專(zhuān)利名稱(chēng)：一種電子俘獲材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子俘獲材料技術(shù)領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及硫酸鹽電子俘獲材料 SivxSO4: XSm3+(0 < X ^ 0.01)的新型制備方法。
背景技術(shù)：
電子俘獲材料是指一類(lèi)具有合適的陷阱俘獲能級(jí)，能將電子俘獲在陷阱能級(jí)中， 在用某一波段的光激勵(lì)時(shí)，能夠以可見(jiàn)光的形式釋放俘獲電子的材料。具體地，在一定波長(zhǎng)的光激發(fā)下，基態(tài)的電子被激發(fā)到高能激發(fā)態(tài)，到達(dá)激發(fā)態(tài)的電子經(jīng)過(guò)電子遂穿，然后被俘獲中心所形成的局域場(chǎng)俘獲，從而實(shí)現(xiàn)了能量的存儲(chǔ)過(guò)程；當(dāng)用紅外光激勵(lì)時(shí)，被俘獲中心所俘獲的電子從俘獲中心釋放，重新回到基態(tài)，在返回基態(tài)的過(guò)程中，以可見(jiàn)光的形式釋放能量。目前，這種電子俘獲材料已廣泛用于個(gè)人和環(huán)境輻射的防護(hù)監(jiān)測(cè)、核工業(yè)、核醫(yī)學(xué)、農(nóng)業(yè)、石油探測(cè)、輻射加工、考古、藝術(shù)鑒定等諸多領(lǐng)域。但是，目前大多數(shù)采用高溫固相合成法來(lái)制備電子俘獲材料，例如中國(guó)專(zhuān)利 CN1603384和中國(guó)專(zhuān)利CN101870867A。高溫固相合成法在制備過(guò)程中使用對(duì)設(shè)備有腐蝕性的揮發(fā)性物質(zhì)，且含有有毒物質(zhì)，對(duì)環(huán)境和人的健康不利；而且其制備工藝復(fù)雜，需要高溫、 甚至高壓等外界條件，其能耗大、制備成本高。更為不利的是，高溫固相合成法所制備的電子俘獲材料顆粒大、顆粒分散性和均勻性較差，而且顆粒形貌難以控制，從而導(dǎo)致制備出的電子俘獲材料的發(fā)光性能較差，或者發(fā)光性能不穩(wěn)定。而如果能夠制備出粒徑較小且顆粒分布均勻的電子俘獲材料，則由于隨著電子俘獲材料的粒徑減小，比表面積增大，晶體的內(nèi)部缺陷減少，更多的缺陷分布在表面上，即分布在表面的陷阱增多，電子有更高的幾率被俘獲并發(fā)光，因而有效提高了電子俘獲材料的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光穩(wěn)定性。鑒于目前電子俘獲材料作為許多新興高科技產(chǎn)品的基礎(chǔ)功能材料，其需求量日益增加，因此目前迫切需要一種合成溫度低、耗能少、操作簡(jiǎn)單、制備成本低的制備電子俘獲材料的方法。進(jìn)一步地，該制備方法可以制備出顆粒小且顆粒度分布均勻，顆粒形貌規(guī)整且可控的電子俘獲材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種制備電子俘獲材料的新型制備方法，特別是摻雜稀土離子Sm3+的硫酸鍶的新型制備方法。該制備方法合成溫度低、耗能少、操作簡(jiǎn)單、 制備成本低。進(jìn)一步地，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種制備電子俘獲材料的新型制備方法，特別是摻雜稀土離子Sm3+的硫酸鍶的新型制備方法。該制備方法可以制備出顆粒小且粒度分布均勻，顆粒形貌規(guī)整且可控的電子俘獲材料。本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行深入、詳細(xì)地研究，通過(guò)控制包括原料配比、分散劑等工藝條件解決了上述技術(shù)問(wèn)題。具體技術(shù)方案如下根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供一種制備電子俘獲材料的方法，所述電子俘獲材料是摻雜稀土離子Sm3+的硫酸鍶，其化學(xué)式為SivxSO4 xSm3+，其中χ為摻入的稀土離子Sm3+的摩爾比，0 < χ彡0. 01，所述方法包括(1)分別配制Na2S04、SrCl2和SmCl3的水溶液；(2)在攪拌條件下，將SmCl3溶液添加到SrCl2水溶液中；(3)在繼續(xù)攪拌條件下將Na2SO4水溶液迅速添加到步驟O)的混合溶液中；(4)將步驟(3)所獲得的混合液陳化至少10小時(shí)；(5)將步驟(4)所獲得的混合物離心分離得到固體物；(6)將步驟(5)所獲得的固體物分別用去離子水和乙醇洗滌至少三次；(7)在至少45°C的溫度下將洗滌過(guò)的固體物真空干燥至少3小時(shí)，即得到所述的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，進(jìn)一步控制步驟C3)中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[S042_]的摩爾比R為1 2 2 1，從而獲得具有不同顆粒形貌的電子俘獲材料。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，進(jìn)一步控制SmCl3溶液的添加量，使得制備的電子俘獲材料SivxSO4 xSm3+中χ在0. 002 0.01范圍內(nèi)。與傳統(tǒng)的高溫固相合成法相比，本發(fā)明的新型制備方法在室溫下或稍高于室溫的溫度下即可合成所述電子俘獲材料，其操作簡(jiǎn)單、制備成本低。由于其反應(yīng)條件溫和，所以耗能少、無(wú)環(huán)境污染，且無(wú)有毒化學(xué)品的排放，是綠色環(huán)保節(jié)能的新型合成方法。更為有利的是，本發(fā)明方法可以制備出顆粒小且粒度分布均勻、形貌規(guī)則可控的電子俘獲材料。所以，本發(fā)明方法可避免因高溫固相合成所需要的球磨而引起的發(fā)光衰減，由此獲得發(fā)光性能更為穩(wěn)定的電子俘獲材料。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料SivXS04 xSm3+ I
圖2是本發(fā)明實(shí)施例2所制備的電子俘獲材料SivXS04 xSm3+ I
圖3是本發(fā)明實(shí)施例3所制備的電子俘獲材料SivXS04 xSm3+ I
圖4是本發(fā)明實(shí)施例4所制備的電子俘獲材料SivXS04 xSm3+ I
圖5是本發(fā)明實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料Sr1_xso4:χ Sm3+圖，其中(a)為激發(fā)光譜，(b)為發(fā)射光譜。
圖6(a)和圖6(b)是基質(zhì)材料SrSO4的結(jié)晶過(guò)程示意圖O
圖。圖7是本發(fā)明實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料Sr1_xso4:χ Sm3+
具體實(shí)施例方式下面具體詳細(xì)描述本發(fā)明的各種優(yōu)選實(shí)施方式。根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式，提供一種制備電子俘獲材料的方法，所述電子俘獲材料是摻雜稀土離子Sm3+的硫酸鍶，其化學(xué)式為SivxSO4 :XSm3+，其中χ為摻入的稀土離子 Sm3+的摩爾比，0 < χ ^ 0. 01，所述方法包括(1)分別配制Na2S04、SrCl2和SmCl3的水溶液；
(2)在攪拌條件下，將SmCl3溶液添加到SrCl2水溶液中；(3)在繼續(xù)攪拌條件下將Na2SO4水溶液迅速添加到步驟O)的混合溶液中；(4)將步驟(3)所獲得的混合液陳化至少10小時(shí)；(5)將步驟(4)所獲得的混合物離心分離得到固體物；(6)將步驟(5)所獲得的固體物分別用去離子水和乙醇洗滌至少三次；(7)在至少45°C的溫度下將洗滌過(guò)的固體物真空干燥至少3小時(shí)，即得到所述的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，控制步驟(3)中所添加的Na2SO4溶液的量，使得 [Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為1 2 2 1。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施方式，控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[S042_]的摩爾比R為2 1，并且在上述步驟⑶中進(jìn)一步添加乙醇作為分散劑，所制備的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+為條狀顆粒。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施方式，控制上述步驟(3)中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[S042_]的摩爾比R為1 2，并且在上述步驟(3)中進(jìn)一步添加乙醇作為分散劑，所制備的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+為球形顆粒。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為2 1，并且在上述步驟(3)中不添加乙醇作為分散劑，所制備的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+為花狀顆粒。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施方式，控制步驟C3)中所添加的Na2S04溶液的量，使得[Sr2+]與 [SO42-]的摩爾比為1 2，并且在步驟(3)中不添加乙醇作為分散劑，所制備的電子俘獲材料SrhSO4 = XSm3+為六角形顆粒。在上述優(yōu)選的實(shí)施方式中，分別通過(guò)控制混合原料中[Sr2+]與[SO/—]的摩爾比和 /或添加分散劑乙醇等來(lái)控制電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+的顆粒形貌。其具體的原理可以解釋為如下參見(jiàn)附圖6，當(dāng)混合原料中[Sr2+] [SO42I = 2 1時(shí)，硫酸鍶晶體優(yōu)先沿QlO) 方向生長(zhǎng)，從而有利地形成長(zhǎng)條形狀顆粒(如圖6(a)所示)。當(dāng)混合原料中[Sr2+] [SO42I =1 2，硫酸鍶晶體優(yōu)先沿(020)和(210)方向生長(zhǎng)，從而有利地形成球形或六角形顆粒 (如圖6 (b)所示)。對(duì)于本發(fā)明的電子俘獲材料SivxSO4 XSm3+體系，其晶體生長(zhǎng)過(guò)程也大致如上所述。另外，在原料混合液中添加分散劑乙醇的作用在于由于3604在乙醇中的溶解度小于在水中的溶解度，加入乙醇后，SrSO4溶解度減小，介穩(wěn)穩(wěn)定性消失，體系處于SrSO4 結(jié)晶不穩(wěn)定區(qū)域，所有晶核立刻并同時(shí)生成，有利于生成單分散的納米顆粒。所以，加乙醇后晶體的粒度減小。此外，加入分散劑乙醇后，使溶液極性和SrSO4樣品的分散性增強(qiáng)，并進(jìn)一步改變SrSO4的結(jié)晶自組裝方式，從而形成粒度更小，顆粒更為均勻的材料。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式，控制SmCl3溶液的添加量，使得制備的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+中χ在0. 002 0. 01范圍內(nèi)。由于Sm3+不等價(jià)取代硫酸鍶晶體中的 Sr2+，且[Sr2+]與[SO42I是以非化學(xué)計(jì)量比混合，所以加入到混合液中的所有Sm3+并不都能取代硫酸鍶晶體中的Sr2+，但是可以通過(guò)控制[Sm3+]與[Sr2+]的相對(duì)比例來(lái)控制摻入的稀土離子的摩爾比，從而可以獲得χ在0. 002 0. 01范圍內(nèi)的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+。 對(duì)于本發(fā)明的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+，其精確摻入的稀土離子的量并不重要，只要摻入適量的稀土離子即可，對(duì)本發(fā)明方法所制備的樣品的熒光光譜圖進(jìn)一步證明了稀土離子已經(jīng)摻入硫酸鍶基質(zhì)材料中。
根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式，將步驟( 所獲得的混合溶液陳化至少M(fèi)小時(shí)，并且在60°C的溫度下將洗滌過(guò)的固體物真空干燥至少6小時(shí)。根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式，所添加的乙醇的量為步驟C3)所獲得的混合液的體積的5% 15%。進(jìn)一步優(yōu)選的是，所配制的Na2SCV SrCl2和SmCl3水溶液的摩爾濃度都為1. 0摩爾/升。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施方式，上述方法可以制備出平均粒徑為0.01 5μπι范圍內(nèi)的電子俘獲材料。優(yōu)選制備出平均粒徑為0. 1 4μπι，進(jìn)一步優(yōu)選為制備出平均粒徑為0. 2 2 μ m的電子俘獲材料。本發(fā)明的新型制備方法在室溫下或稍高于室溫的溫度下即可合成所述電子俘獲材料，其操作簡(jiǎn)單、制備成本低。由于其反應(yīng)條件溫和，所以耗能少、無(wú)環(huán)境污染，且無(wú)有毒化學(xué)品的排放，是綠色環(huán)保節(jié)能的新型合成方法。更為有利的是，本發(fā)明方法可以制備出平均粒徑為0. 2 μ m至2 μ m的小顆粒且粒度分布均勻、形貌規(guī)整的電子俘獲材料。首先，由于本方法不使用高溫焙燒，避免了球磨引起的光衰減。此外，由于隨著樣品粒徑的減小，比表面積增大，晶體的內(nèi)部缺陷減少，更多的缺陷分布在表面上，即分布在表面的陷阱增多，電子有更高的幾率被俘獲并發(fā)光，因而有效提高了產(chǎn)物發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明方法所制備的電子俘獲材料約為由高溫固相合成法所制得的電子俘獲材料的發(fā)光強(qiáng)度的1. 8倍。實(shí)施例以下通過(guò)具體實(shí)施例進(jìn)一步解釋和說(shuō)明本發(fā)明，但是以下具體實(shí)施例并不能用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。以下具體實(shí)施例的各種變化和改進(jìn)都包括在后附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍內(nèi)。實(shí)施例1在不斷攪拌下，將1毫升無(wú)水乙醇和0. 2%的SmCl3(相對(duì)于添加的Sr2+的摩爾量) 加入到10毫升的SrCl2 (1. 0摩爾/升)溶液中。在繼續(xù)攪拌下，迅速加入5毫升的Na2SO4 (濃度為1.0摩爾/升)，使混合液中的[Sr2+] [SO42I = 2 1，并且繼續(xù)攪拌10分鐘。然后，將該混合液陳化M小時(shí)，再進(jìn)行離心分離，并分別用去離子水和乙醇洗滌三次。最后， 在60°C的溫度下真空干燥6小時(shí)，即得長(zhǎng)條狀顆粒的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+。采用捷克TESCAN VEGA II型掃描電子顯微鏡觀察實(shí)施1所制備的材料的形貌和顆粒大小。在所制備的樣品的SEM電鏡圖中，隨機(jī)選取10個(gè)顆粒并測(cè)試其顆粒粒徑，具體參見(jiàn)附圖1。由圖可知，實(shí)施例1獲得長(zhǎng)條狀顆粒的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+，其顆粒長(zhǎng)度約為Iy m，且長(zhǎng)徑比約為5。采用HITACHI F-4500型熒光光譜儀(150W氙燈)在室溫下測(cè)定實(shí)施例1所制備的熒光材料的熒光激發(fā)光譜、發(fā)射光譜(具體見(jiàn)圖幻和光激勵(lì)發(fā)射光譜(具體見(jiàn)圖7)。實(shí)施例2在不斷攪拌下，將1毫升無(wú)水乙醇和0. 2% SmCl3 (相對(duì)于添加Sr2+的摩爾量)加入到5毫升的SrCl2 (1. 0摩爾/升)溶液中。在繼續(xù)攪拌下，迅速加入10毫升的Na2SO4 (1. 0 摩爾/升)，使混合液中的[Sr2+] [S042_] = l 2，并且繼續(xù)攪拌10分鐘。然后，將該混合液陳化M小時(shí)，再進(jìn)行離心分離，并分別用去離子水和乙醇洗滌三次。最后，在60°C的溫度下真空干燥6小時(shí)，即得球形顆粒SivxSO4: xSm3+。采用捷克TESCAN VEGA II型掃描電子顯微鏡觀察實(shí)施2所制備的材料的形貌和顆粒大小。在所制備的樣品的SEM電鏡圖中，隨機(jī)選取10個(gè)顆粒并測(cè)試其顆粒粒徑，具體參見(jiàn)附圖2。由圖可知，實(shí)施例2獲得球形顆粒的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+，其平均顆粒大小為250nm。采用HITACHI F-4500型熒光光譜儀(150W氙燈)在室溫下測(cè)定實(shí)施例2所制備的熒光材料的熒光激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和光激勵(lì)發(fā)射光譜，其圖譜類(lèi)似于實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料的光譜圖(參見(jiàn)圖5和圖7)。實(shí)施例3在不斷攪拌下，將0. 2% SmCl3(相對(duì)于Sr2+的摩爾濃度百分比)加入到10毫升的 SrCl2 (1. 0摩爾/升)溶液中。在繼續(xù)攪拌下，迅速加入5毫升的Na2SO4(1. 0摩爾/升)， 使混合液中的[Sr2+] [S042-] = 2 1，并且繼續(xù)攪拌10分鐘。然后，將該混合液陳化M 小時(shí)，再進(jìn)行離心分離，并分別用去離子水和乙醇洗滌三次。最后，在60°C的溫度下真空干燥6小時(shí)，即得花狀顆粒的SivxSO4:xSm3+。采用捷克TESCAN VEGA II型掃描電子顯微鏡觀察實(shí)施3所制備的材料的形貌，具體參見(jiàn)附圖3。由圖可知，實(shí)施例3獲得花狀顆粒的電子俘獲材料Sri_xS04:XSm3+。采用HITACHI F-4500型熒光光譜儀(150W氙燈)在室溫下測(cè)定實(shí)施例3所制備的熒光材料的熒光激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和光激勵(lì)發(fā)射光譜，其圖譜類(lèi)似于實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料的光譜圖(參見(jiàn)圖5和圖7)。實(shí)施例4在不斷攪拌下，將0. 2% SmCl3(相對(duì)于添加的Sr2+的摩爾量)加入到5毫升的 SrCl2 (1. 0摩爾/升)溶液中。在繼續(xù)攪拌下，迅速加入10毫升的Na2SO4 (1. 0摩爾/升)， 使混合液中的[Sr2+] [S042_]=l 2，并且繼續(xù)攪拌10分鐘。將該混合液陳化M小時(shí)， 再進(jìn)行離心分離，并分別用去離子水和乙醇洗滌三次。最后，在60°C的溫度下真空干燥6小時(shí)，即得六角形顆粒電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+。采用捷克TESCAN VEGA II型掃描電子顯微鏡觀察實(shí)施4所制備的材料的形貌和顆粒大小。在所制備的樣品的SEM電鏡圖中，隨機(jī)選取10個(gè)顆粒并測(cè)試其顆粒粒徑，具體參見(jiàn)附圖4。由圖可知，實(shí)施例4獲得六角形顆粒的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+，其平均顆粒大小為1 2μπι。采用HITACHI F-4500型熒光光譜儀(150W氙燈)在室溫下測(cè)定實(shí)施例4所制備的熒光材料的熒光激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和光激勵(lì)發(fā)射光譜，其圖譜類(lèi)似于實(shí)施例1所制備的電子俘獲材料的光譜圖(參見(jiàn)圖5和圖7)。
權(quán)利要求
1.一種制備電子俘獲材料的方法，所述電子俘獲材料是摻雜稀土離子Sm3+的硫酸鍶， 其化學(xué)式為SivxSO4 :xSm3+，其中χ為摻入的稀土離子Sm3+的摩爾比，0 < χ ^ 0. 01，所述方法包括(1)分別配制Na2S04、SrCl2和SmCl3的水溶液；(2)在攪拌條件下，將SmCl3溶液添加到SrCl2水溶液中；(3)在繼續(xù)攪拌條件下將Na2SOpK溶液迅速添加到步驟O)的混合溶液中；(4)將步驟(3)所獲得的混合液陳化至少10小時(shí)；(5)將步驟(4)所獲得的混合物離心分離得到固體物；(6)將步驟(5)所獲得的固體物分別用去離子水和乙醇洗滌至少三次；(7)在至少45°C的溫度下將洗滌過(guò)的固體物真空干燥至少3小時(shí)，即得到所述的電子俘獲材料 Sr^xSO4: xSm3+。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，控制步驟C3)中所添加的Na2SO4溶液的量，使得 [Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為1 2 2 1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，控制SmCl3溶液的添加量，使得制備的電子俘獲材料SivxSO4: xSm3+中χ在0. 002 0. 01范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將步驟C3)所獲得的混合溶液陳化至少M(fèi)小時(shí)， 并且在60°C的溫度下將洗滌過(guò)的固體物真空干燥至少6小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為2 1，并且在步驟(3)中進(jìn)一步添加乙醇作為分散劑時(shí)， 所制備的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+為長(zhǎng)條狀顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為1 2，并且在步驟(3)中進(jìn)一步添加乙醇作為分散劑時(shí)， 所制備的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+為球形顆粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[SO42I的摩爾比R為2 1，并且在步驟(3)中不添加乙醇作為分散劑時(shí)，所制備的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+為花狀顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)控制步驟⑶中所添加的Na2SO4溶液的量，使得[Sr2+]與[S042_]的摩爾比為1 2，并且在步驟(3)中不添加乙醇作為分散劑時(shí)，所制備的電子俘獲材料SivxSO4:xSm3+為六角形顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，所添加的乙醇的量為步驟C3)所獲得的混合液的體積的5% 15%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所配制的Na2SCVSrCl2和SmCl3水溶液的摩爾濃度都為1.0摩爾/升。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子俘獲材料的制備方法。所述電子俘獲材料是摻雜稀土離子Sm3+的Sr1-xSO4:xSm3+(0＜x≤0.01)，本發(fā)明方法包括將分別配制的Na2SO4、SrCl2和SmCl3水溶液混合；然后將混合原料陳化至少10小時(shí)、離心分離得到固體物、洗滌；再將得到的固體物在至少45℃的溫度下真空干燥至少3小時(shí)，即得到所述的電子俘獲材料。該方法通過(guò)調(diào)控原料溶液中[Sr2+]與[SO42-]的摩爾比R在1∶2～2∶1范圍內(nèi)，并且添加分散劑或不添加分散劑來(lái)控制所述電子俘獲材料的顆粒度、形貌等，從而制備出發(fā)光性能穩(wěn)定的電子俘獲材料。
文檔編號(hào)C09K11/56GK102277156SQ20111011238
公開(kāi)日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月29日
發(fā)明者孫家躍, 孫苒荻, 杜海燕 申請(qǐng)人:北京工商大學(xué)