1.一種高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于包括單片機(jī)單元(1)、按鍵單元(2)、顯示單元(3)、取樣單元(4)、功率調(diào)整單元(5)、信號(hào)發(fā)生單元(6)、功率驅(qū)動(dòng)單元(7)和功率輸出單元(8)及分別控制信號(hào)發(fā)生單元(6)、功率驅(qū)動(dòng)單元(7)和功率輸出單元(8)的工作電壓通斷電的開關(guān)單元(9)，信號(hào)發(fā)生單元(6)經(jīng)功率驅(qū)動(dòng)單元(7)和功率輸出單元(8)的輸入端相連，取樣單元(4)的輸入端和所述的功率輸出單元(8)的輸出端相連，按鍵單元(2)、取樣單元(4)的輸出端分別和單片機(jī)單元(1)的輸入端相連，單片機(jī)單元(1)的輸出端分別和顯示單元(3)、功率調(diào)整單元(5)的輸入端及開關(guān)單元(9)的控制端相連，功率調(diào)整單元(5)的輸出端和所述的功率輸出單元(8)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于包括報(bào)警單元(10)，報(bào)警單元(10)的控制端和所述的單片機(jī)單元(1)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于所述的取樣單元(4)包括互感器T2、橋堆B1、電容C9、電解電容E2和電阻R3，互感器T2的初級(jí)線圈的一端和所述的功率輸出單元(8)的輸出端相連，互感器T2的初級(jí)線圈的另一端輸出高頻電流信號(hào)，互感器T2的次級(jí)線圈的兩端分別和橋堆B1的兩個(gè)輸入端相連，橋堆B1的一個(gè)輸出端接地，橋堆B1的另一個(gè)輸出端，一路和所述的單片機(jī)單元(1)的A/D取樣輸入端相連，另一路經(jīng)電容C9、電解電容E2和電阻R3的并聯(lián)電路接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于所述的功率調(diào)整單元(5)包括電源調(diào)整芯片U4，電源調(diào)整芯片U4采用TL494芯片；電源調(diào)整芯片U4的2腳既和單片機(jī)單元(1)的輸出端相連又經(jīng)電容C15和電阻R6的并聯(lián)電路接地，電源調(diào)整芯片U4的4腳、7腳、9腳、13腳及16腳均接地，電源調(diào)整芯片U4的5腳經(jīng)電容C16接地，電源調(diào)整芯片U4的6腳經(jīng)電阻R7接地，電源調(diào)整芯片U4的8腳和電阻R5的一端相連，電阻R5的另一端和電阻R4的一端、穩(wěn)壓管D5的正極及MOS管Q5的柵極相連，電阻R4的另一端、穩(wěn)壓管D5的負(fù)極及MOS管Q5的源極均接電壓POWER，電壓POWER經(jīng)電解電容E3、電容C13和電容C14的并聯(lián)電路和二極管D6的正極相連，MOS管Q5的漏極既和二極管D6的負(fù)極相連又和電感L2的一端相連，電感L2的另一端既接電壓VDD又經(jīng)電解電容E4和電容C18的并聯(lián)電路和二極管D6的正極相連，二極管D6的正極經(jīng)電阻R11接地，電壓VDD經(jīng)電阻R9和電阻R10的串聯(lián)電路接地，電阻R9與電阻R10的連接點(diǎn)和電源調(diào)整芯片U4的1腳相連，電源調(diào)整芯片U4的15腳，一路經(jīng)可變電阻W2和二極管D6的正極相連，另一路經(jīng)電阻R8和電源調(diào)整芯片U4的14腳相連，電源調(diào)整芯片U4的13腳和12腳之間連接有電容C17，電源調(diào)整芯片U4的12腳接+12V電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于所述的信號(hào)發(fā)生單元(6)包括分頻器U2，分頻器U2采用SN74HC161分頻器；所述的開關(guān)單元(9)包括電子開關(guān)S1；分頻器U2的1腳、7腳、9腳、10腳及16腳均經(jīng)和電子開關(guān)S1的一端相連，電子開關(guān)S1的另一端接+5V電壓，分頻器U2的1腳經(jīng)電容C1接接地端GND1，分頻器U2的7腳、2腳分別和有源晶振JZ的4腳、3腳相連，有源晶振JZ的2腳接接地端GND1，分頻器U2的8腳和16腳之間連接有電容C2，分頻器U2的12腳和所述的功率驅(qū)動(dòng)單元(7)的輸入端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于所述的功率驅(qū)動(dòng)單元(7)包括MOS驅(qū)動(dòng)器U1，MOS驅(qū)動(dòng)器U1采用TC4420驅(qū)動(dòng)器；所述的開關(guān)單元(9)包括電子開關(guān)S2；MOS驅(qū)動(dòng)器U1的1腳和所述的信號(hào)發(fā)生單元(6)的輸出端相連，MOS驅(qū)動(dòng)器U1的3腳，一路經(jīng)電子開關(guān)S2接+15V電壓，另一路和穩(wěn)壓管D1的負(fù)極相連，穩(wěn)壓管D1的正極接接地端GND1，電容C3、電容C4及電解電容E1和穩(wěn)壓管D1并聯(lián)，MOS驅(qū)動(dòng)器U1的2腳及4腳均接接地端GND1，MOS驅(qū)動(dòng)器U1的5腳經(jīng)電容C5和穩(wěn)壓管D2的負(fù)極相連，穩(wěn)壓管D2的正極接穩(wěn)壓管D3的正極，穩(wěn)壓管D3的負(fù)極接接地端GND1，穩(wěn)壓管D2的負(fù)極和穩(wěn)壓管D3的負(fù)極之間連接有電感L1，穩(wěn)壓管D2的負(fù)極和所述的功率輸出單元(8)的輸入端相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5或6所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于所述的功率輸出單元(8)包括MOS管Q1和MOS管Q2，所述的開關(guān)單元(9)包括電子開關(guān)S3；MOS管Q1及MOS管Q2的柵極均和所述的功率驅(qū)動(dòng)單元(7)的輸出端相連，MOS管Q2的漏極接地，MOS管Q1的漏極經(jīng)電子開關(guān)S3接電壓VDD，MOS管Q1的源極及MOS管Q2的源極均接接地端GND1，MOS管Q2的源極和所述的取樣單元(4)的輸入端相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或3或4或5或6所述的高頻手術(shù)設(shè)備控制系統(tǒng)電磁兼容性優(yōu)化電路，其特征在于包括報(bào)警單元(10)，報(bào)警單元(10)包括運(yùn)放U3A、三極管VT1和蜂鳴器LS1；運(yùn)放U3A的同相輸入端經(jīng)電阻R2和單片機(jī)單元(1)的輸出端相連，運(yùn)放U3A的反相輸入端和所述的取樣單元(4)的輸出端相連，運(yùn)放U3A的輸出端經(jīng)電阻R1和三極管VT1的基極相連，三極管VT1的基極經(jīng)電容C8接地，三極管VT1的發(fā)射極和穩(wěn)壓管D4的負(fù)極相連，穩(wěn)壓管D4的正極接地，電容C7和穩(wěn)壓管D4并聯(lián)，三極管VT1的集電極和蜂鳴器LS1的負(fù)極相連，蜂鳴器LS1的正極接+5V電壓，電容C6和蜂鳴器LS1并聯(lián)。