一種試驗(yàn)用能多范圍調(diào)節(jié)等效負(fù)載的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于實(shí)驗(yàn)用具領(lǐng)域，具體涉及一種試驗(yàn)用能多范圍調(diào)節(jié)等效負(fù)載。
【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于± 660kV、± 800kV、± 11OOkV特高壓直流輸電工程晶閘管換流閥的絕緣試 驗(yàn)，尤其是MVU絕緣試驗(yàn)，如果按照傳統(tǒng)的懸吊完整的四重閥實(shí)施試驗(yàn)，因?yàn)樵囼?yàn)電壓高， 試驗(yàn)回路尺寸大等特點(diǎn)，無(wú)論是吊裝工作還是試驗(yàn)工作，其實(shí)施難度都很大。故需發(fā)明一種 等效負(fù)載裝置，在多重閥絕緣型式試驗(yàn)過(guò)程中將替代多重閥試品的一部分，其各項(xiàng)參數(shù)的 提出均與相應(yīng)的晶閘管換流閥的各項(xiàng)參數(shù)等效。而由于在試驗(yàn)回路中，相關(guān)的電阻、雜散電 容、電壓測(cè)量設(shè)備的影響，能與換流閥等效的參數(shù)不是一個(gè)確定值，故等效負(fù)載需要能多范 圍調(diào)節(jié)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題便是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種試驗(yàn)用能多 范圍調(diào)節(jié)等效負(fù)載，針對(duì)不同電氣強(qiáng)度下，直流換流閥對(duì)外展示的不同電氣特性選取合理 的電阻、電容及電感組合達(dá)到等效，從而與試品閥形成正確的分壓關(guān)系。
[0004] 本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種試驗(yàn)用能多范圍調(diào)節(jié)等效負(fù)載，包括氣墊移動(dòng) 式底座，所述氣墊移動(dòng)式底座上表面設(shè)有三根Rdc柱和一根Rs、Cs、Lr柱，所述三根Rdc柱 內(nèi)分別設(shè)有串聯(lián)的直流電阻，所述Rs、Cs、Lr柱內(nèi)設(shè)有串聯(lián)的等效電阻、等效電容和等效電 感，所述直流電阻、等效電阻、等效電容和等效電感均可通過(guò)短接桿短接，所述三根Rdc柱 和一根Rs、Cs、Lr柱頂部設(shè)有屏蔽罩。
[0005] 作為優(yōu)選，所述三根Rdc柱和一根Rs、Cs、Lr柱均包括從下到上依次連接的第一 節(jié)、第二節(jié)、第三節(jié)、第四節(jié)、第五節(jié)、第六節(jié)、第七節(jié)、第八節(jié)和第九節(jié)。
[0006] 作為優(yōu)選，所述三根Rdc柱每一節(jié)內(nèi)的直流電阻電阻值分別一致。
[0007] 作為優(yōu)選，所述Rdc柱的第一節(jié)分為三段，所述三段內(nèi)從下到上依次設(shè)置有 0.3ΜΩ直流電阻、0.6ΜΩ直流電阻和1.2ΜΩ直流電阻，所述第二節(jié)分為兩段，所述兩段內(nèi) 從下到上依次設(shè)置有2. 1ΜΩ直流電阻和2. 1ΜΩ直流電阻，所述第三節(jié)分為兩段，兩段內(nèi)從 下到上依次設(shè)置有4. 2ΜΩ直流電阻和2. IM Ω直流電阻，所述第四節(jié)內(nèi)設(shè)置有8. 4ΜΩ直流 電阻，所述第五節(jié)內(nèi)設(shè)置有10. 5ΜΩ直流電阻，所述第六節(jié)內(nèi)設(shè)置有10. 5ΜΩ直流電阻，所 述第七節(jié)內(nèi)設(shè)置有12. 6ΜΩ直流電阻，所述第八節(jié)內(nèi)設(shè)置有12. 6ΜΩ直流電阻，所述第九節(jié) 內(nèi)設(shè)置有12. 6M直流電阻。
[0008] 作為優(yōu)選，所述Rs、Cs、Lr柱的第一節(jié)為六段，所述六段內(nèi)從下到上依次設(shè)置有 0. 2mH等效電感、0. 4mH等效電感、I. 2mH等效電感、I. 8mH等效電感、2. 4mH等效電感和6mH 等效電感，所述第二節(jié)為五段，五段內(nèi)從下到上依次設(shè)置有525nF等效電容、128 Ω等效電 阻、0. 22mH等效電感、0. 42mH等效電感、262. 5nF等效電容、256 Ω等效電阻、0. 6mH等效電 感、175nF等效電容、384Ω等效電阻、0. 6mH等效電感、175nF等效電容和384Ω等效電阻， 所述第三節(jié)內(nèi)設(shè)置有I. 8mH等效電感、58. 333nF等效電容和1152 Ω等效電阻，所述第四節(jié) 內(nèi)設(shè)置有2. 4mH等效電感、43. 75nF等效電容和1536 Ω等效電阻，所述第五節(jié)內(nèi)設(shè)置有3mH 等效電感、35nF等效電容和1920Ω等效電阻，所述第六節(jié)內(nèi)設(shè)置有3mH等效電感、35nF等 效電容和1920 Ω等效電阻，所述第七節(jié)內(nèi)設(shè)置有7. 2mH等效電感、29. 167nF等效電容和 2304 Ω等效電阻，所述第八節(jié)內(nèi)設(shè)置有7. 2mH等效電感、29. 167nF等效電容和2304 Ω等效 電阻，所述第九節(jié)內(nèi)設(shè)置有7. 2mH等效電感、29. 167nF等效電容和2304 Ω等效電阻。
[0009] 作為優(yōu)選，所述三根Rdc柱和一根Rs、Cs、Lr柱的第四節(jié)和第五節(jié)之間，第七節(jié)和 第八節(jié)之間均通過(guò)金屬連桿連接有均壓環(huán)。
[0010] 作為優(yōu)選，作為優(yōu)選，所述三根Rdc柱和一根Rs、Cs、Lr柱設(shè)有均壓環(huán)的位置通過(guò) 金屬連桿連接。
[0011] 本發(fā)明的有益效果在于：
[0012] (1)最高環(huán)境溫度40°C時(shí)，等效負(fù)載在各額定試驗(yàn)參數(shù)下的熱點(diǎn)溫升不超過(guò)45k。
[0013] (2)等效負(fù)載裝置對(duì)地分布電容不大于300pF ;
[0014] (3)各段等效電阻、等效電容、直流電阻參數(shù)與額定值偏差不大于±3%，各段等 效電感參數(shù)與額定值偏差不大于±5% ;
[0015] (4)等效負(fù)載的整體為塔式多層結(jié)構(gòu)，采用自然冷卻方式；采用氣墊移動(dòng)方式，可 整體安全平穩(wěn)移動(dòng)；
[0016] (5)等效負(fù)載裝置所用的直流電阻、等效電阻、等效電容和等效電感可方便短接和 調(diào)整，且不因短接和調(diào)整影響局放試驗(yàn)要求。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖2為圖1中K向視圖；
[0019] 圖3為本發(fā)明第三節(jié)至第九節(jié)電氣連接示意圖；
[0020] 圖4為本發(fā)明第一節(jié)和第二節(jié)電氣連接示意圖續(xù)圖。
[0021] 圖中：1、氣墊移動(dòng)式底座；2、Rdc柱；3、此、(^、1^柱；4、屏蔽罩；5、均壓環(huán)；6、金屬 連桿。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0023] 如圖1 一圖4所示，一種試驗(yàn)用能多范圍調(diào)節(jié)等效負(fù)載，包括氣墊移動(dòng)式底座1，所 述氣墊移動(dòng)式底座1上表面設(shè)有三根Rdc柱2和一根Rs、Cs、Lr柱3,所述三根Rdc柱2內(nèi) 分別設(shè)有串聯(lián)的直流電阻，所述Rs、Cs、Lr柱3內(nèi)設(shè)有串聯(lián)的等效電阻、等效電容和等效電 感，所述直流電阻、等效電阻、等效電容和等效電感均可通過(guò)短接桿短接，所述三根Rdc柱2 和一根Rs、Cs、Lr柱3頂部設(shè)有屏蔽罩4。
[0024] 本實(shí)施例中，所述三根Rdc柱2和一根Rs、Cs、Lr柱3均包括從下到上依次連接的 第一節(jié)、第二節(jié)、第三節(jié)、第四節(jié)、第五節(jié)、第六節(jié)、第七節(jié)、第八節(jié)和第九節(jié)。
[0025] 本實(shí)施例中，所述三根Rdc柱2每一節(jié)內(nèi)的直流電阻電阻值分別一致。
[0026] 本實(shí)施例中，所述Rdc柱2的第一節(jié)分為三段，所述三段內(nèi)從下到上依次設(shè)置有 0.3ΜΩ直流電阻、0.6ΜΩ直流電阻和1.2ΜΩ直流電阻，所述第二節(jié)分為兩段，所述兩段內(nèi) 從下到上依次設(shè)置有2. 1ΜΩ直流電阻和2. 1ΜΩ直流電阻，所述第三節(jié)分為兩段，兩段內(nèi)從 下到上依次設(shè)置有4. 2ΜΩ直流電阻和2. IM Ω直流電阻，所述第四節(jié)內(nèi)設(shè)置有8. 4ΜΩ直流 電阻，所述第五節(jié)內(nèi)設(shè)置有10. 5ΜΩ直流電阻，所述第六節(jié)內(nèi)設(shè)置有10. 5ΜΩ直流電阻，所 述第七節(jié)內(nèi)設(shè)置有12. 6ΜΩ直流電阻，所述第八節(jié)內(nèi)設(shè)置有12. 6ΜΩ直流電阻，所述第九節(jié) 內(nèi)設(shè)置有12. 6M直流電阻。
[0027] 本實(shí)施例中，所