一種用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及雷達(dá)目標(biāo)特性技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián) 分析方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以下對(duì)本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)背景進(jìn)行說明，但這些說明并不一定構(gòu)成本發(fā)明的現(xiàn)有 技術(shù)。
[0003] 目標(biāo)的電磁散射特性由其自身的形狀、結(jié)構(gòu)和材料確定，不同的結(jié)構(gòu)形狀能產(chǎn)生 不同量級(jí)的散射能量貢獻(xiàn)，在隱身設(shè)計(jì)等特征控制應(yīng)用領(lǐng)域，希望準(zhǔn)確找出強(qiáng)散射源的位 置，理解其形成機(jī)制并采取必要的措施將其抑制。為此，已經(jīng)發(fā)展了一系列強(qiáng)散射源分析 方法，如散射熱點(diǎn)圖、三維散射中心分布等。然而，這些方法給出了強(qiáng)散射源的位置、強(qiáng)度信 息，但未能說明這些強(qiáng)散射源由目標(biāo)的哪些部位共同作用而成，在隱身設(shè)計(jì)等應(yīng)用過程中 難以給出具體的優(yōu)化指導(dǎo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提出一種用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法，能夠分析散 射源的構(gòu)成，從而獲得散射源的形成機(jī)制，為目標(biāo)的隱身設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明的用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法，包括：
[0006] S1、根據(jù)目標(biāo)中待分析區(qū)域的位置或散射源強(qiáng)度信息，從操作列表中選擇一個(gè)散 射源作為分析對(duì)象；
[0007] S2、從彈跳路徑數(shù)據(jù)中獲取經(jīng)過所述分析對(duì)象的所有射線，形成射線子列表；
[0008] S3、沿著射線子列表中的每一條射線查找與所述分析對(duì)象關(guān)聯(lián)的所有面元，形成 面元子列表；
[0009] 其中，所述操作列表中包括至少一個(gè)散射源，以及與每一個(gè)散射源對(duì)應(yīng)的散射源 位置和散射源強(qiáng)度；所述彈跳路徑數(shù)據(jù)包括目標(biāo)表面的所有射線以及每一條射線的彈跳路 徑；面元指目標(biāo)表面離散形成的網(wǎng)格單元。
[0010] 優(yōu)選地，步驟S1之前進(jìn)一步包括：
[0011] 遍歷目標(biāo)中的所有散射源，獲取每一個(gè)所述散射源的散射源位置和散射源強(qiáng)度， 形成操作列表；
[0012] 遍歷目標(biāo)表面的所有射線，獲取每一條所述射線的彈跳路徑，形成彈跳路徑數(shù)據(jù)。
[0013] 優(yōu)選地，步驟S1之前進(jìn)一步包括：
[0014] 遍歷目標(biāo)中的所有散射源，獲取每一個(gè)所述散射源的散射源位置和散射源強(qiáng)度； 將散射源強(qiáng)度大于預(yù)設(shè)的截?cái)嚅撝档纳⑸湓?、以及?duì)應(yīng)的散射源位置和散射源強(qiáng)度聚合， 形成操作列表；
[0015] 遍歷目標(biāo)表面的所有射線，獲取每一條所述射線的彈跳路徑，形成彈跳路徑數(shù)據(jù)。
[0016] 優(yōu)選地，步驟S1包括：
[0017] 從操作列表中選擇散射源強(qiáng)度最大的散射源作為分析對(duì)象。
[0018] 優(yōu)選地，步驟S3之后進(jìn)一步包括：S4、在目標(biāo)的視圖中繪制出所述射線子列表中 的每一條射線、以及面元子列表中的每一個(gè)面元。
[0019] 優(yōu)選地，步驟S4包括：
[0020] 在目標(biāo)的視圖中繪制出所述射線子列表中的每一條射線，并以高亮的方式標(biāo)示出 面元子列表中的每一個(gè)面元。
[0021] 優(yōu)選地，所述散射源包括：熱點(diǎn)和/或散射中心。
[0022] 優(yōu)選地，所述熱點(diǎn)的散射源強(qiáng)度滿足如下關(guān)系：
[0023]
[0024] 式中，r表示目標(biāo)表面的位置矢量；Hotspot(r)表示目標(biāo)表面r處的散射源強(qiáng)度， 單位為：dB;N為目標(biāo)表面r處發(fā)生的射線撞擊數(shù)，單位為：次；f為頻率，單位為：GHz;Θ、夢(mèng) 為視向角，單位為：°，其中，Θ為電磁波入射方向在目標(biāo)球坐標(biāo)系中的俯仰角，P為電磁 波入射方向在目標(biāo)球坐標(biāo)系中的方位角；€為頻率f下第η次撞擊在視向角方向所引起的 電場(chǎng)強(qiáng)度，單位為：V/m。
[0025] 優(yōu)選地，所述截?cái)嚅撝禐椋?20dB或-30dB。
[0026] 優(yōu)選地，所述面元為三角形或四邊形。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法，包括：根據(jù)目標(biāo)中待分析 區(qū)域的位置或散射源強(qiáng)度信息，從操作列表中選擇一個(gè)散射源作為分析對(duì)象；從彈跳路徑 數(shù)據(jù)中獲取經(jīng)過分析對(duì)象的所有射線，形成射線子列表；沿著射線子列表中的每一條射線 查找與分析對(duì)象關(guān)聯(lián)的所有面元，形成面元子列表。本發(fā)明通過從彈跳路徑數(shù)據(jù)中獲取經(jīng) 過分析對(duì)象的所有射線形成射線子列表、并沿著射線子列表中的每一條射線查找與分析對(duì) 象關(guān)聯(lián)的所有面元，能夠分析散射源的構(gòu)成，從而獲得散射源的形成機(jī)制，為目標(biāo)的隱身設(shè) 計(jì)提供理論指導(dǎo)。
【附圖說明】
[0028] 通過以下參照附圖而提供的【具體實(shí)施方式】部分，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加 容易理解，在附圖中：
[0029] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。對(duì)示例性實(shí)施方式的描 述僅僅是出于示范目的，而絕不是對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或用法的限制。
[0031] 現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行散射源診斷時(shí)，雖然能夠分析散射源的位置和強(qiáng)度信息，但是無 法分析散射源是由目標(biāo)的哪些部位共同作用而成，即無法分析散射源的形成機(jī)制。本發(fā)明 通過對(duì)經(jīng)過目標(biāo)表面的分析對(duì)象的所有射線進(jìn)行彈跳路徑分析，能夠獲取經(jīng)過分析對(duì)象的 所有射線以及每條射線上與分析對(duì)象關(guān)聯(lián)的所有面元，從而得到散射源的形成機(jī)制。
[0032] 參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的用于強(qiáng)散射源診斷的射線關(guān)聯(lián)分析方法，在步驟S1中首 先從操作列表中選擇一個(gè)散射源作為分析對(duì)象。操作列表中包括目標(biāo)中的至少一個(gè)散射 源，以及與每一個(gè)散射源對(duì)應(yīng)的散射源位置和散射源強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，步 驟S1之前進(jìn)一步包括：遍歷目標(biāo)中的所有散射源，獲取每一個(gè)所述散射源的散射源位置和 散射源強(qiáng)度，形成操作列表。在選擇分析對(duì)象時(shí)，可以根據(jù)目標(biāo)中待分析區(qū)域的位置進(jìn)行選 擇，比如從操作列表中選擇與待分析區(qū)域的位置最接近的散射源作為分析對(duì)象；也可以根 據(jù)散射源強(qiáng)度信息進(jìn)行選擇，比如：選擇操作列表中散射源強(qiáng)度最大的散射源作為分析對(duì) 象。
[0033] 若目標(biāo)中某一散射源的散射源強(qiáng)度較小，則其對(duì)目標(biāo)區(qū)域的散射強(qiáng)度影響也較 小，為了提高散射源診斷的效率，可以僅選擇散射源強(qiáng)度大于某一截?cái)嚅撝档纳⑸湓醋鳛?分析對(duì)象，對(duì)于散射源強(qiáng)度較小的散射源，則不進(jìn)行分析。因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例， 步驟S1之前進(jìn)一步包括：遍歷