進(jìn)行修正，W此來(lái)確定成像測(cè)井圖中是否有漏解釋 的半充填裂縫和與層理響應(yīng)相似的低角度裂縫，從而修正成像測(cè)井的識(shí)別結(jié)果。
[0114] 圖6示出了本實(shí)施例中基于成像測(cè)井的儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法的流程圖。
[0115] 如圖6所示，在成像測(cè)井識(shí)別步驟S601中，利用成像測(cè)井對(duì)待識(shí)別儲(chǔ)層中的裂縫 進(jìn)行識(shí)別，得到待識(shí)別儲(chǔ)層中各個(gè)層段的裂縫的類型。
[0116] 在常規(guī)測(cè)井識(shí)別步驟S602中，利用如實(shí)施例一或?qū)嵤├刑峁┑幕诔Ｒ?guī)測(cè) 井?dāng)?shù)據(jù)的儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法對(duì)待識(shí)別儲(chǔ)層中的裂縫進(jìn)行識(shí)別，得到待識(shí)別儲(chǔ)層中各個(gè)層段 的裂縫的類型。
[0117] 最后在修正步驟S603中，根據(jù)常規(guī)測(cè)井識(shí)別步驟中S602得到的待識(shí)別儲(chǔ)層中裂 縫的類型和成像測(cè)井識(shí)別步驟S601中得到的相應(yīng)層段的裂縫類型，判斷成像測(cè)井識(shí)別步 驟S601中是否存在漏解釋的裂縫。如果存在漏解釋的裂縫，則根據(jù)步驟S603中的裂縫類 型來(lái)補(bǔ)充解釋相應(yīng)層段的裂縫。
[0118] 圖7示出利用本實(shí)施例中提供的裂縫識(shí)別方法對(duì)致密裂縫型氣藏X4井進(jìn)行裂縫 識(shí)別的識(shí)別圖。
[0119] 從圖7可W看出，位于3798米深度附近，測(cè)井曲線圖中的第4道中的電阻率曲線 RX0W及電阻率曲線RT所表征的電阻率比較高，并且第3道中的H條孔隙度曲線在該深度 點(diǎn)附近都非常小，表明該深度附近為干層。所W將聲波孔隙度曲線、密度孔隙度曲線和中子 孔隙度曲線在確定的干層（即3798米深度附近)處重合，得到氣藏X3井的孔隙度曲線組合。
[0120] 如圖7所示，孔隙度曲線組合在3784~3786米深度范圍內(nèi)，密度孔隙度曲線高于 聲波孔隙度曲線，根據(jù)實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑牧芽p識(shí)別方法，判斷出該深度段內(nèi)存在 高角度縫發(fā)育。如果是完全開啟的高角度縫，從成像測(cè)井圖中可W比較容易識(shí)別出來(lái)。如 果裂縫是半充填的，從成像測(cè)井圖中則比較難識(shí)別出來(lái)。而在利用成像測(cè)井得到的成像測(cè) 井圖中的第2道中很難識(shí)別出該深度段內(nèi)有高角度縫發(fā)育。所W結(jié)合利用實(shí)施例一或?qū)嵤?例二提供的裂縫識(shí)別方法識(shí)別出的高角度裂縫，從而識(shí)別出成像測(cè)井圖中的第2道中漏解 釋的半充填高角度縫。結(jié)合成像測(cè)井圖中的第1道中可W看出，圖中顯示的半充填高角度 縫與本方法識(shí)別出的半充填高角度縫相符，所W本實(shí)施例所提供的方法識(shí)別結(jié)果準(zhǔn)確。 [012。 此外，通過(guò)結(jié)合實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑膬?chǔ)層裂縫識(shí)別方法，利用成像測(cè)井還 可W識(shí)別出因與層理響應(yīng)相似而漏解釋的低角度縫，其原理與上述對(duì)半充填高角度縫的識(shí) 別相同，在此不再費(fèi)述。
[0122] 由此看W看出，本實(shí)施例提供的基于成像測(cè)井的裂縫識(shí)別方法有效克服了現(xiàn)有成 像測(cè)井對(duì)響應(yīng)不明顯的半充填縫和與層理響應(yīng)相接近的低角度縫漏解釋的問(wèn)題，使得成像 測(cè)井的可靠性得到了進(jìn)一步的提高，有助于成像測(cè)井的推廣使用。
[0123] 雖然本發(fā)明所掲露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實(shí)施方式，并非用W限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明所掲露的精神和范圍的前提下，可W在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化， 但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須w所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法，其特征在于，所述方法包括： 孔隙度曲線確定步驟，基于待分析儲(chǔ)層的巖性信息，根據(jù)預(yù)設(shè)孔隙度曲線模型分別計(jì) 算所述待分析儲(chǔ)層的聲波孔隙度曲線、密度孔隙度曲線； 孔隙度曲線組合確定步驟，在所述待分析儲(chǔ)層的干層，將聲波孔隙度曲線與密度孔隙 度曲線重合，作為所述待分析儲(chǔ)層的孔隙度曲線組合； 裂縫類型識(shí)別步驟，在所述待分析儲(chǔ)層的其它層段，比較所述孔隙度曲線組合中的所 述聲波孔隙度曲線與密度孔隙度曲線，基于比較結(jié)果根據(jù)預(yù)設(shè)裂縫模型確定相應(yīng)層段的裂 縫類型。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述孔隙度曲線確定步驟之前，所述方法 還包括： 巖性信息獲取步驟，根據(jù)待分析儲(chǔ)層的巖心信息、地質(zhì)分析信息和測(cè)井曲線信息，確定 待分析儲(chǔ)層的巖性信息。3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述預(yù)設(shè)孔隙度曲線模型中： 根據(jù)所述待分析儲(chǔ)層的巖性信息，確定所述待分析儲(chǔ)層的巖石骨架聲波時(shí)差和巖石骨 架密度； 基于巖石骨架聲波時(shí)差和巖石骨架密度，利用待分析儲(chǔ)層的聲波時(shí)差曲線和體積密度 曲線，分別根據(jù)聲波孔隙度響應(yīng)模型和密度孔隙度響應(yīng)模型計(jì)算所述待分析儲(chǔ)層的聲波孔 隙度曲線和密度孔隙度曲線。4. 如權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述聲波孔隙度響應(yīng)模型包括：其中，ΦΑ。表示所分析層段的聲波孔隙度，At表示所分析層段的聲波時(shí)差，Atma表示 所分析層段的巖石骨架聲波時(shí)差，Atf表不所分析層段的巖石孔隙流體的聲波時(shí)差，Vsh表 示所分析層段的泥質(zhì)含量，Λ tsh表示泥質(zhì)聲波時(shí)差，k表示壓實(shí)校正系數(shù)。5. 如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述密度孔隙度響應(yīng)模型包括：其中，ΦΒΕΝ表示所分析層段的密度孔隙度，P表示所分析層段的巖石體積密度，Pma表 示所分析層段的巖石骨架密度，Pf表示所分析層段的巖石孔隙流體密度，η表示泥質(zhì)校正 系數(shù)，Vsh表示所分析層段的泥質(zhì)含量，P sh表示所分析層段的泥質(zhì)體積密度。6. 如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 孔隙度曲線確定步驟還包括： 基于所述待分析儲(chǔ)層的中子曲線，確定所述待分析儲(chǔ)層的中子孔隙度曲線； 在所述孔隙度曲線組合確定步驟中： 在所述待分析儲(chǔ)層的干層，以所述中子孔隙度曲線作為參考曲線，將聲波孔隙度曲線、 密度孔隙度曲線與所述中子孔隙度曲線重合，作為所述待分析儲(chǔ)層的孔隙度曲線組合。7. 如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述孔隙度曲線組合確定步 驟之前，所述方法還包括干層確定步驟，所述干層確定步驟包括： 獲取待分析儲(chǔ)層的地層微電阻率掃描成像，將成像中表現(xiàn)為高亮白的區(qū)域確定為所述 待分析儲(chǔ)層的干層；和/或， 獲取待分析儲(chǔ)層的雙側(cè)向曲線，將所述雙側(cè)向曲線中表現(xiàn)為高阻且重合的區(qū)域確定為 所述待分析儲(chǔ)層的干層。8. 如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述裂縫類型識(shí)別步驟中： 當(dāng)所述密度孔隙度曲線高于所述聲波孔隙度曲線時(shí)，判斷該層段發(fā)育的為高角度裂 縫； 當(dāng)所述聲波孔隙度曲線高于所述密度孔隙度曲線時(shí)，判斷該層段發(fā)育的為低角度裂 縫； 當(dāng)所述聲波孔隙度曲線與所述密度孔隙度曲線相互交叉時(shí)，判斷該層段發(fā)育的為網(wǎng)狀 裂縫。9. 如權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述裂縫類型識(shí)別步驟之 后，所述方法還包括驗(yàn)證步驟，所述驗(yàn)證步驟包括： 對(duì)獲取的所述待分析儲(chǔ)層的巖心進(jìn)行深度歸位，判斷深度歸位后的所述巖心的各個(gè)層 段的裂縫類型與所述裂縫識(shí)別步驟中識(shí)別得到的相應(yīng)層段的裂縫類型是否匹配；和/或， 利用成像測(cè)井識(shí)別所述待分析儲(chǔ)層各個(gè)層段的裂縫類型，判斷所述成像測(cè)井識(shí)別到的 各個(gè)層段的裂縫類型與所述裂縫識(shí)別步驟中識(shí)別得到的相應(yīng)層段的裂縫類型是否匹配。10. -種成像測(cè)井儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： 成像測(cè)井識(shí)別步驟，利用成像測(cè)井對(duì)待識(shí)別儲(chǔ)層中的裂縫進(jìn)行識(shí)別，得到所述待識(shí)別 儲(chǔ)層中裂縫的類型； 常規(guī)測(cè)井識(shí)別步驟，利用如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的方法對(duì)所述待識(shí)別儲(chǔ)層中 的裂縫進(jìn)行識(shí)別，得到所述待識(shí)別儲(chǔ)層中裂縫的類型； 修正步驟，根據(jù)所述常規(guī)測(cè)井識(shí)別步驟中得到的所述待識(shí)別儲(chǔ)層中裂縫的類型與所述 成像測(cè)井識(shí)別步驟中得到的裂縫的類型，判斷所述成像測(cè)井識(shí)別步驟中是否存在漏解釋的 裂縫，以修正所述成像測(cè)井識(shí)別步驟的識(shí)別結(jié)果。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法和一種成像測(cè)井儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法，其中所述儲(chǔ)層裂縫識(shí)別方法包括：孔隙度曲線確定步驟，基于待分析儲(chǔ)層的巖性信息，根據(jù)預(yù)設(shè)孔隙度曲線模型分別計(jì)算待分析儲(chǔ)層的聲波孔隙度曲線、密度孔隙度曲線；孔隙度曲線組合確定步驟，在待分析儲(chǔ)層的干層，將聲波孔隙度曲線與密度孔隙度曲線重合，作為待分析儲(chǔ)層的孔隙度曲線組合；裂縫類型識(shí)別步驟，在待分析儲(chǔ)層的其它層段，比較孔隙度曲線組合中的聲波孔隙度曲線與密度孔隙度曲線，基于比較結(jié)果根據(jù)預(yù)設(shè)裂縫模型確定相應(yīng)層段的裂縫類型。本發(fā)明能夠直觀、快速、可靠地進(jìn)行儲(chǔ)層裂縫類型的識(shí)別，能夠有效解決現(xiàn)有方法中存在的多解性問(wèn)題和漏解釋問(wèn)題。
【IPC分類】G01V1/50, G01V1/48
【公開號(hào)】CN104977617
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410130972
【發(fā)明人】魏修平, 李 浩, 王丹丹, 馮瓊
【申請(qǐng)人】中國(guó)石油化工股份有限公司, 中國(guó)石油化工股份有限公司石油勘探開發(fā)研究院
【公開日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2014年4月2日