專利名稱：防止壅塞配置方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路布局的配置，尤指一種避免電路布局中產(chǎn)生壅塞區(qū)域的防止壅塞
配置裝置及方法。
背景技術(shù)：
隨著電子科技不斷地發(fā)展，各式各樣的電子產(chǎn)品的體積愈來愈輕薄短小，但其具 備的功能亦愈來愈多。因此，在面積相當(dāng)小的芯片中必須設(shè)置有數(shù)目非常龐大的各種電子 組件，才足以應(yīng)付電子產(chǎn)品的實際需求。 然而，于某些電路布局中，由于某一區(qū)域內(nèi)的電子組件太多，亦即該區(qū)域的電子組 件密度過大，使得該區(qū)域的某些電子組件間的繞線(routing)難以進(jìn)行，因而無法通過設(shè) 計規(guī)則檢查(design rule checking)，導(dǎo)致該電路布局無法正常運作。
舉例而言，若設(shè)置在芯片上的某一電路布局包含有復(fù)數(shù)個組合組件及復(fù)數(shù)個循序 組件，如圖1所示，組合組件(combination cell)系以c表示，而循序組件(sequential cell)則以s表示，箭頭代表資料流動方向，至于網(wǎng)格線部分則代表阻擋物(blockage)或組 件之間的間隙(spacing)。 于此例中，假設(shè)于整體空間1中的電子組件密度為70%，也就是說，電子組件(組 合組件c與循序組件s)總共占有整體空間1的70%，而阻擋物和組件間隙則占有整體空間 1的30%。為了使得該電路布局能夠通過時間限制(timeconstraint)，故組合組件c大多 設(shè)置于整體空間1的中央?yún)^(qū)域，而循序組件s則大多設(shè)置于整體空間1的外側(cè)區(qū)域。于壅塞 區(qū)域10中，由于有相當(dāng)多的組合組件c擠在一起，因而產(chǎn)生相當(dāng)嚴(yán)重的壅塞(congestion) 現(xiàn)象，過高的電子組件密度將會導(dǎo)致壅塞區(qū)域10中的各電子組件間的繞線(routing)變得 相當(dāng)困難，使得該電路布局難以通過設(shè)計規(guī)則檢查。 因此，本發(fā)明的主要范疇在于提供一種防止壅塞配置裝置及方法，以解決上述問 題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種防止壅塞配置方法及裝置，可以解決先前 技術(shù)中由于電路布局中的壅塞區(qū)域使得電子組件間的繞線難以進(jìn)行，因而導(dǎo)致該電路布局 無法通過設(shè)計規(guī)則檢查的現(xiàn)象；且解決電路布局中的電子組件壅塞現(xiàn)象時并不會造成空間 使用率的降低或是芯片尺寸的增加等負(fù)面影響，甚至還可提高電子組件間繞線的彈性。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案 本發(fā)明提供一種防止壅塞配置裝置。該防止壅塞配置裝置系用于設(shè)置一電路布 局。該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻 擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。于此實施例中，由于該復(fù)數(shù)個阻擋單元系 屬于最小尺寸阻擋物(minimum-sized blockage)，故該復(fù)數(shù)個電子組件不與該復(fù)數(shù)個阻擋 單元形成任何重迭(overlap)狀態(tài)。
該防止壅塞配置裝置包含判斷模塊、模式產(chǎn)生模塊及配置模塊。其中該判斷模塊
耦接至該電路布局及該模式產(chǎn)生模塊；該配置模塊耦接至該模式產(chǎn)生模塊及該電路布局。
該判斷模塊系用以根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。若該判斷模塊的
判斷結(jié)果為是，該模式產(chǎn)生模塊產(chǎn)生一重新分布模式，其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個
阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。該配置模塊根據(jù)該重新
分布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。 值得注意的是，即使經(jīng)過配置模塊的重新配置后，該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個
阻擋單元所造成的間隙比例(empty spacing ratio)仍維持不變。于實際應(yīng)用中，該判斷
規(guī)則可以和配置于該壅塞區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度是否過高有關(guān)。當(dāng)配置于該壅塞區(qū)域內(nèi)
的電子組件的密度過高時，將導(dǎo)致該壅塞區(qū)域內(nèi)難以進(jìn)行電子組件間的繞線。 本發(fā)明提供一種防止壅塞配置裝置。該防止壅塞配置裝置系用于設(shè)置一電路布
局。該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻
擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。于此實施例中，由于該復(fù)數(shù)個阻擋單元系
屬于可穿透阻擋區(qū)域(transparent blockage)，故該復(fù)數(shù)個電子組件與該復(fù)數(shù)個阻擋單元
產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。 該防止壅塞配置裝置包含判斷模塊、模式產(chǎn)生模塊及配置模塊。其中該判斷模塊 耦接至該電路布局及該模式產(chǎn)生模塊；該配置模塊耦接至該模式產(chǎn)生模塊及該電路布局。 該判斷模塊系用以根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。若該判斷模塊的 判斷結(jié)果為是，該模式產(chǎn)生模塊產(chǎn)生一重新分布模式，其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個 阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。該配置模塊將會根據(jù)該 重新分布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。值得 注意的是，即使經(jīng)過配置模塊的重新配置后，該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻擋單元所造 成的間隙比例仍維持不變。 本發(fā)明提供一種防止壅塞配置方法。該防止壅塞配置方法系用于設(shè)置一電路布 局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻 擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。于此實施例中，由于該復(fù)數(shù)個阻擋單元系 屬于最小尺寸阻擋物，故該復(fù)數(shù)個電子組件不與該復(fù)數(shù)個阻擋單元形成任何重迭狀態(tài)。
首先，該方法根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。若判斷結(jié)果 為是，該方法產(chǎn)生一重新分布模式。其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個阻擋單元的一密度 分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。接著，該方法根據(jù)該重新分布模式以該壅塞 區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。 本發(fā)明提供一種防止壅塞配置方法。該防止壅塞配置方法系用于設(shè)置一電路布 局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻 擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。于此實施例中，由于該復(fù)數(shù)個阻擋單元系 屬于可穿透阻擋區(qū)域，故該復(fù)數(shù)個電子組件與該復(fù)數(shù)個阻擋單元產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。
首先，該方法根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。若判斷結(jié)果 為是，該方法產(chǎn)生一重新分布模式。其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個阻擋單元的一密度 分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。接著，該方法根據(jù)該重新分布模式以該壅塞 區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。
本發(fā)明采用的防止壅塞配置方法及裝置能夠透過相當(dāng)簡單的方式有效地排除原
本電路布局中壅塞的區(qū)域，藉以解決先前技術(shù)中，由于電路布局中的壅塞區(qū)域使得電子組
件間的繞線難以進(jìn)行，因而導(dǎo)致該電路布局無法通過設(shè)計規(guī)則檢查的現(xiàn)象。此外，透過該防
止壅塞配置裝置及方法來解決電路布局中的電子組件壅塞現(xiàn)象并不會造成空間使用率的
降低或是芯片尺寸的增加等負(fù)面影響，甚至還可提高電子組件間繞線的彈性。 關(guān)于本發(fā)明之優(yōu)點與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。


圖1為芯片上的電路布局包含壅塞區(qū)域的示意圖。 圖2為根據(jù)本發(fā)明的第一及第二具體實施例的防止壅塞配置裝置的功能方塊圖。
圖3為阻擋單元的密度分布的范例。 圖4為根據(jù)圖3所示的阻擋單元的密度分布對圖1的電子組件進(jìn)行重新配置后的 分布情形。 圖5為阻擋單元的密度分布的范例。 圖6(A)為由于長信道效應(yīng)所產(chǎn)生的電子組件壅塞現(xiàn)象的示意圖。
圖6(B)為阻擋單元的密度分布的范例。 圖6(C)為根據(jù)圖6(B)所示的阻擋單元的密度分布對圖6(A)的電子組件進(jìn)行重 新配置后的分布情形。 圖7為根據(jù)本發(fā)明的第三及第四具體實施例的防止壅塞配置方法的流程圖。主要組件符號說明





S10 S14 :流程步驟 1 :整體空間 2:防止壅塞配置裝置 22 :模式產(chǎn)生模塊 8 :電路布局 C :組合組件
10 :壅塞區(qū)域 20 :判斷模塊 24 :配置模塊
4 :區(qū)域
5 :循序組件
具體實施例方式
本發(fā)明的主要目的在于提出一種防止壅塞配置裝置及方法。該防止壅塞配置裝置 及方法能夠有效地解決電路布局中所產(chǎn)生的電子組件的壅塞現(xiàn)象，以減少電子組件間繞線 的難度，使得電路布局能夠順利地通過設(shè)計規(guī)則檢查，并增加電路布局設(shè)計時各電子組件 間繞線的彈性。 本發(fā)明的第一具體實施例為一種防止壅塞配置裝置。于此實施例中，該防止壅塞 配置裝置系用于設(shè)置一電路布局。該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該 復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。
實際上，該復(fù)數(shù)個電子組件可以是組合組件(例如NAND或OR)、循序組件 (例如正反器)或其它組件。該復(fù)數(shù)個阻擋單元可以是最小尺寸且不可穿透的阻擋物 (minimum-sized麗-transparent blockage)。由于最小尺寸阻擋物的不可穿透特性，該復(fù)數(shù)個電子組件不與該復(fù)數(shù)個阻擋單元形成任何重迭(overlap)狀態(tài)。
請參照圖2，圖2為該防止壅塞配置裝置的功能方塊圖。如圖2所示，防止壅塞配 置裝置2包含判斷模塊20、模式產(chǎn)生模塊22及配置模塊24。其中判斷模塊20耦接至電路 布局8及模式產(chǎn)生模塊22 ;配置模塊24耦接至模式產(chǎn)生模塊22及電路布局8。接下來，將 分別就防止壅塞配置裝置2的各模塊及其功能進(jìn)行詳細(xì)的介紹。 首先，判斷模塊20將會根據(jù)一判斷規(guī)則判斷電路布局8是否包含一壅塞區(qū)域。于 實際應(yīng)用中，由于當(dāng)配置于某區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度過高時，將會導(dǎo)致該區(qū)域內(nèi)的電子 組件間的繞線變得相當(dāng)困難，因此，該判斷規(guī)則可以和配置于某區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度 是否過高有關(guān)。當(dāng)某區(qū)域的電子組件的密度過高時，判斷模塊20即判定其為壅塞區(qū)域。
舉例而言，該判斷規(guī)則可包含一電子組件密度的臨界值，但不以此為限。當(dāng)判斷模 塊20偵測到電路布局8中的某一區(qū)域內(nèi)的電子組件密度高于臨界值時，代表此區(qū)域內(nèi)所設(shè) 置的電子組件已過于擁擠，很有可能導(dǎo)致繞線困難的現(xiàn)象，此時，判斷模塊20即會判定此 區(qū)域為壅塞區(qū)域。反之，若判斷模塊20判斷的結(jié)果為該區(qū)域內(nèi)的電子組件密度并未高于臨 界值，代表此區(qū)域內(nèi)所設(shè)置的電子組件尚未達(dá)到擁擠的標(biāo)準(zhǔn)，亦即各電子組件間繞線的難 度還在可以接收的范圍內(nèi)，故判斷模塊20并不會判定此區(qū)域為壅塞區(qū)域。
若判斷模塊20的判斷結(jié)果為是，亦即代表該區(qū)域為壅塞區(qū)域，模式產(chǎn)生模塊22 將會產(chǎn)生一重新分布模式。于此實施例中，該重新分布模式可包含該復(fù)數(shù)個阻擋單元的一 密度分布。由于本發(fā)明的目的在于使原本擁擠于中央的電子組件能向外分散，所以阻擋單 元的分布就必須與電子組件相反，亦即阻擋單元的密度分布系呈現(xiàn)一種由內(nèi)向外遞減的型 式。 實際上，阻擋單元的密度分布可以是一隨機(jī)分布，例如可以透過蒙地卡羅法
(Monte Carlo method)產(chǎn)生阻擋單元的密度分布，但不以此為限。此外，阻擋單元的密度分
布除了可以由系統(tǒng)預(yù)設(shè)之外，亦可由使用者自行進(jìn)行相關(guān)的設(shè)定，但不以此為限。 請參照圖3，圖3為阻擋單元的密度分布的一范例。如圖3所示，該些網(wǎng)格線小方
塊即代表阻擋單元，于此例中，阻擋單元系屬于最小尺寸阻擋物，由最內(nèi)部的方框至最外側(cè)
的方框來看，阻擋單元的密度分別是85%、70%、55%、40%、30%、25%、20%及12%，亦即
阻擋單元的密度呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。實際上，上述這些阻擋單元的密度值只是一個
范例，其實際的數(shù)值可能會根據(jù)芯片上不同的電子組件所具有的不同特性而有所差異，故
不以此為限。此外，除了此種由中央以同心(concentric)的形式向外遞減的型式外，亦可
以是由一端點向某單一方向遞減的型式，抑或其它類似的型式，并不以此為限。 若以最內(nèi)部的方框來看，位于該方框內(nèi)的阻擋單元總共占據(jù)了該方框的面積的
85%，亦即該方框的面積只剩下15%的空間可以設(shè)置電子組件；相反地，若以最外側(cè)的方
框來看，位于該方框內(nèi)的阻擋單元總共僅占據(jù)了該方框的面積的12%，亦即該方框的面積
還留下88%的空間可供電子組件設(shè)置。藉此，此種由內(nèi)向外遞減的阻擋單元密度分布即可
有效地改善原本中央?yún)^(qū)域內(nèi)電子組件過于壅塞的現(xiàn)象。 當(dāng)模式產(chǎn)生模塊22產(chǎn)生了該重新分布模式之后，配置模塊24將會根據(jù)該重新分 布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。舉例而言， 若將圖3所示的阻擋單元的密度分布應(yīng)用于圖1所示的芯片上的電路布局進(jìn)行重新配置 后，將會得到如同圖4所示的分布情形。由圖4可知，相較于圖1中的壅塞區(qū)域10，圖4中的區(qū)域4內(nèi)所包含的組合組件c明顯地較少，也就是說，區(qū)域4內(nèi)的組合組件c的密度遠(yuǎn)較 壅塞區(qū)域10內(nèi)的組合組件c的密度來得小。藉此，原本在壅塞區(qū)域10中容易產(chǎn)生的電子 組件間繞線困難的現(xiàn)象，在區(qū)域4中即不復(fù)存在。 很明顯地，此一顯著的改善效果主要可歸功于將上述的由內(nèi)向外遞減的阻擋單元 密度分布應(yīng)用于阻擋單元及電子組件的重新配置，使得在區(qū)域4內(nèi)能夠設(shè)置較多的阻擋單 元，以避免由于電子組件設(shè)置過多所導(dǎo)致的壅塞現(xiàn)象。 值得注意的是，即使經(jīng)過配置模塊24的重新配置后，該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù) 個阻擋單元所造成的間隙比例(empty space ratio)仍將維持不變。以圖1與圖4為例， 圖1中的整體空間1內(nèi)的電子組件密度為70% (阻擋單元密度為30% )，經(jīng)過重新配置后， 圖4中的整體空間4內(nèi)的電子組件密度仍為70% (阻擋單元密度仍為30% )。也就是說， 重新配置后的間隙比例與重新配置前的間隙比例系實質(zhì)相同，根據(jù)本發(fā)明的防止壅塞配置 裝置2并不會對芯片內(nèi)的電子組件空間使用率造成任何不良的影響，故亦不需增大芯片的 面積來達(dá)到防止壅塞的效果，此亦為本發(fā)明的一大優(yōu)點。 本發(fā)明的第二具體實施例亦為一種防止壅塞配置裝置。同樣地，該防止壅塞配置 裝置系應(yīng)用于設(shè)置一電路布局。該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù) 數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。實際上，該復(fù) 數(shù)個電子組件可以是組合組件(例如NAND或0R)、循序組件(例如正反器)或其它組件。
于此實施例中，該防止壅塞配置裝置包含判斷模塊、模式產(chǎn)生模塊及配置模塊。其 中該判斷模塊耦接至該電路布局及該模式產(chǎn)生模塊；該配置模塊耦接至該模式產(chǎn)生模塊及 該電路布局。該判斷模塊系用以根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。若 該判斷模塊的判斷結(jié)果為是，代表該電路布局的某區(qū)域的確出現(xiàn)電子組件的配置過于擁擠 的現(xiàn)象，故該模式產(chǎn)生模塊將會產(chǎn)生一重新分布模式。其中，該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個 阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。接著，該配置模塊將會根 據(jù)該重新分布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。 至于本實施例的防止壅塞配置裝置的功能方塊圖，亦請參照圖2。 本實施例與第一具體實施例最大不同之處在于，本實施例所述的阻擋單元系屬于 可穿透阻擋區(qū)域(transparent blockage)，故電子組件與阻擋單元產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。也 就是說，可穿透阻擋區(qū)域允許部分的電子組件設(shè)置于其中，這與第一具體實施例中的最小 尺寸且不可穿透的阻擋物不允許任何電子組件設(shè)置于其所設(shè)置的位置上，有著很大的不 同。 舉例而言，請參照圖5，圖5為阻擋單元的密度分布的一范例。于此例中，阻擋單元 系屬于可穿透阻擋區(qū)域，如圖5所示，該些方框即代表不同的可穿透阻擋區(qū)域，由最內(nèi)部的 方框至最外側(cè)的方框來看，阻擋單元的密度分別是85% 、70% 、55% 、40% 、30% 、25% 、20% 及12% ，亦即阻擋單元的密度呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。實際上，上述這些阻擋單元的密度 值只是一個范例，其實際的數(shù)值可能會根據(jù)芯片上不同的電子組件所具有的不同特性而有 所差異，故不以此為限。 若以最內(nèi)部的可穿透阻擋區(qū)域來看，其阻擋單元的密度為85%，亦即位于該可穿 透阻擋區(qū)域內(nèi)的阻擋單元以隨機(jī)分布的方式占據(jù)了該可穿透阻擋區(qū)域內(nèi)面積的85%，該可 穿透阻擋區(qū)域的面積只剩下其它15%的空間可以設(shè)置電子組件；相反地，若以最外側(cè)的可穿透阻擋區(qū)域來看，位于該可穿透阻擋區(qū)域內(nèi)的阻擋單元以隨機(jī)分布的方式占據(jù)了該可穿 透阻擋區(qū)域內(nèi)面積的12%，亦即該可穿透阻擋區(qū)域的面積還留下88%的空間可供電子組 件設(shè)置。藉此，透過此種由內(nèi)向外遞減的阻擋單元密度分布即可有效地改善原本中央?yún)^(qū)域 內(nèi)電子組件過于壅塞的現(xiàn)象。 實際上，阻擋單元的密度分布除了最常見的由中央以同心(concentric)的形式
向外遞減的型式外，亦可以是由一端點向某單一方向遞減的型式，如同圖6(B)所示，阻擋
單元的密度分布系由右上方的端點依序向左下方遞減，但并不以此為限。 請參照圖6(A)，圖6(A)為由于長通道(long channel)效應(yīng)所產(chǎn)生的電子組件壅
塞現(xiàn)象的示意圖。如圖6(A)所示，由于各內(nèi)存(例如靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存SRAM或其它型式
的內(nèi)存)之間的狹窄信道導(dǎo)致電子組件間繞線的困難度大幅提高。為了解決此一問題，可
透過圖6(B)所示的阻擋單元的密度分布來達(dá)到降低壅塞區(qū)域內(nèi)的電子組件密度的功效，
最后所得到的分布結(jié)果如同圖6(C)所示。在經(jīng)過重新配置后，原本虛線圓圈內(nèi)所具有較高
的電子組件密度有著顯著的降低，使得電子組件間繞線變得較為容易。 本發(fā)明的第三具體實施例為一種防止壅塞配置方法。該防止壅塞配置方法系用于
設(shè)置一電路布局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組件
及該復(fù)數(shù)個阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。 于此實施例中，該復(fù)數(shù)個電子組件可以是組合組件(例如NAND或0R)、循序組件 (例如正反器)或其它組件。該復(fù)數(shù)個阻擋單元可以是最小尺寸且不可穿透的阻擋物，該復(fù) 數(shù)個電子組件不與該復(fù)數(shù)個阻擋單元形成任何重迭狀態(tài)。 請參照圖7，圖7為該防止壅塞配置方法的流程圖。首先，該方法執(zhí)行步驟S10，根 據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域。于實際應(yīng)用中，由于當(dāng)配置于某區(qū)域 內(nèi)的電子組件的密度過高時，將會導(dǎo)致該區(qū)域內(nèi)的電子組件間的繞線變得相當(dāng)困難，因此， 該判斷規(guī)則可以和配置于某區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度是否過高有關(guān)。舉例而言，當(dāng)某區(qū)域 的電子組件的密度過高時，該方法即可判定其為壅塞區(qū)域。 若步驟S10的判斷結(jié)果為否，該方法即完成所有流程而結(jié)束；若步驟S10的判斷結(jié) 果為是，該方法將會執(zhí)行步驟S12，產(chǎn)生一重新分布模式。其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù) 個阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式。 于此實施例中，該重新分布模式可包含該復(fù)數(shù)個阻擋單元的一密度分布。由于本
發(fā)明的目的在于使原本擁擠于中央的電子組件能向外分散，所以阻擋單元的分布就必須與
電子組件相反，亦即阻擋單元的密度分布系呈現(xiàn)一種由內(nèi)向外遞減的型式。 實際上，阻擋單元的密度分布可屬于隨機(jī)分布的形式，例如可以透過蒙地卡羅法
(Monte Carlo method)產(chǎn)生阻擋單元的密度分布，但不以此為限。此外，阻擋單元的密度分
布除了可以由系統(tǒng)預(yù)設(shè)之外，亦可由使用者自行進(jìn)行設(shè)定。 當(dāng)該方法產(chǎn)生該重新分布模式后，該方法將會執(zhí)行步驟S14，根據(jù)該重新分布模式 以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。舉例而言，若將圖3 所示的阻擋單元的密度分布應(yīng)用于圖1所示的芯片上的電路布局進(jìn)行重新配置后，將會得 到如同圖4所示的分布情形。相較于圖1中的壅塞區(qū)域10，圖4中的區(qū)域4內(nèi)的組合組件 c的密度遠(yuǎn)較壅塞區(qū)域10內(nèi)的組合組件c的密度來得小。藉此，即可有效地避免由于電子 組件設(shè)置過多所導(dǎo)致的壅塞現(xiàn)象。
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值得注意的是，即使經(jīng)過該方法重新配置后，該復(fù)數(shù)個電子組件及該復(fù)數(shù)個阻擋 單元所造成的組件間隙的比例仍將維持不變。也就是說，重新配置后的間隙比例與重新配 置前的間隙比例系實質(zhì)相同，根據(jù)本發(fā)明的防止壅塞配置方法并不會對芯片內(nèi)的電子組件 空間使用率造成任何不良的影響，故亦不需增大芯片的面積來達(dá)到防止壅塞的效果。
本發(fā)明的第四具體實施例亦為一種防止壅塞配置方法。該防止壅塞配置方法系用 于設(shè)置一電路布局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元。該復(fù)數(shù)個電子組 件及該復(fù)數(shù)個阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局。 于此實施例中，首先，該方法根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū) 域。若判斷結(jié)果為否，該方法即完成所有流程而結(jié)束；若判斷結(jié)果為是，該方法產(chǎn)生一重新 分布模式。其中該重新分布模式包含該復(fù)數(shù)個阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn) 由內(nèi)向外遞減的型式。接著，該方法根據(jù)該重新分布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該 復(fù)數(shù)個阻擋單元及該復(fù)數(shù)個電子組件。至于該防止壅塞配置方法的流程圖，亦請參照圖7。
本實施例與第三具體實施例最大的不同之處在于，本實施例所述的阻擋單元系屬 于可穿透阻擋區(qū)域(transparent blockage)，故電子組件與阻擋單元產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。 也就是說，可穿透阻擋區(qū)域允許部分的電子組件設(shè)置于其中，這與第三具體實施例中的最 小尺寸且不可穿透阻擋物所組成的阻擋方式有很大的不同。至于實際應(yīng)用情形可參照第二 具體實施例所述的范例，在此不再贅述。 綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的防止壅塞配置裝置及方法能夠透過相當(dāng)簡單的方式有效
地排除原本電路布局中壅塞的區(qū)域，藉以解決先前技術(shù)中，由于電路布局中的壅塞區(qū)域使
得電子組件間的繞線難以進(jìn)行，因而導(dǎo)致該電路布局無法通過設(shè)計規(guī)則檢查的現(xiàn)象。 此外，值得注意的是，透過該防止壅塞配置裝置及方法來解決電路布局中的電子
組件壅塞現(xiàn)象并不會造成空間使用率的降低或是芯片尺寸的增加等負(fù)面影響，甚至還能增
加電路布局設(shè)計時各電子組件間繞線的彈性。 藉由以上較佳具體實施例的詳述，系希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神， 而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希 望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的專利范圍的范疇內(nèi)。因此，本發(fā) 明所申請的專利范圍的范疇?wèi)?yīng)該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能 的改變以及具相等性的安排。
權(quán)利要求
一種防止壅塞配置方法，應(yīng)用于設(shè)置一電路布局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件及復(fù)數(shù)個阻擋單元，該等電子組件及該等阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布局，其特征在于，該防止壅塞配置方法包含下列步驟(a)根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅塞區(qū)域；(b)若步驟(a)的判斷結(jié)果為是，產(chǎn)生一重新分布模式，其中該重新分布模式包含該等阻擋單元的一密度分布，該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式；以及(c)根據(jù)該重新分布模式以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該等阻擋單元及該等電子組件。
2. 如權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該判斷規(guī)則系與配置于該壅 塞區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度是否過高有關(guān)。
3. 如權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該等阻擋單元為最小尺寸阻 擋物，該等電子組件不與該等阻擋單元形成任何重迭狀態(tài)。
4. 如權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該等阻擋單元為可穿透阻擋 區(qū)域，該等電子組件與該等阻擋單元產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，重新配置后的一間隙比例與 重新配置前的一間隙比例系實質(zhì)相同。
6. 如權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該密度分布系透過隨機(jī)方式 產(chǎn)生。
7. —種防止壅塞配置裝置，應(yīng)用于設(shè)置一電路布局，該電路布局包含復(fù)數(shù)個電子組件 及復(fù)數(shù)個阻擋單元，該等電子組件及該等阻擋單元系以一預(yù)設(shè)配置方式配置于該電路布 局，其特征在于，該防止壅塞配置裝置包含一判斷模塊，耦接至該電路布局，用以根據(jù)一判斷規(guī)則判斷該電路布局是否包含一壅 塞區(qū)域；一模式產(chǎn)生模塊，耦接至該判斷模塊，若該判斷模塊的判斷結(jié)果為是，該模式產(chǎn)生模塊 產(chǎn)生一重新分布模式，其中該重新分布模式包含該等阻擋單元的一密度分布，該密度分布 系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減的型式；以及一配置模塊，耦接至該模式產(chǎn)生模塊及該電路布局，該配置模塊根據(jù)該重新分布模式 以該壅塞區(qū)域為中心重新配置該等阻擋單元及該等電子組件。
8. 如權(quán)利要求7所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該判斷規(guī)則系與配置于該壅 塞區(qū)域內(nèi)的電子組件的密度是否過高有關(guān)。
9. 如權(quán)利要求7所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該等阻擋單元為最小尺寸阻 擋物，該等電子組件不與該等阻擋單元形成任何重迭狀態(tài)。
10. 如權(quán)利要求7所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該等阻擋單元為可穿透阻擋 區(qū)域，該等電子組件與該等阻擋單元產(chǎn)生部分重迭狀態(tài)。
11. 如權(quán)利要求7所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，重新配置后的一間隙比例與 重新配置前的一間隙比例系實質(zhì)相同。
12. 如權(quán)利要求7所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該密度分布系透過隨機(jī)方式 產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防止壅塞配置方法及裝置，可以解決先前技術(shù)中由于電路布局中的壅塞區(qū)域使得電子組件間的繞線難以進(jìn)行，因而導(dǎo)致該電路布局無法通過設(shè)計規(guī)則檢查的現(xiàn)象；且解決電路布局中的電子組件壅塞現(xiàn)象時并不會造成空間使用率的降低或是芯片尺寸的增加等負(fù)面影響，甚至還可提高電子組件間繞線的彈性。它包含判斷模塊、模式產(chǎn)生模塊及配置模塊。該判斷模塊系用以根據(jù)判斷規(guī)則判斷電路布局是否包含壅塞區(qū)域。若判斷模塊之的判斷結(jié)果為是，模式產(chǎn)生模塊將會產(chǎn)生一重新分布模式。該重新分布模式包含阻擋單元之的密度分布。該密度分布系呈現(xiàn)由內(nèi)向外遞減之的型式。該配置模塊系用以根據(jù)重新分布模式以壅塞區(qū)域為中心重新配置阻擋單元及電子組件。
文檔編號G06F17/50GK101739479SQ20081018113
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月25日
發(fā)明者盧建邦, 羅振興 申請人:晨星軟件研發(fā)(深圳)有限公司;晨星半導(dǎo)體股份有限公司