專利名稱：一種散熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及散熱設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特指—種應(yīng)用于電子處理系統(tǒng)、可使發(fā)熱元件的熱源快速散出的散熱裝置。
技術(shù)背景現(xiàn)今電子處理系統(tǒng)的晶片效能日益提高，其記憶體密度增高，電流流通量增大，導(dǎo)致熱流亦增高；當(dāng)熱流溫度過(guò)高時(shí)，可能熔化電路，導(dǎo)致晶片故障；因此，為使晶片可正常運(yùn)作，普遍的做法是在晶片上設(shè)置一散熱裝置。
現(xiàn)有的散熱裝置由一基座及若干散熱片所組成；散熱片以相互間距方式由基座上方向上延伸；通過(guò)將散熱裝置置于晶片上方，晶片組將熱傳導(dǎo)至基座，再傳遞至散熱片；因散熱片的散熱面積較大，故可將熱源快速導(dǎo)出。
但因晶片組的執(zhí)行效率持續(xù)增加，其所產(chǎn)生的熱源亦隨之增加，現(xiàn)有的散熱裝置已無(wú)法有效散熱；此外，通常散熱裝置的導(dǎo)熱面積逾大，散熱效果愈佳；但現(xiàn)今電腦均朝微小化發(fā)展，內(nèi)部空間相當(dāng)受限，散熱裝置雖設(shè)有散熱片增加導(dǎo)熱面積，但其散熱片數(shù)量卻仍受限于基座的體積；基座無(wú)法擴(kuò)張的結(jié)果，導(dǎo)致散熱效果亦難以提升。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種無(wú)需增加基座體積，即可加速散熱裝置的熱交換效率的散熱裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的包括有一基座，可與熱源接觸；若干散熱片，其間隔設(shè)置于該基座未與所述熱源接觸的一側(cè)；至少一通道，其設(shè)置于所述基座；并可供冷卻液容置或流動(dòng)。
所述通道可內(nèi)含于基座中或外加于所述基座。
所述通道可為至少一管路與該基座緊迫配合而成。
所述通道可與基座一體成型。
所述管路可通過(guò)錫焊或?qū)崮z方式與基座固定。
所述管路可為由高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的管路。
所述基座可為由高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的基座。
所述管路可為由銅、鋁、銅合金或鋁合金的高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的管路。
所述基座可為由銅、鋁、銅合金或鋁合金的高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的基座。
本實(shí)用新型的散熱裝置的通道可與轉(zhuǎn)接頭及轉(zhuǎn)接管相互配合，使若干個(gè)散熱裝置可作串聯(lián)，有效地將其下熱源的熱能帶離，使冷卻液可作持續(xù)式循環(huán)熱交換；本實(shí)用新型的散熱裝置因設(shè)有通道，因此，可在不增加基座面積的情況下，改進(jìn)現(xiàn)有散熱裝置僅靠散熱片單一方式散熱的限制，可有效提高散熱效率。


以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明附圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的立體圖；附圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的側(cè)剖視圖；附圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的使用狀態(tài)圖；
附圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的立體圖；附圖5是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的使用狀態(tài)圖；附圖6是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的立體圖；附圖7是本實(shí)用新型的應(yīng)用組合圖。
附圖圖號(hào)說(shuō)明散熱裝置 1 基座 11散熱片 12通道 13管路 131 轉(zhuǎn)接頭 14轉(zhuǎn)接管 15轉(zhuǎn)接頭 16散熱裝置 2 通道 23管路 231散熱裝置 71、72、73、74通道 711、721、731、741熱源 75、76、77、78轉(zhuǎn)接頭 79轉(zhuǎn)接管 80微型馬達(dá) 8具體實(shí)施方式
見圖1、2，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例視圖；該散熱裝置包括一基座11、若干散熱片12及一通道13，基座11由高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材質(zhì)所組成，其底端可與一熱源(圖中未示出)接觸；例如南、北橋晶片或中央處理器；基座11可謂壓鑄成型(亦或鋁擠壓、線切割、CNC工具機(jī)制作及磨具成型等方式制作)；散熱片12間隔設(shè)置于基座11的上側(cè)，由基座11向上延伸，散熱片12具有增加散熱面積的功效；通道13外加于基座11上，且可設(shè)于若干散熱片12之間；通道13為一由高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材質(zhì)所組成的管路131，高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材質(zhì)為銅(亦或鋁、銅合金、及鋁合金等)。管路131與基座11緊迫配合形成，亦可通過(guò)錫焊或?qū)崮z的方式加強(qiáng)固定；管路131可供冷卻液容置或流動(dòng)。
另外，請(qǐng)見圖3，散熱裝置1的管路131可連接一轉(zhuǎn)接頭14，因散熱裝置1與另外一散熱裝置2非設(shè)于同一直線上，故轉(zhuǎn)接頭14又連接一呈彎曲狀的轉(zhuǎn)接管15，轉(zhuǎn)接管15再連接一轉(zhuǎn)接頭16與散熱裝置2的管路231連通；通過(guò)轉(zhuǎn)接頭14、16與轉(zhuǎn)接管15的配合，散熱裝置1及2的管路131及231得以相互連通，使置于管路131及231內(nèi)的冷卻液可通過(guò)流動(dòng)而將熱能帶離熱源。
見圖4、5，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例視圖；在本實(shí)施例中，散熱裝置1的通道13內(nèi)含于基座11中，其可與基座11一體成型；由圖5可知，當(dāng)散熱裝置1與另一散熱裝置2需連通時(shí)，僅需在通道13上裝置一轉(zhuǎn)接頭14，通過(guò)轉(zhuǎn)接頭14與一轉(zhuǎn)接管15連接，轉(zhuǎn)接管15的另一端再接合一與通道23相接的轉(zhuǎn)接頭16，使散熱裝置1與散熱裝置2的通道13與23可相互連通；藉此，可供置于通道13與23內(nèi)的冷卻液可作持續(xù)式的循環(huán)熱交換。
見圖6，為本實(shí)用新型第三實(shí)施例視圖；本實(shí)施例與前述第二實(shí)施例的區(qū)別在于在本實(shí)施例中，散熱裝置1于基座11內(nèi)設(shè)有兩通道13及14；當(dāng)散熱裝置1的通道13及14須與其他散熱裝置(圖中未示出)的通道連通，使其內(nèi)的冷卻液循環(huán)時(shí)，可通過(guò)如前述實(shí)施例所示的轉(zhuǎn)接頭及轉(zhuǎn)接管方式，使兩者相連接。
見圖7，為本實(shí)用新型的應(yīng)用組合圖；如圖所示，散熱裝置71具有通道711，散熱裝置72具有通道721，散熱裝置73具有通道731，散熱裝置74具有通道741；散熱裝置71、72、73及74分別設(shè)于熱源75、76、77及78上；通過(guò)通道711、721、731及741于若干轉(zhuǎn)接頭79及若干個(gè)不同形狀的轉(zhuǎn)接管80的相互配合，可使散熱裝置71、72、73及74的通道711、721、731及741作串聯(lián)，其內(nèi)的冷卻液得以連通；除此之外，更可設(shè)有一微型馬達(dá)81，與已串聯(lián)連接的散熱裝置71、72、73及74連接，馬達(dá)81提供的壓力可加速通道711、721、731及741內(nèi)的冷卻液的流通速度。
以上所述僅為本實(shí)用新型的部分實(shí)施例，并不是對(duì)本實(shí)用新型范圍的限定；凡依本實(shí)用新型所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍。
權(quán)利要求1.一種散熱裝置，其特征在于包括有一基座，可與熱源接觸；若干散熱片，其間隔設(shè)置于該基座未與所述熱源接觸的一側(cè)；至少一通道，其設(shè)置于所述基座；并可供冷卻液容置或流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于所述通道可內(nèi)含于基座中或外加于所述基座。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的散熱裝置，其特征在于所述通道可為至少一管路與該基座緊迫配合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的散熱裝置，其特征在于所述通道可與基座一體成型。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的散熱裝置，其特征在于所述管路可通過(guò)錫焊或?qū)崮z方式與基座固定。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的散熱裝置，其特征在于所述管路可為由高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的管路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于所述基座可為由高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的基座。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的散熱裝置，其特征在于所述管路可為由銅、鋁、銅合金或鋁合金的高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的管路。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的散熱裝置，其特征在于所述基座可為由銅、鋁、銅合金或鋁合金的高熱傳導(dǎo)系數(shù)材質(zhì)所組成的基座。
專利摘要一種散熱裝置，涉及散熱設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有無(wú)法滿足晶片的要求有效提升散熱效率的問(wèn)題；其技術(shù)方案是包括有一基座，可與熱源接觸；若干散熱片，其間隔設(shè)置于該基座未與所述熱源接觸的一側(cè)；至少一通道，其設(shè)置于所述基座；并可供冷卻液容置或流動(dòng)。本實(shí)用新型可在不增加基座面積的情況下，改進(jìn)現(xiàn)有散熱裝置僅靠散熱片單一方式散熱的限制，可有效提高散熱效率?？梢詮V泛應(yīng)用于所有晶片的散熱中。
文檔編號(hào)G06F1/20GK2877208SQ20062000517
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2006年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月19日
發(fā)明者林培熙 申請(qǐng)人:曜越科技股份有限公司