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帶隙基準源的鉗位電路的制作方法

文檔序號:6293921閱讀:344來源:國知局
帶隙基準源的鉗位電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶隙基準源的鉗位電路,是在帶隙基準源的電源電壓與外部電源電壓之間串接一鉗位電路,所述鉗位電路可有效抑制電源電壓的瞬間跳變,為帶隙基準源提供相對穩(wěn)定的電源電壓,使其輸出穩(wěn)定的基準電壓,從而抑制電源電壓瞬間跳變對基準電壓的影響。
【專利說明】帶隙基準源的鉗位電路
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體集成電路領域,特別是指一種帶隙基準源的鉗位電路。
【背景技術】
[0002]典型的帶隙基準源電路,其工作電壓直接由外部電壓提供,同時偏置電流源為帶隙基準源提供工作電流,如圖1所示,具有偏置電流源及帶隙基準源。帶隙基準源的輸出為兩參考電壓(基準電壓)Vref、Vrefl,以及兩參考電流(基準電流)Irefl、Iref2。這種直接的接法,在電源電壓的跳變時,電壓的波動直接對帶隙基準源的輸出基準電壓有較大的影響。圖4中曲線b則顯示了采用該直接接法的帶隙基準源的輸出受電源輸出波動(曲線a)的影響,很明顯,電源電壓Vpwr5的波動也造成了帶隙基準源的輸出產生了震蕩。通常的應用中對基準電壓的穩(wěn)定性要求很高。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種帶隙基準源的鉗位電路,可抑制電源電壓的跳變對帶隙基準源的影響。
[0004]為解決上述問題,本發(fā)明提供一種帶隙基準源的鉗位電路,串接于偏置電流源與帶隙基準源之間,對帶隙基準源的輸入電壓進行鉗位穩(wěn)壓,包含2個PMOS組成輸入級,以及6只NMOS構成鉗位穩(wěn)壓電路;
[0005]兩PMOS的兩源極并聯(lián)以及兩柵極并聯(lián)后,形成兩輸入端,并聯(lián)的源極連接電源輸入電壓,并聯(lián)的柵極連接偏置電流源,以形成偏置電流源的鏡像電流;
[0006]第五NMOS的柵極與漏極短接后連接第一 PMOS的漏極,第五NMOS的源極接地;
[0007]第六NMOS的柵漏短接后連接第二 PMOS的漏極,第一 NMOS的柵漏短接后連接第六NMOS的源極,第一 NMOS的源極接地;
[0008]第二 NMOS的柵極連接第二 PMOS的漏極,其漏極連接第二 PMOS的源極;
[0009]第三NMOS的柵極與第四NMOS的柵極并聯(lián)后連接第五NMOS的漏極,第三NMOS的源極與第四NMOS的漏極連接,第四NMOS的源極接地,第三NMOS的漏極與第二 NMOS的源極連接并引出所述鉗位電路的穩(wěn)壓輸出端。
[0010]進一步地,所述第二 NMOS為N型本征晶體管。
[0011]進一步地,所述鉗位電路的工作電流是由偏置電流源提供,不需額外的電流產生電路。
[0012]本發(fā)明所述的帶隙基準源的鉗位電路,在帶隙基準源電路輸入級之前加入了一個鉗位電路,在外部電源電壓有較大的上沖或下沖時,經過該鉗位電路使電源電壓的過沖幅度減小,輸出一個相對穩(wěn)定的電壓給帶隙基準源供電,從而抑制帶隙基準電壓源的輸出電壓受電源電壓跳變的影響,使基準電壓更穩(wěn)定,提高電路性能。
【專利附圖】

【附圖說明】[0013]圖1是傳統(tǒng)的帶隙基準源應用示意圖;
[0014]圖2是本發(fā)明鉗位電路的結構圖;
[0015]圖3是本發(fā)明的應用示意圖;
[0016]圖4是使用本發(fā)明后的仿真效果圖。
[0017]附圖標記說明
[0018]Ma是第一 PMOS, Mb是第二 PMOS, Ml~M6分別是第一~第六NM0S。
【具體實施方式】
[0019]本發(fā)明所述的帶隙基準源的鉗位電路,串接于偏置電流源與帶隙基準源之間,包含2個PMOS組成輸入級,以及6只NMOS構成鉗位穩(wěn)壓電路;如圖2所示:
[0020]兩PMOS Ma、Mb的兩源極并聯(lián)以及兩柵極并聯(lián)后,組成兩輸入端,并聯(lián)的源極連接電源輸入電壓,并聯(lián)的柵極連接偏置電流源,以形成偏置電流源的鏡像電流,第五NM0SM5的柵極與漏極短接后連接第一 PMOS Ma的漏極,第五NMOS M5的源極接地;
[0021]第六NMOS M6的柵漏短接后連接第二 PMOS Mb的漏極,第一 NMOS Ml的柵漏短接后連接第六NMOS M6的源極,第一 NMOS Ml的源極接地;
[0022]第二 NMOS M2的柵極連接第二 PMOS Mb的漏極,其漏極連接第二 PMOS Mb的源極;
[0023]第三NMOS M3的柵極與第四NMOS M4的柵極連接,第三NMOS M3的源極與第四NM0SM4的漏極連接,第四NMOS ·M4的源極接地,第三NMOS M3的漏極與第二 NMOS M2的源極連接并引出所述鉗位電路的穩(wěn)壓輸出端。
[0024]圖3顯示了本發(fā)明的一實施例,在外部電源電壓與帶隙基準源電路之間串接所述鉗位電路,其工作電流由偏置電流源電路產生。
[0025]電流產生電路,即偏置電流源,是圖3中左側虛線框內部分,其作用是為鉗位電路和帶隙基準源中的運放提供偏置電流(圖3中偏置電流源為帶隙基準源運放提供電流的連接未示出)。帶隙基準源主體電路,如圖3中右側虛線框內電路所示。
[0026]鉗位電路,如圖3中間虛線框內電路所示,該電路包括6只NMOS Ml、M2、M3、M4、M5、M6晶體管,其中NMOS Ml、M3、M4、M5、M6為N型晶體管,M2為N型本征晶體管。
[0027]偏置電流源和鉗位電路的工作電壓都是由偏置電源提供(即電壓vpWr5),偏置電流源的電流輸出提供給鉗位電路。
[0028]如圖3,該電路通過偏置電流源電路提供工作電流Il和12,第五NMOS M5是二極管接法的NMOS晶體管,該管子的Vgs為NMOS M3、M4提供偏置電壓,NMOS M6和Ml也是二極管接法,NMOS M2工作成源跟隨器的形式,其襯底是自阱接法,可減小其Vgs,鉗位電壓為(Vgs6+Vgsl-Vgs2),即所述鉗位電路的鉗位電壓是由NMOS M6、M1和M2的Vgs決定,鉗位電壓可根據需要設置。?OS M2通常選取閾值電壓較小的本征晶體管。通過選取管子個數、管子類型和調整管子尺寸可獲得需要的鉗位電壓,該鉗位電壓即為帶隙基準主體電路的工作電壓。由于該電路是開環(huán)結構,其穩(wěn)定性可以保證。
[0029]當外部電源電壓上沖時,只要高過該鉗位電路的鉗位電壓,該鉗位電路的節(jié)點vpwr5_o會鉗位在(Vgs6+Vgsl-Vgs2),從而減小電源電壓上沖的幅度,為帶隙基準主體電路提供一個穩(wěn)定的工作電壓;當外部電源電壓下沖時,下沖到低于鉗位電壓,該鉗位電路的節(jié)點vpWr5_0會輸出一個低于電源電壓幾十毫伏的跟隨電壓,只要該跟隨電壓大于帶隙基準源的最低工作電壓,就能保證帶隙基準源正常工作。通過這種方法減小帶隙基準源工作電壓的上沖和下沖的幅度,使其輸出的基準電壓更穩(wěn)定,顯著提高了帶隙基準源抗電源跳變的能力,而且該鉗位電路的工作電流是由偏置電流源電路提供,功耗小,整個鉗位電路只有幾個管子組成,結構簡單。
[0030]圖4顯示的是使用本發(fā)明所述的鉗位電路后的效果仿真圖,其中a曲線是電源電壓vpWr5,曲線b是未使用鉗位電路的帶隙基準源輸出曲線,曲線c是使用了本鉗位電路后的帶隙基準源的輸出曲線。在電源電壓vpwr5有波動時,對比該3條曲線可知,本鉗位電路對穩(wěn)定帶隙基準源的輸出具有很明顯的效果。
[0031]以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例,并不用于限定本發(fā)明。對于本領域的技術人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種帶隙基準源的鉗位電路,對帶隙基準源的輸入電壓進行鉗位穩(wěn)壓,其特征在于:包含2個PMOS組成輸入級,以及6只NMOS構成鉗位穩(wěn)壓電路; 兩PMOS的兩源極并聯(lián)以及兩柵極并聯(lián)后,形成兩輸入端,并聯(lián)的源極連接電源輸入電壓,并聯(lián)的柵極連接偏置電流源,以形成偏置電流源的鏡像電流; 第五NMOS的柵極與漏極短接后連接第一 PMOS的漏極,第五NMOS的源極接地; 第六NMOS的柵漏短接后連接第二 PMOS的漏極,第一 NMOS的柵漏短接后連接第六NMOS的源極,第一 NMOS的源極接地; 第二 NMOS的柵極連接第二 PMOS的漏極,其漏極連接第二 PMOS的源極; 第三NMOS的柵極與第四NMOS的柵極并聯(lián)后連接第五NMOS的漏極,第三NMOS的源極與第四NMOS的漏極連接,第四NMOS的源極接地,第三NMOS的漏極與第二 NMOS的源極連接并引出所述鉗位電路的穩(wěn)壓輸出端。
2.如權利要求1所述的帶隙基準源的鉗位電路,其特征在于:所述第二NMOS為N型本征晶體管。
3.如權利要求1所述的帶隙基準源的鉗位電路,其特征在于:所述鉗位電路的工作電流是由偏置電流源提供。
【文檔編號】G05F1/567GK103853223SQ201210496253
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月28日 優(yōu)先權日:2012年11月28日
【發(fā)明者】周寧 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司
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