專利名稱：可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種圖像擷取模塊，尤指一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊。
背景技術：
個人的指紋為一有別于其他人的指紋的獨有的生物特征，因此個人指紋應用于個人密碼時，其所具備的安全性非常高。由于電子設備的使用普及與其儲存容量的增加，儲存于其內的個人資料的保護更顯為重要。因此，以個人指紋作為管制電子設備的開啟或使用的密碼，將能夠有效地管理個人資料。上述的電子設備，如移動電話、計算機主機、和各種計算機外設等等，其借助于一指紋掃瞄裝置來擷取其使用者的指紋以進行認證的工作。該指紋掃瞄裝置內的指紋圖像被轉換成數字指紋信息后，尚需傳輸至該電子設備的控制器中，才能發(fā)揮其指紋認證的功效。 請參閱圖1所示，其為公知圖像擷取模塊的示意圖。由圖中可知，公知圖像擷取模塊包括一 電路板P、 一電性地設置于該電路板P上的圖像傳感器S、 一電性地設置于該電路板P上的發(fā)光二極管D、一設置于該圖像傳感器S上方的聚光透鏡G、及一設置于該發(fā)光二極管D上方的導光元件T。公知圖像擷取模塊的圖像擷取原理為由該發(fā)光二極管D所產生的光束L透過該導光元件T的導引而形成一投向位于該聚光透鏡G上方的物體F的投射光束L'，然后該投射光束L'經過該物體F的反射后而形成一投向該聚光透鏡G的反射光束L〃 ，最后該反射光束L〃穿過該聚光透鏡G并且投向該圖像傳感器S，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 于是，本發(fā)明人有感上述缺陷的可改善，且依據多年來從事此方面的相關經驗，悉心觀察且研究的，并配合學理的運用，而提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本實用新型。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題，在于提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其將一圖像擷取單元與一發(fā)光單元分別設置在不同的電路基板上，并且透過一導電元件來電性連接兩個不同的電路基板。 為了解決上述技術問題，根據本實用新型的其中一種方案，提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元、一導電單元、一圖像擷取單元、一光學成像單元、一發(fā)光單元及一透光單元。其中，該基板單元具有一底層基板及一位于該底層基板上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域。該導電單元具有至少一電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元件。該圖像擷取單元具有至少一電性地設置于該底層基板上的圖像擷取元件。該光學成像單元設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元。該發(fā)光單元具有至少一電性地設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件。該透光單元具有一設置于該頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于該透光元件上。 因此，本實用新型的有益效果在于由上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該 透光元件，并且該光束透過該透光元件的導引而投向該物體，然后該光束經過該物體的反 射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束，最后該反射光束穿過該光學成像單元并且 投向該圖像擷取單元。 為了解決上述技術問題，根據本實用新型的其中一種方案，提供一種可電性銜接
兩電路基板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元、一導電單元、一圖像擷取單元、一光學成
像單元、一發(fā)光單元及一透光單元。其中，該基板單元具有一底層基板及一位于該底層基板
上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域，并且該底層基板
為一透明基板。該導電單元具有至少一電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元
件。該圖像擷取單元具有至少一電性地設置于該底層基板的底端上的圖像擷取元件。該光
學成像單元設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元。該發(fā)光單元具有至少一電性地
設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件。該透光單元具有一設置于該
頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于該透光元件上。
因此，本實用新型的有益效果在于由上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該
透光元件，并且該光束透過該透光元件的導引而投向該物體，然后該光束經過該物體的反
射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束，最后該反射光束穿過該光學成像單元及該
底層基板并且投向該圖像擷取單元。 為了解決上述技術問題，根據本實用新型的其中一種方案，提供一種可電性銜接
兩電路基板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元、一導電單元、一圖像擷取單元、一光學成
像單元、一發(fā)光單元及一透光單元。其中，該基板單元具有一底層基板及一位于該底層基板
上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域，并且該底層基板
具有一開口 。該導電單元具有至少一 電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元
件。該圖像擷取單元具有至少一電性地設置于該底層基板的底端上的圖像擷取元件。該光
學成像單元設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元。該發(fā)光單元具有至少一電性地
設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件。該透光單元具有一設置于該
頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于該透光元件上。
因此，本實用新型的有益效果在于由上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該
透光元件，并且該光束透過該透光元件的導引而投向該物體，然后該光束經過該物體的反
射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束，最后該反射光束穿過該光學成像單元及該
底層基板的開口并且投向該圖像擷取單元。 為了能更進一步了解本實用新型為達到預定目的所采取的技術、手段及功效，請 參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖，相信本實用新型的目的、特征與特點，當可由 此得一深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本實用新型加以限 制。
圖1為公知圖像擷取模塊的示意圖； 圖2為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第一實施例的剖面示意圖； 圖3為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第二實施例的剖面 示意圖； 圖4為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第三實施例的剖面 示意圖； 圖5為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第四實施例的剖面 示意圖； 圖5A為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的另一種第四實施例 的剖面示意圖； 圖5B為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的再一種第四實施例 的剖面示意圖； 圖6為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第五實施例的剖面 示意圖； 圖7為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第六實施例的剖面 示意圖； 圖8為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第七實施例的剖面 示意圖； 圖9為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的第八實施例的剖面 示意圖； 圖9A為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的另一種第八實施例 的剖面示意圖；以及 圖9B為本實用新型可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊的再一種第八實施例
的剖面示意圖。主要元件附圖標記說明[公知]電路板 P圖像傳感器s發(fā)光二極管D聚光透鏡 G導光元件 T物體 F光束 L投射光束 L'反射光束 L〃[本實用新型]基板單元 1底層基板10開口101頂層基板12透光區(qū)域120[0042]第一透光區(qū)域120凹槽121圖像擷取單元2圖像擷取元件20光學成像單元3遮光本體30聚光元件31發(fā)光單元4發(fā)光元件40透光單元5透光元件50外殼單元6第二透光區(qū)域60導電單元W導電元件Wl物體F導電體B光束反射光束
具體實施方式請參閱圖2所示，本實用新型第一實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5及一導電單元W。 其中，該基板單元1具有一底層基板10及一位于該底層基板10上方且相對應該 底層基板10的頂層基板12(該底層基板10與該頂層基板12彼此分離一預定距離)，其中 該頂層基板12具有一透光區(qū)域120，并且該頂層基板12的透光區(qū)域120可為一開口或一透 光體(例如該透光體可填入該開口內，以形成該透光區(qū)域)。以本實用新型第一實施例所舉 的例子而言，該透光區(qū)域120為一開口 。另外，依據不同的設計需求，該底層基板10為硬基 板，并且該頂層基板12為軟基板；或者，該底層基板10為硬基板，并且該頂層基板12為硬 基板。以本實用新型第一實施例所舉的例子而言，該底層基板10及該頂層基板12皆為硬 基板。 此外，假使該透光區(qū)域120為一透光體時，該基板單元1的頂層基板12可為一具 有部分透光的透光基板(此部分透光處即為該透光體)，因此本實用新型亦可省略該透光 單元5的使用，而使得一物體F直接置放在該透光區(qū)域120 (該透光體)上。 再者，該圖像擷取單元2具有至少一電性地設置于該底層基板10上的圖像擷取元 件20 (因此該圖像擷取元件20所需要的數量可依據不同的設計需求來做調整)，并且該圖 像擷取元件20可為一圖像傳感器。此外，該圖像傳感器可連結于一分析軟件(圖未示)，以 用于判斷所擷取到的圖像信息。 另外，該光學成像單元3 (該光學成像單元3具有防雜散光的功能)設置于該底層 基板10上并且覆蓋該圖像擷取單元2。以本實用新型第一實施例所舉的例子來看，該光學 成像單元3具有一遮光本體30 (例如可在該遮光本體30的外表面涂上遮光層，即可達到防 雜散光的效果)及一連結于該遮光本體30且位于該圖像擷取單元2上方的聚光元件31 (因 此該遮光本體30與該聚光元件31可為一體成型式)，并且該聚光元件31可為一用于將光 線聚焦的聚光透鏡。因此，透過該光學成像單元3的使用，以確保該圖像擷取單元2只會從特定的方向接收到光源(其它外來的雜散光會被該光學成像單元3給遮擋掉)，而使得該圖 像擷取單元2能夠擷取到較精確的圖像信息。 此外，該發(fā)光單元4具有至少一電性地設置于該頂層基板12上且位于該光學成像 單元3上方的發(fā)光元件40，并且上述至少一發(fā)光元件40可為一發(fā)光二極管。以本實用新型 第一實施例所舉的例子來看，該發(fā)光單元4具有兩個電性地設置于該頂層基板12上的發(fā)光 元件40。然而，上述發(fā)光二極管的界定只是用來舉例而已，凡任何的發(fā)光元件皆可應用于本 實用新型。 再者，該透光單元5具有一設置于該頂層基板12上且鄰近該發(fā)光單元4的透光元 件50 (例如透明玻璃或透明塑膠)，以供一物體F置放于該透光元件50上。換言之，使用者 可將該物體F中欲感測的那一面(例如手指的指紋)放置于該透光元件50上，以進行那一 面的圖像感測。 此外，該導電單元W具有至少一電性連接于該底層基板IO及該頂層基板12之間 的導電元件W1。例如上述至少一導電元件W1可由多條導線所組成；上述至少一導電元件 Wl可為一軟性電路板；上述至少一導電元件W1可由多顆錫球所組成。因此，凡任何具有導 電能力的導電元件W1，皆可應用于本實用新型。 因此，由圖2可知，本實用新型第一實施例的特點在于該發(fā)光單元4與該透光單 元5分別設置于該頂層基板12的兩相反表面上，并且該發(fā)光單元4位于該光學成像單元3 與該頂層基板12之間。換言之，該頂層基板12可透過上述兩個發(fā)光元件40(或者任何位 于該光學成像單元3上的固定塊)，以定位在該光學成像單元3的上方。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50 (該光束L 1經 過該透光區(qū)域120)，并且該光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束 Ll經過該物體F的反射后而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2 經過該透光區(qū)域120)，最后該反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元 2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖3所示，本實用新型第二實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第二實施例與第一實施例最大 的差別在于該透光元件50的底端穿過該透光區(qū)域120并且接觸于該光學成像單元3或者 只位于該光學成像單元3的上方而沒有接觸到該光學成像單元3。由此，上述兩個發(fā)光元 件40所產生的光束Ll投向該透光元件50 (該光束L 1經過該透光區(qū)域120)，并且該光束 Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束L1經過該物體F的反射后而形 成一投向該光學成像單元3的反射光束L2(該反射光束L 2經過該透光區(qū)域120)，最后該 反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某 一面的圖像信息。 請參閱圖4所示，本實用新型第三實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第三實施例與第一、二實施例最 大的差別在于該發(fā)光單元4與該透光單元5皆設置于該頂層基板12的外表面上，該發(fā)光 單元4位于該透光單元5與該頂層基板12之間，此外該頂層基板12直接設置于該光學成像單元3上。由此，上述至少一發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該光 束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束Ll經過該物體F的反射后而 形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2經過該透光區(qū)域120)，最后該 反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某 一面的圖像信息。 請參閱圖5所示，本實用新型第四實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第四實施例與第三實施例最大的 差別在于該頂層基板12的外表面具有兩個凹槽121，該發(fā)光單元4的兩個發(fā)光元件40分 別容置于上述兩個凹槽121內，并且該透光單元5設置于該頂層基板12的外表面上并且覆 蓋該發(fā)光單元4。由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該 光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束Ll經過該物體F的反射后 而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2經過該透光區(qū)域120)，最后 該反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中 某一面的圖像信息。 請參閱圖5A所示，本實用新型另一種第四實施例提供一種可電性銜接兩電路基 板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單 元4、一透光單元5及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型另一種第四實施例與 第四實施例(圖5)最大的差別在于該基板單元1的底層基板10為一透明基板，并且該圖 像擷取單元2的至少一圖像擷取元件20以覆晶(Flip-chip)的方式透過多個導電體B(例 如錫球B)而電性地設置于該底層基板10的底端上。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該光束Ll 透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束L1經過該物體F的反射后而形成一 投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2經過該透光區(qū)域120)，最后該反射光 束L 2穿過該光學成像單元3及該底層基板10并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該 物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖5B所示，本實用新型再一種第四實施例提供一種可電性銜接兩電路基 板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單 元4、一透光單元5及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型再一種第四實施例與第 四實施例(圖5)最大的差別在于該基板單元1的底層基板10具有一開口 101，并且該圖 像擷取單元2的至少一圖像擷取元件20以覆晶(Flip-chip)的方式透過多個導電體B(例 如錫球B)而電性地設置于該底層基板10的底端上。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該光束Ll 透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束L1經過該物體F的反射后而形成一 投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2經過該透光區(qū)域120)，最后該反射光 束L2穿過該光學成像單元3及該底層基板10的開口 101并且投向該圖像擷取單元2，以用 于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖6所示，本實用新型第五實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透
9光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。 其中，該基板單元1具有一底層基板10及一位于該底層基板10上方且相對應該 底層基板10的頂層基板12(該底層基板10與該頂層基板12彼此分離一預定距離)，其中 該頂層基板12具有一透光區(qū)域120，并且該頂層基板12的透光區(qū)域120可為一開口或一透 光體(例如該透光體可填入該開口內，以形成該透光區(qū)域)。以本實用新型第一實施例所舉 的例子而言，該透光區(qū)域120為一開口 。另外，依據不同的設計需求，該底層基板10為硬基 板，并且該頂層基板12為軟基板；或者，該底層基板10為硬基板，并且該頂層基板12為硬 基板。以本實用新型第一實施例所舉的例子而言，該底層基板10及該頂層基板12皆為硬 基板。 此外，假使該第一透光區(qū)域120為一透光體時，該基板單元1的頂層基板12可為 一具有部分透光的透光基板(此部分透光處即為該透光體)，因此本實用新型亦可省略該 透光單元5的使用，而使得一物體F直接置放在該第一透光區(qū)域120(該透光體)上。 再者，該圖像擷取單元2具有至少一電性地設置于該底層基板10上的圖像擷取元 件20 (因此該圖像擷取元件20所需要的數量可依據不同的設計需求來做調整)，并且該圖 像擷取元件20可為一圖像傳感器。此外，該圖像傳感器可連結于一分析軟件(圖未示)，以 用于判斷所擷取到的圖像信息。 另外，該光學成像單元3 (該光學成像單元3具有防雜散光的功能)設置于該底層 基板10上并且覆蓋該圖像擷取單元2。以本實用新型第一實施例所舉的例子來看，該光學 成像單元3具有一遮光本體30 (例如可在該遮光本體30的外表面涂上遮光層，即可達到防 雜散光的效果)及一連結于該遮光本體30且位于該圖像擷取單元2上方的聚光元件31 (因 此該遮光本體30與該聚光元件31可為一體成型式)，并且該聚光元件31可為一用于將光 線聚焦的聚光透鏡。因此，透過該光學成像單元3的使用，以確保該圖像擷取單元2只會從 特定的方向接收到光源(其它外來的雜散光會被該光學成像單元3給遮擋掉)，而使得該圖 像擷取單元2能夠擷取到較精確的圖像信息。 此外，該發(fā)光單元4具有至少一電性地設置于該頂層基板12上且位于該外殼單元 6上方的發(fā)光元件40，并且上述至少一發(fā)光元件40可為一發(fā)光二極管。以本實用新型第一 實施例所舉的例子來看，該發(fā)光單元4具有兩個電性地設置于該頂層基板12上的發(fā)光元件 40。然而，上述發(fā)光二極管的界定只是用來舉例而已，凡任何的發(fā)光元件皆可應用于本實用 新型。 再者，該透光單元5具有一設置于該頂層基板12上且鄰近該發(fā)光單元4的透光元 件50 (例如透明玻璃或透明塑膠)，以供一物體F置放于該透光元件50上。換言之，使用者 可將該物體F中欲感測的那一面(例如手指的指紋)放置于該透光元件50上，以進行那一 面的圖像感測。 另外，該外殼單元6設置于該底層基板10上并且覆蓋該光學成像單元3，其中該外 殼單元6具有一相對應該第一透光區(qū)域120的第二透光區(qū)域60，并且該外殼單元6的第二 透光區(qū)域60可為一開口或一透光體(例如該透光體可填入該開口內，以形成該第二透光區(qū) 域)。以本實用新型第五實施例所舉的例子而言，該第二透光區(qū)域60為一開口 。 此外，該導電單元W具有至少一電性連接于該底層基板10及該頂層基板12的間 的導電元件W1。例如上述至少一導電元件W1可由多條導線所組成；上述至少一導電元件Wl可為一軟性電路板；上述至少一導電元件W1可由多顆錫球所組成。因此，凡任何具有導 電能力的導電元件W1，皆可應用于本實用新型。 因此，如圖6所示，本實用新型第五實施例的特點在于該發(fā)光單元4與該透光單 元5分別設置于該頂層基板12的兩相反表面上，并且該發(fā)光單元4位于該外殼單元6與該 頂層基板12之間。換言之，該頂層基板12可透過上述兩個發(fā)光元件40(或者任何位于該 外殼單元6上的固定塊)，以定位在該外殼單元6的上方。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50 (該光束Ll經過 該第一透光區(qū)域120)，并且該光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光 束Ll經過該物體F的反射后而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束 L2依序經過該第一透光區(qū)域120及該第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該光學成 像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖7所示，本實用新型第六實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第六實施例與第 五實施例最大的差別在于該透光元件50的底端穿過該第一透光區(qū)域120并且位于該外殼 單元6的上方。由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50 (該光束 Ll經過該第一透光區(qū)域120)，并且該光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然 后該光束Ll經過該物體F的反射后而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反 射光束L2依序經過該第一透光區(qū)域120及該第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該 光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖8所示，本實用新型第七實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第七實施例與第 五、六實施例最大的差別在于該發(fā)光單元4與該透光單元5皆設置于該頂層基板12的外 表面上，該發(fā)光單元4位于該透光單元5與該頂層基板12之間，并且該頂層基板12直接設 置在該外殼單元6上。由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并 且該光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束Ll經過該物體F的反 射后而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2(該反射光束L2依序經過該第一透光 區(qū)域120及該第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖 像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖9所示，本實用新型第八實施例提供一種可電性銜接兩電路基板的圖像 擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單元4、一透 光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型第八實施例與第 七實施例最大的差別在于該頂層基板12的外表面具有兩個凹槽121，該發(fā)光單元4的兩 個發(fā)光元件40分別容置于上述兩個凹槽121內，并且該透光單元5設置于該頂層基板12 的外表面上并且覆蓋該發(fā)光單元4。由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透 光元件50，并且該光束Ll透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束Ll經過 該物體F的反射后而形成一投向該光學成像單元3的反射光束L2 (該反射光束L2依序經 過該第一透光區(qū)域120及該第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該光學成像單元3并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖9A所示，本實用新型另一種第八實施例提供一種可電性銜接兩電路基
板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單
元4、一透光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型另一種
第八實施例與第八實施例(圖9)最大的差別在于該基板單元1的底層基板10為一透明
基板，并且該圖像擷取單元2的至少一圖像擷取元件20以覆晶(Flip-chip)的方式透過多
個導電體B(例如錫球B)而電性地設置于該底層基板10的底端上。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該光束Ll 透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束L1經過該物體F的反射后而形成一 投向該光學成像單元3的反射光束L2(該反射光束L2依序經過該第一透光區(qū)域120及該 第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該光學成像單元3及該底層基板10并且投向該 圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請參閱圖9B所示，本實用新型再一種第八實施例提供一種可電性銜接兩電路基
板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元1、一圖像擷取單元2、一光學成像單元3、一發(fā)光單
元4、一透光單元5、一外殼單元6及一導電單元W。由圖中的比較可知，本實用新型再一種
第八實施例與第八實施例(圖9)最大的差別在于該基板單元1的底層基板10具有一開
口 101，并且該圖像擷取單元2的至少一圖像擷取元件20以覆晶(Flip-chip)的方式透過
多個導電體B(例如錫球B)而電性地設置于該底層基板10的底端上。 由此，上述兩個發(fā)光元件40所產生的光束Ll投向該透光元件50，并且該光束Ll
透過該透光元件50的導引而投向該物體F，然后該光束L1經過該物體F的反射后而形成一
投向該光學成像單元3的反射光束L2(該反射光束L2依序經過該第一透光區(qū)域120及該
第二透光區(qū)域60)，最后該反射光束L2穿過該光學成像單元3及該底層基板10的開口 101
并且投向該圖像擷取單元2，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 但是，本實用新型的所有范圍應以權利要求為準，凡符合本實用新型權利要求保
護范圍的精神與其類似變化的實施例，皆應包含于本實用新型的權利要求保護范圍中，任
何普通技術人員在本實用新型的領域內，可輕易思及的變化或修改皆可涵蓋在本實用新型
的權利要求保護范圍內。
1權利要求一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于，包括一基板單元，其具有一底層基板及一位于該底層基板上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域；一導電單元，其具有至少一電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元件；一圖像擷取單元，其具有至少一電性地設置于該底層基板上的圖像擷取元件；一光學成像單元，其設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元；一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件；以及一透光單元，其具有一設置于該頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于該透光元件上；上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該透光元件，并且該光束透過該透光元件的導引而投向該物體，并且該光束經過該物體的反射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束，所述的反射光束穿過該光學成像單元并且投向該圖像擷取單元。
2. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該底層基板為硬基板，并且該頂層基板為軟基板。
3. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該底層基板為硬基板，并且該頂層基板為硬基板。
4. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于上述至少一導電元件由多條導線所組成或由多顆錫球所組成。
5. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于上述至少一導電元件為一軟性電路板。
6. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該發(fā)光單元與該透光單元分別設置于該頂層基板的兩相反表面上，并且該發(fā)光單元位于該光學成像單元與該頂層基板之間。
7. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該發(fā)光單元與該透光單元分別設置于該頂層基板的兩相反表面上，該透光元件的底端穿過該透光區(qū)域并且接觸于該光學成像單元，并且該發(fā)光單元位于該光學成像單元與該頂層基板之間。
8. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該發(fā)光單元與該透光單元皆設置于該頂層基板的外表面上，該發(fā)光單元位于該透光單元與該頂層基板之間，并且該頂層基板直接設置在該光學成像單元上。
9. 如權利要求1所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該頂層基板的外表面具有至少一凹槽，該發(fā)光單元容置于上述至少一凹槽內，該透光單元設置于該頂層基板的外表面上并且覆蓋該發(fā)光單元，并且該頂層基板直接設置在該光學成像單元上。
10. 如權利要求l所述的可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于該光學成像單元具有一遮光本體及一連結于該遮光本體且位于該圖像擷取單元上方的聚光元件。
11. 一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于，包括一基板單元，其具有一底層基板及一位于該底層基板上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域，并且該底層基板為一透明基板；一導電單元，其具有至少一電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元件； 一圖像擷取單元，其具有至少一電性地設置于該底層基板的底端上的圖像擷取元件； 一光學成像單元，其設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元； 一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件；以及一透光單元，其具有一設置于該頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于該透光元件上；上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該透光元件，并且該光束透過該透光元件的導引而投向該物體，并且該光束經過該物體的反射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束，所述的該反射光束穿過該光學成像單元及該底層基板并且投向該圖像擷取單元。
12. —種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其特征在于，包括 一基板單元，其具有一底層基板及一位于該底層基板上方且相對應該底層基板的頂層基板，其中該頂層基板具有一透光區(qū)域，并且該底層基板具有一開口 ；一導電單元，其具有至少一電性連接于該底層基板及該頂層基板之間的導電元件； 一圖像擷取單元，其具有至少一電性地設置于該底層基板的底端上的圖像擷取元件； 一光學成像單元，其設置于該底層基板上并且覆蓋該圖像擷取單元； 一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設置于該頂層基板上且位于該光學成像單元上方的發(fā)光元件；以及一透光單元，其具有一設置于該頂層基板上且鄰近該發(fā)光單元的透光元件，以供一物 體置放于該透光元件上；上述至少一發(fā)光元件所產生的光束投向該透光元件，并且該光束透過該透光元件的導 引而投向該物體，該光束經過該物體的反射后而形成一投向該光學成像單元的反射光束， 所述的該反射光束穿過該光學成像單元及該底層基板的開口并且投向該圖像擷取單元。
專利摘要一種可電性銜接兩電路基板的圖像擷取模塊，其包括一基板單元、一圖像擷取單元、一光學成像單元、一發(fā)光單元及一透光單元；基板單元具有一底層基板及一位于底層基板上方的頂層基板，頂層基板具有一透光區(qū)域；導電單元具有一電性連接于底層基板及頂層基板之間的導電元件；圖像擷取單元具有一電性地設置于底層基板上的圖像擷取元件；光學成像單元設置于底層基板上并且覆蓋圖像擷取單元；發(fā)光單元具有一電性地設置于頂層基板上且位于光學成像單元上方的發(fā)光元件；透光單元具有一設置于頂層基板上且鄰近發(fā)光單元的透光元件，以供一物體置放于透光元件上。
文檔編號G06K9/20GK201522712SQ200920177958
公開日2010年7月7日 申請日期2009年9月25日 優(yōu)先權日2009年9月25日
發(fā)明者許志行, 陳知堅 申請人:海華科技股份有限公司