提供的自動檢測晶片基底二維形貌的裝置與本發(fā)明實(shí)施例四提 供的自動檢測晶片基底二維形貌的裝置只是兩種不同的耦合溫度檢測裝置的方法，在技術(shù) 效果上并沒有區(qū)別，實(shí)踐中，可根據(jù)裝置的空間選擇確定溫度檢測裝置的布置位置。
[0085] 以上所述的【具體實(shí)施方式】，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步 詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】而已，并不用于限制本發(fā) 明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種自動檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，包括N個PSD，N束第一種激 光、與所述N束第一種激光一一對應(yīng)的N個第一分光片、與所述N束第一種激光一一對應(yīng)的 N個第二分光片、第一運(yùn)算模塊、第二運(yùn)算模塊和分析模塊， 所述N束第一種激光沿直線排布，其中，所述N為3以上的自然數(shù)，所述N個PSD與N 束第一種激光一一對應(yīng)，所述N個PSD分別布置在所述N束激光的左右兩側(cè)，包括左側(cè)PSD 和右側(cè)PSD， 每束第一種激光經(jīng)過第一分光片后入射到第二分光片，通過第二分光片后入射到晶片 樣品表面，晶片樣品表面反射的N束第一種反射光束包括第一方向光束和第二方向光束， 第一方向光束通過第二分光片后，入射到第一分光片，經(jīng)過所述第一分光片后，入射到所述 右側(cè)PSD上，形成光斑；所述第二方向光束通過第二分光片后入射到所述左側(cè)PSD上，形成 光斑；所述右側(cè)PSD和左側(cè)PSD上共形成N個光斑； 所述N個第一分光片和N個第二分光片上分別設(shè)有鍍膜區(qū)域，其中，對應(yīng)于所述第一方 向光束的區(qū)域，所述第一分光片能同時反射和透射所述第一種激光，所述第二分光片能夠 反射所述第一種激光；對應(yīng)于所述第二方向光束的區(qū)域，所述第二分光片能同時反射和透 射所述第一種激光； 所述第一運(yùn)算模塊根據(jù)N個光斑的位置信號，計(jì)算晶片基底上任意兩個入射點(diǎn)之間在 待測基底徑向即X方向的曲率Cx， 所述第二運(yùn)算模塊根據(jù)N個光斑的位置信號，計(jì)算晶片基底上任意一個入射點(diǎn)在待測 基底移動方向即Y方向的曲率CY， 其中，N為3以上的自然數(shù)，所述N個光斑是由N束激光沿晶片基底徑向即X方向入射 到晶片基底后又分別反射到與所述入射光一一對應(yīng)的PSD上形成的， 所述分析模塊根據(jù)各所述Cx、CY的計(jì)算結(jié)果，得到基底的二維形貌。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，還包括溫 度測量裝置，所述溫度測量裝置能夠發(fā)出第二種激光，所述第二種激光通過所述第一分光 片或者所述第二分光片后與所述第一種激光耦合，并一同入射到晶片樣品表面。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測晶片基底二維形貌和溫度的裝置，其特征在于，所述 第二種激光經(jīng)過所述第二分光片上對應(yīng)于所述第一方向光束的任一個區(qū)域透射后入射到 晶片樣品表面，對應(yīng)于所述第二種激光的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在（λ 2-10nm， λ 2+l〇nm)的波長范圍內(nèi)的透射率大于95%，其中，λ 2為所述第二種激光的波長。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測晶片基底二維形貌和溫度的裝置，其特征在于，所述第 二種激光經(jīng)過所述第一分光片上對應(yīng)于所述第二方向光束的任一個區(qū)域透射后入射到晶 片樣品表面，并經(jīng)過所述第二分光片上對應(yīng)于所述第二方向光束的任一個區(qū)域反射，對應(yīng) 于所述第二種激光的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λ 2-10ηηι，λ2+1〇ηηι)的波長范 圍內(nèi)的透射率大于95%，所述第二分光片的鍍膜使其在（λ 2-1〇ηΠ ι，λ2+1〇ηΠ ι)的波長范圍 內(nèi)的反射率大于95%，其中，λ 2為所述第二種激光的波長。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于， 所述Ν個第一分光片集成為一片， 和/或， 所述Ν個第二分光片集成為一片。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所 述第一方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λ^ΙΟηπι，Ai+lOnm)的波長范 圍內(nèi)的反射率為50%，對應(yīng)于所述第二方向光束的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在 (λ^ΙΟηπι，Ai+lOnm)的波長范圍內(nèi)的反射率為50%，其中，為所述N束第一種激光的 中心波長。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所述 第二方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（λ^ΙΟηπι，A 1+l〇nm)的波長范圍內(nèi) 的反射率為大于90%，對應(yīng)于所述第一方向光束的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在 U「l〇nm，Ai+lOnm)的波長范圍內(nèi)的反射率為大于90%，其中，為所述N束激光的中 心波長。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，對應(yīng)于所述 第一方向光束的區(qū)域，所述第一分光片的鍍膜使其在（Μη?η，λ^ΙΟηπι)以及（λ^ΙΟηπι， λ imax)的波長范圍內(nèi)的透射率小于20 %，所述第二分光片的鍍膜使其在（λ pin， λ「1〇ηηι)以及（λ^ΙΟηπι，Aimax)的波長范圍內(nèi)的透射率大于85%，對應(yīng)于所述第二方 向光束的區(qū)域，所述第二分光片的鍍膜使其在（hmin，AflOnm)以及（λ^ΙΟηπι，λ^?η) 的波長范圍內(nèi)的透射率小于20%，其中，為所述Ν束第一種激光的中心波長，λ imin和 λ imax分別為所述PSD的最小響應(yīng)波長和最大響應(yīng)波長。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述第一分光 片和所述第二分光片的內(nèi)表面鍍有波長為λ i的增透膜。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，還包括第三分 光片，所述第二方向光束通過所述第二分光片后，入射到所述第三分光片上，經(jīng)過所述第三 分光片反射后，入射到所述左側(cè)PSD上；所述第三分光片為全介質(zhì)二向色分光片，所述第三 分光片的鍍膜使其在（λ imin，λ丨-lOnm)以及（λ丨+lOnm，λ imax)的波長范圍內(nèi)反射率大 于95%，在（λ^η，λ「1〇ηηι)以及（Ai+lOnm，Aimax)的波長范圍內(nèi)的透射率大于85%。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述N束激光 由一個多路激光發(fā)射裝置發(fā)出，所述多路激光發(fā)射裝置包括多路分光棱鏡和激光器，所述 多路分光棱鏡包括多個分光面，所述多個分光面之間平行，所述多個分光面與水平方向的 夾角分別為45°，所述多個分光面的中心處在同一直線上，所述激光器發(fā)射的激光沿著與 所述直線的垂直方向射向其中一處于最外側(cè)的分光面，通過給所述多個分光面賦予差異化 的反射率和透射率，使得經(jīng)過所述多個分光面透射或者反射的多路出射光光強(qiáng)相同。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述分光面 為5個，依次為第一分光面，第二分光面，第三分光面、第四分光面和第五分光面； 所述激光器發(fā)射的激光沿著與所述直線垂直的方向射向所述第一分光面， 所述第一分光面的反射率為80 %，透射率為20% ; 所述第二分光面的反射率為25 %，透射率為75% ; 所述第三分光面的反射率為34%，透射率為66% ; 所述第四分光面的反射率為50 %，透射率為50% ; 所述第五分光面的反射率為100%，透射率為0。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測晶片基底二維形貌的裝置，其特征在于，所述多個分 光面的上、下表面分別設(shè)有鍍模，所述鍍膜與所述激光器發(fā)射的激光波長相配合。
【專利摘要】公開了一種自動檢測晶片基底二維形貌的裝置。該裝置利用其第一運(yùn)算模塊和第二運(yùn)算模塊，能夠分別得到晶片基底上任意兩個入射點(diǎn)在待測基底徑向即X方向的曲率CX和晶片基底上任意一個入射點(diǎn)在待測基底移動方向即Y方向的曲率CY，分析模塊根據(jù)各CX、CY的計(jì)算結(jié)果，能夠得到晶片基底的二維形貌，因此，能夠自動完成檢測晶片基底二維形貌的動作。并且，該裝置在與N束激光一一對應(yīng)的N個第一分光片和與N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片設(shè)有鍍膜區(qū)域，鍍膜區(qū)域反射和透射的性質(zhì)則根據(jù)各第一種反射光束的傳播方向決定，由于N個第一分光片和N個第二分光片結(jié)構(gòu)簡單，并且，鍍膜精度極高，因此，能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。
【IPC分類】G01B11/245
【公開號】CN105698706
【申請?zhí)枴緾N201410693636
【發(fā)明人】劉健鵬
【申請人】北京智朗芯光科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2014年11月26日