[技術(shù)領(lǐng)域]

本發(fā)明涉及sim檢測設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測速度快、精確度高且使用方便的智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備。

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背景技術(shù)：
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在日常生活中用到的平板電腦中，一般都會帶有2g/3g通話功能和4g-lte的數(shù)據(jù)傳送功能，在帶了這些功能的平板電腦中必不可少的就會保留sim卡槽，sim卡是連接運營商的戶身份識別卡，只有sim卡被正確的按放到平板電腦sim卡槽中，平板電腦才能夠完成gms通訊、無線數(shù)據(jù)傳送。由于sim卡槽經(jīng)常被插拔，因此sim卡槽很容易出現(xiàn)不良，例如，sim卡槽內(nèi)部彈片斷裂、變形、卡槽虛焊等問題的出現(xiàn)就會導(dǎo)致sim卡不能與運營商正常通訊，從而導(dǎo)致平板電腦不能正通話和使用2g/3g/4g網(wǎng)絡(luò)。

出現(xiàn)上述情況后，對于一般用戶而言較難分辨出是sim卡壞還是sim槽壞?；诖耍托枰环N不但可以幫助用戶精確的分辨出是哪種不良，還可以精確的判斷是哪一個信號出現(xiàn)問題的檢測儀器。

根據(jù)上述問題，本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了大量的研發(fā)和實驗，從產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和功能方面入手進(jìn)行改進(jìn)和改善，并取得了較好的成績。

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技術(shù)實現(xiàn)要素：
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為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種檢測速度快、精確度高且使用方便的智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備。

本發(fā)明解決技術(shù)問題的方案是提供一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備，包括測試電路板主體以及設(shè)置于該測試電路板主體上的外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個led信號指示燈以及若干個測試針觸點；所述測試電路板主體一端向外延伸有用于插入待檢測設(shè)備插接口的插接頭；且在所述插接頭背面焊接設(shè)置有模擬nanosim卡的焊盤；所述外置nano卡座、外置microsim卡座位于測試電路板主體的中間部位，led信號指示燈靠近外置nano卡座設(shè)置，測試針觸點靠近外置microsim卡座設(shè)置；且所述外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個led信號指示燈和若干個測試針觸點電性連接；所述插接頭背面焊盤、外置nano卡座、外置microsim卡座、led信號指示燈以及測試針觸點部位都具有vcc,clk,rst,io和vpp觸點。

優(yōu)選地，所述焊盤的vcc觸點與外置nano卡座、外置microsim卡座的vcc觸點相連接；焊盤的clk觸點與外置nano卡座、外置microsim卡座的clk觸點相連接；焊盤的rst觸點與外置nano卡座、外置microsim卡座的rst觸點相連接。

優(yōu)選地，所述插接頭背面焊盤中各焊接點的長度為1.7mm，寬度為0.84mm；插接頭的寬度為8.8mm；測試電路板主體的寬度為36mm；測試電路板主體的整體長度為60mm。

優(yōu)選地，所述led信號指示燈的數(shù)量為五個，呈并列單排設(shè)置；測試針觸點的數(shù)量為九個，八個測試針觸點呈并列雙排設(shè)置，另一個測試針觸點設(shè)置于兩排測試針觸點的中間部位。

優(yōu)選地，所述五個led信號指示燈分別對應(yīng)vcc、rst、vpp、io和clk觸點；當(dāng)檢測信號正常時，led信號指示燈亮紅色，其中vcc、rst、vpp對應(yīng)的led信號指示燈常亮，io和clk對應(yīng)的led信號指示燈閃爍。

優(yōu)選地，所述外置microsim卡座的各pin針表面鍍金處理，形成鍍金層。

優(yōu)選地，所述測試電路板主體的厚度為0.7mm。

優(yōu)選地，所述led信號指示燈的導(dǎo)通電壓范圍為1.65-3.3v。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備通過在測試電路板主體設(shè)置電性連接的外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個led信號指示燈以及若干個測試針觸點，利用插接頭模擬nanosim卡外形，引出測試座子(焊盤)用于檢測平板電腦sim卡的每一路信號，這樣的設(shè)計使得工程技術(shù)人員可以直接測試sim卡上的信號和波形，減少在主板上飛線的的時間，且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良，改善了目前情況下，由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測試的問題，本設(shè)計使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號指示，可以實時的、動態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號的狀態(tài)是否存在，這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號不導(dǎo)通，快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號出現(xiàn)了問題，可靠度高，可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問題中的效率，讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問題。

[附圖說明]

圖1是本發(fā)明一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備的立體狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備的另一視角的立體狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

[具體實施方式]

為使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定此發(fā)明。

請參閱圖1和圖2，本發(fā)明一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備1包括測試電路板主體11以及設(shè)置于該測試電路板主體11上的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個led信號指示燈111以及若干個測試針觸點113；所述測試電路板主體11一端向外延伸有用于插入待檢測設(shè)備插接口的插接頭13；且在所述插接頭13背面焊接設(shè)置有模擬nanosim卡的焊盤；所述外置nano卡座114、外置microsim卡座115位于測試電路板主體11的中間部位，led信號指示燈111靠近外置nano卡座114設(shè)置，測試針觸點113靠近外置microsim卡座115設(shè)置；且所述外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個led信號指示燈111和若干個測試針觸點113電性連接；所述插接頭13背面焊盤、外置nano卡座114、外置microsim卡座115、led信號指示燈111以及測試針觸點113部位都具有vcc,clk,rst,io和vpp觸點。

通過在測試電路板主體11設(shè)置電性連接的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個led信號指示燈111以及若干個測試針觸點113，利用插接頭13模擬nanosim卡外形，引出測試座子(焊盤)用于檢測平板電腦sim卡的每一路信號，這樣的設(shè)計使得工程技術(shù)人員可以直接測試sim卡上的信號和波形，減少在主板上飛線的的時間，且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良，改善了目前情況下，由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測試的問題，本設(shè)計使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號指示，可以實時的、動態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號的狀態(tài)是否存在，這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號不導(dǎo)通，快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號出現(xiàn)了問題，可靠度高，可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問題中的效率，讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問題。

優(yōu)選地，所述焊盤的vcc觸點與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的vcc觸點相連接；焊盤的clk觸點與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的clk觸點相連接；焊盤的rst觸點與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的rst觸點相連接。電路設(shè)計合理，使用效果好。

優(yōu)選地，所述插接頭13背面焊盤中各焊接點131的長度為1.7mm，寬度為0.84mm；插接頭13的寬度為8.8mm；測試電路板主體11的寬度為36mm；測試電路板主體11的整體長度為60mm。

優(yōu)選地，所述led信號指示燈111的數(shù)量為五個，呈并列單排設(shè)置；測試針觸點113的數(shù)量為九個，八個測試針觸點113呈并列雙排設(shè)置，另一個測試針觸點113設(shè)置于兩排測試針觸點113的中間部位。

優(yōu)選地，所述五個led信號指示燈111分別對應(yīng)vcc、rst、vpp、io和clk觸點；當(dāng)檢測信號正常時，led信號指示燈111亮紅色，其中vcc、rst、vpp對應(yīng)的led信號指示燈111常亮，io和clk對應(yīng)的led信號指示燈111閃爍。這樣的設(shè)計可以較為直觀的判斷出異常情況。

優(yōu)選地，所述外置microsim卡座114的各pin針表面鍍金處理，形成鍍金層。提高使用壽命。

優(yōu)選地，所述測試電路板主體11的厚度為0.7mm。

優(yōu)選地，所述led信號指示燈111的導(dǎo)通電壓范圍為1.65-3.3v?，F(xiàn)在通用的sim信號的電平是1.65-3.0v,led的導(dǎo)通電壓是3.0v，如果選擇的導(dǎo)通電壓為3.0v的led燈，那么當(dāng)測試1.8v信號的時候，led燈將不會顯示紅色，所以將led信號指示燈111的導(dǎo)通電壓設(shè)置在1.65-3.3v之間。

實際檢測過程中，采用在2臺樣機(jī)上插入本智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備1，使用萬用表(型號：fluke15b+)，將萬用調(diào)節(jié)到蜂鳴檔位，正極接觸測試電路板主體11上的rst測試針觸點113，負(fù)極接觸樣機(jī)主板上rst信號線上的并聯(lián)退耦電容，如果萬用表鳴叫，則說明線路是導(dǎo)通的，nanosim卡槽焊接是ok的(如果屬于卡槽彈片問題可以從外觀看出來)。反之，則說明是焊接問題。

當(dāng)在2臺樣機(jī)上插入本發(fā)明智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備1時，如果紅色led信號指示燈111正常點亮或者閃爍，則可以判斷l(xiāng)ed信號指示燈111對應(yīng)的信號或者電源是正常工作的。這樣可以精準(zhǔn)的確定哪一路信號ok，哪一路信號是fail的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種智能檢測nanosim卡動態(tài)信號的儀器設(shè)備1通過在測試電路板主體11設(shè)置電性連接的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個led信號指示燈111以及若干個測試針觸點113，利用插接頭13模擬nanosim卡外形，引出測試座子(焊盤)用于檢測平板電腦sim卡的每一路信號，這樣的設(shè)計使得工程技術(shù)人員可以直接測試sim卡上的信號和波形，減少在主板上飛線的的時間，且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良，改善了目前情況下，由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測試的問題，本設(shè)計使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號指示，可以實時的、動態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號的狀態(tài)是否存在，這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號不導(dǎo)通，快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號出現(xiàn)了問題，可靠度高，可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問題中的效率，讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問題。

以上所述的本發(fā)明實施方式，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。