本公開涉及顯示器領(lǐng)域，且更具體地涉及用于檢測(cè)溫度的傳感器、包括該傳感器在內(nèi)的陣列基板和顯示器、以及相應(yīng)的電壓控制方法。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為了人們?nèi)粘Ｉa(chǎn)生活中使用的電子設(shè)備中的不可或缺的一部分。TFT(薄膜晶體管)LCD是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。液晶平板顯示器(特別是TFT-LCD)是目前唯一在亮度、對(duì)比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能上全面趕上和超過CRT的顯示器件，它的性能優(yōu)良、大規(guī)模生產(chǎn)特性好、自動(dòng)化程度高、原材料成本低廉，且因此發(fā)展空間廣闊，將迅速成為新世紀(jì)的主流產(chǎn)品。

作為TFT LCD的主要元件的薄膜晶體管(TFT)是一類特別的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其大略的制作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，如半導(dǎo)體主動(dòng)層、介電層和金屬電極層，以形成晶體管的源極、漏極和柵極。通過針對(duì)LCD的每個(gè)像素設(shè)置單獨(dú)的TFT，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)LCD的每個(gè)像素的單獨(dú)開關(guān)控制。從而，TFT LCD可以實(shí)現(xiàn)高速度、高亮度、高對(duì)比度顯示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，在相關(guān)的TFT工藝中，例如采用非晶硅/低溫多晶硅(LTPS)/氧化物等的工藝中，通常存在TFT的閾值電壓隨溫度偏移的問題。圖1示出了TFT的閾值電壓隨溫度偏移的示例實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。在圖1中，橫軸為TFT的柵源電壓，縱軸為源漏電流。從圖1中可以看到，隨著溫度的逐漸上升，代表不同溫度下的電壓-電流曲線整體向右偏移，意味著TFT的閾值電壓隨溫度的上升而上升。

圖2示出了以使用氧化物工藝所制作的TFT為例的閾值電壓隨溫度變化的另一組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。在圖2中，橫軸為在指定溫度下的時(shí)間，縱軸為閾值電壓的偏移量。從圖2中可以看到，在相同溫度下停留的時(shí)間越長(zhǎng)，閾值電壓的偏移量越高；而對(duì)于相同的停留時(shí)間，溫度越高閾值電壓的偏移量也越高。

為了應(yīng)對(duì)閾值電壓的偏移，一般可以將TFT的驅(qū)動(dòng)電壓(例如，導(dǎo)通電壓(V_gh)和截止電壓(V_gl))的電壓范圍加大。例如，常溫下V_gh可能需要8V，而V_gl可能需要-8V。為了保證在環(huán)境溫度上升或者下降的情況下都能夠應(yīng)對(duì)閾值電壓的變化，所以實(shí)際的V_gh一般設(shè)置為12V，而V_gl電壓一般設(shè)置為-12V。

然而在這樣的情況下，雖然能夠滿足溫度變化后TFT的正常打開和關(guān)閉，但是增加了TFT的功耗。

為了至少部分解決和/或減輕上述問題，提供了根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器、陣列基板、顯示器和電壓控制方法。

根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種用于檢測(cè)溫度的傳感器，包括：開關(guān)電路；充放電電路，與所述開關(guān)電路相連，用于在所述開關(guān)電路的控制下充放電；感測(cè)電路，與所述充放電電路相連，用于使所述充放電電路的充放電周期隨所述感測(cè)電路的溫度變化而變化；以及振蕩電路，與所述開關(guān)電路和所述充放電電路相連，用于在所述充放電電路的作用下產(chǎn)生用于控制所述開關(guān)電路的振蕩信號(hào)，所述振蕩信號(hào)的振蕩頻率的變化指示所述感測(cè)電路的溫度變化。

在一些實(shí)施例中，所述開關(guān)電路的輸入端連接電源，所述開關(guān)電路的輸出端連接所述充放電電路的第一端、所述感測(cè)電路的第一端以及所述振蕩電路的輸入端，以及所述開關(guān)電路的控制端連接所述振蕩電路的輸出端。在一些實(shí)施例中，所述開關(guān)電路至少包括薄膜晶體管。在一些實(shí)施例中，所述振蕩電路的輸入端連接所述開關(guān)電路的輸出端、所述充放電電路的第一端以及所述感測(cè)電路的第一端，以及所述振蕩電路的輸出端連接所述開關(guān)電路的控制端。在一些實(shí)施例中，所述振蕩電路包括串聯(lián)的奇數(shù)個(gè)反相器。在一些實(shí)施例中，所述反相器是由薄膜晶體管制成的。在一些實(shí)施例中，所述充放電電路的第一端連接所述開關(guān)電路的輸出端、所述振蕩電路的輸入端以及所述感測(cè)電路的第一端，以及所述充放電電路的第二端接地。在一些實(shí)施例中，所述充放電電路至少包括電容器。在一些實(shí)施例中，所述感測(cè)電路的輸入端連接所述開關(guān)電路的輸出端、所述充放電電路的第一端以及所述振蕩電路的輸入端，所述感測(cè)電路的輸出端接地、以及所述感測(cè)電路的控制端連接到預(yù)定電壓。在一些實(shí)施例中，所述感測(cè)電路至少包括薄膜晶體管。在一些實(shí)施例中，所述預(yù)定電壓在所述薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓和截止電壓之間。在一些實(shí)施例中，所述傳感器還包括：頻率檢測(cè)電路，與所述振蕩電路的輸出端相連，用于檢測(cè)所述振蕩信號(hào)的振蕩頻率，并進(jìn)而確定溫度。

根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種陣列基板。該陣列基板包括根據(jù)本公開的第一方面所述的溫度傳感器。

根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種顯示器。該顯示器包括根據(jù)本公開的第一方面所述的溫度傳感器。

根據(jù)本公開的第四方面，提供了一種控制晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓的方法。該方法包括：使用根據(jù)本公開的第一方面所述的溫度傳感器來確定溫度；根據(jù)所述溫度來確定所述晶體管的閾值電壓的偏移；以及根據(jù)所述偏移來調(diào)整所述晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓。

通過使用根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器、陣列基板、顯示器和/或電壓控制方法，可以提供制作在顯示屏上的溫度傳感器，將其用來偵測(cè)顯示屏上的溫度，并用來實(shí)時(shí)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓，從而到達(dá)降低功耗的目的。此外，該傳感器的生產(chǎn)工藝與面板背板的工藝完全兼容，且其可以整合在面板上，從而簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程、節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間并降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖說明本公開的優(yōu)選實(shí)施例，將使本公開的上述及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，其中：

圖1是示出了TFT的閾值電壓隨溫度變化的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖2是示出了TFT的閾值電壓隨溫度變化的另一實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖3是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于檢測(cè)溫度的傳感器的示例原理圖。

圖4是示出了在圖3所示的傳感器中采用的反相器的示例原理圖。

圖5是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器的輸出電壓的示例示意圖。

圖6是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器的硬件布置的示意圖。

圖7是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于控制晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓的示例方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖對(duì)本公開的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，在描述過程中省略了對(duì)于本公開來說是不必要的細(xì)節(jié)和功能，以防止對(duì)本公開的理解造成混淆。在本說明書中，下述用于描述本公開原理的各種實(shí)施例只是說明，不應(yīng)該以任何方式解釋為限制公開的范圍。參照附圖的下述描述用于幫助全面理解由權(quán)利要求及其等同物限定的本公開的示例性實(shí)施例。下述描述包括多種具體細(xì)節(jié)來幫助理解，但這些細(xì)節(jié)應(yīng)認(rèn)為僅僅是示例性的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，在不脫離本公開的范圍和精神的情況下，可以對(duì)本文中描述的實(shí)施例進(jìn)行多種改變和修改。此外，為了清楚和簡(jiǎn)潔起見，省略了公知功能和結(jié)構(gòu)的描述。此外，貫穿附圖，相同的附圖標(biāo)記用于相同或相似的功能和操作。

以下，以本公開應(yīng)用于TFT LCD顯示器的場(chǎng)景為例，對(duì)本公開進(jìn)行了詳細(xì)描述。但本公開并不局限于此，本公開也可以應(yīng)用于其它電子設(shè)備。事實(shí)上，只要其采用了TFT元件并需要根據(jù)溫度來調(diào)整TFT元件的工作電壓就可以應(yīng)用本公開實(shí)施例的方案。

在本公開中，術(shù)語“包括”和“含有”及其派生詞意為包括而非限制；術(shù)語“或”是包含性的，意為和/或。

本公開實(shí)施例大體上提供了一種溫度傳感器、包括該溫度傳感器在內(nèi)的陣列基板和顯示器、以及根據(jù)溫度來控制晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓的電壓控制方法。該溫度傳感器的工作原理大體上是：根據(jù)TFT的閾值電壓隨溫度而變化的現(xiàn)象，設(shè)計(jì)一種輸出具有與溫度相對(duì)應(yīng)的振蕩頻率的振蕩信號(hào)的電路。以下將結(jié)合圖3來詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的示例溫度傳感器。

圖3示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的示例溫度傳感器30的示例原理圖。如圖3所示，該溫度傳感器30可以包括開關(guān)電路310、充放電電路320、感測(cè)電路330和振蕩電路340。

在圖3所示實(shí)施例中，開關(guān)電路310可以是一個(gè)晶體管T_SW，或更具體地可以是一個(gè)TFT晶體管T_SW。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解：開關(guān)電路310不限于此，其也可以是用于開關(guān)的其它器件，例如繼電器、可控硅等。此外，開關(guān)電路310也可以是更為復(fù)雜的模擬/數(shù)字電路，而不限于單一元件。以下，為了說明的簡(jiǎn)單，將以開關(guān)電路310是TFT T_SW為例來詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器，然而本公開不限于此。

如圖3所示，開關(guān)電路310的輸入端(例如，T_SW的源極)可以連接到電源V_dd，輸出端(例如，T_SW的漏極)可以連接到充放電電路320的第一端(C₂的上電極)和振蕩電路340的輸入端。此外，開關(guān)電路310的控制端(例如，T_SW的柵極)可以連接到振蕩電路340的輸出端。這樣，當(dāng)開關(guān)電路310在振蕩電路340的輸出(振蕩信號(hào))處于高電平時(shí)進(jìn)入接通狀態(tài)。此時(shí)，電源V_dd可以向充放電電路320進(jìn)行充電，使得充放電電路320充電至高電平。類似地，當(dāng)開關(guān)電路310在振蕩電路340的輸出(振蕩信號(hào))處于低電平時(shí)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。此時(shí)，電源V_dd不再向充放電電路320充電，則此時(shí)充放電電路320可以通過感測(cè)電路330放電，并逐漸放電至低電平。

在圖3所示實(shí)施例中，充放電電路320可以是一個(gè)電容器C₂。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解：充放電電路320也可以是更為復(fù)雜的模擬/數(shù)字電路，而不限于單一元件。例如，充放電電路320也可以是并聯(lián)的多個(gè)電容器。以下，為了說明的簡(jiǎn)單，將以充放電電路320是電容器C₂為例來詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器，然而本公開不限于此。

如圖3所示，充放電電路320的第一端(例如，C₂的上電極)可以連接到開關(guān)電路310的輸出端(例如，T_SW的漏極)，且另一端(第二端或下電極)可以接地。這樣，充放電電路320可以在開關(guān)電路310和振蕩電路340的聯(lián)合控制下周期性充放電。

在圖3所示實(shí)施例中，振蕩電路340可以是由5個(gè)反向器串聯(lián)而成的電路。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解：振蕩電路340也可以是其他用于產(chǎn)生振蕩信號(hào)的電路，例如由奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)而成的電路或任何其他用于產(chǎn)生振蕩信號(hào)的電路。然而，需要注意的是：由于圖3所示實(shí)施例中的溫度傳感器30是通過(在例如V_out處)檢測(cè)振蕩信號(hào)的振蕩頻率來檢測(cè)溫度的，因此該振蕩電路340應(yīng)該是能夠根據(jù)輸入端的輸入信號(hào)來產(chǎn)生相應(yīng)振蕩信號(hào)的被動(dòng)振蕩電路，而非是輸出具有固定振蕩頻率的信號(hào)的自發(fā)振蕩元件。此外，振蕩電路340也可以是更為復(fù)雜的模擬/數(shù)字電路，而不限于奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)而成的電路。以下，為了說明的簡(jiǎn)單，將以振蕩電路340是由5個(gè)反相器串聯(lián)而成的電路為例來詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器，然而本公開不限于此。此外，盡管在圖3中示出了電容C₁，然而其僅是由5個(gè)反相器組成的振蕩電路340的寄生電容，在本文中不再對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖3所示，振蕩電路340的輸入端可以連接到開關(guān)電路310的輸出端(例如，T_SW的漏極)和充放電電路的第一端(例如，上電極)?？蛇x地，其輸入端還可以連接到感測(cè)電路330的輸入端(例如，T_sense的源極)。此外，振蕩電路340的輸出端可以連接到開關(guān)電路310的控制端(例如，T_SW的柵極)。如前所述，開關(guān)電路310在振蕩電路340的控制下打開或關(guān)閉。然而振蕩電路340的輸入端又連接到充放電電路320，且因此就形成了充放電循環(huán)。

在充電周期中，開關(guān)電路310在振蕩電路340的輸出高電平信號(hào)的控制下接通，且因此電源V_dd對(duì)充放電電路320進(jìn)行充電。當(dāng)充放電電路320的第一端達(dá)到某一高電平時(shí)，經(jīng)過振蕩電路340的(串聯(lián)的5個(gè))反相器的作用，變?yōu)檎袷庪娐?40的輸出端的低電平信號(hào)，從而使得開關(guān)電路310變?yōu)閿嚅_，進(jìn)入放電周期。在放電周期中，充放電電路320通過感測(cè)電路330放電，當(dāng)充放電電路320的第一端達(dá)到某一低電平時(shí)，經(jīng)過振蕩電路340的(串聯(lián)的5個(gè))反相器的作用，變?yōu)檎袷庪娐?40的輸出端的高電平信號(hào)，從而使得開關(guān)電路310重新變?yōu)榻油?，再次進(jìn)入充電周期，并依此類推。在該充放電循環(huán)下，振蕩電路340的輸出V_out可以輸出具有周期性的振蕩信號(hào)。例如，圖5示出了可以在圖3所示的振蕩電路340的輸出V_out處檢測(cè)到的振蕩信號(hào)。

在圖3所示實(shí)施例中，感測(cè)電路330可以是一個(gè)晶體管T_sense，或更具體地可以是一個(gè)TFT晶體管T_sense。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解：感測(cè)電路330不限于此，其也可以是用于根據(jù)溫度而改變電學(xué)屬性的其它器件，例如熱敏電阻等，此時(shí)電路設(shè)計(jì)需要相應(yīng)地進(jìn)行變化。此外，感測(cè)電路330也可以是更為復(fù)雜的模擬/數(shù)字電路，而不限于單一元件。以下，為了說明的簡(jiǎn)單，將以感測(cè)電路330是TFT T_sense為例來詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的傳感器，然而本公開不限于此。

如圖3所示，感測(cè)電路330的輸入端(例如，T_sense的源極)可以連接到充放電電路320的第一端(例如，C₂的上電極)?？蛇x地，其也可以連接到振蕩電路310的輸入端和/或開關(guān)電路310的輸出端(例如，T_SW的漏極)。此外，感測(cè)電路330的輸出端(例如，T_sense的漏極)可以接地，且其控制端(例如，T_sense的柵極)可以連接固定電壓。在圖3所示實(shí)施例中，該固定電壓可以是在TFT晶體管T_sense的導(dǎo)通電壓和截止電壓之間的電壓。在該情況下，當(dāng)充放電電路320處于放電周期時(shí)，其放電速度(或放電電流)可以與TFT晶體管T_sense的漏電流相關(guān)聯(lián)。如前所述，TFT晶體管T_sense的閾值電壓受到溫度的影響而可能發(fā)生偏移，從而進(jìn)一步影響了漏電流。在這種情況下，隨著感測(cè)電路330的溫度的改變，充放電電路320的放電速度也發(fā)生改變，進(jìn)而使得振蕩電路340的振蕩信號(hào)的振蕩頻率發(fā)生改變。

此外，盡管在圖3中未示出，但是溫度傳感器30還可以包括單獨(dú)的頻率檢測(cè)電路。該頻率檢測(cè)電路可以與振蕩電路340的輸出端V_out相連，并可以用于檢測(cè)其振蕩信號(hào)的振蕩頻率，并進(jìn)而相應(yīng)地確定T_sense的溫度。

此外，在一些實(shí)施例中，開關(guān)電路310和感測(cè)電路330都可以采用TFT來實(shí)現(xiàn)，從而使得傳感器30的生產(chǎn)工藝可以與TFT LCD的生產(chǎn)工藝完全兼容，簡(jiǎn)化了生成流程、減少了生產(chǎn)時(shí)間、降低了生產(chǎn)成本。

圖4是示出了在圖3所示的傳感器30中采用的反相器的示例原理圖。如圖4所示，在圖3的振蕩電路340中所采用的反相器也可以使用TFT來制成，從而進(jìn)一步增強(qiáng)與TFT LCD生成工藝的兼容性。

在圖4所示示例中，反相器可以由兩個(gè)不同類型的晶體管構(gòu)成。一個(gè)晶體管是P增強(qiáng)型晶體管T_P，另一個(gè)晶體管是N增強(qiáng)型晶體管T_N。如圖4所示，T_N的柵源開啟電壓為正值，T_P的柵源開啟電壓是負(fù)值。當(dāng)輸入U(xiǎn)_I為低電平時(shí)，T_N截止，而此時(shí)T_P導(dǎo)通，且導(dǎo)通內(nèi)阻很低，所以輸出U_O為高電平。相對(duì)地，當(dāng)輸入U(xiǎn)_I為高電平時(shí)，T_N導(dǎo)通，而此時(shí)T_P截止，所以輸出U_O為低電平。

通過使用圖4所示的基于TFT的反相器，可以進(jìn)一步增強(qiáng)與TFT LCD生成工藝的兼容性。

接下來，將參照?qǐng)D6來詳細(xì)描述包括本公開實(shí)施例的溫度傳感器在內(nèi)的TFT LCD的示例硬件布置。圖6是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器的硬件布置的示意圖。如圖6所示，根據(jù)本公開實(shí)施例的溫度傳感器可以設(shè)計(jì)在面板背板的非顯示區(qū)位置(例如，圖6中虛線圓圈所指示的位置處)，從而不影響正常的顯示。此外，盡管圖6中示出了4個(gè)溫度傳感器，然而溫度傳感器的個(gè)數(shù)也可以根據(jù)需要來設(shè)定。

圖7是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于控制晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓的方法700的流程圖。如圖7所示，方法700可以包括步驟S710、S720和S730。根據(jù)本公開，方法700的一些步驟可以單獨(dú)執(zhí)行或組合執(zhí)行，以及可以并行執(zhí)行或順序執(zhí)行，并不局限于圖7所示的具體操作順序。以下將對(duì)根據(jù)本公開實(shí)施例的方法700進(jìn)行詳細(xì)的描述。

方法700開始于步驟S710，在步驟S710中，可以使用根據(jù)本公開實(shí)施例所述的傳感器來確定溫度。然而，本公開不限于此。事實(shí)上，也可以使用現(xiàn)有的或?qū)黹_發(fā)出來的其他傳感器來確定溫度。

在步驟S720中，可以根據(jù)所確定的溫度來確定晶體管的閾值電壓的偏移。例如，可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來確定溫度與閾值電壓偏移之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系表，并在檢測(cè)到溫度的情況下，通過查找該對(duì)應(yīng)關(guān)系表來確定閾值電壓的偏移。此外，也可以根據(jù)例如經(jīng)驗(yàn)公式或其他方式基于溫度來確定閾值電壓的偏移。

在步驟S730中，可以根據(jù)該閾值電壓偏移來調(diào)整相應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電壓和/或截止電壓。例如，調(diào)整V_gh及V_gl整體增加或者減少來適應(yīng)偏移后的閾值電壓，而不用再增加V_gh和Vgl的電壓范圍(margin)。例如，在上面提到的實(shí)際V_gh一般設(shè)置為12V而V_gl電壓一般設(shè)置為-12V的示例中，在采用了根據(jù)本公開實(shí)施例的電壓控制方案后，可以根據(jù)溫度的變化，確定閾值電壓具體是上升還是下降，并可以進(jìn)而將V_gh設(shè)置為例如12V而V_gl電壓設(shè)置為例如-8V，或者更低的-4V。從而降低了TFT的功耗。

至此，已結(jié)合圖1～7詳細(xì)描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的溫度傳感器、包括該傳感器的陣列基板和顯示器、以及相應(yīng)的電壓控制方法。從而，可以提供制作在顯示屏上的溫度傳感器，將其用來偵測(cè)顯示屏上的溫度，并用來實(shí)時(shí)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電壓，從而到達(dá)降低功耗的目的。此外，該傳感器的生產(chǎn)工藝與面板背板的工藝完全兼容，且其可以整合在面板上，從而簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程、節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間并降低了生產(chǎn)成本。

至此已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本公開進(jìn)行了描述。應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種其它的改變、替換和添加。因此，本公開的范圍不局限于上述特定實(shí)施例，而應(yīng)由所附權(quán)利要求所限定。

此外，在本文中被描述為通過純硬件、純軟件和/或固件來實(shí)現(xiàn)的功能，也可以通過專用硬件、通用硬件與軟件的結(jié)合等方式來實(shí)現(xiàn)。例如，被描述為通過專用硬件(例如，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)等)來實(shí)現(xiàn)的功能，可以由通用硬件(例如，中央處理單元(CPU)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP))與軟件的結(jié)合的方式來實(shí)現(xiàn)，反之亦然。