專利名稱:限流保護(hù)裝置及限流保護(hù)方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)于一種限流保護(hù)裝置及其方法,且特別是有關(guān)于一種具有 多個(gè)電流臨限值的限流保護(hù)裝置及其方法。
背景技術(shù):
圖1為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所采用的現(xiàn)有限流保護(hù)裝置的耦接示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1,
標(biāo)示110繪示現(xiàn)有的限流保護(hù)裝置,120繪示用以連結(jié)通用串列總線(universal serial bus,簡(jiǎn)稱USB)周邊裝置的端口,而130則繪示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,與限流 保護(hù)裝置110相關(guān)的電路。在標(biāo)示130中繪示有通用串列總線控制器131及 電阻132,還有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所供應(yīng)的電源電壓VDD1及VDD2。此外,在圖中 所標(biāo)示的GND則表示為共同電位。
此限流保護(hù)裝置110會(huì)去檢測(cè)其所輸出的電流是否有超過(guò)額定的電流臨 限值, 一般設(shè)定為500mA。若沒(méi)有超過(guò)額定的電流臨限值時(shí),限流保護(hù)裝置 110就正常輸出電壓VOUT;而若超過(guò)額定的電流臨限值時(shí),限流保護(hù)裝置 110就停止輸出電壓VOUT,并產(chǎn)生過(guò)載警告信號(hào)OC給通用串列總線控制器 131,以告訴計(jì)算機(jī)系統(tǒng)發(fā)生了過(guò)載的情形。
限流保護(hù)裝置110主要包括有MOS晶體管(metal-oxide semiconductor transistor" 11、電流檢測(cè)單元112、限流控制單元113及驅(qū)動(dòng)單元114。電流 檢測(cè)單元112用以檢測(cè)MOS晶體管111的導(dǎo)通電流值,并據(jù)此產(chǎn)生檢測(cè)結(jié)果 DS。限流控制單元113預(yù)設(shè)有上述的額定電流臨限值,并判定檢測(cè)結(jié)果DS 是否達(dá)到額定的電流臨限值,當(dāng)判定為是時(shí)便產(chǎn)生停止驅(qū)動(dòng)信號(hào)TS及過(guò)載警 告信號(hào)OC。驅(qū)動(dòng)單元114依據(jù)致能信號(hào)EN決定是否啟動(dòng),且當(dāng)驅(qū)動(dòng)單元114 啟動(dòng)時(shí)便輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS,以導(dǎo)通MOS晶體管111,而當(dāng)驅(qū)動(dòng)單元114
接收到停止驅(qū)動(dòng)信號(hào)TS時(shí),便停止輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS。
雖然在現(xiàn)有的技術(shù)中,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過(guò)限流保護(hù)裝置110來(lái)限制輸出至 USB周邊裝置的電流的最大值,然而由于此限流保護(hù)裝置110僅具有一個(gè)電 流臨限值,當(dāng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處于睡眠模式(sleepingmode)時(shí),其電^H供應(yīng)器僅提 供約5伏特(V)的電壓,以及2~2.5安培(A)的電流,此時(shí)如果有多個(gè)聯(lián)結(jié)至計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)的USB周邊裝置沒(méi)有跟著進(jìn)入睡眠模式,仍然消耗大量的電力,便 會(huì)使電源供應(yīng)器超載,導(dǎo)致其輸出電壓下降。如此一來(lái),計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的必要 周邊裝置便無(wú)法獲得維持操作的基本電力,因而無(wú)法正常操作,進(jìn)而使計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)無(wú)法由睡眠模式回復(fù)為正常模式(normal mode)。
正常狀況下,如果每一個(gè)USB周邊裝置都按照規(guī)定來(lái),其實(shí)是不會(huì)造成 電源供應(yīng)器在睡眠模式下超載的,但是市面上還是流通一些USB周邊裝置, 沒(méi)有遵照在睡眠模式下只能消耗2.5mA的USB規(guī)格限制,因此容易導(dǎo)致計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)無(wú)法由睡眠模式回復(fù)為正常模式。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種限流保護(hù)裝置及其方法,其可防止電源供應(yīng) 器在睡眠模式下超載,進(jìn)而使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能順利地由睡眠模式回復(fù)為正常模 式。
本發(fā)明的另一目的是提供一種限流保護(hù)裝置及其方法,其可依照計(jì)算機(jī) 系統(tǒng)的預(yù)設(shè)省電模式種類來(lái)調(diào)整電流臨限值。
本發(fā)明的再一目的是提供一種限流保護(hù)裝置,其預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值, 并可根據(jù)指示信號(hào)來(lái)選擇上述電流臨限值其中之一。
基于上述及其他目的,本發(fā)明提出一種限流保護(hù)裝置。此限流保護(hù)裝置 包括MOS晶體管、電流檢測(cè)單元及限流電路。MOS晶體管的其中一源/漏極 用以接收第一電壓,另一源/漏極用以輸出第二電壓,而柵極則用以接收柵極 驅(qū)動(dòng)信號(hào),據(jù)此決定導(dǎo)通電流的大小。電流檢測(cè)單元用以檢測(cè)MOS晶體管的 導(dǎo)通電流值,據(jù)此產(chǎn)生檢測(cè)結(jié)果。限流電路預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值,并依據(jù) 指示信號(hào)選擇上述電流臨限值其中之一,以及依據(jù)選定的電流臨限值與檢測(cè) 結(jié)果二者之差而產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
基于上述及其他目的,本發(fā)明提出一種限流保護(hù)方法,適用于限制計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)供應(yīng)至通用串列總線周邊裝置的電流大小,其中計(jì)算機(jī)系統(tǒng)具有預(yù)設(shè) 省電模式。此限流保護(hù)方法包括下列步驟首先,定義多個(gè)電流臨限值。接 著,依據(jù)指示信號(hào)選擇上述電流臨限值其中之一,其中指示信號(hào)用來(lái)指示計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)是否處于上述預(yù)設(shè)省電模式其中之一。然后,檢測(cè)供應(yīng)至一通用串 列總線周邊裝置的電流大小。接著,判斷供應(yīng)至上述通用串列總線周邊裝置 的電流大小是否達(dá)到選定的電流臨限值;當(dāng)判斷為是時(shí),將供應(yīng)至通用串列 總線周邊裝置的電流大小箝制在選定的電流臨限值,當(dāng)判斷為否時(shí),正常供 應(yīng)電流至通用串列總線周邊裝置。
本發(fā)明由于設(shè)定有多個(gè)電流臨限值,并可依照指示信號(hào)來(lái)對(duì)應(yīng)選擇不同
狀況的供應(yīng)電流大小。若運(yùn)用本發(fā)明于USB端口時(shí),便可依照計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的 操作模式來(lái)限制提供至USB周邊裝置的電流大小,并防止電源供應(yīng)器在睡眠 模式下超載,進(jìn)而使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能順利地由睡眠模式回復(fù)為正常模式。
圖1為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所采用的現(xiàn)有限流保護(hù)裝置的耦接示意圖。 圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置的內(nèi)部主要電路的方塊圖。 圖3為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的USB 相關(guān)裝置的耦接示意圖。
圖4為圖3的限流保護(hù)裝置210的操作流程圖。
圖5為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的 USB相關(guān)裝置的耦接示意圖。
圖6為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流保護(hù)方法的流程圖。
附圖標(biāo)號(hào)
110、210、 510:限流保護(hù)裝置
111、211: MOS晶體管
112、212:電流檢測(cè)單元
113、213-1、 513-1:限流控制單元
114、213-2:驅(qū)動(dòng)單元
120、320:端口
130、330:標(biāo)示
131、331:通用串列總線控制器
132、332:電阻
213:限流電路
333:進(jìn)階配置及電源介面控制器
401 407、 601-605:步驟
CS:控制信號(hào)
DS:檢測(cè)結(jié)果
EN:致能信號(hào)
GND:共同電位
GS:柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
窗、VOUT:電壓
OC:過(guò)載警告信號(hào)
SP、 SP1 SPN:指示信號(hào)
VDD1、 VDD2、 VDD3:電源電壓
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較 佳實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說(shuō)明如下。 圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置的內(nèi)部主要電路的方塊圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D2,此限流保護(hù)裝置210主要包括有MOS晶體管211、電流檢測(cè)單 元212及限流電路213。 MOS晶體管的其中一源/漏極用以接收電壓VIN,另 一源/漏極用以輸出電壓VOUT,而柵極則用以接收柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS,據(jù)此決 定導(dǎo)通電流的大小。電流檢測(cè)單元212用以檢測(cè)MOS晶體管211的導(dǎo)通電流 值,據(jù)此產(chǎn)生檢測(cè)結(jié)果DS。限流電路213包括有限流控制單元213-1及驅(qū)動(dòng) 單元213-2。限流控制單元213-1預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值,并依據(jù)指示信號(hào)SP 選擇上述電流臨限值其中之一,以及依據(jù)選定的電流臨限值與檢測(cè)結(jié)果DS 二 者之差而產(chǎn)生控制信號(hào)CS。驅(qū)動(dòng)單元213-2依據(jù)致能信號(hào)EN決定是否啟動(dòng), 并依據(jù)控制信號(hào)CS產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS。由于電流檢測(cè)單元212用以檢測(cè) MOS晶體管211的導(dǎo)通電流值,因此此圖中之電流檢測(cè)單元212的耦接方式 僅是用以舉例,使用者可依照實(shí)際的需要而作變更。
此外,當(dāng)限流控制單元213-1判斷檢測(cè)結(jié)果DS達(dá)到選定的電流臨限值時(shí), 限流控制單元213-1還對(duì)應(yīng)輸出過(guò)載警告信號(hào)OC。當(dāng)然,使用者可依照實(shí)際 上的需要而決定是否采用此功能。
由于上述的限流保護(hù)裝置210可設(shè)定多個(gè)電流臨限值,并可依照指示信 號(hào)SP來(lái)對(duì)應(yīng)選擇這些電流臨限值其中之一,因此限流保護(hù)裝置210可以遵照 指示信號(hào)SP所指示的不同狀況來(lái)限制供應(yīng)的電流大小,適合使用于需要依照 不同狀況來(lái)限制供應(yīng)電流大小的場(chǎng)合。以應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的USB端口為例, 則限流保護(hù)裝置210的耦接方式如圖3所示。
圖3為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的USB 相關(guān)裝置的耦接示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3,標(biāo)示210繪示圖2的限流保護(hù)裝置,320 繪示用以連結(jié)USB周邊裝置的端口,而330則繪示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,與限流保 護(hù)裝置210相關(guān)的電路。在標(biāo)示330中繪示有通用串列總線控制器331、電阻 332及進(jìn)階配置及電源介面控制器(advanced configuration and power interface, 簡(jiǎn)稱ACPI)333,還有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所供應(yīng)的電源電壓VDD1、 VDD2及VDD3。
此外,此圖中所標(biāo)示的GND,則表示為共同電位。
假設(shè)限流控制單元213-1預(yù)設(shè)有二個(gè)電流臨限值,分別為500mA及 2.5mA,并假設(shè)于正常模式時(shí),通過(guò)端口 320連結(jié)至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的USB周邊 裝置(未繪示)不能消耗超過(guò)500mA的電流,而于睡眠模式時(shí),所述的USB周 邊裝置也不能消耗超過(guò)2.5mA的電流,那么限流保護(hù)裝置210的操作方式便 可以用圖4來(lái)說(shuō)明。
圖4為圖3的限流保護(hù)裝置210的操作流程圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3及圖4。 限流控制單元213-1依據(jù)指示信號(hào)SP來(lái)判斷計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是否處于睡眠模式(如 步驟401)。若計(jì)算機(jī)系統(tǒng)并非處于睡眠模式,限流控制單元213-1便選擇 500mA作為電流臨限值,并判斷檢測(cè)結(jié)果DS(即輸出電流的大小)是否達(dá)到 500mA(如步驟402)。當(dāng)檢測(cè)結(jié)果DS達(dá)到500mA,使得選定的電流臨限值與 檢測(cè)結(jié)果DS 二者的差為零,則限流控制單元213-1依據(jù)二者之差產(chǎn)生控制信 號(hào)CS,讓驅(qū)動(dòng)單元213-2可依據(jù)控制信號(hào)CS產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS,進(jìn)而控 制MOS晶體管211的導(dǎo)通程度,以將MOS晶體管211的導(dǎo)通電流大小箝制 在500mA,并且限流控制單元213-1還對(duì)應(yīng)發(fā)出過(guò)載警告信號(hào)OC(如步驟 403);當(dāng)限流控制單元213-1判斷檢測(cè)結(jié)果DS未達(dá)到500mA,則控制MOS 晶體管211維持原本的導(dǎo)通程度,以保持原導(dǎo)通電流的大小,進(jìn)而正常供應(yīng) 輸出(如步驟404)。
相反地,若計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處于睡眠模式,則限流控制單元213-1選擇2.5mA 作為電流臨限值,并判斷檢測(cè)結(jié)果DS是否達(dá)到2.5mA(如步驟405)。當(dāng)檢測(cè) 結(jié)果DS達(dá)到2.5mA,使得選定的電流臨限值與檢測(cè)結(jié)果DS 二者之差為零, 則限流控制單元213-1依據(jù)二者之差產(chǎn)生控制信號(hào)CS,讓驅(qū)動(dòng)單元213-2可 依據(jù)控制信號(hào)CS產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)GS,進(jìn)而控制MOS晶體管211的導(dǎo)通 程度,以將MOS晶體管211的導(dǎo)通電流大小箝制在2.5mA,并且限流控制單 元213-1還對(duì)應(yīng)發(fā)出過(guò)載警告信號(hào)OC(如步驟406);當(dāng)限流控制單元213-1判 斷檢測(cè)結(jié)果DS未達(dá)到2.5mA,則控制MOS晶體管211維持原本的導(dǎo)通程度,以保持原導(dǎo)通電流的大小,進(jìn)而正常供應(yīng)輸出(如步驟407)。
圖5為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的 USB相關(guān)裝置的耦接示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3及圖5,經(jīng)過(guò)比較之后應(yīng)可發(fā) 現(xiàn),圖5中的限流保護(hù)裝置510與圖3中的限流保護(hù)裝置210 二者的電路架 構(gòu)幾乎一樣,二者的不同處僅在于限流控制單元513-1可同時(shí)依據(jù)進(jìn)階配置及 電源介面控制器333所輸出的指示信號(hào)SP1 SPN來(lái)選擇多種預(yù)設(shè)電流臨限值 其中之一。
雖然在圖5所示的例子中,指示信號(hào)皆來(lái)自進(jìn)階配置及電源介面控制器 333,但熟知此技術(shù)的人應(yīng)知,只要能據(jù)此反應(yīng)出計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所處的省電模式, 使用者也可指定計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的其他電信號(hào)作為指示信號(hào)。此外,指示信號(hào) 也不限定為模擬或是數(shù)字形式的信號(hào),使用者只需依據(jù)指示信號(hào)的形式來(lái)對(duì) 應(yīng)變更限流控制單元的設(shè)計(jì)即可。
依照上述將限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一 USB端口的實(shí)施例,可 歸納出一種限流保護(hù)方法,如圖6所示。圖6為依照本發(fā)明一實(shí)施例的限流 保護(hù)方法的流程圖。此限流保護(hù)方法包括下列步驟首先,定義多個(gè)電流臨 限值(如步驟601)。接著,依據(jù)指示信號(hào)選擇所述的這些電流臨限值其中之一, 其中上述的指示信號(hào)用來(lái)指示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是否處于多種預(yù)設(shè)省電模式其中之 一(如步驟602)。然后,檢測(cè)供應(yīng)至通用串列總線周邊裝置的電流大小(如步驟 603)。接著,判斷供應(yīng)至通用串列總線周邊裝置的電流大小是否達(dá)到選定的電 流臨限值(如步驟604)。然后,當(dāng)判斷為是時(shí),將供應(yīng)至通用串列總線周邊裝 置的電流大小箝制在選定的電流臨限值;當(dāng)判斷為否時(shí),正常供應(yīng)電流至通 用串列總線周邊裝置(如步驟605)。
以上所列舉的實(shí)施例皆是將限流保護(hù)裝置運(yùn)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的USB相 關(guān)裝置,這是為了說(shuō)明的方便所致,然而這樣的列舉方式并非用以限制本發(fā) 明的限流保護(hù)裝置的運(yùn)用方式。
綜上所述,本發(fā)明由于設(shè)定有多個(gè)電流臨限值,并可依照指示信號(hào)來(lái)對(duì)
應(yīng)選擇不同狀況的供應(yīng)電流大小。若運(yùn)用本發(fā)明于USB端口時(shí),便可依照計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)的操作模式來(lái)限制提供至USB周邊裝置的電流大小,并防止電源供 應(yīng)器在睡眠模式下超載,進(jìn)而使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能順利地由睡眠模式回復(fù)為正常 模式。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何 熟知此技術(shù)的人,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾, 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種限流保護(hù)裝置,包括一MOS晶體管,所述的MOS晶體管的其中一源/漏極用以接收一第一電壓,另一源/漏極用以輸出一第二電壓,而柵極則用以接收一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),據(jù)此決定導(dǎo)通電流的大??;一電流檢測(cè)單元,用以檢測(cè)所述的MOS晶體管的導(dǎo)通電流值,據(jù)此產(chǎn)生一檢測(cè)結(jié)果;以及一限流電路,預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值,并依據(jù)一第一指示信號(hào)選擇所述的些電流臨限值其中之一,以及依據(jù)選定的電流臨限值與所述的檢測(cè)結(jié)果二者之差而產(chǎn)生所述的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2. 如權(quán)利要求1所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的限流電路包括 一限流控制單元,預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值,并依據(jù)所述的第一指示信號(hào)選擇所述的這些電流臨限值其中之一,以及依據(jù)選定的電流臨限值與所述的 檢測(cè)結(jié)果二者之差而產(chǎn)生一控制信號(hào);以及一驅(qū)動(dòng)單元,依據(jù)所述的控制信號(hào)產(chǎn)生所述的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
3. 如權(quán)利要求2所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的第二電壓用以供應(yīng)至 一通用串列總線周邊裝置,且所述的限流控制單元還耦接至一通用串列總線 控制器,當(dāng)所述的檢測(cè)結(jié)果達(dá)到選定的電流臨限值時(shí),所述的限流控制單元 還對(duì)應(yīng)輸出一過(guò)載警告信號(hào)至所述的通用串列總線控制器。
4. 如權(quán)利要求1所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的第一指示信號(hào)來(lái)自于 一進(jìn)階配置及電源介面控制器,該進(jìn)階配置及電源介面控制器設(shè)置于一計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)中,所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)具有多種預(yù)設(shè)省電模式,且所述的第一指示信 號(hào)用于指示所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是否處于所述的這些預(yù)設(shè)省電模式其中之一。
5. 如權(quán)利要求4所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的限流控制單元還接收 一第二指示信號(hào),并依據(jù)所述的第一指示信號(hào)及所述的第二指示信號(hào)選擇所 述的這些電流臨限值其中之一。
6. 如權(quán)利要求5所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的第二指示信號(hào)還來(lái)自 于所述的進(jìn)階配置及電源介面控制器。
7. —種限流保護(hù)方法,適用于限制一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供應(yīng)至一通用串列總線 周邊裝置的電流大小,其中所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)具有多種預(yù)設(shè)省電模式,所述的限流保護(hù)方法包括下列步驟 定義多個(gè)電流臨限值;依據(jù)一第一指示信號(hào)選擇所述的這些電流臨限值其中之一,其中所述的 第一指示信號(hào)用來(lái)指示所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是否處于所述的這些預(yù)設(shè)省電模式 其中之一;檢測(cè)供應(yīng)至一通用串列總線周邊裝置的電流大?。慌袛喙?yīng)至所述的通用串列總線周邊裝置的電流大小是否達(dá)到選定的電 流臨限值;以及當(dāng)判斷為是時(shí),將供應(yīng)至所述的通用串列總線周邊裝置的電流大小箝制 在選定的電流臨限值,當(dāng)判斷為否時(shí),正常供應(yīng)電流至所述的通用串列總線 周邊裝置。
8. 如權(quán)利要求7所述的限流保護(hù)方法,其中所述的第一指示信號(hào)來(lái)自于 一進(jìn)階配置及電源介面控制器,且所述的進(jìn)階配置及電源介面控制器設(shè)置于 所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。
9. 如權(quán)利要求9所述的限流保護(hù)方法,其中在依據(jù)所述的第一指示信號(hào) 選擇所述的這些電流臨限值其中之一的步驟中,還包括同時(shí)依據(jù)一第二指示 信號(hào)選擇所述的這些電流臨限值其中之一 。
10. 如權(quán)利要求11所述的限流保護(hù)裝置,其中所述的第二指示信號(hào)還來(lái) 自于所述的進(jìn)階配置及電源介面控制器。
11. 如權(quán)利要求9所述的限流保護(hù)方法,其中當(dāng)判斷供應(yīng)至所述的通用串 列總線周邊裝置的電流大小達(dá)到選定的電流臨限值時(shí),還對(duì)應(yīng)產(chǎn)生一過(guò)載警 告信號(hào)至一通用串列總線控制器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種限流保護(hù)裝置及限流保護(hù)方法。此限流保護(hù)裝置包括MOS晶體管、電流檢測(cè)單元及限流電路;MOS晶體管的其中一源/漏極用以接收第一電壓,另一源/漏極用以輸出第二電壓,而柵極則用以接收柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),據(jù)此決定導(dǎo)通電流的大小;電流檢測(cè)單元用以檢測(cè)MOS晶體管的導(dǎo)通電流值,據(jù)此產(chǎn)生檢測(cè)結(jié)果;限流電路預(yù)設(shè)有多個(gè)電流臨限值,并依據(jù)指示信號(hào)選擇上述電流臨限值其中之一,以及依據(jù)選定的電流臨限值與檢測(cè)結(jié)果二者的差而產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。本發(fā)明提供的裝置及其方法,可防止電源供應(yīng)器在睡眠模式下超載,進(jìn)而使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能順利地由睡眠模式回復(fù)為正常模式。
文檔編號(hào)G06F1/32GK101373396SQ20071014668
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月24日
發(fā)明者朱炳盈 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司