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一種低壓差線性穩(wěn)壓器的制造方法

文檔序號:9139183閱讀:749來源:國知局
一種低壓差線性穩(wěn)壓器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器如圖1,包括:輸入電壓Vref、輸出電壓Vout、電源VCC、P型場效應晶體管P3、電阻R、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號LD0_EN,由于低壓差線性穩(wěn)壓器應用于閃存的比較器C0MP,為了節(jié)約功耗,比較器的電流一般比較小,帶寬比較低,所以低壓差線性穩(wěn)壓器的整個環(huán)路的建立時間比較長,容易降低閃存的工作效率。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型提供一種低壓差線性穩(wěn)壓器,以解決低壓差線性穩(wěn)壓器的整個環(huán)路的建立時間比較長的問題。
[0004]為了解決上述問題,本實用新型提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器,包括:第一 P型場效應晶體管、第二 P型場效應晶體管、第三P型場效應晶體管、第一 N型場效應晶體管、第一電阻、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號、第一 P型場效應晶體管使能信號和第一 N型場效應晶體管使能信號;
[0005]其中,所述第三P型場效應晶體管的柵端與所述第一電阻的一端和所述第二 P型場效應晶體管的源端相連,所述第一 N型場效應晶體管的漏端與所述第一電阻的另一端相連,所述第二 P型場效應晶體管的漏端與所述第一 P型場效應晶體管的漏端相連,所述第一P型場效應晶體管使能信號與所述第一 P型場效應晶體管的柵端相連,所述第一 N型場效應晶體管使能信號與所述第一 N型場效應晶體管的柵端相連;
[0006]所述第一 P型場效應晶體管使能信號和第一 N型場效應晶體管使能信號均由所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號產(chǎn)生,在所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號拉高時,在所述第三P型場效應晶體管的柵端產(chǎn)生低電壓,將所述第三P型場效應晶體管導通。
[0007]優(yōu)選地,還包括:第二電阻和輸出電壓,所述第二電阻與所述第一 N型場效應晶體管的源端和所述輸出電壓相連。
[0008]優(yōu)選地,所述第三P型場效應晶體管的源端與電源相連,所述第三P型場效應晶體管的漏端與所述輸出電壓相連。
[0009]優(yōu)選地,所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號經(jīng)過延遲預置時間并且反向得到延遲使能信號,所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號與所述延遲使能信號相與,產(chǎn)生所述第一 N型場效應晶體管使能信號。
[0010]優(yōu)選地,所述第一 N型場效應晶體管使能信號為所述第一 P型場效應晶體管使能信號的反向信號。
[0011]優(yōu)選地,拉高所述第一 N型場效應晶體管使能信號,所述第一 P型場效應晶體管和所述第一 N型場效應晶體管同時導通,所述第三P型場效應晶體管的柵端電壓是所述第二P型場效應晶體管和所述第一電阻的分壓。
[0012]優(yōu)選地,所述第一 P型場效應晶體管的源端與電源相連。
[0013]優(yōu)選地,所述第一 N型場效應晶體管的漏端與地相連。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型包括以下優(yōu)點:
[0015]在傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器中增加場效應晶體管作為開關(guān)管,利用低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號產(chǎn)生兩個開關(guān)管的使能信號,在拉高低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號時,將P型場效應晶體管的柵端拉倒一個合適的低電壓,加速整個環(huán)路的建立過程,減少低壓差線性穩(wěn)壓器的電壓建立時間。
【附圖說明】
[0016]圖1是傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖2是本實用新型實施例一中的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖3是本實用新型實施例一中的低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號產(chǎn)生第一 N型場效應晶體管使能信號和第一P型場效應晶體管使能信號的原理示意圖;
[0019]圖4是本實用新型實施例一中的低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號與延遲使能信號的對照示意圖;
[0020]圖5是本實用新型實施例一中的第一N型場效應晶體管使能信號與第一 P型場效應晶體管使能信號的對照示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細的說明。
[0022]在傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)上,增加了第一 P型場效應晶體管、第二 P型場效應晶體管、第一 N型場效應晶體管和電阻。通過低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號產(chǎn)生第一 P型場效應晶體管的使能信號和第一 N型場效應晶體管和電阻的使能信號,在拉高低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號時,在第三P型場效應晶體管的柵端產(chǎn)生合適的低電壓,使第三P型場效應晶體管導通,加強了低壓差線性穩(wěn)壓器的環(huán)路建立過程。
[0023]下面通過列舉幾個具體的實施例詳細介紹本實用新型提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
[0024]實施例一
[0025]本實用新型實施例一提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
[0026]參照圖2,示出了本實用新型實施例一中的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]所述低壓差線性穩(wěn)壓器可以包括:第一 P型場效應晶體管P1、第二 P型場效應晶體管P2、第三P型場效應晶體管P3、第一 N型場效應晶體管N1、第一電阻R1、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號LD0_EN、第一 P型場效應晶體管使能信號ACC_ENB和第一 N型場效應晶體管使能信號ACC_EN。
[0028]其中,低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號LD0_EN與閃存比較器COMP的使能端EN相連,輸入電壓Vref和輸出電壓Vout分別與閃存比較器的輸入端+和輸出端_相連。
[0029]所述第三P型場效應晶體管P3的柵端P3_gate與所述第一電阻Rl的一端和所述第二 P型場效應晶體管P2的源端相連,所述第三P型場效應晶體管P3的源端與電源VCC相連,所述第一 N型場效應晶體管NI的漏端與所述第一電阻Rl的另一端相連,所述第一 N型場效應晶體管NI的漏端與地相連,所述第二 P型場效應晶體管P2的漏端與所述第一 P型場效應晶體管Pl的漏端相連,所述第一 P型場效應晶體管使能信號ACC_ENB與所述第一 P型場效應晶體管Pl的柵端相連,所述第一 P型場效應晶體管Pl的源端與電源VCC相連,所述第一 N型場效應晶體管使能信號ACC_EN與所述第一 N型場效應晶體管NI的柵端相連。
[0030]優(yōu)選地,所述低壓差線性穩(wěn)壓器還可以包括:輸入電壓Vref、輸出電壓Vo
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