1.一種低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，用于將供電端提供的供電電壓轉(zhuǎn)換成輸出端的輸出電壓，包括：
基準(zhǔn)模塊，用于產(chǎn)生偏置電流和帶隙基準(zhǔn)電壓；
放大模塊，與所述基準(zhǔn)模塊相連接，用于將輸出電壓與所述帶隙基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，以獲得二者的誤差信號(hào)；以及
輸出模塊，與所述放大模塊相連接，用于根據(jù)誤差信號(hào)控制調(diào)整管的電壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓，
其中，所述輸出模塊包括：
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第一晶體管和第二晶體管，
所述第一晶體管的控制端接收所述誤差信號(hào)，
所述第二晶體管采用鏡像方式從所述放大模塊獲得所述偏置電流，從而為所述第一晶體管提供所述偏置電流，
所述第一晶體管和所述第二晶體管的中間節(jié)點(diǎn)作為所述輸出端，提供所述輸出電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述基準(zhǔn)模塊包括：
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第三晶體管、第四晶體管和至少一個(gè)第五晶體管；以及
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第六晶體管、第七晶體管、電阻和至少一個(gè)第八晶體管，
其中，所述第三晶體管和第六晶體管構(gòu)成電流鏡，所述第四晶體管和第七晶體管構(gòu)成電流鏡，所述至少一個(gè)第五晶體管彼此并聯(lián)連接，所述至少一個(gè)第八晶體管彼此并聯(lián)連接，并且，所述至少一個(gè)第五晶體管和所述至少一個(gè)第八晶體管的控制端彼此連接且接地，
所述基準(zhǔn)電流流經(jīng)所述第六晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述至少一個(gè)第五晶體管和所述至少一個(gè)第八晶體管的數(shù)量比大于1：8且小于等于1：1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述基準(zhǔn)模塊還包括：
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第九晶體管、第十晶體管和第十一晶體管，
其中，所述第九晶體管與所述第六晶體管構(gòu)成電流鏡，從而獲得所述基準(zhǔn)電流，
所述第十晶體管連接成二極管結(jié)構(gòu)，所述第十一晶體管的控制端接地，
所述第九晶體管和所述第十晶體管的中間節(jié)點(diǎn)提供所述帶隙基準(zhǔn)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，通過(guò)設(shè)置所述第九晶體管與所述第六晶體管的寬長(zhǎng)比的比例關(guān)系，獲得所需數(shù)值的所述帶隙基準(zhǔn)電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述帶隙基準(zhǔn)電壓的數(shù)值范圍為1V到1.8V。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第三晶體管、所述第六晶體管、所述第九晶體管分別為P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第四晶體管、所述第七晶體管分別為N型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第十晶體管為N型或P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第五晶體管、所述第八晶體管和所述第十一晶體管分別為PNP型雙極晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述放大模塊包括：
運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端分別接收所述帶隙基準(zhǔn)電壓和所述輸出電壓，輸出端提供所述誤差信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述放大模塊還包括：
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第十二晶體管和第十三晶體管，
其中，所述第十二晶體管采用鏡像方式從所述基準(zhǔn)模塊獲得所述偏置電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第二晶體管與所述第十三晶體管形成電流鏡。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第十二晶體管為P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第十三晶體管為N型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，還包括：
補(bǔ)償模塊，與所述放大模塊相連接，用于補(bǔ)償所述輸出電壓，
其中，所述補(bǔ)償模塊包括在所述供電端和所述放大模塊的輸出端之間的串聯(lián)連接的第十四晶體管和電容，所述第十四晶體管工作于線性區(qū)從而作為補(bǔ)償電阻與所述電容起到補(bǔ)償作用。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第十四晶體管為P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
14.一種基準(zhǔn)模塊，其特征在于，包括：
串聯(lián)連接在供電端和接地端之間的第三晶體管、第四晶體管和至少一個(gè)第五晶體管；以及
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第六晶體管、第七晶體管、電阻和至少一個(gè)第八晶體管，
其中，所述第三晶體管和第六晶體管構(gòu)成電流鏡，所述第四晶體管和第七晶體管構(gòu)成電流鏡，所述至少一個(gè)第五晶體管彼此并聯(lián)連接，所述至少一個(gè)第八晶體管彼此并聯(lián)連接，并且，所述至少一個(gè)第五晶體管和所述至少一個(gè)第八晶體管的控制端彼此連接且接地，
所述基準(zhǔn)電流流經(jīng)所述第六晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基準(zhǔn)模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)第五晶體管和所述至少一個(gè)第八晶體管的數(shù)量比大于1：8且小于等于1：1。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基準(zhǔn)模塊，其特征在于，所述基準(zhǔn)模塊還包括：
串聯(lián)連接在所述供電端和接地端之間的第九晶體管、第十晶體管和第十一晶體管，
其中，所述第九晶體管與所述第六晶體管構(gòu)成電流鏡，從而獲得所述基準(zhǔn)電流，
所述第十晶體管連接成二極管結(jié)構(gòu)，所述第十一晶體管的控制端接地，
所述第九晶體管和所述第十晶體管的中間節(jié)點(diǎn)提供帶隙基準(zhǔn)電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基準(zhǔn)模塊，其特征在于，通過(guò)設(shè)置所述第九晶體管與所述第六晶體管的寬長(zhǎng)比的比例關(guān)系，獲得所需數(shù)值的所述帶隙基準(zhǔn)電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基準(zhǔn)模塊，其特征在于，所述帶隙基準(zhǔn)電壓的數(shù)值范圍為1V到1.8V。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基準(zhǔn)模塊，其特征在于，所述第三晶體管、所述第六晶體管、所述第九晶體管分別為P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第四晶體管、所述第七晶體管分別為N型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第十晶體管為N型或P型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
所述第五晶體管、所述第八晶體管和所述第十一晶體管分別為PNP型雙極晶體管。
20.一種集成片上系統(tǒng)，其特征在于，包括：
處理器；
存儲(chǔ)器；
外圍電路；以及
根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的低壓差線性穩(wěn)壓器，用于為所述處理器和所述存儲(chǔ)器供電。