專利名稱：基于金剛石薄膜的微通道式散熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，可用于微電子器件的熱控制，屬于微機電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著IC集成電路集成度的不斷提高，微電子器件的熱控制面臨著巨大的挑戰(zhàn)。而微通道式散熱器被認為是目前一種理想的微電子器件冷卻器件，其突出優(yōu)點是散熱板與熱源器件間的距離較傳統(tǒng)外置式風(fēng)扇大為縮短，傳熱阻力大為降低；微通道比表面積大，使得單位體積內(nèi)的換熱面積大為提高，換熱量大大增加；微通道式散熱器質(zhì)量輕，體積小，能夠與微電子器件較好地匹配使用。近年來微型機電系統(tǒng)設(shè)計與加工技術(shù)的迅速發(fā)展，為這種微通道式散熱器實現(xiàn)提供了更加堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。
微通道式散熱器一般包括散熱板、微通道及工作流體三個主要部分。熱量從散熱板上表面的熱源器件首先傳遞到散熱板上表面，然后通過固體熱傳導(dǎo)傳遞到散熱板下表面，再通過固體與液體的對流換熱傳遞給流動的工作流體，最后，通過工作流體流動把熱量快速輸運到遠離熱源器件的部位，實現(xiàn)對熱源器件的溫度控制。從熱量散逸的過程分析，微通道式散熱器的散熱阻力主要來源于以下幾個方面熱源器件與散熱板上表面之間的熱交換熱阻、散熱板的導(dǎo)熱熱阻、工作流體與散熱板下表面以及微通道壁的對流換熱熱阻以及工作流體自身的對流熱阻。從影響這些熱阻的因素綜合考慮，能夠提高微通道散熱器性能的技術(shù)措施主要包括兩個方面其一是采用高熱導(dǎo)率的結(jié)構(gòu)材料制備散熱器以促進結(jié)構(gòu)內(nèi)部熱傳導(dǎo)，特別是散熱板材料的熱導(dǎo)率至為關(guān)鍵；其二是采取優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計以強化結(jié)構(gòu)與流體熱交換和流體的熱輸運能力。傳統(tǒng)的通道散熱器大多采用純銅材料制作，微通道散熱器則主要采用單晶硅材料制作，這是因為單晶硅的各向異性刻蝕是目前實現(xiàn)高深寬比微通道的最具可行性方案，當(dāng)然，也可以使用X射線深度光刻電鑄成型技術(shù)進行銅基微通道加工。
Skidmore.J.A等人在Applied Physics Letters(應(yīng)用物理通訊)2000.77(1)10發(fā)表了Silicon monolithic microchannel-cooled laser diodearray(適用于激光二極管陣列的單片集成微通道式散熱器)一文，其中提到的微通道式散熱器通過硅基體和硅酸鹽玻璃基體內(nèi)特殊的微通道結(jié)構(gòu)實現(xiàn)工作流體沿縱橫方向的均布流動輸運散熱板下表面的熱量，達到高效率熱交換的目的。但是它的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，基底由硅基體和硅酸鹽玻璃基體鍵合成型，硅基體上縱向平行間隔排布的倒V字形微通道列和硅酸鹽玻璃基體上相鄰的兩個縱向微通道構(gòu)成微通道基本組成單元。另外，直接將存在厚度較大區(qū)域的硅基體作為散熱板，增大了散熱器的熱阻，雖然具備一定的可行性，但仍然存在較大的改進空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對目前微型散熱器設(shè)計所存在的不足，提出一種基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，將金剛石薄膜與微流體通道相結(jié)合，既能夠充分利用金剛石薄膜高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，又可以通過銅或硅基底上簡單的微通道結(jié)構(gòu)實現(xiàn)工作流體的高效率熱交換。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用金剛石薄膜作為散熱板，微流體通道則加工在銅或硅的基底上，通過鍵合層將金剛石薄膜散熱板和包含微流體通道的基底鍵合成型，構(gòu)成一種微流體優(yōu)化控制的金剛石薄膜微通道式散熱器?；變蛇叿謩e開有橫向?qū)胫鞴艿兰皺M向?qū)С鲋鞴艿?，微通道基本組成單元平行間隔排布在橫向?qū)胫鞴艿篮蜋M向?qū)С鲋鞴艿乐g，每個微通道基本組成單元中，縱向?qū)敕止艿赖倪M口與橫向?qū)胫鞴艿肋B通，縱向?qū)С龇止艿赖某隹谂c橫向?qū)С鲋鞴艿肋B通，縱向?qū)敕止艿琅c縱向?qū)С龇止艿乐g均勻排布橫向連通管道，橫向?qū)胫鞴艿赖倪M口及橫向?qū)С鲋鞴艿赖某隹谂c外部工作流體供給系統(tǒng)相連，構(gòu)成工作流體循環(huán)回路。金剛石薄膜散熱板采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法在拋光硅片上制備而成，其平整上表面直接粘接熱源器件，其粗糙下表面與基底上表面通過鍵合層鍵合。本發(fā)明借助金剛石薄膜散熱板的高熱導(dǎo)率特性減小散熱器熱阻，并且通過工作流體沿縱橫方向的均布流動，實現(xiàn)高效率的均勻熱交換。
本發(fā)明中，所述橫向?qū)胫鞴艿篮蜋M向?qū)С鲋鞴艿赖慕Y(jié)構(gòu)相同，橫向?qū)胫鞴艿赖臋M截面積大于或等于與其相連的所有縱向?qū)敕止艿罊M截面積之和，橫向?qū)С鲋鞴艿赖臋M截面積大于或等于與其相連的所有縱向?qū)С龇止艿罊M截面積之和。
所述縱向?qū)敕止艿篮涂v向?qū)С龇止艿赖慕Y(jié)構(gòu)相同，縱向?qū)敕止艿馈⒖v向?qū)敕止艿赖臋M截面積分別大于或等于與其相連的所有橫向連通管道橫截面積之和。
所述橫向連通管道的寬度取值，應(yīng)保證在縱向?qū)敕止艿篮涂v向?qū)С龇止艿赖拈g隔內(nèi)，以小于或等于橫向連通管道的寬度但至少大于100微米的間隔距離，縱向平行分布兩個到兩個以上的橫向連通管道。
熱源器件工作時與金剛石薄膜散熱板上表面產(chǎn)生熱量交換，熱量經(jīng)熱傳導(dǎo)由金剛石薄膜散熱板傳遞到其下表面。與此同時，工作流體由外部的供給系統(tǒng)送入基底微通道系統(tǒng)后，再返回先前的供給系統(tǒng)，不斷的循環(huán)流動。工作流體在微通道系統(tǒng)中沿縱橫方向均布流動，實現(xiàn)了高效率均勻熱交換。工作流體在進入橫向連通管道列時與金剛石薄膜散熱板下表面的對流換熱是散熱過程的關(guān)鍵所在。本發(fā)明一方面通過增加橫向連通管道的長度，增大其水平表面積來增加工作流體與金剛石薄膜散熱板的接觸面積，另一方面加工高深寬比的縱向?qū)敕止艿篮涂v向?qū)С龇止艿辣ＷC進入橫向連通管道列的工作流體流量充足穩(wěn)定。由于本發(fā)明使用的金剛石薄膜散熱板厚度為5～50微米，加之金剛石薄膜的高熱導(dǎo)率特性，使其上表面和下表面之間的熱傳導(dǎo)基本發(fā)生在豎直方向，大大降低了導(dǎo)熱熱阻。此外，巧妙利用金剛石薄膜熱絲化學(xué)氣相沉積生長過程中形成粗糙的生長面和平整的結(jié)合面的特點，使用其生長面作為與包括微通道系統(tǒng)的基底的上表面鍵合的表面，增加了工作流體與金剛石薄膜散熱板的對流換熱面積，促進了傳熱效率的提高；同時利用結(jié)合面作為與熱源器件的接觸面，保證了熱源器件與散熱器之間的緊密接觸。


圖1是本發(fā)明的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1中基底1，鍵合層2，金剛石薄膜散熱板3，橫向?qū)胫鞴艿?，縱向?qū)敕止艿?，橫向連通管道6，縱向?qū)С龇止艿?，橫向?qū)С鲋鞴艿?，微通道基本組成單元9。
圖2是本發(fā)明基底微通道布局示意圖。
圖2中基底1，橫向?qū)胫鞴艿?，縱向?qū)敕止艿?，橫向連通管道6，縱向?qū)С龇止艿?，橫向?qū)С鲋鞴艿?，微通道基本組成單元9。
圖3是本發(fā)明的工作流體流動方式圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步說明。
本發(fā)明設(shè)計的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器的三維結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基底1，鍵合層2，金剛石薄膜散熱板3，橫向?qū)胫鞴艿?，橫向?qū)С鲋鞴艿?，以及由縱向?qū)敕止艿?、橫向連通管道6、縱向?qū)С龇止艿?構(gòu)成的微通道基本組成單元9。
在基底1的兩邊分別開有橫向?qū)胫鞴艿?及橫向?qū)С鲋鞴艿?，微通道基本組成單元9平行間隔排布在橫向?qū)胫鞴艿?和橫向?qū)С鲋鞴艿?之間。微通道基本組成單元9由縱向?qū)敕止艿?，縱向?qū)С龇止艿?及橫向連通管道6構(gòu)成。每個微通道基本組成單元9中，縱向?qū)敕止艿?的進口與橫向?qū)胫鞴艿?連通，縱向?qū)С龇止艿?的出口與橫向?qū)С鲋鞴艿?連通，在縱向?qū)敕止艿?與縱向?qū)С龇止艿?之間均勻排布橫向連通管道6。橫向?qū)胫鞴艿?的進口及橫向?qū)С鲋鞴艿?的出口與外部的工作流體供給系統(tǒng)相連，構(gòu)成工作流體循環(huán)回路。金剛石薄膜散熱板3采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法在拋光硅片上制備而成，其下表面為制備金剛石薄膜時產(chǎn)生的粗糙生長面，通過鍵合層2沿圖1所示箭頭方向與包含有微通道系統(tǒng)的基底1的上表面鍵合，封閉微通道系統(tǒng)。圖1中包含斜劃線的面為鍵合的表面。金剛石薄膜散熱板3的上表面為與拋光硅片的平整結(jié)合面，與熱源器件直接粘接。
圖2是本發(fā)明基底上微通道平面布局示意圖。如圖2所示，在基底1的兩邊分別開有橫向?qū)胫鞴艿?及橫向?qū)С鲋鞴艿?，圖2中圈出的是微通道基本組成單元9，平行間隔排布在橫向?qū)胫鞴艿?和橫向?qū)С鲋鞴艿?之間。每個微通道基本組成單元9中，縱向?qū)敕止艿?的進口與橫向?qū)胫鞴艿?連通，縱向?qū)С龇止艿?的出口與橫向?qū)С鲋鞴艿?連通，在縱向?qū)敕止艿?與縱向?qū)С龇止艿?之間均勻排布橫向連通管道6。橫向?qū)胫鞴艿?的進口及橫向?qū)С鲋鞴艿?的出口與外部的工作流體供給系統(tǒng)相連。
本發(fā)明的工作流體流動方式如圖3所示，工作流體從橫向?qū)胫鞴艿?進入各個微通道基本組成單元9，然后流經(jīng)縱向?qū)敕止艿?，橫向連通管道6，縱向?qū)С龇止艿?，最后由橫向?qū)С鲋鞴艿?流出，回到先前的外部供給系統(tǒng)，由此不斷的循環(huán)流動。工作流體在微通道系統(tǒng)內(nèi)既存在縱向流動，也存在橫向流動。
本發(fā)明中的工作流體，可選用去離子水、氟利昂或乙醇等具有較高體積比熱容的液體。
本發(fā)明具體實施時，應(yīng)用MEMS加工工藝在基底1上制作微通道系統(tǒng)，根據(jù)材料選擇合適的微加工工藝，加工出具有高深寬比結(jié)構(gòu)的微通道系統(tǒng)。各部分尺寸范圍及相應(yīng)的要求如下基底1材料選用硅或銅。其結(jié)構(gòu)尺寸范圍厚500～2000微米，寬500～20000微米，長500～20000微米。
橫向?qū)胫鞴艿?和橫向?qū)С鲋鞴艿?結(jié)構(gòu)相同，橫向?qū)胫鞴艿?橫截面積應(yīng)該大于或等于與其相連的所有縱向?qū)敕止艿?的橫截面積之和。同樣的，橫向?qū)С鲋鞴艿?橫截面積應(yīng)該大于或等于與其相連的所有縱向?qū)С龇止艿?橫截面積之和。在滿足上述要求后，橫向?qū)胫鞴艿?和橫向?qū)С鲋鞴艿?的結(jié)構(gòu)尺寸變化范圍深在50～1200微米之間，寬在100～2000微米之間，長在400～15000微米之間。
縱向?qū)敕止艿?和縱向?qū)С龇止艿?結(jié)構(gòu)相同，縱向?qū)敕止艿?的橫截面積應(yīng)該大于或等于與其相連的所有橫向連通管道6的橫截面積之和；縱向?qū)敕止艿?的橫截面積應(yīng)該大于或等于與其相連的所有橫向連通管道6的橫截面積之和。在滿足上述要求后，縱向?qū)敕止艿?和縱向?qū)С龇止艿?的結(jié)構(gòu)尺寸變化范圍深在10～1000微米之間，寬在100～1000微米之間，長在300～5000微米之間。
橫向連通管道6的寬要足夠小，其取值要保證在縱向?qū)敕止艿?和縱向?qū)С龇止艿?的間隔內(nèi)，以小于或等于橫向連通管道6的寬度但至少大于100微米的間隔距離，縱向平行分布兩個到兩個以上的橫向連通管道6。在滿足上述要求后，橫向連通管道6的結(jié)構(gòu)尺寸變化范圍深在5～100微米之間，寬在100～600微米之間，長在20～1000微米之間。
微通道系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)布局尺寸以圖2所示的平面圖為參考，以垂直紙面向內(nèi)的方向為投影方向描述微通道各個側(cè)邊，具體布局要求如下一、橫向?qū)胫鞴艿?下側(cè)邊、橫向?qū)胫鞴艿?右側(cè)邊、橫向?qū)С鲋鞴艿?上側(cè)邊、橫向?qū)С鲋鞴艿?左側(cè)邊、第一個微通道基本單元9內(nèi)縱向?qū)敕止艿?的左側(cè)邊、最后一個微通道基本組成單元9內(nèi)縱向?qū)С龇止艿?的右側(cè)邊與基底1周圍相鄰側(cè)邊間距均在100～1000微米范圍內(nèi)變化；二、縱向?qū)敕止艿?、橫向連通管道6列以及縱向?qū)С龇止艿?組成的微通道基本組成單元9在橫向?qū)胫鞴艿?和橫向?qū)С鲋鞴艿?之間平行間隔排布，相鄰單元間距在100～500微米范圍內(nèi)變化，單元數(shù)量多少根據(jù)具體設(shè)計確定。三、橫向連通管道6縱向平行間隔排布在縱向?qū)敕止艿?和縱向?qū)С龇止艿?之間，相鄰的橫向連通管道6縱向間距在100～600微米范圍變化，其數(shù)量多少根據(jù)具體設(shè)計而定；四、縱向?qū)敕止艿?上側(cè)邊與橫向?qū)С鲋鞴艿?下側(cè)邊間距在100～500微米范圍內(nèi)變化，縱向?qū)С龇止艿?下側(cè)邊與橫向?qū)胫鞴艿?上側(cè)邊間距在100～500微米范圍內(nèi)變化。
本發(fā)明中的金剛石薄膜散熱板3通過熱絲化學(xué)氣相沉積方法在拋光硅片上制備，根據(jù)不同的要求選擇工藝參數(shù)，其厚度在5～50微米范圍。由于熱絲化學(xué)氣相沉積工藝的原因，一般制備的金剛石薄膜生長面比較粗糙，而與拋光硅片的結(jié)合面則具有可與拋光硅片相比擬的平整度。本發(fā)明整體設(shè)計中使用粗糙的生長表面作為金剛石薄膜散熱板3的下表面，與基底1上表面通過鍵合層2鍵合。制備好的金剛石薄膜先不暴露平整的結(jié)合面，保留其背部的拋光硅片備用。
本發(fā)明針對不同的基底1材料選用不同材料的鍵合層2如果選擇銅作為基底材料，則可使用錫作為鍵合層材料；如果選擇硅作為基底材料，則可使用金作為鍵合層材料。在備用的金剛石薄膜的粗糙面上通過濺射，光刻，電鍍等方法形成圖形化的鍵合層2，之后將基底1帶有微通道的上表面與帶有圖形化的鍵合層2的金剛石薄膜散熱板3通過精確對準(zhǔn)組合，置入回流焊爐中在適當(dāng)?shù)臏囟认骆I合成型。
在整體鍵合成型之后，使用夾具保護基底1結(jié)構(gòu)，將器件放入堿性溶液(例如KOH溶液)中進行單面刻蝕，去除金剛石薄膜背部的拋光硅片，露出平整的金剛石薄膜結(jié)合面，而此時的金剛石薄膜即成為具有平整上表面的金剛石薄膜散熱板3。
本發(fā)明的微通道散熱器工作時將需要冷卻的熱源器件直接粘接在金剛石薄膜散熱板3平整的上表面，熱源器件與金剛石薄膜散熱板3上表面產(chǎn)生熱量交換，熱量經(jīng)熱傳導(dǎo)由金剛石薄膜散熱板3傳遞到其下表面。與此同時，在熱源器件工作之前啟動的外部工作流體供給系統(tǒng)，將工作流體送入微通道內(nèi)循環(huán)流動，工作流體在微通道系統(tǒng)中沿縱橫方向均布流動，經(jīng)高效的對流換熱迅速帶走金剛石薄膜散熱板3下表面的熱量，后進入先前的供給系統(tǒng)，不斷的循環(huán)散熱。
權(quán)利要求
1.一種基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，包括基底(1)，鍵合層(2)和散熱板，其特征在于還包括橫向?qū)胫鞴艿?4)，橫向?qū)С鲋鞴艿?8)，以及由縱向?qū)敕止艿?5)、橫向連通管道(6)、縱向?qū)С龇止艿?7)構(gòu)成的微通道基本組成單元(9)，在基底(1)的兩邊分別開有橫向?qū)胫鞴艿?4)及橫向?qū)С鲋鞴艿?8)，微通道基本組成單元(9)平行間隔排布在橫向?qū)胫鞴艿?4)和橫向?qū)С鲋鞴艿?8)之間；每個微通道基本組成單元(9)中，縱向?qū)敕止艿?5)的進口與橫向?qū)胫鞴艿?4)連通，縱向?qū)С龇止艿?7)的出口與橫向?qū)С鲋鞴艿?8)連通，在縱向?qū)敕止艿?5)與縱向?qū)С龇止艿?7)之間均勻排布橫向連通管道(6)，橫向?qū)胫鞴艿?4)的進口及橫向?qū)С鲋鞴艿?8)的出口與外部的工作流體供給系統(tǒng)相連，構(gòu)成工作流體循環(huán)回路；所述散熱板為采用熱絲化學(xué)氣相沉積方法在拋光硅片上制備而成的金剛石薄膜散熱板(3)，金剛石薄膜散熱板(3)的下表面為制備金剛石薄膜時產(chǎn)生的粗糙生長面，通過鍵合層(2)與基底(1)的上表面鍵合，封閉微通道系統(tǒng)，金剛石薄膜散熱板(3)的上表面為與拋光硅片的平整結(jié)合面，與熱源器件直接粘接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于所述橫向?qū)胫鞴艿?4)的橫截面積大于或等于與其相連的所有縱向?qū)敕止艿?5)橫截面積之和，所述橫向?qū)С鲋鞴艿?8)的橫截面積大于或等于與其相連的所有縱向?qū)С龇止艿?7)橫截面積之和，橫向?qū)胫鞴艿?4)和橫向?qū)С鲋鞴艿?8)的結(jié)構(gòu)相同，尺寸范圍為深50～1200微米，寬100～2000微米，長400～15000微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于所述縱向?qū)敕止艿?5)、縱向?qū)敕止艿?7)的橫截面積分別大于或等于與其相連的所有橫向連通管道(6)橫截面積之和，縱向?qū)敕止艿?5)和縱向?qū)С龇止艿?7)的結(jié)構(gòu)相同，尺寸范圍為深10～1000微米，寬100～1000微米，長300～5000微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于所述橫向連通管道(6)的寬度取值保證在縱向?qū)敕止艿?5)和縱向?qū)С龇止艿?7)的間隔內(nèi)，以小于或等于橫向連通管道(6)的寬度但至少大于100微米的間隔距離，縱向平行分布兩個到兩個以上的橫向連通管道(6)；在滿足上述要求后，橫向連通管道(6)的結(jié)構(gòu)尺寸范圍為深5～100微米，寬100～600微米，長20～1000微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于所述橫向?qū)胫鞴艿?4)下側(cè)邊、橫向?qū)胫鞴艿?4)右側(cè)邊、橫向?qū)С鲋鞴艿?8)上側(cè)邊、橫向?qū)С鲋鞴艿?8)左側(cè)邊、第一個微通道基本組成單元(9)內(nèi)縱向?qū)敕止艿?5)的左側(cè)邊、最后一個微通道基本組成單元(9)內(nèi)縱向?qū)С龇止艿?7)的右側(cè)邊與基底(1)周圍相鄰側(cè)邊間距為100～1000微米，縱向?qū)敕止艿?5)上側(cè)邊與橫向?qū)С鲋鞴艿?8)下側(cè)邊間距為100～500微米，縱向?qū)С龇止艿?7)下側(cè)邊與橫向?qū)胫鞴艿?4)上側(cè)邊間距為100～500微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于相鄰的微通道基本組成單元(9)間距為100～500微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于相鄰的橫向連通管道(6)間距為100～600微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，其特征在于所述工作流體為去離子水、氟利昂或乙醇。
全文摘要
一種基于金剛石薄膜的微通道式散熱器，基底兩邊分別開有橫向?qū)胫鞴艿兰皺M向?qū)С鲋鞴艿溃⑼ǖ阑窘M成單元平行間隔排布在橫向?qū)胫鞴艿篮蜋M向?qū)С鲋鞴艿乐g，每個微通道基本組成單元中，縱向?qū)敕止艿赖倪M口與橫向?qū)胫鞴艿肋B通，縱向?qū)С龇止艿赖某隹谂c橫向?qū)С鲋鞴艿肋B通，縱向?qū)敕止艿琅c縱向?qū)С龇止艿乐g均勻排布橫向連通管道。橫向?qū)胫鞴艿赖倪M口及橫向?qū)С鲋鞴艿赖某隹谂c外部工作流體供給系統(tǒng)相連，構(gòu)成工作流體循環(huán)回路。金剛石薄膜散熱板平整上表面粘接熱源器件，粗糙下表面與基底上表面通過鍵合層鍵合。本發(fā)明借助金剛石薄膜散熱板的高熱導(dǎo)率特性減小散熱器熱阻，通過工作流體沿縱橫方向的均布流動，實現(xiàn)高效率均勻熱交換。
文檔編號G06F1/20GK1794444SQ20051011020
公開日2006年6月28日 申請日期2005年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月10日
發(fā)明者丁桂甫, 王艷, 張東梅 申請人:上海交通大學(xué)