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一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路的制作方法

文檔序號:12461037閱讀:470來源:國知局
一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路的制作方法與工藝

本發(fā)明屬于模擬集成電路設(shè)計領(lǐng)域,特別涉及一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的過流保護電路。



背景技術(shù):

隨著信息時代的來臨電源管理技術(shù)變得越來越重要。低壓差線性穩(wěn)壓器LDO因為其小面積、高電源抑制比、微功耗、低噪聲、外圍電路簡單、具有較好的線性瞬態(tài)響應(yīng)和負載瞬態(tài)響應(yīng)特性等優(yōu)點使得它更加適用于便攜式電子產(chǎn)品中。

當(dāng)負載電流過大時,特別是在輸出短路的情況下,由于輸出端接地,電源電壓全部加到調(diào)整管的兩端,致使大電流流過調(diào)整管,低壓差線性穩(wěn)壓器LDO穩(wěn)壓器極易被損壞。因此為了保證芯片工作時的安全,需要設(shè)計過流保護電路。過流保護電路能夠有效監(jiān)視調(diào)整管輸出電流的大小,從而保證輸出端發(fā)生超載、短路時系統(tǒng)的安全。

如圖1所示,一般低壓差線性穩(wěn)壓器LDO包括一放大器,一柵極連接放大器輸出端的功率管和串聯(lián)在功率管漏極和地之間的兩個電阻,其串聯(lián)的連接放大器的一個輸入端,放大器的另一個輸入端連接基準(zhǔn)電壓,功率管的源極接電源電壓。最基本的傳統(tǒng)過流保護電路如圖1所示,由一個電流源I0和四個MOS管M1-M4組成。過流保護通常是通過電流采樣、比較,最后得到柵壓控制信號再通過開關(guān)管控制功率管提供的電流大小。然而圖1所示的過流保護電路有一明顯缺陷,那就是采樣管M2的漏端電壓與功率管MP的漏端電壓不能保持一致,此時由于MOSFET的溝道長度調(diào)制效應(yīng),會導(dǎo)致采樣管電流并不是按照想要的比例準(zhǔn)確鏡像功率管電流,使整個過流保護環(huán)路的過流閾值出現(xiàn)偏差。

當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時,若其漏源電壓VDS大于其過驅(qū)電壓Vsat=VGS-VTH,反型層的溝道會被夾斷,此時的有效溝道長度發(fā)生變化,通過MOSFET的電流值可以表示為:

式中的λ是溝道長度調(diào)制系數(shù),μ是載流子遷移率,Cox是單位面積柵氧化層電容,是管子的寬長比,對于一個確定的MOS管來說,(1)式中只有柵源電壓VGS和漏源電壓VDS是變量,其余量為常量。當(dāng)將電流采樣管M2與低壓差線性穩(wěn)壓器LDO功率管MP的大小按一定比例取值時,如即使將兩者的柵端相連,使得他們過驅(qū)電壓相等,但若兩者的漏源電壓VDS不等,由于溝道長度調(diào)制效應(yīng)的作用,從(1)式可以看出,兩者流過的電流并不是按照所設(shè)管子尺寸的比例鏡像的,此時采樣管M2采樣到的電流便與設(shè)計值存在誤差。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

有鑒于此,本發(fā)明提供一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路,能夠有效抑制電流采樣電路中電流采樣管的溝道長度調(diào)制效應(yīng),減小了電流采樣電路采得的電流與理想值偏差過大的問題,提高了過流保護電路的電流采樣精確度,使得過流保護電路的開啟閾值更加精準(zhǔn)。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:

一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路,其特征在于,包括電流采樣電路、電流比較電路和上拉電路,

電流采樣電路,采樣低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的柵漏電壓,并轉(zhuǎn)化為按比例鏡像的采樣電流,其輸出端輸出采樣電流至所述電流比較電路的輸入端;

電流比較電路,包括一電流源I0和由第三NMOS管M8與第四NMOS管M9組成的電流鏡,所述電流比較電路將采樣電流通過電流鏡鏡像后與電流源I0的電流進行比較,得到控制電壓VC輸出到所述上拉電路控制上拉電路的開啟和關(guān)斷;

上拉電路,由一上拉管M10組成,所述上拉管M10為PMOS管,上拉管M10的柵極作為上拉電路的輸入端連接所述電流比較電路的輸出端,其漏極作為上拉電路的輸出端連接低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的柵極控制功率管M11的柵端電壓,其源極接電源電壓VDD。

具體的,所述電流采樣電路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第一NMOS管M6和第二NMOS管M7,

第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的柵極與低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的柵極相連,其源極都接電源電壓VDD,第一PMOS管M1的漏極接第五PMOS管M5的源極,第二PMOS管M2的漏極接第三PMOS管M3的源極,第三PMOS管M3的漏極作為所述電流采樣電路的輸出端;

第四PMOS管M4的源極連接低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的漏極,其柵極和漏極短接并連接第三PMOS管M3和第五PMOS管M5的柵極以及第一NMOS管M6的漏極;

第二NMOS管M7的柵極與漏極短接并連接第五PMOS管M5的漏極和第一NMOS管M6的柵極,第一NMOS管M6和第二NMOS管M7的源極接地。

具體的,所述第三NMOS管M8的漏極作為所述電流比較電路的輸入端,第三NMOS管M8的柵極和漏極短接并連接第四NMOS管M9的柵極,第四NMOS管M9的漏極與電流源I0的一端相連并作為所述電流比較電路的輸出端,第三NMOS管M8和第四NMOS管M9的源極接地,電流源I0的另一端接電源電壓VDD。

具體的,所述第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的尺寸相同,第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五PMOS管M5的尺寸相同,第一NMOS管M6和第二NMOS管M7的尺寸相同。

具體的,所述采樣電流與流過低壓差線性穩(wěn)壓器中功率管M11的電流之比為第二PMOS管M2和功率管M11的寬長比之比。

具體的,通過調(diào)整電流源I0的大小來設(shè)置所需的電流閾值。

本發(fā)明的有益效果為:電流采樣電路中第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第一NMOS管M6和第二NMOS管M7保證了電流采樣管M2的漏端電壓與低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的漏端電壓相等,消除了溝道長度調(diào)制效應(yīng)帶來的采樣管鏡像電流的誤差,減小了電流采樣電路采得的電流與理想值偏差過大的問題,提高低壓差線性穩(wěn)壓器LDO過流保護電路的電流采樣精確度,使得低壓差線性穩(wěn)壓器LDO過流保護電路的開啟閾值更加精準(zhǔn)。

附圖說明

圖1為一種傳統(tǒng)低壓差線性穩(wěn)壓器LDO過流保護電路圖。

圖2為本發(fā)明提出的用于低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的高精度過流保護電路圖。

圖3為本發(fā)明提出的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路的電流采樣模塊具體電路圖。

圖4為本發(fā)明提出的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的過流保護電路的電流比較和上拉模的塊具體電路圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。

本發(fā)明所提出的用于低壓差線性穩(wěn)壓器的電流采樣電路,特別針對MOSFET存在的溝道長度調(diào)制效應(yīng)引起采樣不精確的問題提出了解決方案,提供了一種能夠抑制溝道長度調(diào)制效應(yīng)的用于低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的高精度過流保護電路。

本發(fā)明提供的一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的高精度過流保護電路,如圖2所示,包括:電流采樣電路、電流比較電路和上拉電路。

電流采樣電路,按照一定比例精確的鏡像低壓差線性穩(wěn)壓器LDO功率管的輸出電流,將采樣電流提供給電流比較電路作比較。

電流比較電路,首先將電流采樣電路得到的電流鏡像一次,然后將該電流與一電流源I0的固定電流相比較,得到控制上拉電路的控制電壓VC。

上拉電路,用于在低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出過流時,在電流比較電路給出的控制電壓VC作用下,上拉低壓差線性穩(wěn)壓器功率管的柵端電壓,減小功率管輸出的電流。

本發(fā)明提出的采樣電路如圖3所示:包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第一NMOS管M6和第二NMOS管M7,第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的源極都接電源電壓VDD,其柵極都與低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的柵極相連,用來按一定比例采樣功率管M11的電流,第一PMOS管M1的漏極接第五PMOS管M5的源極,第二PMOS管M2的漏極接第三PMOS管M3的源極,用來保證第二PMOS管M2的漏極電壓VB與低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的漏極電壓Vout相等;第三PMOS管M3的漏極作為所述電流采樣電路的輸出端;第四PMOS管M4和第五PMOS管M5組成P型電流鏡,第四PMOS管M4的源極作為所述電流采樣電路的輸入端連接低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的漏極,其柵極和漏極短接并連接第三PMOS管M3和第五PMOS管M5的柵極以及第一NMOS管M6的漏極;第一NMOS管M6和第二NMOS管M7組成N型電流鏡,第二NMOS管M7的柵極與漏極短接并連接第五PMOS管M5的漏極和第一NMOS管M6的柵極,第一NMOS管M6和第二NMOS管M7的源極接地。

其中,第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的尺寸相同,第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五PMOS管M5的尺寸相同,第一NMOS管M6和第二NMOS管M7的尺寸相同,采樣管為第二PMOS管M2。

第四PMOS管M4和第一NMOS管M6支路的電流來源于低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出端,第一PMOS管M1支路的電流和第二PMOS管M2支路的電流為低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出電流按一定比例鏡像的電流。由于鏡像管的尺寸都相同,這三條支路的電流相等,即I1=I2=I3,且有VGS3=VGS4=VGS5,其中I1、I2、I3分別表示流過第四PMOS管M4、第五PMOS管M5和第三PMOS管M3的電流,VGS3、VGS4、VGS5代表第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五PMOS管M5的柵源電壓。

第二PMOS管M2漏端電壓:

VB=Vout-|VGS4|+|VGS3|=Vout (2)

從(2)式可以看出,第二PMOS管M2管的漏端電壓VB與低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出電壓相等。此時第二PMOS管M2的柵端、源端、漏端電壓均與低壓差線性穩(wěn)壓器LDO功率管相同,消除了溝道長度調(diào)制效應(yīng),第二PMOS管M2按一定比例復(fù)制的功率管的電流大小僅與第二PMOS管M2和功率管M11的寬長比有關(guān),通過調(diào)節(jié)第二PMOS管M2和功率管M11的寬長比之比控制采樣電流與低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的輸出電流之比,從而能實現(xiàn)對功率管電流的精確采樣。

如圖4所示,電流比較電路包括一電流源I0和組成N型電流鏡的第三NMOS管M8和第四NMOS管M9,上拉電路由上拉管M10組成。第三NMOS管M8的漏極作為所述電流比較電路的輸入端,第三NMOS管M8的柵極和漏極短接并連接第四NMOS管M9的柵極,第四NMOS管M9的漏極與電流源I0的一端相連并作為所述電流比較電路的輸出端,第三NMOS管M8和第四NMOS管M9的源極接地,電流源I0的另一端接電源電壓VDD;上拉管M10的柵極作為上拉電路的輸入端連接所述電流比較電路的輸出端,其漏極作為上拉電路的輸出端連接低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的柵極,其源極接電源電壓VDD。

組成電流鏡的第三NMOS管M8和第四NMOS管M9將采樣到的電流I3鏡像到第四NMOS管M9所在的支路,并與電流源的固定電流I0相比較,得到控制上拉電路柵壓的控制電壓VC。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器LDO輸出電流較小時,采樣電流I3小于固定電流I0,此時控制電壓VC為一個高電平,控制上拉管M10關(guān)斷,過流保護電路不影響低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的正常工作。隨著低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出電流增大,采樣電流I3變大,VC開始下降。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器LDO輸出過流時,VC下降到使得上拉管M10導(dǎo)通,并開始上拉低壓差線性穩(wěn)壓器LDO功率管的柵端電壓,此時過流保護電路開始取代低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的負反饋環(huán)路來控制功率管M11,阻止低壓差線性穩(wěn)壓器LDO輸出電流的進一步增大,實現(xiàn)過流保護功能。由于采樣電流I3與電流源I0的大小關(guān)系直接決定過流保護功能是否開啟,因此可以通過合理選擇電流源I0的大小來設(shè)置所需的電流閾值。

實施例的工作原理如下:

如圖2所示,M3-M7保證了電流采樣管M2的漏端電壓與低壓差線性穩(wěn)壓器功率管M11的漏端電壓相等,消除了溝道長度調(diào)制效應(yīng)帶來的采樣管鏡像電流的誤差;然后該采樣電流被用來與電流源I0的固定電流相比較,得到控制上拉管M10的柵端控制電壓VC;當(dāng)采樣電流小于所設(shè)電流閾值時,為一個較高的電壓,控制上拉管M10關(guān)斷;當(dāng)采樣電流大于所設(shè)電流閾值時,控制電壓VC為一個較低的電壓,控制上拉管M10開啟,上拉低壓差線性穩(wěn)壓器LDO功率管M11的柵壓,代替誤差放大器反饋環(huán)路來控制低壓差線性穩(wěn)壓器LDO的輸出電流,阻止電流的進一步增大,起到過流保護的作用。

以上所述是本發(fā)明的一種實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。

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