低廉，并且實(shí)現(xiàn)了 us級(jí)的檢測(cè)精度，可區(qū)分保護(hù)器件之間的微小差別。
[0043] 另外，由于現(xiàn)有技術(shù)中的檢測(cè)裝置均未將待測(cè)保護(hù)器件設(shè)置于電路中，直接對(duì)未 設(shè)于電路中的待測(cè)保護(hù)器件進(jìn)行檢測(cè)，使得測(cè)量出的動(dòng)作時(shí)間過(guò)于理想化，但將待測(cè)保護(hù) 器件安裝至電路中后，實(shí)際動(dòng)作時(shí)間與測(cè)量出的動(dòng)作時(shí)間相差太遠(yuǎn)，導(dǎo)致測(cè)量出的動(dòng)作時(shí) 間參考意義并不大，而本實(shí)施方式中的動(dòng)作時(shí)間是在待測(cè)保護(hù)器件設(shè)置于電路中時(shí)進(jìn)行檢 測(cè)的，明顯比現(xiàn)有技術(shù)中的檢測(cè)裝置更為準(zhǔn)確。
[0044] 圖4是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的光耦發(fā)射電路及光耦接收電路的結(jié)構(gòu)示意圖；參 照?qǐng)D4,所述光耦發(fā)射電路包括：第一光電耦合器IC1，所述光耦發(fā)射電路IC1接收到的高頻 信號(hào)通過(guò)所述第一光電耦合器的輸入端（即圖中IC1的第2端和第3端），從所述第一光電 耦合器的輸出端傳輸（即圖中IC1的第6端和第5端）至所述光耦接收電路。
[0045] 所述光耦接收電路包括第二光電耦合器IC2,所述光耦接收電路IC2接收到的高 頻信號(hào)通過(guò)所述第二光電耦合器的輸入端（即圖中IC2的第2端和第3端），從所述第二光 電耦合器的輸出端（即圖中IC2的第6端和第5端）傳輸至所述控制單元。
[0046] 為了防止所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的電源（通常為220V的交流電，而光電耦合器的 導(dǎo)通電壓一般不超過(guò)3V)進(jìn)入所述光耦發(fā)射電路及光耦接收電路，而產(chǎn)生回路，導(dǎo)致器件 損壞，故而，所述光耦發(fā)射電路及光耦接收電路與所述待測(cè)空開(kāi)所在電路不共地，即圖中的 GND1與所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的地不連接，所以當(dāng)所述待測(cè)空開(kāi)閉合時(shí)，光耦發(fā)射電路及 光耦接收電路連接到所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的電源上，就類(lèi)似于小鳥(niǎo)的兩個(gè)爪子搭在電線 上，不會(huì)在所述光耦發(fā)射電路及光耦接收電路產(chǎn)生大電流。
[0047] 另外，為防止所述待測(cè)空開(kāi)從閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)的瞬間，所述待測(cè)空開(kāi)所 在電路的電源進(jìn)入所述光耦發(fā)射電路或光耦接收電路，導(dǎo)致器件燒毀，本實(shí)施例中在所述 光耦發(fā)射電路與所述待測(cè)空開(kāi)的P端之間設(shè)有安規(guī)電容C1。
[0048] 本實(shí)施例中，所述第一安規(guī)電容C1的規(guī)格為lnF/2KV，以下為電容交流特性詳細(xì) 說(shuō)明；
[0050] ①針對(duì)所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的電源而言，f = 50Hz，C = 0.0 OluF
[0052] ②針對(duì)高頻信號(hào)而言，f = 5X 106Hz，C = 0· OOluF
[0054] 即該第一安規(guī)電容對(duì)高頻信號(hào)的容抗為32Ω，對(duì)所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的電源而 言，容抗為3X ΙΟ6 Ω，故而，高頻信號(hào)可以通過(guò)所述第一安規(guī)電容；而待測(cè)空開(kāi)所在電路的 電源則被阻斷，無(wú)法進(jìn)入光耦發(fā)射電路及光耦接收電路；
[0055] 圖5是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的電力保護(hù)器件的動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)方法的流程圖； 參照?qǐng)D5,所述方法包括：
[0056] S501 :控制單元產(chǎn)生高頻信號(hào)，將產(chǎn)生的高頻信號(hào)傳輸至光耦發(fā)射電路；
[0057] S502:所述光耦發(fā)射電路在所述待測(cè)空開(kāi)為閉合狀態(tài)時(shí)，將接收到的高頻信號(hào)傳 輸至光耦接收電路及短路器；
[0058] S503:所述光耦接收電路接收由所述光耦發(fā)射電路傳輸?shù)母哳l信號(hào)，將接收到的 高頻信號(hào)傳輸至所述控制單元；
[0059] S504 :所述控制單元向所述短路器發(fā)送短路脈沖；
[0060] S505 :所述短路器在接收到短路脈沖時(shí)，將所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的負(fù)載短路，以 使所述待測(cè)空開(kāi)從閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)；
[0061] S506 :磁環(huán)在所述短路器將所述待測(cè)空開(kāi)所在電路的負(fù)載短路時(shí)，產(chǎn)生與所述短 路器接收的高頻信號(hào)相應(yīng)的感應(yīng)信號(hào)，并將產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)傳輸至所述控制單元；
[0062] S507:所述控制單元根據(jù)接收到的高頻信號(hào)及感應(yīng)信號(hào)來(lái)確定所述待測(cè)空開(kāi)從閉 合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)的動(dòng)作時(shí)間。
[0063] 本實(shí)施方式的方法即可用于單個(gè)保護(hù)器件的測(cè)量，可應(yīng)用于電力系統(tǒng)保護(hù)裝置入 場(chǎng)合格率檢測(cè)，當(dāng)然，還可應(yīng)用于其他場(chǎng)景，本實(shí)施方式對(duì)此不加以限制。
[0064] 圖6是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的電力保護(hù)器件的動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示 意圖；參照?qǐng)D6,所述系統(tǒng)包括：若干所述的裝置，各裝置之間的光耦發(fā)射電路及光耦接收 電路不共地。
[0065] 基于級(jí)聯(lián)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，難點(diǎn)在于如何解決級(jí)間高頻信號(hào)通過(guò)交流線相互產(chǎn)生影 響。本實(shí)施方式采用將各光耦檢測(cè)器（為便于說(shuō)明，故而此處將光耦發(fā)射電路及光耦接收 電路的組合稱(chēng)為光耦檢測(cè)器，光耦檢測(cè)器的發(fā)射端即為光耦發(fā)射電路，光耦檢測(cè)器的接收 端即為光耦接收電路）分離供電，不共地，故而，各級(jí)光耦檢測(cè)器的接收端不會(huì)接收到其他 光耦檢測(cè)器發(fā)射端的信號(hào)，避免誤判斷。
[0066] 本實(shí)施方式可使用于對(duì)不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的測(cè)量，可以用于建筑工程施工方在電力布 線施工之前的檢測(cè)；通過(guò)一個(gè)控制單元可以同時(shí)檢測(cè)多個(gè)空開(kāi)的狀態(tài)，進(jìn)一步降低了成本， 當(dāng)空開(kāi)發(fā)生故障時(shí)，可以快速精確的判斷故障位置，減少事故影響范圍及影響程度；或者監(jiān) 理機(jī)構(gòu)對(duì)電力工程電力性能指標(biāo)的檢測(cè)，對(duì)整個(gè)工程的用電安全性將得大更大的保障；
[0067] 以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和 變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng) 由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電力保護(hù)器件的動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置包括：控制單元、光 耦發(fā)射電路、光耦接收電路、短路器和磁環(huán)，所述光耦發(fā)射電路、光耦接收電路、短路器和磁 環(huán)均與所述控制單元連接，所述光耦發(fā)射電路與待測(cè)保護(hù)器件的第一端連接，所述光耦接 收電路與所述待測(cè)保護(hù)器件的第二端連接； 所述控制單元，用于產(chǎn)生高頻信號(hào)，將產(chǎn)生的高頻信號(hào)傳輸至所述光耦發(fā)射電路，并向 所述短路器發(fā)送短路脈沖； 所述光耦發(fā)射電路，用于在所述待測(cè)保護(hù)器件為閉合狀態(tài)時(shí)，將接收到的高頻信號(hào)傳 輸至所述光耦接收電路及短路器； 所述光耦接收電路，用于接收由所述光耦發(fā)射電路傳輸?shù)母哳l信號(hào)，將接收到的高頻 信號(hào)傳輸至所述控制單元； 所述短路器，用于在接收到短路脈沖時(shí)，將所述待測(cè)保護(hù)器件所在電路的負(fù)載短路，以 使所述待測(cè)保護(hù)器件從閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)； 所述磁環(huán)，用于在所述短路器將所述待測(cè)保護(hù)器件所在電路的負(fù)載短路時(shí)，產(chǎn)生與所 述短路器接收的高頻信號(hào)相應(yīng)的感應(yīng)信號(hào)，并將產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)傳輸至所述控制單元； 所述控制單元，還用于根據(jù)接收到的高頻信號(hào)及感應(yīng)信號(hào)來(lái)確定所述待測(cè)保護(hù)器件從 閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)的動(dòng)作時(shí)間。2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述光耦發(fā)射電路包括：第一光電耦合器， 所述光耦發(fā)射電路接收到的高頻信號(hào)通過(guò)所述第一光電耦合器的輸入端，從所述第一光電 耦合器的輸出端傳輸至所述光耦接收電路。3. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述光耦接收電路包括第二光電耦合器，所 述光耦接收電路接收到的高頻信號(hào)通過(guò)所述第二光電耦合器的輸入端，從所述第二光電耦 合器的輸出端傳輸至所述控制單元。4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述控制單元，進(jìn)一步用于將接收到的高頻 信號(hào)的終止時(shí)刻與接收到的感應(yīng)信號(hào)的起始時(shí)刻之間的時(shí)間差作為所述待測(cè)保護(hù)器件從 閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)的動(dòng)作時(shí)間。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述短路器與所述待測(cè)保護(hù)器 件所在電路的負(fù)載并聯(lián)連接。6. 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述磁環(huán)上繞設(shè)有所述待測(cè)保 護(hù)器件所在電路的零線。7. 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述光耦發(fā)射電路及光耦接收 電路與所述待測(cè)保護(hù)器件所在電路不共地。8. 如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述光耦發(fā)射電路與所述待測(cè)保護(hù)器件的 第一端之間設(shè)有安規(guī)電容。9. 一種電力保護(hù)器件的動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：若干權(quán)利要 求1~8中任一項(xiàng)所述的裝置，各裝置之間的光耦發(fā)射電路及光耦接收電路不共地。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電力保護(hù)器件的動(dòng)作時(shí)間檢測(cè)裝置及系統(tǒng)，涉及電力技術(shù)領(lǐng)域，所述裝置包括：控制單元、光耦發(fā)射電路、光耦接收電路、短路器和磁環(huán)，所述光耦發(fā)射電路、光耦接收電路、短路器和磁環(huán)均與所述控制單元連接，所述光耦發(fā)射電路與待測(cè)保護(hù)器件的第一端連接，所述光耦接收電路與所述待測(cè)保護(hù)器件的第二端連接。本實(shí)用新型通過(guò)由所述光耦接收電路傳輸?shù)母哳l信號(hào)及所述磁環(huán)產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)即可確定所述待測(cè)保護(hù)器件從閉合狀態(tài)動(dòng)作至斷開(kāi)狀態(tài)的動(dòng)作時(shí)間，檢測(cè)過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低廉，并且實(shí)現(xiàn)了us級(jí)的檢測(cè)精度，可區(qū)分保護(hù)器件之間的微小差別。
【IPC分類(lèi)】G01R31/00, G01R31/327
【公開(kāi)號(hào)】CN205120844
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520669935
【發(fā)明人】楊振華, 曹忻軍, 陳洪順, 程之剛, 宮彬彬
【申請(qǐng)人】北京飛利信電子技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日