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測量混合氣體淬熄直徑的裝置的制作方法

文檔序號:12714119閱讀:572來源:國知局
測量混合氣體淬熄直徑的裝置的制作方法

本發(fā)明涉及一種測量混合氣體淬熄直徑的裝置。



背景技術(shù):

對于可燃?xì)怏w的燃燒傳播過程來說,當(dāng)傳播通道的直徑減小到某一數(shù)值時,火焰在管道中便不能夠傳播,這種現(xiàn)象叫做火焰淬熄,這個數(shù)值被稱為淬熄距離或者臨界直徑。造成淬熄的原因有二:一是小尺度對應(yīng)大的比表面積,燃燒產(chǎn)生的熱量經(jīng)管壁這一冷源迅速撤走,火焰不能保持一定的溫度;二是反應(yīng)中生成的活性自由基在接觸壁面后會淬滅,無法繼續(xù)進行鏈?zhǔn)椒磻?yīng)。在燃燒學(xué)中,淬熄距離是非常重要的燃爆參數(shù),這一參數(shù)對火焰的駐定、內(nèi)燃機的點火、燃燒過程的優(yōu)化、化工過程的安全性等都具有重要的影響。淬熄距離的測量是相關(guān)研究中的重要問題。大部分研究都是通過測量火焰照片中發(fā)光區(qū)邊緣與壁面的距離來測定淬熄距離。目前在科研文獻中已見報道的測試方法主要有:本生燈測試法(黃夏、黃勇,本生燈預(yù)混火焰淬熄距離實驗分析,北京航空航天大學(xué)學(xué)報,2015,41,1513-1519)、密閉容器成像法(M.Bellenoue,et al.Direct measurement of laminar flame quenching distance in a closed vessel,Experimental Thermal and Fluid Science,2003,27,323-331)、環(huán)形階梯式分流管法(Y.Jung,et al.Direct prediciton of laminar burning velocity and quenching distance of hydrogen-air flames using an annular stepwide diverging tube,Combustion and Flame,2016,164,397-399)等。上述方法均依賴于相機成像效果,對配套裝置要求較高,且測量的尺度范圍受到管壁材料的限制,很難加工至0.1mm以下,難以滿足某些極端條件下的測試需求。CN102608287B提供一種可燃?xì)怏w爆轟臨界管徑的測試系統(tǒng)和方法,能夠測試爆轟的臨界管徑而非爆燃臨界管徑,其管徑尺度范圍和測量方法并不具備測試火焰?zhèn)鞑ゴ銣缇嚯x的能力,測量原理與本專利本質(zhì)不同。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中配套裝置要求較高、測量范圍較窄、測量靈活性較差的問題,提供一種新的測量混合氣體淬熄直徑的裝置。該裝置具有配套裝置要求較低、測量范圍較寬的優(yōu)點。

為解決上述問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:一種測量混合氣體淬熄直徑的裝置,所述裝置包括刻蝕有微通道的芯片、帶有兩根電極的電火花發(fā)生器、氣源;氣源與刻蝕有微通道的芯片連接,刻蝕有微通道的芯片與電火花發(fā)生器相連,刻蝕有微通道的芯片上設(shè)有廢氣出口;刻蝕有微通道的芯片材質(zhì)為高分子聚合物、不銹鋼或陶瓷;微通道截面為橢圓形、圓形、長方形、圓角方形或三角形;微通道直徑為待考察的臨界直徑。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,在芯片出口處設(shè)有安全閥或爆破片,減少微通道內(nèi)壓力。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,測試區(qū)為均一直徑的通道,在上游設(shè)置點火區(qū),兩根電極通入點火區(qū),每次測試時確保點火區(qū)有火焰產(chǎn)生,然后觀察火焰是否傳播到測試區(qū),或?qū)Ⅻc火器直接置于測試區(qū),兩根電極直接通入測試區(qū),測試是否有火焰生成。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,一塊芯片上刻蝕一條或多條微通道,微通道間是隔離的或共享一個點火區(qū)。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,通道直徑在0.05mm~5cm之間。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,每條微通道有選擇地只設(shè)置單一入口,混合氣體在引入通道前已混合均勻,或設(shè)置多個入口,在通道內(nèi)實現(xiàn)氣體的均勻混合;由于氣體的擴散速度快而通道內(nèi)的擴散距離短,氣體在通道內(nèi)的混合時間應(yīng)在毫秒級。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,點火器的兩個電極穿過芯片上預(yù)留的孔道,將尖端深入點火區(qū)或測試區(qū)。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,高分子聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚二甲基硅氧烷。

上述技術(shù)方案中,優(yōu)選地,所述裝置能夠與高速攝像機進一步組裝為功能化裝置。

本發(fā)明提供了一種可以測量可燃?xì)怏w燃燒傳播的臨界直徑的裝置,與現(xiàn)有技術(shù)相比本專利可以:1)避免使用較高分辨率的高速攝像機以加強方法的便攜性和普適性;2)擴大方法的測量范圍;3)用一種簡單便攜的裝置取代常見的復(fù)雜大型裝置,取得了較好的技術(shù)效果。

附圖說明

圖1裝置整體組成示意圖。

圖1中,1刻蝕有微通道的芯片;2待測可燃?xì)怏w;3氧氣;4電火花發(fā)生器;5廢氣出口。

圖2設(shè)置有點火區(qū)的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2中,1待測可燃?xì)怏w入口;2氧氣入口;3兩根電極插入孔;4點火區(qū);5待測區(qū);6廢氣出口。

圖3無點火區(qū)的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3中,1待測可燃?xì)怏w入口;2氧氣入口;3兩根電極插入孔;4待測區(qū);5廢氣出口。

圖4實施例3中利用高速攝像機拍攝的燃爆現(xiàn)象隨時間演化過程。

下面通過實施例對本發(fā)明作進一步的闡述,但不僅限于本實施例。

具體實施方式

【實施例1】

不同組成H2和O2混合氣體淬熄直徑的測量:

一種測量混合氣體淬熄直徑的裝置,在混合氣體淬熄直徑測量裝置上進行混合氣體淬熄直徑測量,如圖1所示,所述裝置包括刻蝕有微通道的芯片、帶有兩根電極的電火花發(fā)生器、氣源;氣源與刻蝕有微通道的芯片連接,刻蝕有微通道的芯片與電火花發(fā)生器相連,刻蝕有微通道的芯片上設(shè)有廢氣出口;通過在不同管徑的微通道中進行火焰?zhèn)鞑嶒灤_定測試對象的淬熄直徑。

芯片材質(zhì)選自聚甲基丙烯酸甲酯,微通道截面為0.05mm。

芯片部分結(jié)構(gòu)如圖3所示,將兩根電極插入預(yù)設(shè)的孔道,在上方進行密封。在測試開始前首先封閉各個接口(待測可燃?xì)怏w入口、氧氣入口、廢氣出口),將出口連接真空泵抽真空,移除芯片通道內(nèi)殘余的空氣。然后連接氣瓶與通道,將通道后背壓閥設(shè)為10psi,H2和O2流量控制為各為1sccm,吹掃通道5分鐘。關(guān)閉所有接口,調(diào)節(jié)電火花發(fā)生器輸出電壓為0,將電壓逐步增加,同時觀察通道內(nèi)是否有火焰?zhèn)鞑?。在暗室中,火焰?zhèn)鞑ブ苯佑萌庋塾^察。如未觀測到火焰,則將電極插入更大直徑通道中,重復(fù)上述步驟,直至開始觀測到火焰?zhèn)鞑?,則H2和O2在10psi下摩爾比為1:1時的臨界直徑在此直徑與上一直徑之間。

【實施例2】

按照實施例1所述的條件和步驟,芯片材質(zhì)選自聚甲基丙烯酸甲酯,微通道截面為10mm。

芯片結(jié)構(gòu)如圖3所示,測試區(qū)為均一直徑的通道,在上游設(shè)置點火區(qū),兩根電極通入點火區(qū),每次測試時確保點火區(qū)有火焰產(chǎn)生,然后觀察火焰是否傳播到測試區(qū)。在測試開始前首先封閉各個接口(待測可燃?xì)怏w入口、氧氣入口、廢氣出口),將出口連接真空泵抽真空,移除芯片通道內(nèi)殘余的空氣。然后連接氣瓶與通道,H2和O2流量控制為1sccm與10sccm,吹掃通道5分鐘。關(guān)閉所有接口,調(diào)節(jié)電火花發(fā)生器輸出電壓為0,將電壓逐步增加,同時觀察通道內(nèi)是否有火焰?zhèn)鞑ァT诎凳抑?,火焰?zhèn)鞑ブ苯佑萌庋塾^察。如未觀測到火焰,則將電極插入更大直徑通道中,重復(fù)上述步驟,直至開始觀測到火焰?zhèn)鞑?,則H2和O2在1大氣壓下摩爾比為1:10時的臨界直徑在此直徑與上一直徑之間。

【實施例3】

按照實施例1所述的條件和步驟,芯片材質(zhì)選自聚二甲基硅氧烷,微通道截面為圓形。

芯片結(jié)構(gòu)如圖2所示,測試區(qū)為4條并聯(lián)的均一直徑的通道,直徑分別為0.1mm、0.3mm、0.5mm與0.7mm,在上游設(shè)置點火區(qū),兩根電極通入點火區(qū),每次測試時確保點火區(qū)有火焰產(chǎn)生,然后觀察火焰是否傳播到測試區(qū)。在測試開始前首先封閉各個接口(待測可燃?xì)怏w入口、氧氣入口、廢氣出口),將出口連接真空泵抽真空,移除芯片通道內(nèi)殘余的空氣。然后連接氣瓶與通道,將通道后背壓閥設(shè)為29psi,H2和O2流量控制為各為2sccm,吹掃通道2分鐘。關(guān)閉所有接口,調(diào)節(jié)電火花發(fā)生器輸出電壓為0,將電壓逐步增加,同時觀察通道內(nèi)是否有火焰?zhèn)鞑ァT诎凳抑?,火焰?zhèn)鞑ブ苯佑萌庋塾^察。如未觀測到火焰,則將電極插入更大直徑通道中,重復(fù)上述步驟,直至開始觀測到火焰?zhèn)鞑?,則H2和O2在29psi下摩爾比為1:1時的臨界直徑在此直徑與上一直徑之間。

利用高速攝像機拍攝的燃爆現(xiàn)象隨時間演化過程見圖4所示。

【實施例4】

按照實施例1所述的條件和步驟,芯片材質(zhì)選自聚二甲基硅氧烷,微通道截面為圓形。

芯片結(jié)構(gòu)如圖2所示,測試區(qū)為4條并聯(lián)的均一直徑的通道,直徑分別為0.1mm、0.3mm、0.5mm與0.7mm,在上游設(shè)置點火區(qū),兩根電極通入點火區(qū),每次測試時確保點火區(qū)有火焰產(chǎn)生,然后觀察火焰是否傳播到測試區(qū)。在測試開始前首先封閉各個接口(待測可燃?xì)怏w入口、氧氣入口、廢氣出口),將出口連接真空泵抽真空,移除芯片通道內(nèi)殘余的空氣。然后連接氣瓶與通道,將通道后背壓閥設(shè)為14.5psi,H2和O2流量控制為各為2sccm,吹掃通道2分鐘。關(guān)閉所有接口,調(diào)節(jié)電火花發(fā)生器輸出電壓為0,將電壓逐步增加,同時觀察通道內(nèi)是否有火焰?zhèn)鞑?。在暗室中,火焰?zhèn)鞑ブ苯佑萌庋塾^察。如未觀測到火焰,則將電極插入更大直徑通道中,重復(fù)上述步驟,直至開始觀測到火焰?zhèn)鞑ィ瑒tH2和O2在14.5psi下摩爾比為1:1時的臨界直徑在此直徑與上一直徑之間。

顯然,本發(fā)明提供的測量可燃?xì)怏w燃燒傳播的臨界直徑的方法,避免使用較高分辨率的高速攝像機以加強方法的便攜性和普適性,擴大方法的測量范圍,用一種簡單便攜的裝置取代常見的復(fù)雜大型裝置,取得了較好的技術(shù)效果。

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