專利名稱：覆晶式的圖像擷取模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種圖像擷取模塊，尤指一種覆晶式的圖像擷取模塊。
背景技術(shù)：
個(gè)人的指紋為一有別于其他人的指紋的獨(dú)有的生物特征，因此個(gè)人指紋應(yīng)用于個(gè) 人密碼時(shí)，其所具備的安全性非常高。由于電子設(shè)備的使用普及與其儲(chǔ)存容量的增加，儲(chǔ)存 于其內(nèi)的個(gè)人資料的保護(hù)更顯為重要。因此，以個(gè)人指紋作為管制電子設(shè)備的開(kāi)啟或使用 的密碼，將能夠有效地管理個(gè)人資料。上述的電子設(shè)備，如移動(dòng)電話、計(jì)算機(jī)主機(jī)、和各種計(jì) 算機(jī)外設(shè)等等，其借助于一指紋掃瞄裝置來(lái)擷取其使用者的指紋以進(jìn)行認(rèn)證的工作。該指 紋掃瞄裝置內(nèi)的指紋圖像被轉(zhuǎn)換成數(shù)字指紋信息后，尚需傳輸至該電子設(shè)備的控制器中， 才能發(fā)揮其指紋認(rèn)證的功效。 請(qǐng)參閱圖1所示，其為公知圖像擷取模塊的示意圖。由圖中可知，公知圖像擷取模 塊包括一 電路板P、 一電性地設(shè)置于該電路板P上的圖像傳感器S、 一電性地設(shè)置于該電路 板P上的發(fā)光二極管D、一設(shè)置于該圖像傳感器S上方的聚光透鏡G、及一設(shè)置于該發(fā)光二 極管D上方的導(dǎo)光元件T。公知圖像擷取模塊的圖像擷取原理為由該發(fā)光二極管D所產(chǎn)生 的光束L透過(guò)該導(dǎo)光元件T的導(dǎo)引而形成一投向位于該聚光透鏡G上方的物體F的投射光 束L'，然后該投射光束L'經(jīng)過(guò)該物體F的反射后而形成一投向該聚光透鏡G的反射光束 L〃 ，最后該反射光束L〃穿過(guò)該聚光透鏡G并且投向該圖像傳感器S，以用于擷取該物體F 中某一面的圖像信息。 于是，發(fā)明人有感上述缺陷的可改善，且依據(jù)多年來(lái)從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，悉心 觀察且研究，并配合學(xué)理的運(yùn)用，而提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺陷的本實(shí)用新型。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其可以 減少本實(shí)用新型圖像擷取模塊的整體厚度。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種覆晶式的圖 像擷取模塊，其包括一透光基板單元、一圖像擷取單元、一光學(xué)成像單元、一導(dǎo)光單元、一 發(fā)光單元及一外蓋單元。其中，該圖像擷取單元具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置 于該透光基板單元的下表面的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有 一圖像感測(cè)區(qū)。該光學(xué)成像單元設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且位于上述至少一圖像 擷取元件的上方。該導(dǎo)光單元設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元。 該發(fā)光單元具有至少一電性地設(shè)置于該透光基板單元上的發(fā)光元件，其中上述至少一發(fā)光 元件具有一面向該導(dǎo)光單元的發(fā)光區(qū)。該外蓋單元設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且 覆蓋該導(dǎo)光單元，其中該外蓋單元的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件上方的透光 區(qū)。 由此，上述至少一發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束投向該導(dǎo)光單元，并且該光束透過(guò)該導(dǎo)光單元的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元的透光區(qū)上的物體，然后該光束透過(guò)該物 體的反射而形成一投向該光學(xué)成像單元的反射光束，最后該反射光束穿過(guò)該光學(xué)成像單元 及該透光基板單元并且投向上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種覆晶式的圖
像擷取模塊，其包括一非透光基板單元、一圖像擷取單元、一光學(xué)成像單元、一導(dǎo)光單元、
一發(fā)光單元及一外蓋單元。其中，該非透光基板單元具有至少一第一開(kāi)口 。該圖像擷取單元
具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該非透光基板單元的下表面的圖像擷取元件，
其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一面向上述至少一第一開(kāi)口的圖像感測(cè)區(qū)。該
光學(xué)成像單元設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且位于上述至少一圖像擷取元件的上
方。該導(dǎo)光單元設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元。該發(fā)光單元
具有至少一電性地設(shè)置于該非透光基板單元上的發(fā)光元件，其中上述至少一發(fā)光元件具有
一面向該導(dǎo)光單元的發(fā)光區(qū)。該外蓋單元設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且覆蓋該導(dǎo) 光單元，其中該外蓋單元的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件上方的透光區(qū)。 由此，上述至少一發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束投向該導(dǎo)光單元，并且該光束
透過(guò)該導(dǎo)光單元的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元的透光區(qū)上的物體，然后該光束透過(guò)該物
體的反射而形成一投向該光學(xué)成像單元的反射光束，最后該反射光束穿過(guò)該光學(xué)成像單元
及該非透光基板單元的至少一第一開(kāi)口并且投向上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型的其中一種方案，提供一種覆晶式的圖
像擷取模塊，其包括一透光基板單元、一圖像擷取單元、一發(fā)光單元及一光束導(dǎo)引單元。其
中，該圖像擷取單元具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該透光基板單元的下表面
的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一面向該透光基板單元的圖
像感測(cè)區(qū)。該發(fā)光單元具有至少一電性地設(shè)置于該透光基板單元上的發(fā)光元件。該光束導(dǎo)
引單元設(shè)置于該透光基板單元的上表面，以供一物體放置于該光束導(dǎo)引單元上，其中該光 束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束依序?qū)б猎撐矬w的底部及
上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。 因此，本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型使用覆晶(flip-chip)的方式將 上述至少一圖像擷取元件電性地設(shè)置于上述的透明基板或上述具有至少一第一開(kāi)口的非 透明基板的下表面，以減少本實(shí)用新型圖像擷取模塊的整體厚度(亦即可以降低本實(shí)用新 型圖像擷取模塊所使用的光學(xué)元件的高度)。 為了能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請(qǐng) 參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，相信本實(shí)用新型的目的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由 此得一深入且具體的了解，然而所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本實(shí)用新型加 以限制。

圖1為公知圖像擷取模塊的示意圖； 圖2為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第一實(shí)施例的剖面示意圖 圖3為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第二實(shí)施例的剖面示意圖 圖4為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第三實(shí)施例的剖面示意圖[0017]
圖5為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第四實(shí)施例的剖面示意圖 圖6為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第五實(shí)施例的剖面示意圖 圖7為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第六實(shí)施例的剖面示意圖 圖8為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第七實(shí)施例的剖面示意圖；以及 圖9為本實(shí)用新型覆晶式的圖像擷取模塊的第八實(shí)施例的剖面示意圖。主要元件附圖標(biāo)記說(shuō)明
[公知]
電路板 P 圖像傳感器 S 發(fā)光二極管 D 聚光透鏡 G 導(dǎo)光元件 T 物體F F 光束 L 投射光束 L' 反射光束 L〃 [本實(shí)用新型]
透光基板單元 la
非透光基板單元lb
圖像擷取單元 2
光學(xué)成像單元 3
導(dǎo)光單元 發(fā)光單元
外蓋單元
物體 光束
反射光束
4
5
透光基板 10a
導(dǎo)電軌跡 11
非透光基板 10b
第一開(kāi)口 101
第二開(kāi)口 102
導(dǎo)電體 B 圖像擷取元件20
圖像感測(cè)區(qū) 200
遮光本體 30
遮光板 300
聚光元件 31
發(fā)光元件 50
發(fā)光區(qū) 500
透光區(qū) 60
反射層 61
F
LI
L具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖2所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包
6括一透光基板單元la、一圖像擷取單元2、一光學(xué)成像單元3、一導(dǎo)光單元4、一發(fā)光單元5 及一外蓋單元6。 其中，該透光基板單元la具有一透光基板10a及多個(gè)設(shè)置于該透光基板10a表面 上的導(dǎo)電軌跡11 ，并且該圖像擷取單元2及該發(fā)光單元5電性連接于該些導(dǎo)電軌跡11 。換 言之，本實(shí)用新型可將多個(gè)導(dǎo)電軌跡ll(例如多條導(dǎo)電線路)成形于該透光基板10a上，以 使得該透光基板單元la同時(shí)具有透光及導(dǎo)電的功用，因此該透光基板單元la可視為一具 有透光功能的電路板。 再者，該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B(例如多顆錫球或錫膏) 而以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該透光基板單元la的下表面的圖像擷取元件 20(因此該圖像擷取元件20所需要的數(shù)量可依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求來(lái)做調(diào)整)，并且上述至 少一圖像擷取元件20可為一圖像傳感器，此外該圖像傳感器可連結(jié)于一分析軟件(圖未 示)，以用于判斷所擷取到的圖像信息。另外，上述至少一圖像擷取元件20的上表面具有 一面向上方(面向該光學(xué)成像單元3)的圖像感測(cè)區(qū)200，并且上述至少一圖像擷取元件20 透過(guò)該些導(dǎo)電體B而電性連接于該透光基板單元la的該些導(dǎo)電軌跡11。 此外，該光學(xué)成像單元3 (該光學(xué)成像單元3具有防雜散光的功能)設(shè)置于該透光 基板單元la的上表面并且位于上述至少一圖像擷取元件20的上方。以本實(shí)用新型第一實(shí) 施例所舉的例子而言，該光學(xué)成像單元3具有一定位在該透光基板單元la的上表面的遮光 本體30(例如在該遮光本體30的外表面涂上遮光層，即可達(dá)到防雜散光的效果)及一連結(jié) 于該遮光本體30且位于上述至少一 圖像擷取元件20上方的聚光元件31 (該聚光元件31可 為一用于將光線聚焦的聚光透鏡)，所以該遮光本體30與該聚光元件31兩者可為分離式或 一體成型式。因此，透過(guò)該光學(xué)成像單元3的使用，以確保上述至少一圖像擷取元件20只 會(huì)從特定的方向接收到光源(其它外來(lái)的雜散光會(huì)被該光學(xué)成像單元3給遮擋掉)，而使得 上述至少一圖像擷取元件20能擷取到較精確的圖像信息。 另外，該導(dǎo)光單元4設(shè)置于該透光基板單元la的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元 3，其中該導(dǎo)光單元4可以為一由具有高導(dǎo)光效率的塑膠材料或玻璃材料所制成的透明導(dǎo) 光元件，以使得該發(fā)光單元5所產(chǎn)生的光束L1可以依據(jù)所設(shè)計(jì)的導(dǎo)光單元4的形狀來(lái)導(dǎo)引 至所要的目的地。換言之，依據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施例所設(shè)計(jì)的導(dǎo)光單元4的使用，該發(fā)光 單元5所產(chǎn)生的光束Ll可以被導(dǎo)引至一物體F上。 再者，該發(fā)光單元5具有至少一電性地設(shè)置于該透光基板單元la的上表面的發(fā)光 元件50(在本實(shí)用新型第一實(shí)施例中揭露兩個(gè)發(fā)光元件50)，其中每一個(gè)發(fā)光元件50具有 一面向該導(dǎo)光單元4的發(fā)光區(qū)500，并且每一個(gè)發(fā)光元件50電性連接于該透光基板單元la 的該些導(dǎo)電軌跡ll。此外，上述每一個(gè)發(fā)光元件50可為一發(fā)光二極管。然而，有關(guān)"上述 每一個(gè)發(fā)光元件50為一發(fā)光二極管"的界定只是用來(lái)舉例而已，舉凡任何的發(fā)光元件皆可 應(yīng)用于本實(shí)用新型中。 此外，該光學(xué)成像單元3的遮光本體30具有一插入該透光基板單元la的透光基 板10a內(nèi)以避免上述兩個(gè)發(fā)光元件50所產(chǎn)生的光束Ll直接穿過(guò)該透光基板單元la而導(dǎo) 引至上述至少一圖像擷取元件20的遮光板300。換言之，為了防止"上述兩個(gè)發(fā)光元件50 所產(chǎn)生的光束Ll直接穿過(guò)該透光基板單元la而導(dǎo)引至上述至少一圖像擷取元件20"的情 況發(fā)生，該光學(xué)成像單元3的遮光本體30的下端延伸出該遮光板300，以遮蔽在每一個(gè)發(fā)光元件50與上述至少一圖像擷取元件20之間及該透光基板10a內(nèi)所可能產(chǎn)生的光學(xué)路徑。 另外，該外蓋單元6設(shè)置于該透光基板單元la的上表面并且覆蓋該導(dǎo)光單元4， 其中該外蓋單元6的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件20上方(或該聚光元件31 上方)的透光區(qū)60，并且該外蓋單元6的內(nèi)表面具有一用于反射光束的反射層61。以本實(shí) 用新型第一實(shí)施例所舉的例子來(lái)說(shuō)，該外蓋單元6的透光區(qū)60為一位于該聚光元件31上 方且提供該物體F放置其上的透光元件(例如透明玻璃)。換言之，使用者可將該物體F中 欲感測(cè)的那一面(例如手指的指紋)放置于該透光區(qū)60(該透光元件)上，以進(jìn)行那一面 的圖像感測(cè)。另外，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，上述至少一反射層61可為一貼附于該外蓋單元 6內(nèi)表面上的反射元件或?yàn)橐煌坎加谠撏馍w單元6內(nèi)表面上的反射鍍膜。 由此，上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll投向該導(dǎo)光單元 4，并且該光束Ll透過(guò)該導(dǎo)光單元4的導(dǎo)引(例如圖2中光束Ll被導(dǎo)引的方式)而投向一 位于該外蓋單元6的透光區(qū)60上的物體F，然后該光束Ll透過(guò)該物體F的反射而形成一投 向該光學(xué)成像單元3的反射光束L2，最后該反射光束L2穿過(guò)該光學(xué)成像單元3的聚光元 件31及該透光基板單元la的透光本體10a并且投向上述至少一圖像擷取元件20的圖像 感測(cè)區(qū)200，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請(qǐng)參閱圖3所示，本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一透光基板單元la、一圖像擷取單元2、一光學(xué)成像單元3、一導(dǎo)光單元4、一發(fā)光單元5 及一外蓋單元6。由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在 于上述兩個(gè)發(fā)光元件50透過(guò)多個(gè)另外的導(dǎo)電體B而電性地設(shè)置于該透光基板單元la的 透光基板10a的下表面。由此，上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll 穿過(guò)該透光基板單元la的透光基板10a而投向該導(dǎo)光單元4，并且該光束L1透過(guò)該導(dǎo)光單 元4的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元6的透光區(qū)60上的物體F，然后該光束Ll透過(guò)該物體 F的反射而形成一投向該光學(xué)成像單元3的反射光束L2，最后該反射光束L2穿過(guò)該光學(xué)成 像單元3的聚光元件31及該透光基板單元la的透光本體10a并且投向上述至少一圖像擷 取元件20的圖像感測(cè)區(qū)200，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請(qǐng)參閱圖4所示，本實(shí)用新型第三實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一非透光基板單元lb、一圖像擷取單元2、一光學(xué)成像單元3、一導(dǎo)光單元4、一發(fā)光單元 5及一外蓋單元6。 其中，該非透光基板單元lb具有至少一第一開(kāi)口 101，并且該非透光基板單元lb 具有一非透光基板10b及多個(gè)設(shè)置于該透光基板10a表面上的導(dǎo)電軌跡ll，此外該圖像擷 取單元2及該發(fā)光單元5電性連接于該些導(dǎo)電軌跡。換言之，本實(shí)用新型可將多個(gè)導(dǎo)電軌 跡ll(例如多條導(dǎo)電線路)成形于該非透光基板10b上，以使得該非透光基板單元lb同時(shí) 具有透光及導(dǎo)電的功用，因此該非透光基板單元lb可視為一具有透光功能的電路板。 再者，該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B(例如多顆錫球或錫膏)而 以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該非透光基板單元lb的下表面的圖像擷取元件 20(因此該圖像擷取元件20所需要的數(shù)量可依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求來(lái)做調(diào)整)，并且上述至 少一圖像擷取元件20可為一圖像傳感器，此外該圖像傳感器可連結(jié)于一分析軟件(圖未 示)，以用于判斷所擷取到的圖像信息。另外，上述至少一圖像擷取元件20的上表面具有一 面向上述至少一第一開(kāi)口 101的圖像感測(cè)區(qū)200，并且上述至少一圖像擷取元件20透過(guò)該些導(dǎo)電體B而電性連接于該非透光基板單元lb的該些導(dǎo)電軌跡11。 此外，該光學(xué)成像單元3 (該光學(xué)成像單元3具有防雜散光的功能)設(shè)置于該非透 光基板單元lb的上表面并且位于上述至少一圖像擷取元件20的上方。以本實(shí)用新型第三 實(shí)施例所舉的例子而言，該光學(xué)成像單元3具有一定位在該非透光基板單元lb的上表面的 遮光本體30(例如在該遮光本體30的外表面涂上遮光層，即可達(dá)到防雜散光的效果)及一 連結(jié)于該遮光本體30且位于上述至少一圖像擷取元件20上方的聚光元件31 (該聚光元件 31可為一用于將光線聚焦的聚光透鏡)，所以該遮光本體30與該聚光元件31兩者可為分 離式或一體成型式。因此，透過(guò)該光學(xué)成像單元3的使用，以確保上述至少一圖像擷取元件 20只會(huì)從特定的方向接收到光源(其它外來(lái)的雜散光會(huì)被該光學(xué)成像單元3給遮擋掉)， 而使得上述至少一圖像擷取元件20能擷取到較精確的圖像信息。 另外，該導(dǎo)光單元4設(shè)置于該非透光基板單元lb的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單 元3，其中該導(dǎo)光單元4可以為一由具有高導(dǎo)光效率的塑膠材料或玻璃材料所制成的透明 導(dǎo)光元件，以使得該發(fā)光單元5所產(chǎn)生的光束Ll可以依據(jù)所設(shè)計(jì)的導(dǎo)光單元4的形狀來(lái)導(dǎo) 引至所要的目的地。換言之，依據(jù)本實(shí)用新型第三實(shí)施例所設(shè)計(jì)的導(dǎo)光單元4的使用，該發(fā) 光單元5所產(chǎn)生的光束Ll可以被導(dǎo)引至一物體F上。 再者，該發(fā)光單元5具有至少一電性地設(shè)置于該非透光基板單元lb的上表面的發(fā) 光元件50(在本實(shí)用新型第三實(shí)施例中揭露兩個(gè)發(fā)光元件50)，其中每一個(gè)發(fā)光元件50具 有一面向該導(dǎo)光單元4的發(fā)光區(qū)500，并且每一個(gè)發(fā)光元件50電性連接于該非透光基板單 元lb的該些導(dǎo)電軌跡ll。此外，上述每一個(gè)發(fā)光元件50可為一發(fā)光二極管。然而，有關(guān) "上述每一個(gè)發(fā)光元件50為一發(fā)光二極管"的界定只是用來(lái)舉例而已，舉凡任何的發(fā)光元件 皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型中。 另外，該外蓋單元6設(shè)置于該非透光基板單元lb的上表面并且覆蓋該導(dǎo)光單元4， 其中該外蓋單元6的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件20上方(或該聚光元件31 上方)的透光區(qū)60，并且該外蓋單元6的內(nèi)表面具有一用于反射光束的反射層61。以本實(shí) 用新型第三實(shí)施例所舉的例子來(lái)說(shuō)，該外蓋單元6的透光區(qū)60為一位于該聚光元件31上 方且提供該物體F放置其上的透光元件(例如透明玻璃)。換言之，使用者可將該物體F中 欲感測(cè)的那一面(例如手指的指紋)放置于該透光區(qū)60(該透光元件)上，以進(jìn)行那一面 的圖像感測(cè)。另外，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，上述至少一反射層61可為一貼附于該外蓋單元 6內(nèi)表面上的反射元件或?yàn)橐煌坎加谠撏馍w單元6內(nèi)表面上的反射鍍膜。 由此，上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll投向該導(dǎo)光單元 4，并且該光束Ll透過(guò)該導(dǎo)光單元4的導(dǎo)引(例如圖3中光束Ll被導(dǎo)引的方式)而投向一 位于該外蓋單元6的透光區(qū)60上的物體F，然后該光束Ll透過(guò)該物體F的反射而形成一 投向該光學(xué)成像單元3的反射光束L2，最后該反射光束L2穿過(guò)該光學(xué)成像單元3的聚光 元件31及該非透光基板單元lb的至少一第一開(kāi)口 101并且投向上述至少一圖像擷取元件 20的圖像感測(cè)區(qū)200，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請(qǐng)參閱圖5所示，本實(shí)用新型第四實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一非透光基板單元lb、一圖像擷取單元2、一光學(xué)成像單元3、一導(dǎo)光單元4、一發(fā)光單元 5及一外蓋單元6。由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第四實(shí)施例與第三實(shí)施例最大的差別在 于該非透光基板單元lb具有至少一第二開(kāi)口 102(本實(shí)用新型第四實(shí)施例揭露兩個(gè)第二開(kāi)口 102)，上述兩個(gè)發(fā)光元件50透過(guò)多個(gè)另外的導(dǎo)電體B而電性地設(shè)置于該非透光基板單 元lb的非透光基板10b的下表面，并且上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500面向該非 透光基板單元lb的兩個(gè)第二開(kāi)口 102。 由此，上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束LI分別穿過(guò)該非透 光基板單元lb的兩個(gè)第二開(kāi)口 102而投向該導(dǎo)光單元4，并且該光束LI透過(guò)該導(dǎo)光單元4 的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元6的透光區(qū)60上的物體F，然后該光束LI透過(guò)該物體F的 反射而形成一投向該光學(xué)成像單元3的反射光束L2，最后該反射光束L2穿過(guò)該光學(xué)成像單 元3的聚光元件31及該非透光基板單元lb的至少一第一開(kāi)口 101并且投向上述至少一圖 像擷取元件20的圖像感測(cè)區(qū)200，以用于擷取該物體F中某一面的圖像信息。 請(qǐng)參閱圖6所示，本實(shí)用新型第五實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一透光基板單元la、一圖像擷取單元2、一發(fā)光單元5及一光束導(dǎo)引單元。本實(shí)用新型 第五實(shí)施例的特點(diǎn)在于該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B (例如多顆錫球或 錫膏)而以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該透光基板單元la的下表面的圖像擷 取元件20，并且由上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束LI直接投向該光 束導(dǎo)引單元。 另外，由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第五實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于 第五實(shí)施例所提供的光束導(dǎo)引單元設(shè)置于該透光基板單元la的上表面，以供一物體F放置 于該光束導(dǎo)引單元上，其中該光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件50所產(chǎn)生 的光束L1依序?qū)б猎撐矬wF的底部(以透過(guò)該物體F的反射而產(chǎn)生一反射光束L2)及 上述至少一圖像擷取元件20的圖像感測(cè)區(qū)20的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P。換言之，只要是任何"可 將上述兩個(gè)發(fā)光元件50所產(chǎn)生的光束LI依序?qū)б晃矬wF的底部及上述至少一圖像擷取 元件20的圖像感測(cè)區(qū)200"的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型的第五實(shí)施例中。例 如該光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P可由如同第一實(shí)施例所揭露的光學(xué)成像單元3、該導(dǎo)光單元4及該外 蓋單元6所組合。 請(qǐng)參閱圖7所示，本實(shí)用新型第六實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一透光基板單元la、一圖像擷取單元2、一發(fā)光單元5及一光束導(dǎo)引單元。本實(shí)用新型 第六實(shí)施例的特點(diǎn)在于該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B(例如多顆錫球或 錫膏)而以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該透光基板單元la的下表面的圖像擷 取元件20，并且由上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll穿過(guò)該透光基 板單元la而投向該光束導(dǎo)引單元。 另外，由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第六實(shí)施例與第二實(shí)施例最大的差別在于 第六實(shí)施例所提供的光束導(dǎo)引單元設(shè)置于該透光基板單元la的上表面，以供一物體F放置 于該光束導(dǎo)引單元上，其中該光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件50所產(chǎn)生 的光束Ll依序?qū)б猎撐矬wF的底部(以透過(guò)該物體F的反射而產(chǎn)生一反射光束L2)及 上述至少一圖像擷取元件20的圖像感測(cè)區(qū)20的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P。換言之，只要是任何"可 將上述兩個(gè)發(fā)光元件50所產(chǎn)生的光束Ll依序?qū)б晃矬wF的底部及上述至少一圖像擷取 元件20的圖像感測(cè)區(qū)200"的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型的第六實(shí)施例中。例 如該光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P可由如同第二實(shí)施例所揭露的光學(xué)成像單元3、該導(dǎo)光單元4及該外 蓋單元6所組合。[0077] 請(qǐng)參閱圖8所示，本實(shí)用新型第七實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一非透光基板單元lb、一圖像擷取單元2、一發(fā)光單元5及一光束導(dǎo)引單元。本實(shí)用新 型第七實(shí)施例的特點(diǎn)在于該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B(例如多顆錫球 或錫膏)而以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該非透光基板單元lb的下表面的圖 像擷取元件20(上述至少一圖像擷取元件20的上表面具有一面向上述至少一第一開(kāi)口 101 的圖像感測(cè)區(qū)200)，并且由上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll直接 投向該光束導(dǎo)引單元。 另外，由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第七實(shí)施例與第三實(shí)施例最大的差別在于 第七實(shí)施例所提供的光束導(dǎo)引單元設(shè)置于該非透光基板單元lb的上表面，以供一物體F放 置于該光束導(dǎo)引單元上，其中該光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件50所產(chǎn) 生的光束L1依序?qū)б猎撐矬wF的底部(以透過(guò)該物體F的反射而產(chǎn)生一反射光束L2)及 上述至少一圖像擷取元件20的圖像感測(cè)區(qū)20的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P。換言之，只要是任何"可 將上述兩個(gè)發(fā)光元件50所產(chǎn)生的光束Ll依序?qū)б晃矬wF的底部及上述至少一圖像擷取 元件20的圖像感測(cè)區(qū)200"的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型的第七實(shí)施例中。例 如該光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P可由如同第三實(shí)施例所揭露的光學(xué)成像單元3、該導(dǎo)光單元4及該外 蓋單元6所組合。 請(qǐng)參閱圖9所示，本實(shí)用新型第八實(shí)施例提供一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包 括一非透光基板單元lb、一圖像擷取單元2、一發(fā)光單元5及一光束導(dǎo)引單元。本實(shí)用新 型第八實(shí)施例的特點(diǎn)在于該圖像擷取單元2具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體B(例如多顆錫球 或錫膏)而以覆晶(flip-chip)的方式電性地設(shè)置于該非透光基板單元lb的下表面的圖 像擷取元件20(上述至少一圖像擷取元件20的上表面具有一面向上述至少一第一開(kāi)口 101 的圖像感測(cè)區(qū)200)，并且由上述兩個(gè)發(fā)光元件50的兩個(gè)發(fā)光區(qū)500所產(chǎn)生的光束Ll分別 穿過(guò)該非透光基板單元lb的兩個(gè)第二開(kāi)口 102而投向該光束導(dǎo)引單元。 另外，由圖中的比較可知，本實(shí)用新型第八實(shí)施例與第四實(shí)施例最大的差別在于 第八實(shí)施例所提供的光束導(dǎo)引單元設(shè)置于該非透光基板單元lb的上表面，以供一物體F放 置于該光束導(dǎo)引單元上，其中該光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件50所產(chǎn) 生的光束L1依序?qū)б猎撐矬wF的底部(以透過(guò)該物體F的反射而產(chǎn)生一反射光束L2)及 上述至少一圖像擷取元件20的圖像感測(cè)區(qū)20的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P。換言之，只要是任何"可 將上述兩個(gè)發(fā)光元件50所產(chǎn)生的光束Ll依序?qū)б晃矬wF的底部及上述至少一圖像擷取 元件20的圖像感測(cè)區(qū)200"的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型的第八實(shí)施例中。例 如該光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)P可由如同第四實(shí)施例所揭露的光學(xué)成像單元3、該導(dǎo)光單元4及該外 蓋單元6所組合。 因此，本實(shí)用新型使用覆晶(flip-chip)的方式將上述至少一圖像擷取元件電性 地設(shè)置于上述的透明基板或上述具有至少一第一開(kāi)口的非透明基板的下表面，以減少本實(shí) 用新型圖像擷取模塊的整體厚度(亦即可以降低本實(shí)用新型圖像擷取模塊所使用的光學(xué) 元件的高度)。 但是，本實(shí)用新型的所有范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)，凡符合本實(shí)用新型權(quán)利要求保 護(hù)范圍的精神與其類似變化的實(shí)施例，皆應(yīng)包含于本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍中，任 何普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的 域內(nèi)，可輕易思及的變化或修改皆可涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍內(nèi),
權(quán)利要求一種覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于，包括一透光基板單元；一圖像擷取單元，其具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該透光基板單元的下表面的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一圖像感測(cè)區(qū)；一光學(xué)成像單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且位于上述至少一圖像擷取元件的上方；一導(dǎo)光單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元；一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設(shè)置于該透光基板單元上的發(fā)光元件，其中上述至少一發(fā)光元件具有一面向該導(dǎo)光單元的發(fā)光區(qū)；以及一外蓋單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且覆蓋該導(dǎo)光單元，其中該外蓋單元的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件上方的透光區(qū)；上述至少一發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束投向該導(dǎo)光單元，并且該光束透過(guò)該導(dǎo)光單元的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元的透光區(qū)上的物體，該光束透過(guò)該物體的反射而形成一投向該光學(xué)成像單元的反射光束，所述的反射光束穿過(guò)該光學(xué)成像單元及該透光基板單元并且投向上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)。
2. 如權(quán)利要求1所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于該透光基板單元具有一 透光基板及多個(gè)設(shè)置于該透光基板表面上的導(dǎo)電軌跡，并且上述至少一圖像擷取元件及上 述至少一發(fā)光元件電性連接于該些導(dǎo)電軌跡。
3. 如權(quán)利要求1所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于該光學(xué)成像單元具有一 定位在該透光基板單元的上表面的遮光本體及一連結(jié)于該遮光本體且位于上述至少一圖 像擷取元件上方的聚光元件。
4. 如權(quán)利要求3所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于該光學(xué)成像單元的遮光 本體具有一插入該透光基板單元內(nèi)以避免上述至少一發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束直接穿過(guò)該 透光基板單元而導(dǎo)引至上述至少一圖像擷取元件的遮光板。
5. 如權(quán)利要求3所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于該外蓋單元的透光區(qū)為 一位于該聚光元件上方且提供該物體放置其上的透光元件，并且該外蓋單元的內(nèi)表面具有 一反射層。
6. 如權(quán)利要求1所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于上述至少一發(fā)光元件電 性地設(shè)置于該透光基板單元的上表面，并且該些導(dǎo)電體為多顆錫球。
7. 如權(quán)利要求1所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于上述至少一發(fā)光元件透 過(guò)多個(gè)另外的導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該透光基板單元的下表面，由此上述至少一發(fā)光元件 的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束穿過(guò)該透光基板單元而投向該導(dǎo)光單元。
8. —種覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于，包括 一非透光基板單元，其具有至少一第一開(kāi)口 ；一圖像擷取單元，其具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該非透光基板單元的 下表面的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一面向上述至少一第 一開(kāi)口的圖像感測(cè)區(qū)；一光學(xué)成像單元，其設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且位于上述至少一圖像擷取 元件的上方；一導(dǎo)光單元，其設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元；一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設(shè)置于該非透光基板單元上的發(fā)光元件，其中上述 至少一發(fā)光元件具有一面向該導(dǎo)光單元的發(fā)光區(qū)；以及一外蓋單元，其設(shè)置于該非透光基板單元的上表面并且覆蓋該導(dǎo)光單元，其中該外蓋 單元的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件上方的透光區(qū)；上述至少一發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束投向該導(dǎo)光單元，并且該光束透過(guò)該導(dǎo)光 單元的導(dǎo)引而投向一位于該外蓋單元的透光區(qū)上的物體，該光束透過(guò)該物體的反射而形成 一投向該光學(xué)成像單元的反射光束，所述的反射光束穿過(guò)該光學(xué)成像單元及該非透光基板 單元的至少一第一開(kāi)口并且投向上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)。
9. 一種覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于，包括 一透光基板單元；一圖像擷取單元，其具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于該透光基板單元的下 表面的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一面向該透光基板單元 的圖像感測(cè)區(qū)；一發(fā)光單元，其具有至少一電性地設(shè)置于該透光基板單元上的發(fā)光元件；以及 一光束導(dǎo)引單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面，以供一物體放置于該光束導(dǎo)引 單元上，其中該光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束依序?qū)б?該物體的底部及上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9所述的覆晶式的圖像擷取模塊，其特征在于，該光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)包括 一光學(xué)成像單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且位于上述至少一圖像擷取元件的上方；一導(dǎo)光單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且覆蓋該光學(xué)成像單元，并且上述 至少一發(fā)光元件具有一面向該導(dǎo)光單元的發(fā)光區(qū)；以及一外蓋單元，其設(shè)置于該透光基板單元的上表面并且覆蓋該導(dǎo)光單元，其中該外蓋單 元的上端具有一位于上述至少一圖像擷取元件上方的透光區(qū)；上述至少一發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光束投向該導(dǎo)光單元，并且該光束透過(guò)該導(dǎo)光 單元的導(dǎo)引而投向該位于該外蓋單元的透光區(qū)上的物體，該光束透過(guò)該物體的反射而形成 一投向該光學(xué)成像單元的反射光束，所述的反射光束穿過(guò)該光學(xué)成像單元及該透光基板單 元并且投向上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)。
專利摘要一種覆晶式的圖像擷取模塊，其包括一透光基板單元、一圖像擷取單元、一發(fā)光單元及一光束導(dǎo)引單元；圖像擷取單元具有至少一透過(guò)多個(gè)導(dǎo)電體而電性地設(shè)置于透光基板單元的下表面的圖像擷取元件，其中上述至少一圖像擷取元件的上表面具有一面向透光基板單元的圖像感測(cè)區(qū)；發(fā)光單元具有至少一電性地設(shè)置于透光基板單元上的發(fā)光元件；光束導(dǎo)引單元設(shè)置于透光基板單元的上表面，以供一物體放置于光束導(dǎo)引單元上，其中光束導(dǎo)引單元具有一用于將上述至少一發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束依序?qū)б廖矬w的底部及上述至少一圖像擷取元件的圖像感測(cè)區(qū)的光束導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G06K9/20GK201522713SQ200920177959
公開(kāi)日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者許志行, 陳知堅(jiān) 申請(qǐng)人:海華科技股份有限公司