專利名稱：基板處理裝置、基板處理條件變更方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置、基板處理條件變更方法和存儲介質(zhì)，特別是，涉及一種變更基板處理條件的基板處理裝置、基板處理條件變更方法和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
對作為基板的晶片進行規(guī)定處理，例如等離子處理的基板處理裝置，在通常情況下，在處理一個晶片期間，不能變更對該晶片進行的等離子處理的處理條件。另外，基板處理裝置所執(zhí)行的等離子處理的處理條件稱為工序制法(下面，僅稱為“制法(recipe)”)，制法被保存到與基板處理裝置連接的服務(wù)器等中。
基板處理裝置具有工序單元，對處理室內(nèi)的各個晶片進行等離子處理；裝載機單元，從收容相當(dāng)于1組(lot)的多個晶片的容器中，取出并搬送晶片；以及桿鎖定單元，進行裝載機單元和工序單元之間的晶片交接。
這種基板處理裝置，在對晶片進行例如等離子處理的情況下，在由于進行該處理的工序單元發(fā)生故障或者發(fā)生工序異常等任何異常(錯誤)而中止對該晶片的處理時，根據(jù)該晶片(下面，稱為“未結(jié)束的晶片”)的剩余處理條件，形成剩余處理制法，基于該剩余處理制法對未結(jié)束的晶片再進行處理(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1日本特開2004-319961號公報。
但是，在已有的基板處理裝置中，如上述那樣根據(jù)中止對晶片的處理時刻的未結(jié)束的晶片的剩余處理條件，來形成剩余處理制法，所以，根據(jù)到達中止處理的狀態(tài)，有時不能基于該剩余處理制法(recipe)對該未結(jié)束晶片再進行處理，在這種情況下，需要從處理室內(nèi)取出該未結(jié)束晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠不從處理室內(nèi)取出已中止處理的基板，對已中止處理的基板再進行最佳處理的基板處理裝置、基板處理條件變更方法和存儲介質(zhì)。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第一方面所述的基板處理裝置，包括設(shè)定部，設(shè)定執(zhí)行基板的處理的基板處理單元的處理條件；檢測部，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中，該基板處理單元的異常；以及中止部，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于具有變更部，變更已由所述中止部中止處理的基板的所述處理條件。
根據(jù)第二方面所述的基板處理裝置，其特征在于在第一方面所述的基板處理裝置中，所述變更部修正所述處理條件，由此，進行所述處理條件的變更。
根據(jù)第三方面所述的基板處理裝置，其特征在于在第一或者第二方面所述的基板處理裝置中，所述處理條件包括多個處理條件，所述變更部從所述多個處理條件中指定處理條件，由此，進行所述處理條件的變更。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第四方面所述的基板處理條件變更方法，包括設(shè)定步驟，設(shè)定執(zhí)行基板的處理的基板處理單元的處理條件；檢測步驟，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中，該基板處理單元的異常；以及中止步驟，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于具有變更步驟，變更已由所述中止步驟中止處理的基板的所述處理條件。
根據(jù)第五方面所述的基板處理變更方法，其特征在于在第四方面所述的基板處理條件變更方法中，所述變更步驟修正所述處理條件，由此，進行所述處理條件的變更。
根據(jù)第六方面所述的基板處理條件變更方法，其特征在于在第四或者第五方面所述的基板處理條件變更方法中，所述處理條件包括多個處理條件，所述變更步驟從所述多個處理條件中指定處理條件，由此，進行所述處理條件的變更。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第七方面所述的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其存儲由計算機執(zhí)行下述模塊的程序設(shè)定模塊，設(shè)定執(zhí)行基板的處理的基板處理單元的處理條件；檢測模塊，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中，該基板處理單元的異常；以及中止模塊，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于所述程序具有變更模塊，變更已由所述中止模塊中止處理的基板的所述處理條件。
根據(jù)第一方面所述的基板處理裝置、第四方面所述的基板處理條件變更方法和第七方面所述的記錄介質(zhì)，由于已變更中止處理的基板的處理條件，所以，能夠基于到達中止該處理的狀態(tài)，任意地變更對中止該處理的基板的處理條件，因此，能夠不從處理室內(nèi)取出中止處理的基板，對中止處理的基板再進行最佳的處理。
根據(jù)第二方面所述的基板處理裝置和第五方面所述的基板處理條件變更方法，通過修正處理條件來進行處理條件的變更，所以，能夠基于到達中止該處理的狀態(tài)，容易地變更對中止該處理的基板的處理條件。
根據(jù)第三方面所述的基板處理裝置和第六方面所述的基板處理條件變更方法，通過從多個處理條件中指定處理條件，可進行處理條件的變更，所以，能夠基于到達中止該處理的狀態(tài)，更容易地變更對中止該處理的基板的處理條件。


圖1是表示本實施方式的基板處理裝置的大致構(gòu)成的平面圖。
圖2是圖1的第二工序單元的截面圖，圖2(A)是沿著圖1的線II-II的截面圖，圖2(B)是圖2(A)的A部分的放大圖。
圖3是表示圖1的第二工序舟(process ship)的大致構(gòu)成的立體圖。
圖4是表示圖1的基板處理裝置的系統(tǒng)控制器的大致構(gòu)成的圖。
圖5是表示圖4的EC的主要部分的大致構(gòu)成的方框圖。
圖6是表示利用本實施方式的基板處理裝置來執(zhí)行的第一基板處理的順序的流程圖。
圖7是表示在操作面板的顯示部上所顯示的制法編輯畫面的圖。
圖8是表示由本實施方式的基板處理裝置來執(zhí)行的第二基板處理的順序的流程圖。
圖9是表示在操作面板的顯示部上所顯示的制法編輯畫面的圖。
圖10是表示由本實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的第三基板處理的順序的流程圖。
圖11是表示由本實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的第三基板處理的順序的流程圖。
圖12是表示在操作面板的顯示部上所顯示的制法編輯畫面的圖。
圖13是表示本發(fā)明實施方式的基板處理裝置的第一變形例的大致構(gòu)成之平面圖。
圖14是表示本發(fā)明實施方式的基板處理裝置的第二變形例的大致構(gòu)成之平面圖。
符號說明W晶片10、137、160基板處理裝置11第一工序舟12第二工序舟13裝載機單元14晶圓盒20裝載口25第一工序單元34第二工序單元36第三工序單元38、50、70腔室49第二負載鎖定室88操作面板89 EC90、91、92 MC93開關(guān)集線器138、163傳送單元139、140、141、142、161、162工序單元
170 LAN171 PC具體實施方式
下面，參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。
首先，對本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置來進行說明。
圖1是表示本實施方式的基板處理裝置的大致構(gòu)成的平面圖。
在圖1中，基板處理裝置10包括第一工序舟(ship)11，對電子器件用的晶片(下面，僅稱為“晶片”)(基板)W進行反應(yīng)性離子蝕刻(下面稱為“RIE”)處理；第二工序舟12，與該第一工序舟11平行地配置，對第一工序舟11中進行RIE處理后的晶片W，進行后述的COR(化學(xué)氧化物除去(Chemical Oxide Removal))處理和PHT(后熱處理(Post Heat Treatment))處理；以及裝載機單元13，分別連接第一工序舟11和第二工序舟12，作為矩形形狀的共同搬送室。
這里，COR處理是被處理體的氧化膜和氣體分子化學(xué)反應(yīng)，生成生成物的處理，PHT處理是加熱進行COR處理后的被處理體，氣化、熱氧化(Thermal Oxidation)利用COR處理的化學(xué)反應(yīng)在被處理體上所生成的生成物，而從被處理體除去的處理。如以上這樣，COR處理和PHT處理，特別是COR處理，是不使用等離子而且不使用水成分，來除去被處理體的氧化膜的處理，所以，符合少等離子(plasmaless)蝕刻處理和干清潔處理(干燥清潔處理)。
對于裝載機單元13，除了連接有上述第一工序舟11和第二工序舟12之外，還連接有三個晶圓盒(hoop)載置臺15，分別載置作為收容相當(dāng)于1組的25個晶片W的容器的晶圓盒FOUP(前面開口一體盒(Front Opening Unified Pod))14；定位器16，預(yù)調(diào)整(pre-alignment)從晶圓盒14搬出的晶片W的位置；以及第一和第二IMS(IntegratedMetrology System、Therma-Wave，Inc)17，18，計測晶片W的表面狀態(tài)。
第一工序舟11和第二工序舟12，配置為使得與裝載機單元13的長度方向的側(cè)壁連接，同時夾著裝載機單元13而與三個晶圓盒載置臺15相對，定位器16配置在裝載機單元13的長度方向的一端，第一IMS17配置在裝載機單元13的長度方向的另一端，第二IMS18與三個晶圓盒載置臺15并列地配置。
裝載機單元13包括配置在內(nèi)部的，搬送晶片W的標量(scalar)型雙臂類型的搬送臂機構(gòu)19；以及作為晶片W的放入口的三個裝載口20，配置在側(cè)壁使得與各個晶圓盒載置臺15對應(yīng)。各個裝載口20與對應(yīng)的各個晶圓盒載置臺15所載置的晶圓盒14連接。搬送臂機構(gòu)19，經(jīng)過裝載口20，從載置在晶圓盒載置臺15上的晶圓盒14取出晶片W，將該取出的晶片W，向第一工序舟11、第二工序舟12、定位器16、第一IMS17或者第二IMS18搬入搬出。
第一IMS17是光學(xué)系統(tǒng)的監(jiān)視器，包括載置搬入的晶片W的載置臺21；以及光學(xué)傳感器22，指向載置在該載置臺21上的晶片W，該第一IMS17用于測定晶片W的表面形狀，例如表面層的膜厚、以及配線槽或者柵電極等的CD(臨界尺寸(Critical Dimension))值。第二IMS18也是光學(xué)系統(tǒng)的監(jiān)視器，與第一IMS17同樣的，具有載置臺23和光學(xué)傳感器24，用于計測晶片W的表面的微粒數(shù)量。
第一工序舟11具有對晶片W進行RIE處理的第一工序單元25；以及第一負載鎖定單元27，內(nèi)置聯(lián)桿(link)型單拾取型第一搬送臂26，與該第一工序單元25交接晶片W。
第一工序單元25包括圓筒狀的處理室容器(腔室)；以及配置在該腔室內(nèi)的上部電極和下部電極，該上部電極和下部電極之間的距離設(shè)定為用于對晶片W進行RIE處理的合適間隔。另外，下部電極在其頂部具有利用庫侖力等固定(chuck卡住)晶片W的ESC28。
第一工序單元25，向腔室內(nèi)部導(dǎo)入處理氣體，在上部電極和下部電極之間發(fā)生電場，由此，將導(dǎo)入的處理氣體等離子化，發(fā)生離子和原子團，利用該離子和原子團來對晶片W進行RIE處理。
在第一工序舟11中，將裝載單元13的內(nèi)部壓力維持為大氣壓，另一方面，第一工序單元25的內(nèi)部壓力維持為真空。為此，第一負載鎖定單元27在與第一工序單元25的連接部具有真空門閥門29，同時，在與裝載單元13的連接部具有大氣門閥門30，由此，構(gòu)成為可調(diào)整其內(nèi)部壓力的真空預(yù)備搬送室。
在第一負載鎖定單元27內(nèi)部，在大致中央部設(shè)置第一搬送臂26，在該第一搬送臂26的第一工序單元25側(cè)設(shè)置第一緩沖器31，在第一搬送臂26的裝載單元13側(cè)設(shè)置第二緩沖器32。第一緩沖器31和第二緩沖器32配置在軌道上，在該軌道上移動著配置在第一搬送臂26的前端部的支持晶片W的支持部(拾取器)33，將已進行RIE處理的晶片W暫時地退避到支持部33的軌道上方，通過這樣，未進行RIE處理的晶片W和RIE處理完的晶片W能夠在第一工序單元25圓滑地進行交換。
第二工序舟12包括對晶片W進行COR處理的第二工序單元34；第三工序單元36，通過真空門閥門35與該第二工序單元34連接，對晶片W進行PHT處理；以及第二負載鎖定單元49，內(nèi)置聯(lián)桿型單拾取型第二搬送臂37，與第二工序單元34和第二工序單元36交接晶片W。
圖2是圖1的第二工序單元34的截面圖，圖2(A)是沿著圖1的線II-II的截面圖，圖2(B)是圖2(A)的A部的放大圖。
在圖2(A)中，第二工序單元34包括圓筒狀的處理室容器(腔室)38；配置在該腔室38內(nèi)的作為晶片W的載置臺的ESC39；配置在腔室38上方的噴頭40；排氣腔室38內(nèi)的氣體等的TMP(渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump))41；以及APC(自動壓力控制(AutomaticPressure Control))閥門42，配置在腔室38和TMP41之間，作為控制腔室38內(nèi)的壓力的可變式蝶形閥。
ESC39具有向內(nèi)部施加直流電壓的電極板(未圖示)，通過由直流電壓所發(fā)生庫侖力或者Johnsen-Rahbek(約翰遜-拉別克)力來吸附保持晶片W。另外，ESC39具有作為調(diào)溫機構(gòu)的制冷劑室(未圖示)。向該制冷劑室中循環(huán)供給規(guī)定溫度的制冷劑，例如冷卻水或冷卻液，利用該制冷劑的溫度來控制吸附保持在ESC39上面的晶片W的處理溫度。更進一步，ESC39具有傳熱氣體供給系統(tǒng)(未圖示)，在ESC39上面和晶片的里面之間四處地供給傳熱氣體(氦氣)。傳熱氣體在COR處理期間，利用制冷劑進行維持為希望的指定溫度的ESC39和晶片W的熱交換，高效且均勻地冷卻晶片。
另外，ESC39具有從其上面自由突出的作為起模頂桿(lift pin)的多個推動桿(push pin)56，這些推動桿56在晶片W吸附保持在ESC39上時，在將收容在ESC39上的已進行COR處理的晶片W從腔室38搬出時，從ESC39上面突出，將晶片W向上方升起。
噴頭40具有雙層構(gòu)造，下層部43和上層部44分別地具有第一緩沖室45和第二緩沖室46。第一緩沖室45和第二緩沖室46分別通過通氣孔47、48而與腔室38內(nèi)連通。即，噴頭40包括具有分別向第一緩沖室45和第二緩沖室46供給的氣體向著腔室38內(nèi)的內(nèi)部通路，分層狀堆積的兩個板狀體(下層部43、上層部44)。
在對晶片W進行COR處理時，從后述的氨氣供給管57向第一緩沖室45供給NH3(氨氣)，該供給的氨氣通過氣體通氣孔47向腔室38內(nèi)供給，同時，從后述的氟化氫氣體供給管58向第二緩沖室46供給HF(氟化氫)氣體，該供給的氟化氫氣體通過氣體通氣孔48向腔室38內(nèi)供給。
另外，噴頭40內(nèi)置加熱器(未圖示)例如加熱元件。優(yōu)選該加熱元件配置在上層部44上，控制第二緩沖室46內(nèi)的氟化氫氣體的溫度。
另外，如圖2(B)所示那樣，氣體通氣孔47、48的向著腔室38內(nèi)的開口部形成為末端寬狀。通過這樣，能夠使得氨氣或者氟化氫氣體更有效地向腔室38內(nèi)擴散。更進一步，氣體通氣孔47、48的截面呈現(xiàn)為中間細形狀，所以，能夠防止在腔室38中所發(fā)生的堆積物通過氣體通氣孔47、48，進而能夠防止向第一緩沖室45或者第二緩沖室46倒流。即，氣體通氣孔47、48也可以為螺旋狀的通氣孔。
該第二工序單元34，通過調(diào)整腔室38內(nèi)的壓力和氨氣和氟化氫氣體的體積流量比，來對晶片W進行COR處理。另外，該第二工序單元34進行設(shè)計(后混合設(shè)計)，使得在腔室38內(nèi)氨氣和氟化氫氣體才進行混合，所以，可防止該兩種混合氣體混合，直到上述兩種氣體導(dǎo)入腔室38內(nèi)，因此，在氟化氫氣體和氨氣導(dǎo)入腔室38內(nèi)之前可防止反應(yīng)。
另外，在第二工序單元34中，腔室38的側(cè)壁內(nèi)置加熱器(未圖示)，例如加熱元件，防止腔室38內(nèi)的氣體溫度降低。通過這樣，能夠提高COR處理的再現(xiàn)性。另外，側(cè)壁內(nèi)的加熱元件控制側(cè)壁的溫度，從而可防止腔室38內(nèi)所發(fā)生的副生成物附著在側(cè)壁的內(nèi)側(cè)。
返回到圖1，第三工序單元36包括框體狀的處理室容器(腔室)50；配置在該腔室50內(nèi)的作為晶片W的載置臺的平臺加熱器51；緩沖臂52，配置在該平臺加熱器51的周圍，將載置在平臺加熱器51上的晶片W向上方升起；以及PHT腔室蓋(未圖示)，作為阻斷腔室內(nèi)和外部氣體的自由開閉的蓋。
平臺加熱器51由在表面形成氧化膜的鋁所構(gòu)成，通過內(nèi)置的電熱線等將載置的晶片W加熱到規(guī)定溫度。具體地說，平臺加熱器51經(jīng)過1分鐘至少將載置的晶片W直接加熱到100～200℃，優(yōu)選直接加熱到大約135℃。
在PHT腔室蓋上配置有硅橡膠制成的密封加熱器。另外，在腔室50的側(cè)壁中內(nèi)置卡式(cartridge)加熱器(未圖示)，該卡式加熱器將腔室50的側(cè)壁的壁面溫度控制到25～80℃。通過這樣，可防止在腔室50的側(cè)壁上附著副生成物，防止由于附著的副生成物導(dǎo)致的產(chǎn)生微粒，延長腔室50的清洗周期。而且，腔室50的外周由熱密封物所覆蓋。
作為從上方加熱晶片W的加熱器，也可以配置紫外線放射(UVradiation)加熱器，來代替上述的密封加熱器。作為紫外線放射加熱器，具有放射波長190～400nm紫外線的紫外線燈等。
緩沖臂52將已進行COR處理的晶片W暫時地退避到第二搬送臂37的支持部53的軌道上方，通過這樣，能夠圓滑地交換第二工序單元34和第三工序單元36的晶片W。
該第三工序單元36，通過調(diào)整晶片W的溫度，來對晶片W進行PHT處理。
第二負載鎖定單元49具有內(nèi)置第二搬送臂37的框體狀搬送室(腔室)70。另外，裝載機單元13的內(nèi)部壓力被維持為大氣壓，另一方面，第二工序單元34和第三工序單元36的內(nèi)部壓力被維持為真空。為此，第二負載鎖定單元49在與第三工序單元36的連接部具有真空門閥門54，同時，在與裝載機單元13的連接部具有大氣門閥門55，由此，構(gòu)成為可調(diào)整其內(nèi)部壓力的真空預(yù)備搬送室。
圖3是表示圖1的第二工序舟34的大致構(gòu)成的立體圖。
在圖3中，第二工序單元34包括氨氣供給管57，向第一緩沖室45供給氨氣；氟化氫氣體供給管58，向第二緩沖室46供給氟化氫氣體；壓力表59，測定腔室38內(nèi)的壓力；以及冷機單元60，向配設(shè)在ESC39內(nèi)的冷卻系統(tǒng)供給制冷劑。
在氨氣供給管57中設(shè)置有MFC(質(zhì)量流量控制器(Mass FlowController))(未圖示)，該MFC調(diào)整向第一緩沖室45供給的氨氣的流量，同時，在氟化氫氣體供給管58中也設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)整向第二緩沖室46供給的氟化氫氣體的流量。氨氣供給管57的MFC和氟化氫氣體供給管58的MFC協(xié)動，以調(diào)整向腔室38供給的氨氣和氟化氫氣體的體積流量比。
另外，在第二工序單元34的下方，配置與DP(Dry Pump)(未圖示)連接的第二工序單元排氣系統(tǒng)61。第二工序單元排氣系統(tǒng)61，具有排氣管63，配設(shè)在腔室38和APC閥門42之間，與排氣通道62連通；以及排氣管64，與TMP41的下方(排氣側(cè))連接，排氣腔室38內(nèi)的氣體等。而且，排氣管64在DP之前與排氣管63連接。
第三工序單元36包括氮氣供給管65，向腔室50供給氮氣(N2)；壓力表66，測定腔室50內(nèi)的壓力；以及第三工序單元排氣系統(tǒng)67，排氣腔室50內(nèi)的氮氣等。
氮氣供給管65上設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)整向腔室50供給的氮氣的流量。第三工序單元排氣系統(tǒng)67包括主排氣管68，與腔室50連通的同時與DP連接；配置在該主排氣管68途中的APC閥門69；以及副排氣管68a，從主排氣管68分支使得回避APC閥門69，而且在DP之前與主排氣管68連接。APC閥門69控制腔室50內(nèi)的壓力。
第二負載鎖定單元49包括氮氣供給管71，向腔室70供給氮氣；壓力表72，測定腔室70內(nèi)的壓力；第二負載鎖定單元排氣系統(tǒng)73，排氣腔室70內(nèi)的氮氣等；以及大氣連通管74，將腔室70內(nèi)進行大氣開放。
在氮氣供給管71上設(shè)置有MFC(未圖示)，該MFC調(diào)整向腔室70供給的氮氣的流量。第二負載鎖定單元排氣系統(tǒng)73由1個排氣管所構(gòu)成，該排氣管與腔室70連通，同時，在DP之前與第三工序單元排氣系統(tǒng)67的主排氣管68連接。另外，第二負載鎖定單元排氣系統(tǒng)73和大氣連通管74分別具有自由開閉的排氣閥門75和安全閥門76，該排氣閥門75和安全閥門76協(xié)動，以將腔室70內(nèi)的壓力從大氣壓調(diào)整到任意希望的真空度。
返回到圖1，基板處理裝置10包括系統(tǒng)控制器，控制第一工序舟11、第二工序舟12和裝載機單元13的動作；以及操作面板88，配置在裝載機單元13的長度方向的一端。
操作面板88具有例如由LCD(液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay))構(gòu)成的顯示部，該顯示部顯示基板處理裝置10的各個構(gòu)成要素的操作狀況。
如圖4所示那樣，系統(tǒng)控制器具有EC(裝置控制器(EquipmentController))89；3個MC(模塊控制器(Module Controller))90、91、92；以及連接EC89和各個MC的開關(guān)集線器(switching hub)93。該系統(tǒng)控制器從EC89開始通過LAN(局域網(wǎng)(Local Area Network))170，與PC171連接，該PC171作為管理設(shè)置基板處理裝置10的整個工廠的制造工程的MES(制造執(zhí)行系統(tǒng)(Manufacturing Execution System))。MES與系統(tǒng)控制器協(xié)作，將關(guān)于工廠的工程的實時信息反饋給基礎(chǔ)事務(wù)系統(tǒng)(未圖示)，同時，考慮工廠整體的負荷等進行關(guān)于工程的判斷。
EC89是總括各個MC來控制基板處理裝置10整體的操作的主控制部(主控制部)。另外，EC89具有CPU、RAM、HDD等，對應(yīng)于操作面板88上由用戶指定的晶片W的處理條件，即對應(yīng)于與制法(recipe)對應(yīng)的程序，發(fā)送控制信號，由此，控制第一工序舟11、第二工序舟12和裝載機單元13的操作。
另外，如圖5所示那樣，EC89包括設(shè)定晶片W的制法的設(shè)定部；檢測各個工序單元的異常的檢測部；在該檢測部檢測到異常時中止各個工序單元的晶片W的處理的中止部；變更對晶片W所設(shè)定的制法的變更部；以及分別與它們連接的系統(tǒng)總線。
返回圖4，開關(guān)集線器93對應(yīng)于來自EC89的控制信號，切換作為EC89的連接端的MC。
MC90、91、92分別是控制第一工序舟11、第二工序舟12和裝載機單元13的操作的副控制部(從控制部)。各個MC通過DIST(Distribution)端口96并經(jīng)由GHOST網(wǎng)絡(luò)95，分別與各個I/O(輸出輸入口)模塊97、98、99連接。GHOST網(wǎng)絡(luò)95是通過搭載在MC所具有的MC端口上的稱為GHOST(General High-Speed OptimumScalable Transceiver)的LSI所實現(xiàn)的網(wǎng)絡(luò)。GHOST網(wǎng)絡(luò)95上最大可連接31個I/O模塊，在GHOST網(wǎng)絡(luò)95中，MC屬于主，I/O模塊屬于從。
I/O模塊98由與第二工序舟12的各個構(gòu)成要素(下面稱為“終端器件”)連接的多個I/O部100所構(gòu)成，進行向各個終端器件的控制信號和來自各個終端器件的輸出信號的傳送。與I/O模塊98的I/O部100連接的終端器件，例如，第二工序單元34的氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、壓力表59和APC閥門42、第三工序單元36的氮氣供給管65的MFC、壓力表66、APC閥門69、緩沖臂52和平臺加熱器51、以及第二負載鎖定單元49的氮氣供給管71的MFC、壓力表72和第二搬送臂37等符合。
而且，I/O模塊97、99具有與I/O模塊98相同的構(gòu)成，與第一工序舟11對應(yīng)的MC90和I/O模塊97的連接關(guān)系，以及與裝載機單元13對應(yīng)的MC92和I/O模塊99的連接關(guān)系，也具有同上述的MC91和I/O模塊98的連接關(guān)系相同的構(gòu)成，所以，省略了它們的說明。
另外，控制I/O部100的數(shù)字信號、模擬信號和串行信號的輸入輸出的I/O端口(未圖示)也與各個GHOST網(wǎng)絡(luò)95連接。
在基板處理裝置10中，在對晶片W進行COR處理時，與對應(yīng)于COR處理的制法的程序?qū)?yīng)，EC89，通過開關(guān)集線器93、MC91、GHOST網(wǎng)絡(luò)95和I/O模塊98的I/O部100，向希望的終端器件發(fā)送控制信號，通過這樣，進行第二工序單元34的COR處理。
具體地說，EC89，向氨氣供給管57的MFC和氟化氫氣體供給管58的MFC發(fā)送控制信號，由此，將腔室38的氨氣和氟化氫氣體的體積流量比調(diào)整到希望的值，向TMP41和APC閥門42發(fā)送控制信號，將腔室38內(nèi)的壓力調(diào)整到希望的值。另外，此時，壓力表59將腔室38內(nèi)的壓力值作為輸出信號發(fā)送給EC89，該EC89基于發(fā)送的腔室38內(nèi)的壓力值，決定氨氣供給管57的MFC、氟化氫氣體供給管58的MFC、APC閥門42和TMP41的控制參數(shù)。
另外，在對晶片W進行PHT處理時，與對應(yīng)于PHT處理的制法的程序?qū)?yīng)，EC89向希望的終端器件發(fā)送控制信號，執(zhí)行第三工序單元36的PHT處理。
具體地說，EC89向氮氣供給管65的MFC和APC閥門69發(fā)送控制信號，通過這樣，將腔室50內(nèi)的壓力調(diào)整到希望的值，向平臺加熱器51發(fā)送控制信號，由此，將晶片W的溫度調(diào)整到希望的溫度。另外，此時，壓力表66將腔室50內(nèi)的壓力值作為輸出信號發(fā)送給EC89，該EC89基于發(fā)送的腔室50內(nèi)的壓力值，決定APC閥門69和氮氣供給管65的MFC的控制參數(shù)。
圖4的系統(tǒng)控制器中，多個終端器件不與EC89直接連接，與該多個終端器件連接的I/O部100模塊化，構(gòu)成I/O模塊，該I/O模塊通過MC和開關(guān)集線器93與EC89連接，所以，能夠簡化通信系統(tǒng)。
另外，EC89發(fā)送的控制信號中，包括與希望的終端器件連接的I/O部100的地址，以及包含該I/O部100的I/O模塊的地址，所以，開關(guān)集線器93參照控制信號的I/O模塊的地址，MC的GHOST參照控制信號的I/O部100的地址，開關(guān)集線器93和MC就能夠不必要進行向CPU查問控制信號的發(fā)送端，通過這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)控制信號的圓滑傳送。
在上述基板處理裝置10中，在通過對多個晶片W進行RIE處理、COR處理和PHT處理來大量生產(chǎn)電子器件的情況下，操作者通過操作面板88將制法緩沖功能設(shè)定為“有效”。制法緩沖功能是這樣的功能在與制法對應(yīng)的各個處理途中，由于發(fā)生錯誤，操作者修正制法的情況下，禁止對下一個晶片W反映修正的制法。此時，EC89，在對收容在一個晶圓盒(FOUP)14中的相當(dāng)于1組的晶片W進行各個處理期間，除了在上述各個處理途中發(fā)生錯誤的情況，不接受由操作者進行的第一工序單元25、第二工序單元34、或第三工序單元36的制法的修正輸入。另外，EC89控制MC90和MC91，原樣維持第一工序單元25、第二工序單元34、或者第三工序單元36的制法。
下面，對利用本發(fā)明實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的基板處理，來進行說明。
EC89對應(yīng)于程序或者操作者的輸入等，控制第一工序舟11、第二工序舟12以及裝載機單元13的操作，通過這樣，執(zhí)行基板處理。另外，基板處理也能夠適用于第一工序單元25、第二工序單元34、以及第三工序單元36的任何一個，但下面為了簡單，著眼于第一工序單元25來進行說明。
圖6是表示利用本實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的第一基板處理的順序的流程圖。圖7是表示在操作面板88的顯示部上所顯示的制法編輯畫面的圖。
在圖6中，首先，由操作者輸入作為對晶片W實行的RIE處理的制法的圖7(A)所示的制法。圖7(A)所示的制法，是表示包含以穩(wěn)定步驟、第一時間步驟、第二時間步驟以及結(jié)束步驟的順序的各個步驟的RIE處理步驟之信息，包含各個步驟的處理時間等信息。在該制法中，穩(wěn)定步驟為了在接下來時間的步驟中對晶片W執(zhí)行RF許可處理等，而調(diào)整腔室內(nèi)的狀態(tài)，時間步驟，對晶片W實行RF許可處理或RF不許可處理等處理，結(jié)束步驟，為了將實行完全部的RIE處理的晶片W向腔室外搬出，而一邊調(diào)整腔室內(nèi)的狀態(tài)，一邊將該晶片W向腔室外搬出。
接著，EC89設(shè)定由上述的操作者所輸入的制法作為對晶片W進行的RIE處理的制法，在第一工序單元25中展開該制法(步驟S601)(設(shè)定步驟)。
接著，通過裝載機單元13和第一負載鎖定單元27，從晶圓盒14向第一工序單元25搬入晶片W(步驟S602)，盡管執(zhí)行該制法的步驟，也檢查是否沒有問題(下面，稱為“制法檢查”)(步驟S603)，從最初的步驟開始順序地對晶片W進行與該制法對應(yīng)的RIE處理(步驟S604)。
更進一步，在第一工序單元25中，如果在與該制法對應(yīng)的RIE處理途中檢測到發(fā)生錯誤(步驟S604)(檢測步驟)，則EC89中斷第一工序單元25的RIE處理(步驟S606)(中止步驟)。在本處理中，假定在圖7(A)的制法的第二時間步驟的途中發(fā)生錯誤的情況。此時，晶片W不從第一工序單元25中搬出，留在第一工序單元25內(nèi)。而且，EC89在操作面板88上顯示圖7(A)所示的制法編輯畫面。操作者能夠從該制法編輯畫面進行制法修正輸入。在本處理中，在制法的穩(wěn)定步驟以外的步驟途中發(fā)生錯誤，對晶片W中斷RIE處理的情況下，利用操作者，通過發(fā)生錯誤的步驟(下面稱為“發(fā)生錯誤步驟”)的結(jié)束條件、處理時間、以及從RF許可向不許可或者從不許可向許可的修正輸入以外的制法修正輸入，來修正制法之時，執(zhí)行發(fā)生錯誤的步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后，僅發(fā)生錯誤時的剩余處理時間(下面稱為“剩余時間”)執(zhí)行該錯誤發(fā)生步驟，所以，操作者進行修正輸入使得發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟的制法與發(fā)生錯誤步驟的制法修正輸入對應(yīng)(圖7(B))。
接著，EC89判斷是否具有上述那樣的由操作者進行的制法修正輸入(步驟S607)，在具有制法修正輸入時，EC89對應(yīng)于制法修正輸入來修正制法，在第一工序單元25中展開該修正的制法(步驟S608)(變更步驟)，進行該修正的制法的制法檢查(步驟S609)，接著，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的錯誤發(fā)生步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S610)。
在步驟S610的處理中，在進行發(fā)生錯誤步驟的結(jié)束時間、處理時間、以及從RF許可向不許可或者從不許可向許可的修正以外的制法修正之情況下，上述那樣執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后僅剩余時間執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。
另外，在已修正發(fā)生錯誤步驟的結(jié)束條件、和處理時間的制法的情況下，執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。但是，作為例外，在發(fā)生錯誤步驟修正為穩(wěn)定步驟的情況下，不執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟，在發(fā)生錯誤步驟修正為結(jié)束步驟的情況下，從修正的制法的最初步驟開始再次執(zhí)行。
另外，在發(fā)生錯誤步驟的從RF許可向不許可或從不許可向許可的制法進行修正的情況下，不執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。
另外，在步驟S604之后，由操作者進行不同制法的修正輸入，EC89對應(yīng)于由操作者所進行的不同制法的修正輸入，來修正制法，將該修正的制法在第一工序單元25中展開，在該情況下，步驟S607從該修正的制法的最初步驟開始執(zhí)行。
在沒有步驟S607的判斷結(jié)果、由操作者所進行的制法修正輸入時，對晶片W再執(zhí)行與發(fā)生錯誤步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S612)。
在步驟S612的處理中，在發(fā)生錯誤步驟是穩(wěn)定步驟以外的情況下，執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后，僅剩余時間執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。另外，在發(fā)生錯誤步驟是穩(wěn)定步驟的情況下，不執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟。
利用步驟S610或者S612而執(zhí)行RIE處理的晶片W，從第一工序單元25中搬出(步驟S611)，結(jié)束本處理。
如根據(jù)圖6的第一基板處理，EC89，在中斷第一工序單元25的RIE處理的情況下(步驟S606)，在具有由操作者所進行的制法修正輸入時(步驟S607是YES)，則對應(yīng)于制法修正輸入來修正制法，將該修正的制法在第一工序單元25中展開(步驟S608)，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的錯誤發(fā)生步驟所對應(yīng)的RIE處理(步驟S610)，所以，能夠任意地修正對未結(jié)束晶片的處理條件，因此，能夠不從處理室內(nèi)取出未結(jié)束的晶片，來對未結(jié)束晶片再執(zhí)行最佳處理。
另外，在本處理中，在制法緩沖功能設(shè)定為“有效”的情況下，不能對下一個晶片W反映修正的制法，在制法緩沖功能設(shè)定為“無效”的情況下，對下一個晶片W反映修正的制法。但是，在制法緩沖功能設(shè)定為“無效”的情況下，通過由操作者所進行的不同制法的修正輸入，EC89對不同的制法修正制法之時，不能對下一個晶片W反映修正的制法。
圖8是表示由本實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的第二基板處理順序的流程圖。圖9是表示在操作面板88的顯示部上所顯示的制法編輯畫面。
在圖8中，首先，由操作者輸入作為對晶片W進行的RIE處理的制法的圖9(A)所示的制法。圖9(A)所示的制法是表示以第一穩(wěn)定步驟、第一時間步驟、第二時間步驟、第二穩(wěn)定步驟、第三時間步驟、以及結(jié)束步驟的順序包含各個步驟的RIE處理步驟之信息，包含各個步驟的處理時間等信息。
接著，EC89設(shè)定由上述的操作者所輸入的制法作為對晶片W進行的RIE處理的制法，將該制法在第一工序單元25中展開(步驟S801)(設(shè)定步驟)。
接著，通過裝載機單元13和第一負載鎖定單元27，從晶圓盒14向第一工序單元25搬入晶片W(步驟S802)，進行制法檢查(步驟S803)，從最初的步驟開始順序地對晶片W執(zhí)行與該制法對應(yīng)的RIE處理(步驟S804)。
更進一步，在第一工序單元25中，如果在對應(yīng)于該制法的RIE處理途中檢測到發(fā)生錯誤(步驟S805)(檢測步驟)，EC89則中斷第一工序單元25的RIE處理(步驟S806)(中止步驟)。此時，晶片W不從第一工序單元25中搬出，而是留在第一工序單元25內(nèi)。然后，EC89在操作面板88上顯示圖9(B)所示的制法編輯畫面。該制法編輯畫面具有“Skip”按鈕。操作者能夠按壓該“Skip”按鈕，指定對已中斷RIE處理的晶片W再執(zhí)行的步驟。
在本處理中，在發(fā)生錯誤步驟是RF許可的時間步驟(例如步驟3)的情況下，能夠由操作者指定再執(zhí)行的步驟是發(fā)生錯誤的步驟(步驟3)、以及該發(fā)生錯誤的步驟的下一個步驟(步驟4)。
另外，在發(fā)生錯誤步驟是穩(wěn)定步驟(例如步驟1)的情況下，能夠由操作者指定再執(zhí)行的步驟，僅是發(fā)生錯誤步驟(步驟1)。
另外，在發(fā)生錯誤步驟是RF不許可的時間步驟(步驟2)的情況下，能夠由操作者指定再執(zhí)行的步驟，僅是發(fā)生錯誤的步驟(步驟2)。
接著，EC89判斷是否具有上述那樣的由操作者指定再執(zhí)行的步驟(下面，稱為“再執(zhí)行指定步驟”)，(步驟S807)，在具有再執(zhí)行指定步驟時，進行與再執(zhí)行指定步驟的執(zhí)行對應(yīng)執(zhí)行的步驟的制法檢查(步驟S808)，對晶片W執(zhí)行與再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S809)(變更步驟)。
在步驟S809的處理中，在再執(zhí)行指定步驟是穩(wěn)定步驟以外的情況下，執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后，執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟。另外，在再執(zhí)行指定步驟是穩(wěn)定步驟的情況下，不執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟之前的穩(wěn)定步驟，執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟。
沒有步驟S807的判斷結(jié)果、由操作者所進行的再執(zhí)行指定步驟時，對晶片W再執(zhí)行與發(fā)生錯誤步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S811)。
在步驟S811的處理中，在發(fā)生錯誤步驟是穩(wěn)定步驟以外的情況下，執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后，僅剩余時間執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。另外，在發(fā)生錯誤步驟是穩(wěn)定步驟的情況下，不執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟之前的穩(wěn)定步驟，僅剩余時間執(zhí)行發(fā)生錯誤步驟。
利用步驟S809或者步驟S811而執(zhí)行RIE處理的晶片W，從第一工序單元25中搬出(步驟S810)，結(jié)束本處理。
如根據(jù)圖8的第二基板處理，EC89在中斷第一工序單元25的RIE處理的情況下(步驟S806)，在具有由操作者進行的再執(zhí)行指定步驟時(步驟S807是YES)，對晶片W執(zhí)行與再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S809)，所以，能夠任意地指定對未結(jié)束晶片的處理條件，因此，能夠不從處理室內(nèi)取出未結(jié)束的晶片，對未結(jié)束的晶片再進行最佳處理。
圖10和圖11是表示由本實施方式的基板處理裝置所執(zhí)行的第三基板處理的順序的流程圖。圖12是表示在操作面板88的顯示部上所顯示的制法編輯畫面的圖。
在圖10和圖11中，首先，由操作者輸入圖12(A)所示的制法作為對晶片W進行的RIE處理的制法。圖12(A)所示的制法，是表示以穩(wěn)定步驟、第一時間步驟、第二時間步驟、EPD步驟、以及結(jié)束步驟的順序包含各個步驟的RIE處理步驟之信息，包含各個步驟的處理時間等信息。在該制法中，EPD步驟是檢測RIE處理終點的步驟。
下面，EC89設(shè)定由上述的操作者輸入的制法作為對晶片W進行的RIE處理的制法，將該制法在第一工序單元25中展開(步驟S1001)(設(shè)定步驟)。
接著，通過裝載機單元13和第一負載鎖定單元27，從晶圓盒14向第一工序單元25搬入晶片W(步驟S1002)，進行制法檢查(步驟S1003)，從最初的步驟開始順序地對晶片W執(zhí)行與該制法對應(yīng)的RIE處理(步驟S1004)。
更進一步，在第一工序單元25中，如果在與該制法對應(yīng)的RIE處理途中檢測到發(fā)生錯誤(步驟S1005)(檢測步驟)，EC89則中斷第一工序單元25的RIE處理(步驟S1006)(中止步驟)。在本處理中，假定在圖12(A)的制法的第二時間步驟途中發(fā)生錯誤的情況。此時，晶片W不從第一工序單元25搬出，留在第一工序單元25內(nèi)。然后，EC89在操作面板88上顯示圖12(A)所示的制法編輯畫面。操作者能夠從該制法編輯畫面進行圖12(B)所示那樣的制法修正輸入。另外，該制法編輯畫面具有“Skip”按鈕。操作者按壓該“Skip”按鈕，能夠指定對中斷了RIE處理的晶片W再執(zhí)行的步驟。
接著，EC89判斷是否具有上述那樣由操作者進行的制法修正輸入(步驟S1007)，在具有制法修正輸入時，EC89對應(yīng)于制法的修正輸入來修正制法，將該修正的制法在第一工序單元25中展開(步驟S1008)(變更步驟)，進行該修正的制法的制法檢查(步驟S1009)。然后，EC89在操作面板88上顯示圖12(B)所示的制法編輯畫面。另外，該制法編輯畫面也具有“Skip”按鈕。操作者能夠按壓“Skip”按鈕，指定對已中斷RIE處理的晶片W再執(zhí)行的步驟。
在本處理中，能夠由操作者指定再執(zhí)行的步驟，是發(fā)生錯誤步驟(步驟3)、該發(fā)生錯誤步驟的下一個步驟(步驟4)、以及結(jié)束步驟(步驟5)的下一個步驟(步驟6)。
接著，EC89判斷是否具有上述那樣由操作者進行的再執(zhí)行指定步驟(步驟S1010)，在具有再執(zhí)行指定步驟時，與再執(zhí)行指定步驟的執(zhí)行對應(yīng)，進行執(zhí)行的步驟的制法檢查(步驟S1011)，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1012)(變更步驟)。
在步驟S1012的處理中，在再執(zhí)行指定步驟是穩(wěn)定步驟以外的情況下，執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟之前的穩(wěn)定步驟，之后，執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟。另外，在再執(zhí)行指定步驟是穩(wěn)定步驟的情況下，不執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟之前的穩(wěn)定步驟，來執(zhí)行再執(zhí)行指定步驟。
在沒有步驟S1010的判斷的結(jié)果、由操作者所進行的再執(zhí)行指定步驟時，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的發(fā)生錯誤步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1014)。
在沒有步驟S1007的判斷的結(jié)果、由操作者所進行的制法修正輸入時，EC89判斷是否具有上述那樣由操作者所進行的再執(zhí)行指定步驟(步驟S1015)，在具有再執(zhí)行指定步驟時，與再執(zhí)行指定步驟的執(zhí)行對應(yīng)，進行執(zhí)行的步驟的制法檢查(步驟S1016)，對晶片W執(zhí)行與再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1017)(變更步驟)。
在沒有步驟S1015的判斷的結(jié)果、由操作者所進行的再執(zhí)行指定步驟時，對晶片W再執(zhí)行與發(fā)生錯誤步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1018)。
利用步驟S1012、S1014、S1017、或S1018而執(zhí)行RIE處理的晶片W，從第一工序單元25中搬出(步驟S1013)，結(jié)束本處理。
如根據(jù)圖10和圖11的第三基板處理，EC89，在中斷第一工序單元25的RIE處理的情況下(步驟S1006)，在具有由操作者所進行的制法的修正輸入時(步驟S1007是YES)，與制法的修正輸入對應(yīng)來修正制法，將該修正的制法在第一工序單元25中展開(步驟S1008)，并且，在具有由操作者所進行的再執(zhí)行指定步驟時(步驟S1010是YES)，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1012)，所以，能夠任意地變更對未結(jié)束的晶片的處理條件，因此，能夠不從處理室內(nèi)取出未結(jié)束的晶片，對未結(jié)束的晶片再執(zhí)行最佳處理。
另外，在本處理中，在制法緩沖功能設(shè)定為“有效”的情況下，對下一個晶片W不能反映修正的制法，在制法緩沖功能設(shè)定為“無效”的情況下，對下一個晶片W反映修正的制法。但是，在制法緩沖功能設(shè)定為“無效”的情況下，通過由操作者所進行的不同制法的修正輸入，在EC89對不同的制法修正制法時，不能對下一個晶片W反映修正的制法。
在本實施方式中，操作者，在再執(zhí)行中斷了RIE處理的晶片W的RIE處理時，確認該晶片W的工序日志(process log)信息，由此，能夠確認是否修正了該晶片W的制法。工序日志包括是否中斷對該晶片W的RIE處理，由操作者修正制法的信息。
上述實施方式的基板處理裝置，兩個工序舟的構(gòu)造互相不同，但是，兩個工序舟的構(gòu)造也可以相同，例如，任何一個工序舟都可以是對晶片W執(zhí)行RIE處理的構(gòu)造。
另外，在上述實施方式的基板處理裝置中，執(zhí)行RIE處理等的基板不限于電子器件用的半導(dǎo)體晶片，也可以是LCD(Liquid CrystalDisplay)或者FPD(Flat Panel Display)等所使用的各種基板或者光掩膜、CD基板、印刷基板等。
上述實施方式的基板處理裝置，不限于圖1所示那樣的具有兩個互相平行配置的工序舟的并列式(parallel type)基板處理裝置，如圖13和圖14所示那樣，作為對晶片W進行規(guī)定處理的真空處理室的多個工序單元放射狀配置的基板處理裝置，也符合。
圖13是表示上述實施方式的基板處理裝置的第一變形例的大致構(gòu)成之平面圖。而且，在圖13中，與圖1的基板處理裝置10的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號，省略了其說明。
在圖13中，基板處理裝置137包括平面看六邊形的傳送(transfer)單元138；在該傳送單元138的周圍放射狀配置的四個工序單元139～142；裝載機單元13；以及配置在傳送單元138和裝載機單元13之間，連接傳送單元138和裝載機單元13的兩個負載鎖定單元143、144。
傳送單元138和各個工序單元139～142的內(nèi)部壓力維持為真空，傳送單元138和各個工序單元139～142分別通過真空門閥門145～148連接。
在基板處理裝置137中，裝載機單元13的內(nèi)部壓力維持為大氣壓，另一方面，傳送單元138的內(nèi)部壓力維持為真空。為此，各個負載鎖定單元143、144分別在與傳送單元138的連接部具有真空門閥門149、150，同時，在與裝載機單元13的連接部具有大氣門閥門151、152，通過這樣，構(gòu)成為能夠調(diào)整其內(nèi)部壓力的真空預(yù)備搬送室。另外，各個負載鎖定單元143、144具有用于暫時地載置在裝載機單元13和傳送單元138之間交接的晶片W之晶片載置臺153、154。
傳送單元138具有配置在其內(nèi)部的自由屈伸和旋轉(zhuǎn)的蛙腿(frogleg)型搬送臂155，該搬送臂155在各個工序單元139～142和各個負載鎖定單元143、144之間搬送晶片W。
各個工序單元139～142分別具有載置已進行處理的晶片W的載置臺156～159。這里，工序單元139、140具有與基板處理裝置10的第一工序單元25相同的構(gòu)成，工序單元141具有與第二工序單元34相同的構(gòu)成，工序單元142具有與第三工序單元36相同的構(gòu)成。
而且，基板處理裝置137的各個構(gòu)成要素的操作，通過具有與基板處理裝置10的系統(tǒng)控制器相同的構(gòu)成的系統(tǒng)控制器來進行控制。
圖14是表示上述實施方式的基板處理裝置的第二變形例的大致構(gòu)成的平面圖。而且，在圖14中，與圖1的基板處理裝置10和圖13的基板處理裝置137的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素，賦予相同的符號，省略了其說明。
在圖14中，基板處理裝置160，對圖13的基板處理裝置137，追加了兩個工序單元161、162，與此對應(yīng)，傳送單元163的形狀也與基板處理裝置137的傳送單元138的形狀不同。追加的兩個工序單元161、162，分別通過真空門閥門164、165與傳送單元163連接，同時，具有晶片W的載置臺166、167。工序單元161具有與第一工序單元25相同的構(gòu)成，工序單元162具有與第二工序單元34相同的構(gòu)成。
另外，傳送單元163具有由兩個標量(scalar)臂類型的搬送臂構(gòu)成的搬送臂單元168。該搬送臂單元168沿著配設(shè)在傳送單元163內(nèi)的引導(dǎo)軌道169移動，在各個工序單元139～142、161、162和各個負載鎖定單元143、144之間搬送晶片W。
而且，基板處理裝置160的各個構(gòu)成要素的操作，通過具有與基板處理裝置10的系統(tǒng)控制器相同的構(gòu)成的系統(tǒng)控制器來進行控制。
通過將存儲實現(xiàn)上述本實施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲介質(zhì)，提供給EC89，EC89的計算機(或者CPU或MPU等)讀出存儲在存儲介質(zhì)中的程序碼來執(zhí)行，也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。
這種情況下，從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼本身實現(xiàn)上述本實施方式的功能，該程序代碼和存儲該程序代碼的存儲介質(zhì)構(gòu)成了本發(fā)明。
另外，作為用于供給程序代碼的存儲介質(zhì)，例如，能夠使用軟(floppy(注冊商標))盤、硬盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盤、磁帶、非易失性存儲卡、ROM等。另外，通過網(wǎng)絡(luò)下載程序代碼也可以。
另外，也包含這種情況通過計算機執(zhí)行讀出的程序代碼，實現(xiàn)上述本實施方式的功能，不僅如此，而且，基于該程序代碼的指示，在計算機上啟動的OS(操作系統(tǒng))等進行實際處理的一部分或者全部，利用該處理，實現(xiàn)上述本實施方式的功能之情況。
更進一步，也包含這種情況從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼，寫入插入計算機中的功能擴展板或者與計算機連接的功能擴展單元所具有的存儲器中，之后，基于該程序代碼的指示，擴展板或者擴展單元所具有的CPU等將其擴展功能執(zhí)行實際處理的一部分或者全部，利用該處理實現(xiàn)前述本實施方式的功能。
上述程序代碼的方式，也可以由目標代碼、由解釋器執(zhí)行的程序代碼、提供給OS的符號(script)數(shù)據(jù)等方式構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，包括設(shè)定部，設(shè)定執(zhí)行基板處理的基板處理單元的處理條件；檢測部，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中該基板處理單元的異常；以及中止部，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于具有變更部，變更已由所述中止部中止處理的基板的所述處理條件。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述變更部通過修正所述處理條件，進行所述處理條件的變更。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于所述處理條件包括多個處理條件，所述變更部從所述多個處理條件中指定處理條件，通過這樣進行所述處理條件的變更。
4.一種基板處理條件變更方法，包括設(shè)定步驟，設(shè)定執(zhí)行基板處理的基板處理單元的處理條件；檢測步驟，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中該基板處理單元的異常；以及中止步驟，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于具有變更步驟，變更已由所述中止步驟中止處理的基板的所述處理條件。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理條件變更方法，其特征在于所述變更步驟通過修正所述處理條件，進行所述處理條件的變更。
6.如權(quán)利要求4或5所述的基板處理條件變更方法，其特征在于所述處理條件包括多個處理條件，所述變更步驟從所述多個處理條件中指定處理條件，通過這樣進行所述處理條件的變更。
7.一種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其存儲由計算機執(zhí)行下述模塊的程序設(shè)定模塊，設(shè)定執(zhí)行基板處理的基板處理單元的處理條件；檢測模塊，檢測在所述基板處理單元基于該處理條件執(zhí)行所述基板的處理中該基板處理單元的異常；以及中止模塊，在檢測到該異常時，中止所述基板處理單元的所述基板的處理，其特征在于所述程序具有變更模塊，變更已由所述中止模塊中止處理的基板的所述處理條件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，能夠不從處理室內(nèi)取出已中止處理的基板，對已中止處理的基板再進行最佳處理，在基板處理裝置(10)中，系統(tǒng)控制器的EC(89)，如果檢測到在第一工序單元(25)中對應(yīng)于晶片W的制法的RIE處理途中發(fā)生錯誤(步驟S1005)，則中斷第一工序單元(25)的RIE處理(步驟S1006)，在具有由操作者進行的制法修正輸入時(步驟S1007是YES)，將對應(yīng)于制法的修正輸入來修正的制法在第一工序單元(25)中展開(步驟S1008)，在具有由操作者進行的再執(zhí)行指定步驟時(步驟S1010是YES)，對晶片W執(zhí)行與修正的制法的再執(zhí)行指定步驟對應(yīng)的RIE處理(步驟S1012)。
文檔編號G05B19/04GK101030525SQ200710079129
公開日2007年9月5日 申請日期2007年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月28日
發(fā)明者橫內(nèi)健, 八木文子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社