本實(shí)用新型涉及集成電路測試設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及的是一種集成電路測試用的扁平探針。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，常規(guī)測試探針如圖1所示，常規(guī)測試探針在測試時(shí)，針頭與彈簧及針管壓縮接觸，壓縮時(shí)會(huì)有一定的摩擦，使探針的壽命有一定的影響，針頭與彈簧接觸是以點(diǎn)接觸或者是面接觸導(dǎo)通效果一般，并且接觸阻抗比較大。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一種摩擦小、阻抗較小、導(dǎo)通性能優(yōu)秀，使用壽命長的集成電路測試用的扁平探針。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：一種集成電路測試用的扁平探針，包括上接觸端、彎折段和下接觸端，其中，彎折段設(shè)置有提供彈性變形并與上接觸端和下接觸端一體成型的彈簧部、以及用于導(dǎo)通的繼電部；繼電部上端與上接觸端一體成型，其下端與下接觸端的側(cè)邊接觸固定。

應(yīng)用于上述技術(shù)方案，所述的扁平探針中，繼電部的側(cè)面還與彈簧部接觸固定。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的扁平探針中，下接觸端設(shè)置有一防止彈簧部在彈性壓縮時(shí)偏位的較寬平面段。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的扁平探針針中，下接觸端設(shè)置有一用于限位的L型臺(tái)階，繼電部其下端設(shè)置有適配的F型端部。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的扁平探針中，上接觸端和下接觸端的探針頭分別設(shè)置為扁平平板結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用于各個(gè)上述技術(shù)方案，所述的扁平探針中，上接觸端和下接觸端的探針頭形狀分別設(shè)置為P頭、B頭、T頭、F頭、W頭、M頭、V頭、O頭、R頭中的任意一種。

采用上述方案，本實(shí)用新型扁平測試探針是一體的及沒有內(nèi)部摩擦影響壽命，一般壽命可以達(dá)到常規(guī)探針的5倍以上，且導(dǎo)通性能比一般探針的更好及電氣參數(shù)遠(yuǎn)優(yōu)于常規(guī)探針。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的扁平平板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型的各種探針頭形狀結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

本實(shí)施例提供了一種集成電路測試用的扁平探針，如圖2所示，集成電路測試用的扁平探針包括上接觸端102、下接觸端108、以及設(shè)置在上接觸端102和下接觸端108之間的彎折段，其中，彎折段由提供彈性變形的彈簧部109、以及用于導(dǎo)通的繼電部103組成，其中，彈簧部109與上接觸端102和下接觸端108一體沖壓成型，彈簧部109提供該上接觸端102、下接觸端108彼此軸向趨近或軸向遠(yuǎn)離的彈性變形，已達(dá)到彈性接觸IC導(dǎo)通測試功能，彈性變形相當(dāng)于常規(guī)探針的彈簧，使探針能夠保證長時(shí)間接觸良好。

繼電部103上端與上接觸端102一體成型，其下端與下接觸端108的側(cè)邊接觸固定，繼電部103的側(cè)面還可以與彈簧部109接觸固定，繼電部103同樣用于接觸IC導(dǎo)通測試功能，將彈簧部和繼電部分開，更好的實(shí)現(xiàn)了電阻的穩(wěn)定性和耐久性及導(dǎo)電性。

或者，下接觸端108設(shè)置有一防止彈簧部在彈性壓縮時(shí)偏位的較寬平面段107，較寬平面段107可以更穩(wěn)定的跟中間彎折段接觸，從而防止彈簧部在彈性壓縮時(shí)的偏位。

下接觸端108設(shè)置有一用于限位的L型臺(tái)階105，其下端設(shè)置有適配的F型端部104，如此，通過L型臺(tái)階105和F型端部104適配固定，彈簧部109在壓縮變形時(shí)，使繼電部103的F型端部104在沿著下接觸端108側(cè)面往下滑動(dòng)時(shí)，L型臺(tái)階105可以對(duì)滑動(dòng)的F型端部104起到限位的作用，從而可以限制探針的行程，從而防止彈簧部109的彈片被過壓而損壞彈片。

如圖3所示，上接觸端和下接觸端的探針頭分別設(shè)置為扁平平板結(jié)構(gòu)，其中A為兩集成電路測試探針的間距，B為兩集成電路測試探針的成型壁厚，C為集成電路測試探針的厚度，如此，采用平板結(jié)構(gòu)，與一般的探針相比更容易用到更小的間距上，一般扁平測試探針C厚度可以做到0.06～3.0mm，適用的范圍更廣泛。

由或者，為了適用測試不同的產(chǎn)品，上接觸端的探針頭101和下接觸端的探針頭106形狀分別設(shè)置為P頭、B頭、T頭、F頭、W頭、M頭、V頭、O頭、R頭中的任意一種，或者，也可以設(shè)置為其他任意結(jié)構(gòu)，只要跟測試產(chǎn)品對(duì)應(yīng)即可，探針頭的部分形狀結(jié)構(gòu)如圖4所示。

如此，本實(shí)施例扁平探針比一般探針結(jié)構(gòu)更簡單、體積小更，容易加工組裝，價(jià)格更宜等優(yōu)點(diǎn)，是一種新工藝，新結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。

以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。