fā)光區(qū)26 的電源電極金屬層228以及在介層洞表面上的信號線、漏極金屬等金屬層218，用以分別電 連紅外線感光區(qū)28上的接源極213和漏極215。接著沉積一平坦保護層(planarization layer) 220于電源電極金屬層228、金屬層218和層間絕緣層212之上，并進行微影蝕刻以 去除電連接漏極215的金屬層218和電源電極金屬層228上方的部分保護層220并產(chǎn)生電極介層洞于金屬層218上和電源電極金屬層228。然后，再形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide, IT0)的透明導電薄膜(未顯示)于 保護層220上，并進行微影蝕刻以定義出適當大小的顯示陽極(Anode) 222a、222b。隨后再 分別于顯示陽極222a、222b表面形成有機層224a和紅外線發(fā)光層224b。請注意，有機層 224a和紅外線發(fā)光層224b材質(zhì)皆為相同的有機發(fā)光材料，故整個制作工藝只需在蒸鍍像 素單元30時，除了蒸鍍原有用來發(fā)出三原色的有機層224a之外，再額外將材質(zhì)為有機發(fā)光 二極管的紅外線發(fā)光層224b蒸鍍上去即可，故高度相容于原本的制作工藝。此外顯示陽極 222a和222b之間并不相連，有機層224a和紅外線發(fā)光層224b亦不相連。最后，把陰極金 屬層226形成于有機層224a和紅外線發(fā)光層224b之上即可完成有機發(fā)光二極管面板12 的制作。顯示陽極222a可接收第一晶體管22傳來的數(shù)據(jù)信號，而有機層224a就是依據(jù)顯 示陽極222a的數(shù)據(jù)信號和陰極金屬層226所耦接的電源信號Vss來決定發(fā)出光線的灰階。 而電源信號金屬層228可接收傳來的電源信號Vdd并將的傳送至顯示陽極222b，紅外線發(fā) 光層224b則是依據(jù)顯示陽極222b的電源信號Vdd和陰極金屬層226所耦接的電源信號Vss 來決定發(fā)出紅外線。參閱圖4和圖5，圖4是本發(fā)明第二實施例的像素單元30’的等效電路圖，圖5是 圖4的第一啟動信號Si，第二啟動信號S2、第三啟動信號S3和數(shù)據(jù)信號Vdata的時序圖。在 第二實施例中，有機發(fā)光二極管顯示面板12包含復數(shù)個用來顯示三原色的像素單元30’以 及復數(shù)個紅外線單元32。像素單元30’包含第一晶體管Tl、有機發(fā)光二極管24、儲存電容 Cl和驅(qū)動電路40。驅(qū)動電路40包含第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶 體管T5和第六晶體管T6。第二晶體管T2耦接于儲存電容Cl。第三晶體管T3耦接于第二 晶體管T2和儲存電容Cl，用來依據(jù)第二啟動信號S2開啟或關(guān)閉。第四晶體管耦接于T4儲 存電容Cl并依第三啟動信號S3開啟或關(guān)閉。第五晶體管T5耦接于第二晶體管T2和第四 晶體管T4。第六晶體管T6耦接于第五晶體管T5與有機發(fā)光二極管24，并依第三啟動信號 S3開啟或關(guān)閉。第二晶體管T2接收第一啟動信號Sl而開啟導通補償電壓VI，使其對儲存 電容Cl充電。接著，第一晶體管Tl和第三晶體管T3接收到第二啟動信號S2后，會將來自 源極驅(qū)動器16的數(shù)據(jù)信號Vdata傳送至儲存電容Cl。此時，儲存電容Cl共儲存了 Vdd+Vth& 電量，其中Vth表示晶體管T5的臨界電壓(threshold voltage)。之后，晶體管T4和T6會 依據(jù)第三啟動信號S3而開啟，同時晶體管T2會根據(jù)第一電源信號Vdd和數(shù)據(jù)信號Vdata的壓 差輸出電流。有機發(fā)光二極管24就是依據(jù)該流經(jīng)晶體管T2的不同電流產(chǎn)生不同三原色比 例的光線，并調(diào)和成不同的灰階。相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示裝置的每一單元將有機發(fā)光二極 管材質(zhì)的紅外線發(fā)光區(qū)以及紅外線感光區(qū)整合在一起。所以在環(huán)境光較弱的環(huán)境下，還是 可以透過紅外線的大小來感應(yīng)觸碰單元的坐標位置。即使所需觸控位置的部位周圍的圖形 為較低灰階的畫面時，也不會因為像素光量不足，而導致無法感應(yīng)的問題。雖然本發(fā)明已用較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技 術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍 當視后附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置包含一柵極驅(qū)動器，用來產(chǎn)生掃描信號；一源極驅(qū)動器，用來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號；復數(shù)個像素單元，所述的復數(shù)個像素單元呈矩陣排列，每一像素單元包含一第一晶體管，用來于接收所述的掃描信號時，導通所述的數(shù)據(jù)信號；一驅(qū)動電路，用來根據(jù)一第一電源信號和所述的數(shù)據(jù)信號間的壓差產(chǎn)生一驅(qū)動電流；一儲存電容，其兩端分別耦接于所述的驅(qū)動電路的輸出端，用來儲存所述的數(shù)據(jù)信號；一有機發(fā)光二極管，用來依據(jù)所述的驅(qū)動電流產(chǎn)生一光線；復數(shù)個紅外線單元，每一紅外線單元包含一紅外線發(fā)光區(qū)，用來發(fā)出一紅外線；以及一紅外線感光區(qū)，用來感應(yīng)自一反射物反射回來的所述的紅外線。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其另包含一處理單元，用來依據(jù)所 述的紅外線感光區(qū)感應(yīng)的所述的紅外線，決定所述的反射物對應(yīng)于所述的單元的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)用來于接 收所述的第一電源信號時，發(fā)出所述的紅外線。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其另包含一檢測單元，用來檢測所 述的有機發(fā)光二極管顯示裝置的環(huán)境光的亮度，當所述的亮度小于一默認值時，啟動所述 的第一電源信號。
5.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)包含 一電源電極金屬層，用來導通所述的第一電源信號；一顯示陽極，設(shè)置于所述的電源電極金屬層之上； 一紅外線發(fā)光區(qū)，設(shè)置于所述的顯示陽極上；以及 一陰極金屬層，設(shè)置于所述的紅外線發(fā)光區(qū)之上。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)的材質(zhì)與 所述的有機發(fā)光二極管相同。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的驅(qū)動電路是一第二晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的儲存電容是連接于所述 的有機發(fā)光二極管以及所述的第二晶體管的控制端。
9.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的驅(qū)動電路包含 一第二晶體管，耦接于所述的儲存電容，并受控于一第一啟動信號；一第三晶體管，耦接所述的第二晶體管以及所述的儲存電容，并受控于一第二啟動信號；一第四晶體管，耦接所述的儲存電容并受控于一第三啟動信號；一第五晶體管，耦接所述的第二晶體管以及所述的第四晶體管；以及一第六晶體管，耦接所述的第五晶體管以及所述的有機發(fā)光二極管，并受控于所述的第三啟動信號。
10.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的第一啟動信號的觸發(fā) 時間早于所述的第二啟動信號，所述的第二啟動信號的觸發(fā)時間早于所述的第三啟動信 號。
11.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的儲存電容是耦接于所 述的第一電源信號以及所述的第二晶體管之間。
12.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的紅外線感光區(qū)是一富 硅感光元件或一 PN接面感光元件或一非晶硅薄膜晶體管感光元件。
13.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)包含 一第二晶體管；一顯示陽極，設(shè)置于所述的第二晶體管上； 一有機層，設(shè)置于所述的顯示陽極上；以及 一陰極金屬層，設(shè)置于所述的有機層之上。
14.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中所述的第一晶體管的輸入端 耦接于所述的源極驅(qū)動器，所述的第一晶體管的控制端耦接于所述的柵極驅(qū)動器，所述的 第一晶體管的輸出端耦接所述的第二晶體管的控制端，所述的第二晶體管的輸入端耦接于 所述的第一電源信號，所述的第二晶體管的輸出端耦接于所述的有機發(fā)光二極管。
15.一種有機發(fā)光二極管面板，用于一顯示器上，其特征在于，所述的機發(fā)光二極管面 板包含一基板，具有一顯示區(qū)；復數(shù)個像素單元，所述的復數(shù)個像素單元呈矩陣排列，每一像素單元包含 一第一晶體管，用來于接收所述的掃描信號時，導通所述的數(shù)據(jù)信號； 一驅(qū)動電路，用來根據(jù)一第一電源信號和所述的數(shù)據(jù)信號間的壓差產(chǎn)生一驅(qū)動電流； 一儲存電容，其兩端分別耦接于所述的驅(qū)動電路的輸出端，用來儲存所述的數(shù)據(jù)信號；一有機發(fā)光二極管，用來依據(jù)所述的驅(qū)動電流產(chǎn)生一光線； 復數(shù)個紅外線單元，每一紅外線單元包含 一紅外線發(fā)光區(qū)，用來發(fā)出一紅外線；以及 一紅外線感光區(qū)，用來感應(yīng)自一反射物反射回來的所述的紅外線。
16.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中至少有六個像素單元搭配其中一 紅外線單元。
17.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)的材質(zhì)與所 述的有機發(fā)光二極管相同。
18.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)包含 一電源電極金屬層，用來導通所述的第一電源信號；一顯示陽極，設(shè)置于所述的電源電極金屬層之上； 一紅外線發(fā)光區(qū)，設(shè)置于所述的顯示陽極上；以及 一陰極金屬層，設(shè)置于所述的紅外線發(fā)光區(qū)之上。
19.如權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光二極管面板，其中當所述的顯示器的環(huán)境光亮度小 于一默認值時，啟動所述的第一電源信號。
20.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的驅(qū)動電路是一第二晶體管。
21.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的儲存電容是連接于所述的 有機發(fā)光二極管以及所述的第二晶體管的控制端。
22.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的驅(qū)動電路包含 一第二晶體管，耦接于所述的儲存電容，并受控于一第一啟動信號；一第三晶體管，耦接所述的第二晶體管以及所述的儲存電容，并受控于一第二啟動信號；一第四晶體管，耦接所述的儲存電容并受控于一第三啟動信號；一第五晶體管，耦接所述的第二晶體管以及所述的第四晶體管；以及一第六晶體管，耦接所述的第五晶體管以及所述的有機發(fā)光二極管，并受控于所述的第三啟動信號。
23.如權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的第一啟動信號的觸發(fā)時間 早于所述的第二啟動信號，所述的第二啟動信號的觸發(fā)時間早于所述的第三啟動信號。
24.如權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的儲存電容是耦接于所述的 第一電源信號以及所述的第二晶體管之間。
25.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的紅外線感光區(qū)是一富硅感 光元件或一 PN接面感光元件或一非晶硅薄膜晶體管感光元件。
26.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管面板，其中所述的紅外線發(fā)光區(qū)包含 一第二晶體管；一顯示陽極，設(shè)置于所述的第二晶體管上； 一有機層，設(shè)置于所述的顯示陽極上；以及 一陰極金屬層，設(shè)置于所述的有機層之上。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包含柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器以及復數(shù)個像素單元和復數(shù)個紅外線單元。柵極驅(qū)動器用來產(chǎn)生掃描信號。源極驅(qū)動器用來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號。每一像素單元包含第一晶體管、驅(qū)動電路、有機發(fā)光二極管。每一紅外線單元包含紅外線發(fā)光區(qū)以及紅外線感光區(qū)，第一晶體管用來于接收該掃描信號時，導通該數(shù)據(jù)信號。驅(qū)動電路用來根據(jù)電源信號和數(shù)據(jù)信號間的壓差產(chǎn)生驅(qū)動電流。有機發(fā)光二極管用來依據(jù)該驅(qū)動電流產(chǎn)生光線。紅外線發(fā)光區(qū)用來發(fā)出紅外線。紅外線感光區(qū)用來感應(yīng)自一反射物反射回來的該紅外線。
文檔編號G06F3/042GK101887691SQ20101023366
公開日2010年11月17日 申請日期2010年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者卓恩宗, 彭佳添, 徐士峰, 黃戎巖, 黃維邦 申請人:友達光電股份有限公司