專利名稱：提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及存儲控制技術，尤其涉及提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置及方法。
背景技術：
隨著個人電腦的普及，各種數(shù)字產(chǎn)品與人們的工作生活關系日益密切，隨之而來的大量數(shù)據(jù)的處理及攜帶便成為急需解決的問題，因而各種移動存儲設備層出不窮，而半導體存儲設備因體積小、容量大，高速存取、攜帶方便，性能穩(wěn)定、不易損壞等優(yōu)點而得到了越來越普及的應用。
目前的半導體存儲設備由控制模塊與存儲介質(zhì)構成，主機系統(tǒng)通過該控制模塊對存儲介質(zhì)進行數(shù)據(jù)讀寫操作，該控制模塊與主機系統(tǒng)之間可通過各種數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議進行通信，該通信內(nèi)容包括發(fā)送指令及進行數(shù)據(jù)傳輸，控制模塊接收指令及數(shù)據(jù)后再根據(jù)該指令對存儲介質(zhì)進行相應的數(shù)據(jù)操作，因為存儲介質(zhì)固有的讀寫特性，主機系統(tǒng)與控制模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸速度遠大于控制模塊對存儲介質(zhì)的讀寫操作速度，所以控制模塊對存儲介質(zhì)的讀寫操作速度便成為主機系統(tǒng)與存儲介質(zhì)之間進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i。
例如，目前廣泛應用的以USB協(xié)議進行數(shù)據(jù)傳輸、以閃存介質(zhì)(FLASHMemory)作為存儲介質(zhì)的移動存儲設備，USB2.0推出后，主機系統(tǒng)與該存儲設備的控制模塊間的速度可達到480Mbps，而因為閃存介質(zhì)固有的讀寫特性的限制，對8bit閃存介質(zhì)的數(shù)據(jù)操作速度最高只能達到160bps，且目前上述移動存儲設備的控制模塊對于閃存介質(zhì)采用單通道的控制方法，每次只能對一片閃存介質(zhì)讀寫，如果是單片8bit閃存介質(zhì)，實驗室最高傳輸速度為讀數(shù)據(jù)80bps，寫速度64bps；如果是單片16bit閃存介質(zhì)，實驗室最高傳輸速度為讀數(shù)據(jù)160bps，寫速度128bps，顯然這種控制模式下的控制模塊對閃存介質(zhì)的數(shù)據(jù)存取速度遠低于主機系統(tǒng)與控制模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸速度，未能充分利用主機系統(tǒng)與控制模塊之間的高數(shù)據(jù)傳輸率，進而限制了主機系統(tǒng)與存儲介質(zhì)之間數(shù)據(jù)存取速度。
因此，如何提供一種提高數(shù)據(jù)存取速度的方法及移動存儲裝置成為亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在現(xiàn)有技術基礎上，針對現(xiàn)有技術應用領域的不足，提供一種提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置及方法。
本發(fā)明提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置可以通過以下技術方案實現(xiàn)所述移動存儲裝置，可與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸，所述移動存儲裝置包括可通過通信協(xié)議與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂颇K，用來存儲數(shù)據(jù)的存儲模塊，其特征在于所述存儲模塊中可包括一個或多個基本存儲模塊，所述控制模塊可對所述基本存儲模塊進行數(shù)據(jù)存取操作。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置的所述基本存儲模塊中包括一片或多片存儲介質(zhì)。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置中的所述控制模塊通過控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線與所述基本存儲模塊連接，其中所述數(shù)據(jù)總線可以選取但不限于8位、16位和/或32位的數(shù)據(jù)線。
本發(fā)明提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，可通過以下技術方案實現(xiàn)所述提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，用于提高主機系統(tǒng)對移動存儲裝置的數(shù)據(jù)存取速度，所述移動存儲裝置包括可通過通信協(xié)議與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂颇K，用來存儲數(shù)據(jù)的存儲模塊，所述方法包括1)所述存儲模塊中提供一個或多個用來存儲數(shù)據(jù)的基本存儲模塊；2)所述控制模塊建立與所述基本存儲模塊對應的一個或多個數(shù)據(jù)通道；3)將來自所述主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)包為單位、以分時的方式通過所述對應的數(shù)據(jù)通道對基本存儲模塊進行存取操作。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法中的所述數(shù)據(jù)包的大小可以是但不限于512字節(jié)、528字節(jié)、2048字節(jié)、2112字節(jié)。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法中的所述控制模塊建立的數(shù)據(jù)通道可以是8位、16位和/或32位的數(shù)據(jù)線與基本存儲模塊的連接。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法中的所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是16位的數(shù)據(jù)總線連接兩個8位數(shù)據(jù)線，再將兩個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法中的所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是32位的數(shù)據(jù)總線連接兩個16位數(shù)據(jù)線，再將兩個16位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法中的所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是32位的數(shù)據(jù)總線連接四個8位數(shù)據(jù)線，再將四個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
所述的移動存儲裝置包括應用于各種數(shù)碼設備的存儲卡或存儲其它類型存儲設備，如閃存盤、移動硬盤、CF卡(Compact Flash Card)、MS卡(Memory Stick Card)、mini MS、PCMCIA卡、SMC(Smart Media Card)、MMC(Multi Media Card)、mini MMC、SD卡(Secure Digital Card)、miniSD、xD、MD等。
本發(fā)明所述的移動存儲裝置的存儲模塊設有一個或多個基本存儲模塊，且每個基本存儲模塊中可包括一片或多片存儲介質(zhì)，可以將來自主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)包為單位以分時方式對由一個或多個基本存儲模塊組成的基本存儲單位進行存取操作，進而大大提高讀寫存儲介質(zhì)的速度。


圖1是本發(fā)明第一實施方式中與主機系統(tǒng)連接的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置的結構框圖。
圖2是本發(fā)明第二實施方式中與主機系統(tǒng)連接的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置的結構框圖。
圖3是本發(fā)明第三實施方式中與主機系統(tǒng)連接的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置的結構框圖。
圖4是本發(fā)明第四實施方式中與主機系統(tǒng)連接的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置的結構框圖。
具體實施例方式
請參閱圖1，本發(fā)明第一實施方式中的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置20包括控制模塊10與存儲模塊30。
所述控制模塊10與主機系統(tǒng)50連接，所述控制模塊10與主機系統(tǒng)50間可通過通信協(xié)議進行輸出數(shù)據(jù)傳輸，所述通信協(xié)議包括但不限于USB協(xié)議、Zigbee協(xié)議、IEEE1394協(xié)議、藍牙協(xié)議、串行ATA協(xié)議、IDE協(xié)議、SCSI協(xié)議、HiperLAN協(xié)議、IrDA紅外協(xié)議、HomeRF協(xié)議、IEEE802.11x、IEEE802.11a、802.11b、802.11d、802.11.g、802.15、802.16、802.3協(xié)議、RS232協(xié)議、RS485協(xié)議、USB_OTG協(xié)議、UWB協(xié)議、GPIO協(xié)議、UART協(xié)議、CF協(xié)議、SM協(xié)議、MMC協(xié)議、SD協(xié)議、MS協(xié)議、MD協(xié)議、X-D協(xié)議、PCMCIA協(xié)議、GSM、GPRS、CDMA、2.5G和/或3G協(xié)議等等。
所述控制模塊10可對所述存儲模塊30進行數(shù)據(jù)存取操作，實現(xiàn)主機系統(tǒng)50與存儲模塊30間的數(shù)據(jù)存取。
所述存儲模塊30中包括N個基本存儲模塊，其中N為的自然數(shù)，所述每個基本存儲模塊可包括一片或多片存儲介質(zhì)，通過增加所述存儲介質(zhì)的數(shù)量可達到擴充存儲容量的效果。
所述基本存儲模塊采用的存儲介質(zhì)可以選自但不限于下述存儲介質(zhì)閃存介質(zhì)(FLASH Memory)、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器(FRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、超高密度存儲芯片(MILLIPEDE)等。
所述控制模塊10通過總線與所述存儲模塊30中的基本存儲模塊連接，所述總線包括控制/狀態(tài)總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線，其中數(shù)據(jù)總線可以選取但不限于8位、16位和/或32位的數(shù)據(jù)線。
所述控制模塊10可通過兩種方式即方法一和方法二對所述存儲模塊30進行數(shù)據(jù)存取操作所述方法一包括所述控制模塊10從主機系統(tǒng)50接收到第一個數(shù)據(jù)包后，將該數(shù)據(jù)包通過所述8位、16位或32位的數(shù)據(jù)線寫入第一個基本存儲模塊中，所述控制模塊10從主機系統(tǒng)50接收到第二個數(shù)據(jù)包后，將所述第二個數(shù)據(jù)包寫入第二個基本存儲模塊中，可以理解的，與此類似，當所述控制模塊10接收到第N個的數(shù)據(jù)包時，便將其存入第N個基本存儲模塊；當所述控制模塊10接收到第N+1個數(shù)據(jù)包時，返回操作第一個基本存儲模塊，即將第N+1個數(shù)據(jù)包存入第一數(shù)據(jù)存儲模塊中；所述控制模塊10重復“寫入第一個數(shù)據(jù)包至第N個數(shù)據(jù)包”的流程將“第N+1至第N+N個數(shù)據(jù)包”寫入存儲模塊32中的基本存儲模塊中；依此循環(huán)，直至將所有數(shù)據(jù)包寫入存儲模塊30中。
所述數(shù)據(jù)包大小可以設定，可以是但不限于512字節(jié)、528字節(jié)、2048字節(jié)、2112字節(jié)等等。
可以看出，所述控制模塊10通過上述步驟即以分時方式循環(huán)操作所述第一個至第N個基本存儲模，因為主機系統(tǒng)50與控制模塊10之間的數(shù)據(jù)傳輸速度大于控制模塊10與單個基本存儲模塊間的數(shù)據(jù)傳輸速度，所以所述控制模塊10中會緩沖一定數(shù)量的數(shù)據(jù)包，可以理解的，所以當主機系統(tǒng)50與控制模塊10之間的數(shù)據(jù)傳輸速度正好為控制模塊10與單個基本存儲模塊間的數(shù)據(jù)傳輸速度的N倍時(上文中已說明所述存儲模塊30中包括N個基本存儲模塊)，所述基本存儲模塊不會出現(xiàn)閑置等待數(shù)據(jù)包的情況，速度匹配，資源利用率達到最大。
所述方法二為將每個數(shù)據(jù)包分成幾部分同時對基本存儲模塊進行操作。
請參閱圖2，本發(fā)明第二實施方式中提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置22包括控制模塊12與存儲模塊32，所述控制模塊12與主機系統(tǒng)50連接，所述控制模塊12與主機系統(tǒng)50間可通過多種通信協(xié)議進行輸出數(shù)據(jù)傳輸，所述通信協(xié)議包括但不限于USB協(xié)議、Zigbee協(xié)議、IEEE1394協(xié)議、藍牙協(xié)議、串行ATA協(xié)議、IDE協(xié)議、SCSI協(xié)議、HiperLAN協(xié)議、IrDA紅外協(xié)議、HomeRF協(xié)議、IEEE802.11x、IEEE802.11a、802.11b、802.11d、802.11.g、802.15、802.16、802.3協(xié)議、RS232協(xié)議、RS485協(xié)議、USB_OTG協(xié)議、UWB協(xié)議、GPIO協(xié)議、UART協(xié)議、CF協(xié)議、SM協(xié)議、MMC協(xié)議、SD協(xié)議、MS協(xié)議、MD協(xié)議、X-D協(xié)議、PCMCIA協(xié)議、GSM、GPRS、CDMA、2.5G和/或3G協(xié)議等等。
所述存儲模塊32中包括N個基本存儲模塊，其中N為自然數(shù)，所述每個基本存儲模塊可包括一片或多片存儲介質(zhì)，增加所述存儲介質(zhì)的數(shù)量可達到以擴充存儲容量的效果。
所述基本存儲模塊的存儲介質(zhì)可以選自但不限于下述存儲介質(zhì)閃存介質(zhì)(FLASH Memory)、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器(FRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、超高密度存儲芯片(MILLIPEDE)等。
所述控制模塊12通過總線與所述存儲模塊32中的基本存儲模塊連接，所述總線包括控制/狀態(tài)總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線，其中數(shù)據(jù)總線為16位，所述16位的數(shù)據(jù)總線再通過兩個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊，所述基本存儲模塊中包括一片或多片8位存儲介質(zhì)。
如圖2所示，與同一16位數(shù)據(jù)總線連接的2個8位的基本存儲模塊可看作一個基本存儲單元，本實施方式中的提高數(shù)據(jù)存儲速度的方法中所述控制模塊12對所述存儲模塊32的數(shù)據(jù)存取方法類似于第一實施方式中所述控制模塊10對所述存儲模塊30的數(shù)據(jù)存取方法，將所述基本存儲單元替代第一實施方式中的基本存儲模塊即可，在此不再贅述。
請參閱圖3，本發(fā)明第三實施方式中的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置24包括控制模塊14與存儲模塊34，所述控制模塊14與主機系統(tǒng)50連接，所述控制模塊14與主機系統(tǒng)50間可通過多種通信協(xié)議進行輸出數(shù)據(jù)傳輸，所述通信協(xié)議包括但不限于USB協(xié)議、Zigbee協(xié)議、IEEE1394協(xié)議、藍牙協(xié)議、串行ATA協(xié)議、IDE協(xié)議、SCSI協(xié)議、HiperLAN協(xié)議、IrDA紅外協(xié)議、HomeRF協(xié)議、IEEE802.11x、IEEE802.11a、802.11b、802.11d、802.11.g、802.15、802.16、802.3協(xié)議、RS232協(xié)議、RS485協(xié)議、USB_OTG協(xié)議、UWB協(xié)議、GPIO協(xié)議、UART協(xié)議、CF協(xié)議、SM協(xié)議、MMC協(xié)議、SD協(xié)議、MS協(xié)議、MD協(xié)議、X-D協(xié)議、PCMCIA協(xié)議、GSM、GPRS、CDMA、2.5G和/或3G協(xié)議等。
所述存儲模塊34中包括N個基本存儲模塊，其中N為自然數(shù)，所述每個基本存儲模塊可包括一片或多片存儲介質(zhì)，通過增加所述存儲介質(zhì)的數(shù)量可以達到擴充存儲容量的效果。
所述基本存儲模塊可以的存儲介質(zhì)可以選自但不限于下述存儲介質(zhì)閃存介質(zhì)(FLASH Memory)、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器(FRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、超高密度存儲芯片(MILLIPEDE)等。
所述控制模塊14通過總線與所述存儲模塊34中的基本存儲模塊連接，所述總線包括控制/狀態(tài)總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線，其中數(shù)據(jù)總線為32位，所述32位的數(shù)據(jù)總線再通過四個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊，所述基本存儲模塊中包括一片或多片8位存儲介質(zhì)。
如圖3所示，其中與同一32位數(shù)據(jù)總線連接的四個8位的基本存儲模塊可看作一個基本存儲單元，本實施方式中的提高數(shù)據(jù)存儲速度的方法中所述控制模塊14對所述存儲模塊34的數(shù)據(jù)存取方法類似于第一實施方式中所述控制模塊10對所述存儲模塊30的數(shù)據(jù)存取方法，將所述基本存儲單元替代第一實施方式中的基本存儲模塊即可，在此不再贅述。
請參閱圖4，圖4為本發(fā)明第四實施方式中提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置26包括控制模塊16與存儲模塊36，所述控制模塊16與主機系統(tǒng)50連接，所述控制模塊16與主機系統(tǒng)50間可通過多種通信協(xié)議進行輸出數(shù)據(jù)傳輸，所述通信協(xié)議包括但不限于USB協(xié)議、Zigbee協(xié)議、IEEE1394協(xié)議、藍牙協(xié)議、串行ATA協(xié)議、IDE協(xié)議、SCSI協(xié)議、HiperLAN協(xié)議、IrDA紅外協(xié)議、HomeRF協(xié)議、IEEE802.11x、IEEE802.11a、802.11b、802.11d、802.11.g、802.15、802.16、802.3協(xié)議、RS232協(xié)議、RS485協(xié)議、USB_OTG協(xié)議、UWB協(xié)議、GPIO協(xié)議、UART協(xié)議、CF協(xié)議、SM協(xié)議、MMC協(xié)議、SD協(xié)議、MS協(xié)議、MD協(xié)議、X-D協(xié)議、PCMCIA協(xié)議、GSM、GPRS、CDMA、2.5G和/或3G協(xié)議等等。
所述存儲模塊30中包括N個基本存儲模塊，其中N為自然數(shù)，所述每個基本存儲模塊可包括一片或多片存儲介質(zhì)，通過增加所述存儲介質(zhì)的數(shù)量可以達到擴充存儲容量的效果。
所述基本存儲模塊可以的存儲介質(zhì)可以選自但不限于下述存儲介質(zhì)閃存介質(zhì)(FLASH Memory)、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器(FRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、超高密度存儲芯片(MILLIPEDE)等。
所述控制模塊16通過總線與所述存儲模塊36中的基本存儲模塊連接，所述總線包括控制/狀態(tài)總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線，其中數(shù)據(jù)總線為32位，所述32位的數(shù)據(jù)總線通過兩個16位的數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊，所述基本存儲模塊中包括一片或多片16位存儲介質(zhì)。
如圖4所示，其中與同一32位數(shù)據(jù)總線連接的2個16位的基本存儲模塊可看作一個基本存儲單元，本實施方式中的提高數(shù)據(jù)存儲速度的方法中所述控制模塊16對所述存儲模塊36的數(shù)據(jù)存取方法類似于第一實施方式中所述控制模塊10對所述存儲模塊30的數(shù)據(jù)存取方法，將所述基本存儲單元替代第一實施方式中的基本存儲模塊即可，在此不再贅述。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，可與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸，所述裝置包括可通過通信協(xié)議與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂颇K，用來存儲數(shù)據(jù)的存儲模塊，其特征在于所述存儲模塊中可包括一個或多個基本存儲模塊，所述控制模塊可對所述基本存儲模塊進行數(shù)據(jù)存取操作。
2.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述基本存儲模塊中包括一片或多片存儲介質(zhì)。
3.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述通信協(xié)議包括但不限于USB協(xié)議、Zigbee協(xié)議、IEEE1394協(xié)議、藍牙協(xié)議、串行ATA協(xié)議、IDE協(xié)議、SCSI協(xié)議、HiperLAN協(xié)議、IrDA紅外協(xié)議、HomeRF協(xié)議、IEEE802.11x、IEEE802.11a、802.11b、802.11d、802.11.g、802.15、802.16、802.3協(xié)議、RS232協(xié)議、RS485協(xié)議、USB_OTG協(xié)議、UWB協(xié)議、GPIO協(xié)議、UART協(xié)議、CF協(xié)議、SM協(xié)議、MMC協(xié)議、SD協(xié)議、MS協(xié)議、MD協(xié)議、X-D協(xié)議、PCMCIA協(xié)議、GSM、GPRS、CDMA、2.5G和/或3G協(xié)議。
4.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述控制模塊通過控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線與所述基本存儲模塊連接，其中所述數(shù)據(jù)總線可以但不限于選取8位、16位和/或32位的數(shù)據(jù)線。
5.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述控制模塊通過控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線與所述基本存儲模塊連接，其中所述數(shù)據(jù)總線為16位時，可通過兩個8位的數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊。
6.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述控制模塊通過控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線與所述基本存儲模塊連接，其中所述數(shù)據(jù)總線為32位時，可通過四個8位的數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊。
7.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述控制模塊通過控制總線、地址總線、數(shù)據(jù)總線與所述基本存儲模塊連接，其中所述數(shù)據(jù)總線為32位時，可通過兩個16位的數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊。
8.根據(jù)權利要求1所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置，其特征在于所述基本存儲模塊采用的存儲介質(zhì)包括但不下限于以下存儲介質(zhì)閃存介質(zhì)(FLASH Memory)、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器(FRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)和/或超高密度存儲芯片(MILLIPEDE)。
9.一種提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，用于提高主機系統(tǒng)對移動存儲裝置的數(shù)據(jù)存取速度，所述移動存儲裝置包括可通過通信協(xié)議與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂颇K，用來存儲數(shù)據(jù)的存儲模塊，所述方法包括1)在所述存儲模塊中提供一個或多個用來存儲數(shù)據(jù)的基本存儲模塊；2)所述控制模塊建立與所述基本存儲模塊對應的一個或多個數(shù)據(jù)通道；3)將來自所述主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)包為單位、以分時的方式通過所述對應的數(shù)據(jù)通道對基本存儲模塊進行存取操作。
10.根據(jù)權利要求9所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于所述數(shù)據(jù)包可以但不限于是512字節(jié)、528字節(jié)、2048或2112字節(jié)。
11.根據(jù)權利要求9所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于所述控制模塊建立的數(shù)據(jù)通道可以是8位、16位和/或32位的數(shù)據(jù)線與基本存儲模塊的連接。
12.根據(jù)權利要求9所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是16位的數(shù)據(jù)總線連接兩個8位數(shù)據(jù)線，再將兩個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
13.根據(jù)權利要求9所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是32位的數(shù)據(jù)總線連接兩個16位數(shù)據(jù)線，再將兩個16位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
14.根據(jù)權利要求9所述的提高數(shù)據(jù)存取速度的方法，其特征在于所述建立的數(shù)據(jù)通道可以是32位的數(shù)據(jù)總線連接四個8位數(shù)據(jù)線，再將四個8位數(shù)據(jù)線分別連接基本存儲模塊的連接。
全文摘要
一種提高數(shù)據(jù)存取速度的移動存儲裝置及方法，所述移動存儲裝置可與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸，所述裝置包括可通過通信協(xié)議與主機系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂颇K，用來存儲數(shù)據(jù)的存儲模塊，其特征在于所述存儲模塊中可包括一個或多個基本存儲模塊，所述控制模塊可對所述基本存儲模塊進行數(shù)據(jù)存取操作。本發(fā)明提高數(shù)據(jù)存取速度的方法將來自主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)包為單位輪流對由所述一個或多個基本存儲模塊組成的基本存儲單位進行存取操作，進而大大提高讀寫存儲模塊的速度。
文檔編號G06F3/06GK1677332SQ20041002677
公開日2005年10月5日 申請日期2004年3月31日 優(yōu)先權日2004年3月31日
發(fā)明者成曉華 申請人:深圳市朗科科技有限公司