專利名稱：顯示陣列基底和制造顯示基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示陣列基底和一種制造顯示基底的方法，更具體地，涉及一種 包括應(yīng)用于顯示裝置的基底的陣列基底和一種通過切割該陣列基底來同時制造多個基底 的方法。
背景技術(shù)：
觸摸式個人便攜式裝置檢測用戶是否觸摸顯示裝置，整個裝置基于用戶的觸摸產(chǎn) 生振動。這里，觸摸式顯示裝置可以是指檢測用戶在顯示屏上觸摸的位置并根據(jù)作為輸入 信息的與檢測的接觸位置有關(guān)的信息來執(zhí)行電子裝置的包括顯示屏控制在內(nèi)的一般控制 的輸入裝置。此外，該觸摸式顯示裝置包括振動元件。當(dāng)用戶觸摸觸摸式顯示裝置時，振動元件 通過振動向觸摸提供反饋。振動元件可以沿顯示裝置的邊緣設(shè)置。根據(jù)該觸摸式顯示裝置的操作方案，可以將該觸摸式顯示裝置分為電阻式觸摸顯 示裝置、電容式觸摸顯示裝置等。具體而言，電容式觸摸顯示裝置根據(jù)用戶施加到顯示窗口 的正面的觸摸引起的電容變化來檢測用戶觸摸的位置。該電容式觸摸顯示裝置的應(yīng)用范圍 由于其高耐久性和滑動式輸入的適用性而逐漸增廣。用于檢測電容變化的透明電極提供在該電容式顯示裝置的顯示基底上。為了制造 該顯示裝置，提供了大尺寸的顯示陣列基底，然后將其切割成單元顯示基底。然而，當(dāng)切割大尺寸的顯示陣列基底來制造單元顯示基底時，形成在顯示基底上 的透明電極由于切割顯示陣列基底時產(chǎn)生的力而出現(xiàn)裂紋，或者在切割表面周圍發(fā)生分 層。因此，需要解決這些問題的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了能夠防止透明電極出現(xiàn)裂紋或分層的一種顯示陣列基底 和一種制造顯示基底的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種顯示陣列基底，所述顯示陣列基底包括基底晶 片，具有多個基底和將所述多個基底連接到虛擬區(qū)域的切割部分，通過對所述切割部分進(jìn) 行切割來切割所述基底晶片，以提供單獨的基底；透明電極部分，涂覆在所述基底晶片的一 個表面上。所述切割部分可以布置在所述多個基底的每個基底的四個邊的中間。所述切割部分可以位于所述多個基底的每個基底的角處。所述切割部分的厚度可以小于基底的厚度。
所述切割部分的厚度可以與基底的厚度相同。所述透明電極部分可以包括陶瓷、導(dǎo)電聚合物和含碳混合物中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造顯示基底的方法，所述方法包括提供基 底晶片，所述基底晶片具有多個基底和將所述多個基底連接到虛擬區(qū)域的切割部分，使得 通過對所述切割部分進(jìn)行切割來切割所述基底晶片，以提供單獨的基底；在所述基底晶片 的一個表面上形成透明電極部分；沿所述切割部分切割所述基底晶片，以制造具有預(yù)定尺 寸的基底。所述切割部分的厚度可以與基底的厚度相同。所述切割部分的厚度可以小于基底的厚度。


根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點 將更加易于理解，在附圖中

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的應(yīng)用有顯示基底的個人便攜式終端的透 視圖；圖2是示出圖1的顯示基底的操作原理的剖視圖；圖3至圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平面圖以 及從陣列基底制造顯示基底的方法；圖6至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平面 圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法；圖9至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平 面圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法；圖12至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平 面圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法。
具體實施例方式將參照圖1至圖14詳細(xì)描述顯示陣列基底和制造顯示基底的方法?，F(xiàn)在將參照 附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同方式來實施，并不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于在此闡述的 實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合本發(fā)明的教導(dǎo)通過元件的添加、修改或刪除容易地想到 許多其它不同的實施例，但這些實施例會落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。在附圖中，在全文中將使用相同的標(biāo)號指示相同或類似的組件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的應(yīng)用有顯示基底的個人便攜式終端的透 視圖。圖2是示出圖1所示的顯示基底的操作原理的剖視圖。參照圖1和圖2，顯示基底20可以安裝在顯示裝置上，顯示裝置形成在個人便攜式 裝置10的正面上。顯示基底20可以是上述的觸摸式顯示裝置。顯示基底20可以包括基底部分30、透明電極40和壓電致動器(未示出)。基底部分30安裝在個人便攜式裝置10的正面上，并可以由具有均勻厚度和介電 常數(shù)的透明材料(例如，回火玻璃或丙烯酸類樹酯)形成。
透明電極40形成在基底部分30的一面上。如圖2所示，透明電極40檢測基底部分30的電容變化。因此，當(dāng)用戶在預(yù)定的位置利用用戶的身體部位(例如，指尖)觸摸基底 部分30時，在相應(yīng)位置處的透明電極40和身體接觸表面之間產(chǎn)生的電容C發(fā)生變化。控 制單元根據(jù)與電容變化有關(guān)的數(shù)據(jù)來計算X方向和Y方向的分量?？梢詫弘娭聞悠?未示出)設(shè)計為使得壓電致動器根據(jù)接觸信號來驅(qū)動。另外， 壓電致動器可以布置在基底部分30的一側(cè)。然而，壓電致動器的位置不限于此，并可以根 據(jù)設(shè)計者的意圖設(shè)置在各個位置。圖3至圖5是分別示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平面 圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法。參照圖3至圖5，顯示陣列基底100包括基底晶片110和透明電極部分120。基底晶片110具有形成為一體并應(yīng)用于個人便攜式裝置的多個基底部分30。多個 基底部分30連接到虛擬區(qū)域(dummy area) 112，使得基底晶片110切割成基底尺寸。基底部分30通過切割部分114連接到虛擬區(qū)域112。這里，切割部分114可以形 成在基底部分30的四個邊的中間。然而，切割部分114的位置不限于此，切割部分114可 以根據(jù)設(shè)計者的意圖布置在各個位置。這里，切割部分114的厚度可以小于基底部分30的厚度。每個切割部分114的厚 度可以是基底部分30的厚度的大約一半。因此，可以更容易地切割具有更小厚度的切割部 分 114。基底晶片110可以由具有均勻厚度或介電常數(shù)的透明材料(例如，回火玻璃或丙 烯酸類樹酯)形成。透明電極部分120可以涂覆在基底晶片110的一個表面上。可選地，透明電極部 分120可以形成在切割部分114的頂表面上和基底部分30的表面上。透明電極部分120可以由陶瓷、導(dǎo)電聚合物或含碳混合物中的至少一種形成。這 里，導(dǎo)電聚合物可以是聚噻吩(PEDOT)或聚苯胺，陶瓷可以是11~0、120420、620、？110或2110， 含碳混合物可以是CNT、石墨烯或炭黑。透明電極部分120可以與上述的透明電極40具有 相同的結(jié)構(gòu)。因此，為了制造基底部分30，沿切割部分114切割基底晶片110。因為切割部分 114的厚度小，所以可以通過施加小的力來分開基底部分30而切割基底晶片110。此外，因為切割部分114和透明電極部分120的高度彼此不同，可以防止在切割操 作期間產(chǎn)生的沖擊直接傳遞到透明電極部分120，由此防止透明電極部分120因上述的力 而分層?，F(xiàn)在將示出制造顯示基底的方法。首先，如圖3所示，根據(jù)制造顯示基底的方法，提供了具有通過切割部分114連接 到虛擬區(qū)域112的多個基底部分30的基底晶片110。這里，切割部分114的厚度可以小于基底部分30的厚度。切割部分114可以形成 在每個基底部分30的四個邊的中間。如圖4所示，透明電極部分120可以形成在基底晶片110的一個表面上，基底晶片 110具有通過切割部分114連接到虛擬區(qū)域112的基底部分30。因此，透明電極部分120可以形成在除了基底部分30周圍的凹槽以外的基底部分30上和虛擬區(qū)域112的表面上。然后，如圖5所示，為了制造具有預(yù)定尺寸的各個基底，通過對切割部分114單獨 進(jìn)行切割(沿其中示出的箭頭的方向)來切割基底晶片110。代替沿著整個外周切割每個基底部分30，僅對切割部分114進(jìn)行切割。因此，與現(xiàn) 有技術(shù)相比，可以通過施加更小的力來分隔基底部分30。還可以防止基底部分30沿著整個 外周時引起的透明電極部分120出現(xiàn)裂紋或分層。此外，根據(jù)顯示陣列基底和制造顯示基底的方法，因為位于基底晶片110上的切 割部分114的厚度可以小于基底部分30的厚度，所以可以防止當(dāng)沿著切割部分114切割基 底晶片110時產(chǎn)生的沖擊直接傳遞到形成在基底部分30的表面上的透明電極部分120。因 此，可以提高顯示基底的耐久性。圖6至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平面 圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法。參照圖6至圖8，根據(jù)制造顯示基底的方法，提供了具有通過切割部分214連接到 虛擬區(qū)域212的多個基底部分30的基底晶片210。這里，切割部分214的厚度可以與基底部分30的厚度相同。切割部分214可以形 成在每個基底部分30的四個邊的中間。然后，如圖7所示，透明電極部分120可以形成在基底晶片210的一個表面上，基 底晶片210具有通過切割部分214連接到虛擬區(qū)域212的基底部分30。

然后，如圖8所示，為了制造具有預(yù)定尺寸的基底，通過對切割部分214單獨進(jìn)行 切割來切割基底晶片210。圖9至圖11是示出顯示陣列基底的剖視圖和平面圖以及從陣列基底制造顯示基 底的方法。參照圖9至圖11，根據(jù)制造顯示基底的方法，提供了具有通過切割部分314連接到 虛擬區(qū)域312的多個基底部分30的基底晶片310。切割部分314的厚度可以小于基底部分30的厚度。切割部分314可以形成在每 個基底部分30的四個角處。因此，在這種情況下，可以減少切割部分314的數(shù)量。然后，如圖10所示，透明電極部分120可以形成在基底晶片310的一個表面上，基 底晶片310包括通過切割部分314連接到虛擬區(qū)域312的基底部分30。然后，如圖11所示，為了制造具有預(yù)定尺寸的基底，通過對切割部分314單獨進(jìn)行 切割來切割基底晶片310。圖12至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示陣列基底的剖視圖和平 面圖以及從陣列基底制造顯示基底的方法。參照圖12至圖14，根據(jù)制造顯示基底的方法，提供了具有通過切割部分414連接 到虛擬區(qū)域412的多個基底部分30的基底晶片410。這里，切割部分414的厚度可以與基底部分30的厚度相同。切割部分414可以形 成在每個基底部分30的四個角處。因此，可以減少切割部分414的數(shù)量。然后，如圖13所示，透明電極部分120可以形成在基底晶片410的一個表面上，基 底晶片410包括通過切割部分414連接到虛擬區(qū)域412的基底部分30。然后，如圖14所示，為了制造具有預(yù)定尺寸的基底，通過對切割部分414單獨進(jìn)行切割來切割基底晶片410。因此，通過簡單地對將虛擬區(qū)域連接到基底的切割部分214、314和414進(jìn)行切割， 將基底與基底晶片210、310和410分隔開，由此簡化了制造工藝。此外，因為在制造工藝過 程中未施加很大的力，所以減小了伴隨的沖擊并使施加到透明電極部分120的力最小化。 因此，可以防止透明電極部分120出現(xiàn)分層或裂紋。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在顯示陣列基底和制造顯示基底的方法 中，因為包括了具有多個基底的基底晶片和將基底連接到虛擬區(qū)域的切割部分，所以僅對 切割部分進(jìn)行切割，從而容易分隔并制造基底。此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，因為通過單獨地對切割部分進(jìn)行切割來分隔 基底，所以可以通 過施加最小的力來切割晶片基底，可以防止在切割操作期間產(chǎn)生的沖擊 直接傳遞到透明電極，并可以提高顯示基底的耐久性。雖然已經(jīng)結(jié)合示例性實施例示出并描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說 顯而易見的是，可以在不脫離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，做出修 改和改變。
權(quán)利要求
1.一種顯示陣列基底，所述顯示陣列基底包括基底晶片，具有多個基底和將所述多個基底連接到虛擬區(qū)域的切割部分，通過對所述 切割部分進(jìn)行切割來切割所述基底晶片，以提供單獨的基底； 透明電極部分，涂覆在所述基底晶片的一個表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示陣列基底，其中，所述切割部分布置在所述多個基底的 每個基底的四個邊的中間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示陣列基底，其中，所述切割部分位于所述多個基底的每 個基底的角處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示陣列基底，其中，所述切割部分的厚度小于基底的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示陣列基底，其中，所述切割部分的厚度與基底的厚度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示陣列基底，其中，所述透明電極部分包括陶瓷、導(dǎo)電聚合 物和含碳混合物中的至少一種。
7.—種制造顯示基底的方法，所述方法包括提供基底晶片，所述基底晶片具有多個基底和將所述多個基底連接到虛擬區(qū)域的切割 部分，使得通過對所述切割部分進(jìn)行切割來切割所述基底晶片，以提供單獨的基底； 在所述基底晶片的一個表面上形成透明電極部分； 沿所述切割部分切割所述基底晶片，以制造具有預(yù)定尺寸的基底。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述切割部分的厚度與基底的厚度相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述切割部分的厚度小于基底的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示陣列基底和一種制造顯示基底的方法。根據(jù)本發(fā)明一方面的顯示陣列基底可以包括基底晶片，具有多個基底和將所述多個基底連接到虛擬區(qū)域的切割部分，通過對所述切割部分進(jìn)行切割來切割所述基底晶片，以提供單獨的基底；透明電極部分，涂覆在所述基底晶片的一個表面上。
文檔編號G06F3/044GK102081485SQ20101023143
公開日2011年6月1日 申請日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者任舜圭, 李鐘暎, 金云天 申請人:三星電機株式會社