技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種GIS環(huán)氧樹脂表面電荷特性和陷阱能級分布的表征裝置及方法，包括高壓充電裝置和電位測量裝置，將不同類型的電壓作用施加至環(huán)氧樹脂表面，加壓過程為電暈放電；計(jì)算環(huán)氧樹脂絕緣子陷阱中的電荷的釋放時(shí)間和電位消散過程；利用測得的電位消散過程經(jīng)過分析和計(jì)算繪制出tdV/dt曲線，用來表征環(huán)氧樹脂絕緣子表面電荷的動態(tài)特性以及陷阱能級分布。本發(fā)明利用表面電位測量技術(shù)以及現(xiàn)有儀器，通過對不同電壓類型作用下環(huán)氧樹脂試樣表面電荷進(jìn)行測量，對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)處理，弄清楚電荷在環(huán)氧樹脂內(nèi)部的輸運(yùn)特性，為解決環(huán)氧絕緣子沿面閃絡(luò)問題和其老化狀態(tài)的評估提供了重要的理論依據(jù)，具有典型的工程實(shí)踐指導(dǎo)意義。

技術(shù)研發(fā)人員：杜伯學(xué);杜強(qiáng);李進(jìn);梁虎成;劉勇;薛巨邵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.07
技術(shù)公布日：2017.08.15