本技術(shù)涉及一種探測器，具體地說涉及一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器。

背景技術(shù)：

1、隨著熱釋電紅外探測器在不同環(huán)境中使用，受到環(huán)境的影響，溫度和磁場容易發(fā)生變化，因此熱釋電紅外探測器在使用時需要避免環(huán)境溫度突變對探測器產(chǎn)生干擾，屏蔽電磁的干擾。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對上述問題，本實用新型設(shè)計了一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，包括外殼，所述外殼上設(shè)置有若干個紅外濾光片，外殼的下側(cè)設(shè)置有管座，外殼與管座連接，外殼與管座形成一個密閉的腔室，管座上設(shè)置有環(huán)氧樹脂墊片，環(huán)氧樹脂墊片上設(shè)置有pcb板，pcb板上設(shè)置有隔斷艙，隔斷艙包括探測艙和補償艙；

2、所述探測艙內(nèi)部設(shè)有兩個隔斷，將所述探測艙分割為三個獨立的探測室；三個獨立的探測室為第一探測室、第二探測室，以及連接第一探測室、第二探測室的第三探測室；

3、所述補償艙包括第一補償倉、第二補償倉；所述第一補償倉、第二補償倉位于探測艙兩側(cè)；

4、第一探測室、第二探測室、第一補償倉、第二補償倉內(nèi)部均設(shè)置有靈敏元。

5、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果為：通過探測艙分割為三個獨立的探測室，第一補償倉、第二補償倉位于探測艙兩側(cè)，使靈敏元與外界環(huán)境隔絕，有利于避免外界環(huán)境溫度和磁場對靈敏元的影響；使靈敏元之間分隔開，有利于避免靈敏元去之間的熱傳導(dǎo)和電磁干擾的影響，提高靈敏元的熱釋電效應(yīng)，大大提高了探測器的探測能力和探測率。

6、進一步的，所述靈敏元的下側(cè)設(shè)置有襯底，襯底設(shè)置在pcb板的上側(cè)；

7、靈敏元包括主靈敏元、參比靈敏元、主補償靈敏元和參比補償靈敏元。

8、進一步的，所述主靈敏元設(shè)置在第一探測室，參比靈敏元設(shè)置在第二探測室，主補償靈敏元設(shè)置在第一補償倉，參比補償靈敏元設(shè)置在第二補償倉。

9、采用上述進一步技術(shù)方案的有益效果為：通過將每個靈敏元放置于獨立的暗艙內(nèi)部，互不串擾，獨立工作，有效降低了探測器的輸出噪聲，提高了探測器的信噪比，通過設(shè)置補償靈敏元提升了參比靈敏元對主靈敏元的校準能力，參比靈敏元與主靈敏元形成對比，有效降低了主靈敏元的測量誤差，確保探測器的測量結(jié)果準確可靠。

10、進一步的，所述隔斷艙包括隔熱層，隔熱層為納米導(dǎo)電材料。

11、進一步的，所述隔熱層側(cè)設(shè)置有屏磁層；所述探測艙內(nèi)部的隔斷遠離靈敏元的一面設(shè)有屏磁層；

12、屏磁層為金屬涂層，所述金屬涂層表面光滑，反射率高。

13、進一步的，所述第一探測室、第二探測室、第一補償倉和第二補償倉內(nèi)設(shè)置有漫反層，漫反層為多分子聚合物或氮化鋁陶瓷，所述漫反射層表面粗糙。

14、采用上述進一步技術(shù)方案的有益效果為：通過隔熱層為納米導(dǎo)電材料，使隔斷艙熱熔率底、隔熱效果好，有效了減少環(huán)境溫度對探測器的影響，有效減少了靈敏元之間的熱傳導(dǎo)；通過隔熱層外側(cè)設(shè)置有屏磁層，屏磁層為光滑的金屬涂層，使隔斷艙的外表面是閉合磁通，屏蔽電磁的干擾，通過隔斷遠離靈敏元的一面設(shè)有屏磁層，使主靈敏元與參比靈敏元之間電磁屏蔽，有效避免了主靈敏元與參比靈敏元之間的電磁互繞，有效減少了主靈敏元的測量誤差；通過探測室和補償倉內(nèi)設(shè)置有漫反層，使探測室和補償倉的內(nèi)表面慢反射，把熱能集中保護在獨立空間內(nèi)，有效避免外界環(huán)境溫度突變和電磁對靈敏元產(chǎn)生的干擾，同時有效避免靈敏元之間熱傳導(dǎo)和電磁的干擾，從而提高探測器反應(yīng)和接收能力。

15、進一步的，所述管座的下側(cè)設(shè)置有探測引腳，探測引腳包括測量信號輸出引腳、電源引腳、參比信號輸出引腳和接地引腳，所述探測引腳貫穿管座、環(huán)氧樹脂墊片與pcb板連接；探測引腳與pcb板接觸的一端在pcb板表面呈圓形分布，探測引腳與pcb板的接觸的一端分布在所述補償艙與第一探測室、第二探測室形成的空隙之間。

16、進一步的，所述探測艙的內(nèi)壁長度為6.06-7.05mm，探測艙的內(nèi)壁寬度為2.0-2.3mm；第三探測室的內(nèi)壁的長度為2.0-2.3mm。

17、進一步的，所述第一補償倉和第二補償倉的內(nèi)壁長度為2.0-2.3mm，第一補償倉和第二補償倉的內(nèi)壁寬度為2.0-2.3mm。

18、進一步的，所述四個靈敏元的高度相同；

19、所述第一補償倉、第二補償倉位于第三探測室兩側(cè)；所述探測艙與第一補償倉、第二補償倉成十字分布。

20、采用上述進一步技術(shù)方案的有益效果為：通過探測引腳、探測艙和補償艙的合理布局，使探測器接收并傳輸均勻穩(wěn)定的信號；通過靈敏元高度相同，使靈敏元接受信號的程度一致，有效避免誤差的出現(xiàn)，有效避免高度不一致導(dǎo)致參比靈敏元對主靈敏元不能有效的校準；通過探測艙與第一補償倉、第二補償倉成十字分布，使靈敏元均勻分布，最大程度提高了靈敏元的測量準確性。

技術(shù)特征：

1.一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，包括外殼(1)，其特征在于：所述外殼(1)上設(shè)置有若干個紅外濾光片(2)，外殼(1)的下側(cè)設(shè)置有管座(3)，外殼(1)與管座(3)連接，外殼(1)與管座(3)形成一個密閉的腔室，管座(3)上設(shè)置有環(huán)氧樹脂墊片(4)，環(huán)氧樹脂墊片(4)上設(shè)置有pcb板(5)，pcb板(5)上設(shè)置有隔斷艙，隔斷艙包括探測艙和補償艙；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述靈敏元的下側(cè)設(shè)置有襯底(11)，襯底(11)設(shè)置在pcb板(5)的上側(cè)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：主靈敏元(12)設(shè)置在第一探測室(6)，主參比靈敏元(13)設(shè)置在第二探測室(7)，主補償靈敏元(14)設(shè)置在第一補償倉(9)，參比補償靈敏元(15)設(shè)置在第二補償倉(10)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述隔斷艙包括隔熱層(16)，隔熱層(16)為納米導(dǎo)電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述隔熱層(16)外側(cè)設(shè)置有屏磁層(17)；所述探測艙內(nèi)部的隔斷遠離靈敏元的一面設(shè)有屏磁層(17)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述第一探測室(6)、第二探測室(7)、第一補償倉(9)和第二補償倉(10)內(nèi)設(shè)置有漫反層(18)，漫反層(18)為多分子聚合物或氮化鋁陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述管座(3)的下側(cè)設(shè)置有探測引腳，探測引腳包括測量信號輸出引腳(19)、電源引腳(20)、參比信號輸出引腳(21)和接地引腳(22)，所述探測引腳貫穿管座(3)、環(huán)氧樹脂墊片(4)與pcb板(5)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述探測艙的內(nèi)壁長度為6.06-7.05mm，探測艙的內(nèi)壁寬度為2.0-2.3mm；第三探測室(8)的內(nèi)壁的長度為2.0-2.3mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述第一補償倉和第二補償倉的內(nèi)壁長度為2.0-2.3mm，第一補償倉和第二補償倉的內(nèi)壁寬度為2.0-2.3mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，其特征在于：所述四個靈敏元的高度相同；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種獨立艙位結(jié)構(gòu)雙路補償型熱釋電紅外探測器，包括外殼，所述外殼上設(shè)置有若干個紅外濾光片，外殼的下側(cè)設(shè)置有管座，外殼與管座連接，外殼與管座形成一個密閉的腔室，管座上設(shè)置有環(huán)氧樹脂墊片，環(huán)氧樹脂墊片上設(shè)置有PCB板，PCB板上設(shè)置有隔斷艙，隔斷艙包括探測艙和補償艙；通過探測艙分割為三個獨立的探測室，第一補償倉、第二補償倉位于探測艙兩側(cè)，使靈敏元與外界環(huán)境隔絕，有利于避免外界環(huán)境溫度和磁場對靈敏元的影響；使靈敏元之間分隔開，有利于避免靈敏元去之間的熱傳導(dǎo)和電磁干擾的影響，提高靈敏元的熱釋電效應(yīng)，大大提高了探測器的探測能力和探測率。

技術(shù)研發(fā)人員：郭凱旋,徐群,王雪穎,韋琳琳,王琳琳,翟嘯
受保護的技術(shù)使用者：淄博新穎傳感器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240229
技術(shù)公布日：2024/12/19