本公開涉及地層信息處理，尤其涉及地層電阻率檢測(cè)方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著勘探技術(shù)的快速發(fā)展，關(guān)于獲取地層各項(xiàng)數(shù)據(jù)，產(chǎn)生了有越來越多的獲取方法。瞬變電磁法便是其中一種在鋼套管井中用于測(cè)量套管外地層電阻率的方法。瞬變電磁法利用發(fā)射線圈發(fā)射一次脈沖磁場，在一次脈沖磁場間歇期間，利用接收線圈觀測(cè)二次渦流場，并記錄二次場電壓信號(hào)基于時(shí)間的變化特征，進(jìn)而提取周圍介質(zhì)電性信息，最終獲取地層電阻率的方法。

2、儀器采用單發(fā)單收的線圈系模式時(shí)，接收電壓曲線是井周圍多種介質(zhì)的綜合響應(yīng)，并且在時(shí)間上是重合的，無法采取延時(shí)方式區(qū)分不同介質(zhì)。當(dāng)采取單發(fā)雙收線圈系模式時(shí)，接收信號(hào)經(jīng)歷加法電路運(yùn)算后，可有效消除套管介質(zhì)信號(hào)，儀器記錄純地層信號(hào)進(jìn)行后期電阻率的獲取。在鋼套管井中進(jìn)行測(cè)井，在數(shù)據(jù)處理過程現(xiàn)有技術(shù)通常每隔固定時(shí)間(如1毫秒)取一個(gè)實(shí)時(shí)電壓數(shù)值，并進(jìn)行后續(xù)計(jì)算。由于采取單個(gè)時(shí)間道的電壓值，使得用于計(jì)算的數(shù)據(jù)偏少，導(dǎo)致對(duì)目標(biāo)地層電阻率的檢測(cè)精度較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開實(shí)施例提供了地層電阻率檢測(cè)方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于用于計(jì)算的數(shù)據(jù)較少，導(dǎo)致對(duì)目標(biāo)地層電阻率的檢測(cè)精度較低的問題。

2、本公開實(shí)施例的第一方面，提供了一種地層電阻率檢測(cè)方法，包括：

3、基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

4、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

5、基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

6、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

7、對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

8、基于預(yù)設(shè)的時(shí)間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個(gè)時(shí)間差值相等的子曲線，其中，時(shí)間差值與時(shí)間劃分指標(biāo)相等；

9、基于每個(gè)子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時(shí)間切割指標(biāo)，生成多個(gè)子曲線面積；

10、基于多個(gè)子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

11、在一些實(shí)施例中，對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

12、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

13、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個(gè)電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

14、在一些實(shí)施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

15、基于預(yù)設(shè)的對(duì)比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對(duì)比面積差；

16、將對(duì)比面積差導(dǎo)入電阻率計(jì)算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

17、基于目標(biāo)電阻率差和對(duì)比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

18、在一些實(shí)施例中，電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)的確定步驟，包括：

19、將測(cè)試地層的電阻率設(shè)置為多個(gè)隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個(gè)初始電阻率與對(duì)比地層電阻率，得到多個(gè)測(cè)試電阻率差值；

20、獲取每個(gè)初始電阻率對(duì)應(yīng)的測(cè)試地層與對(duì)比地層之間的多個(gè)測(cè)試電壓信號(hào)；

21、基于測(cè)試電壓信號(hào)，生成多個(gè)測(cè)試電壓曲線；

22、基于測(cè)試電壓曲線，生成多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積；

23、基于每個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積與對(duì)比包絡(luò)面積，得到多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積差；

24、將多個(gè)包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計(jì)算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)。

25、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

26、獲取目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)；

27、對(duì)所述電壓信號(hào)進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號(hào)；

28、將所述純凈電壓信號(hào)放大，得到放大電壓信號(hào)；

29、基于預(yù)設(shè)的信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間與放大電壓信號(hào)，生成目標(biāo)電壓曲線。

30、在一些實(shí)施例中，信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間的獲取步驟，包括：

31、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

32、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值第一次不大于上限截取閾值時(shí)，獲取第一時(shí)間點(diǎn)；

33、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值不大于下限截取閾值時(shí)，獲取第二時(shí)間點(diǎn)；

34、基于第一時(shí)間點(diǎn)和第二時(shí)間點(diǎn)，生成信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間。

35、本公開實(shí)施例的第二方面，提供了一種地層電阻率檢測(cè)裝置，包括：

36、第一生成模塊，被配置為基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

37、第二生成模塊，被配置為基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

38、第三生成模塊，被配置為基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

39、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

40、對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

41、基于預(yù)設(shè)的時(shí)間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個(gè)時(shí)間差值相等的子曲線，其中，時(shí)間差值與時(shí)間劃分指標(biāo)相等；

42、基于每個(gè)子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時(shí)間切割指標(biāo)，生成多個(gè)子曲線面積；

43、基于多個(gè)子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

44、在一些實(shí)施例中，對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

45、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

46、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個(gè)電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

47、在一些實(shí)施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

48、基于預(yù)設(shè)的對(duì)比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對(duì)比面積差；

49、將對(duì)比面積差導(dǎo)入電阻率計(jì)算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

50、基于目標(biāo)電阻率差和對(duì)比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

51、在一些實(shí)施例中，電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)的確定步驟，包括：

52、將測(cè)試地層的電阻率設(shè)置為多個(gè)隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個(gè)初始電阻率與對(duì)比地層電阻率，得到多個(gè)測(cè)試電阻率差值；

53、獲取每個(gè)初始電阻率對(duì)應(yīng)的測(cè)試地層與對(duì)比地層之間的多個(gè)測(cè)試電壓信號(hào)；

54、基于測(cè)試電壓信號(hào)，生成多個(gè)測(cè)試電壓曲線；

55、基于測(cè)試電壓曲線，生成多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積；

56、基于每個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積與對(duì)比包絡(luò)面積，得到多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積差；

57、將多個(gè)包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計(jì)算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)。

58、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

59、獲取目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)；

60、對(duì)所述電壓信號(hào)進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號(hào)；

61、將所述純凈電壓信號(hào)放大，得到放大電壓信號(hào)；

62、基于預(yù)設(shè)的信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間與放大電壓信號(hào)，生成目標(biāo)電壓曲線。

63、在一些實(shí)施例中，信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間的獲取步驟，包括：

64、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

65、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值第一次不大于上限截取閾值時(shí)，獲取第一時(shí)間點(diǎn)；

66、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值不大于下限截取閾值時(shí)，獲取第二時(shí)間點(diǎn)；

67、基于第一時(shí)間點(diǎn)和第二時(shí)間點(diǎn)，生成信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間。

68、本公開實(shí)施例的第三方面，提供了一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中并且可以在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，該處理器執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)的步驟包括：

69、基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

70、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

71、基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

72、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

73、對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

74、基于預(yù)設(shè)的時(shí)間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個(gè)時(shí)間差值相等的子曲線，其中，時(shí)間差值與時(shí)間劃分指標(biāo)相等；

75、基于每個(gè)子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時(shí)間切割指標(biāo)，生成多個(gè)子曲線面積；

76、基于多個(gè)子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

77、在一些實(shí)施例中，對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

78、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

79、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個(gè)電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

80、在一些實(shí)施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

81、基于預(yù)設(shè)的對(duì)比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對(duì)比面積差；

82、將對(duì)比面積差導(dǎo)入電阻率計(jì)算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

83、基于目標(biāo)電阻率差和對(duì)比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

84、在一些實(shí)施例中，電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)的確定步驟，包括：

85、將測(cè)試地層的電阻率設(shè)置為多個(gè)隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個(gè)初始電阻率與對(duì)比地層電阻率，得到多個(gè)測(cè)試電阻率差值；

86、獲取每個(gè)初始電阻率對(duì)應(yīng)的測(cè)試地層與對(duì)比地層之間的多個(gè)測(cè)試電壓信號(hào)；

87、基于測(cè)試電壓信號(hào)，生成多個(gè)測(cè)試電壓曲線；

88、基于測(cè)試電壓曲線，生成多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積；

89、基于每個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積與對(duì)比包絡(luò)面積，得到多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積差；

90、將多個(gè)包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計(jì)算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)。

91、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

92、獲取目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)；

93、對(duì)所述電壓信號(hào)進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號(hào)；

94、將所述純凈電壓信號(hào)放大，得到放大電壓信號(hào)；

95、基于預(yù)設(shè)的信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間與放大電壓信號(hào)，生成目標(biāo)電壓曲線。

96、在一些實(shí)施例中，信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間的獲取步驟，包括：

97、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

98、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值第一次不大于上限截取閾值時(shí)，獲取第一時(shí)間點(diǎn)；

99、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值不大于下限截取閾值時(shí)，獲取第二時(shí)間點(diǎn)；

100、基于第一時(shí)間點(diǎn)和第二時(shí)間點(diǎn)，生成信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間。

101、本公開實(shí)施例的第四方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)的步驟包括：

102、基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線；

103、基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積；

104、基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率。

105、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，包括：

106、對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線；

107、基于預(yù)設(shè)的時(shí)間劃分指標(biāo)，將歸一電壓曲線劃分為多個(gè)時(shí)間差值相等的子曲線，其中，時(shí)間差值與時(shí)間劃分指標(biāo)相等；

108、基于每個(gè)子曲線的第一電壓數(shù)據(jù)和時(shí)間切割指標(biāo)，生成多個(gè)子曲線面積；

109、基于多個(gè)子曲線面積，生成目標(biāo)包絡(luò)面積。

110、在一些實(shí)施例中，對(duì)目標(biāo)電壓曲線進(jìn)行歸一化處理，得到歸一電壓曲線，包括：

111、獲取磁場發(fā)射設(shè)備的發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積和發(fā)射線圈匝數(shù)；

112、基于發(fā)射電流數(shù)據(jù)、發(fā)射線圈面積、發(fā)射線圈匝數(shù)以及目標(biāo)電壓曲線的每個(gè)電壓數(shù)據(jù)，生成歸一電壓曲線。

113、在一些實(shí)施例中，基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型和目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)地層的電阻率，包括：

114、基于預(yù)設(shè)的對(duì)比包絡(luò)面積以及目標(biāo)包絡(luò)面積，生成對(duì)比面積差；

115、將對(duì)比面積差導(dǎo)入電阻率計(jì)算模型，得到目標(biāo)電阻率差；

116、基于目標(biāo)電阻率差和對(duì)比電阻率，得到目標(biāo)電阻率。

117、在一些實(shí)施例中，電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)的確定步驟，包括：

118、將測(cè)試地層的電阻率設(shè)置為多個(gè)隨機(jī)的初始電阻率，并基于每個(gè)初始電阻率與對(duì)比地層電阻率，得到多個(gè)測(cè)試電阻率差值；

119、獲取每個(gè)初始電阻率對(duì)應(yīng)的測(cè)試地層與對(duì)比地層之間的多個(gè)測(cè)試電壓信號(hào)；

120、基于測(cè)試電壓信號(hào)，生成多個(gè)測(cè)試電壓曲線；

121、基于測(cè)試電壓曲線，生成多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積；

122、基于每個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積與對(duì)比包絡(luò)面積，得到多個(gè)測(cè)試包絡(luò)面積差；

123、將多個(gè)包絡(luò)面積差導(dǎo)入未訓(xùn)練的電阻率計(jì)算模型進(jìn)行訓(xùn)練，得到電阻率計(jì)算模型的計(jì)算參數(shù)。

124、在一些實(shí)施例中，基于目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)，生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，包括：

125、獲取目標(biāo)地層與對(duì)比地層之間的電壓信號(hào)；

126、對(duì)所述電壓信號(hào)進(jìn)行純凈處理，得到純凈電壓信號(hào)；

127、將所述純凈電壓信號(hào)放大，得到放大電壓信號(hào)；

128、基于預(yù)設(shè)的信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間與放大電壓信號(hào)，生成目標(biāo)電壓曲線。

129、在一些實(shí)施例中，信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間的獲取步驟，包括：

130、獲取預(yù)設(shè)的上限截取閾值和下限截取閾值；

131、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值第一次不大于上限截取閾值時(shí)，獲取第一時(shí)間點(diǎn)；

132、當(dāng)放大電壓信號(hào)的幅值不大于下限截取閾值時(shí)，獲取第二時(shí)間點(diǎn)；

133、基于第一時(shí)間點(diǎn)和第二時(shí)間點(diǎn)，生成信號(hào)截取時(shí)間區(qū)間。

134、有益效果

135、本公開實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果至少包括：通過生成基于時(shí)間電壓坐標(biāo)系的目標(biāo)電壓曲線，生成目標(biāo)包絡(luò)面積，并基于預(yù)設(shè)的電阻率計(jì)算模型、由對(duì)比電壓曲線生成的對(duì)比包絡(luò)面積以及所述目標(biāo)包絡(luò)面積，生成目標(biāo)電阻率。通過對(duì)包絡(luò)面積進(jìn)行對(duì)比的方式，可以大大提高計(jì)算的數(shù)據(jù)量，進(jìn)而大大提高了目標(biāo)電阻率的檢測(cè)精度。