專利名稱：確定片上電壓和溫度的制作方法
確定片上電壓和溫度
背景技術(shù)：
在近來的集成電路(IC)技術(shù)中，半導(dǎo)體器件的器件幾何形狀的縮小化和光刻技術(shù)的進(jìn)展使得能夠增大半導(dǎo)體器件密度。然而，這導(dǎo)致了若干挑戰(zhàn)，諸如增加的峰值功率密度和由不可預(yù)測的工作負(fù)荷造成的熱點(diǎn)遷移。

發(fā)明內(nèi)容
在一個實(shí)施例中，一種方法可以包括對作為半導(dǎo)體器件的一部分的兩種類型的傳感器進(jìn)行建模和校準(zhǔn)。另外，該方法可以包括基于從兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，一種系統(tǒng)可以包括第一傳感器、第二傳感器以及f禹合成從第一和第二傳感器二者接收輸出的分析部件。該分析部件可以用于執(zhí)行包括對作為半導(dǎo)體器件的一部分的第一和第二傳感器進(jìn)行建模和校準(zhǔn)的方法。此外，該方法可以包括基于從第一和第二傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，一種方法可以包括對作為半導(dǎo)體器件的一部分的電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器進(jìn)行建模和校準(zhǔn)。注意，電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器處于緊鄰。另外，該方法可以包括基于從電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定溫度和電壓。雖然在本發(fā)明內(nèi)容內(nèi)具體描述了根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施例，但是注意本發(fā)明和要求保護(hù)的主題不以任何方式受這個實(shí)施例限制。


在附圖內(nèi)，通過示例的方式而非通過限制的方式圖示了根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例。注意，在所有附圖中，同樣的附圖標(biāo)記表示類似的元件。在本描述中提及的附圖不應(yīng)當(dāng)理解為按比例繪制，除了如果具體指出的話。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器(leakage inverter)的方框圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有MOS部件的示例性泄漏反相器的方框圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性環(huán)形振蕩器的方框圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相圖形的方框圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的另一個示例性環(huán)形振蕩器的方框圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器輸入控制配置的方框圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器輸出控制配置的方框圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器和控制環(huán)配置的方框圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)的方框圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性時序圖的方框圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)的方框圖。
圖12是根據(jù)一個實(shí)施例的示例性MullerC元件的方框圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性時序圖的圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)的方框圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)的方框圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)的方框圖。圖17是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)的方框圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析方法的流程圖。圖19是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相過程的流程圖。圖20是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析過程的流程圖。圖21是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的方法的流程圖。圖22是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的迭代求解二元方程以導(dǎo)出節(jié)點(diǎn)溫度和電壓的方框圖。圖23是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的用于針對管芯內(nèi)過程變化(PV)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法的流程圖。圖24是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的方框圖。圖25是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器形成過程的流程圖。圖26是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)的方框圖。圖27是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量方法的方框圖。圖28是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性躍遷完成檢測過程的方框圖。圖29是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析方法的方框圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，所述各種實(shí)施例的示例圖示在附圖中。雖然將結(jié)合各種實(shí)施例描述本發(fā)明，但是可以理解的是這些各種實(shí)施例不旨在限制本發(fā)明。相反，本發(fā)明旨在覆蓋可以包括在如根據(jù)權(quán)利要求解釋的本發(fā)明的范圍內(nèi)的備選、修改和等同形式。此外，在根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中，闡述了眾多具體細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的徹底理解。然而，可以不用這些具體細(xì)節(jié)或者用其等同形式來實(shí)施本發(fā)明對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是顯而易見的。在其它實(shí)例中，眾所周知的方法、規(guī)程、部件和電路未被詳細(xì)描述以免不必要地使本發(fā)明的方案晦澀難懂。要明白，來自泄漏部件情形的輸出可以用于各種不同的分析中。在一個實(shí)施例中，泄漏反相輸出可以用于檢測躍遷延遲，所述躍遷延遲用來分析各種關(guān)注事項(xiàng)。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏反相輸出可以用來分析制造過程合規(guī)性和缺陷。在一個實(shí)施例中，來自一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)輸出可以用來確定在包括該一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間該一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器定位成緊鄰標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器，并且來自該泄漏環(huán)形振蕩器的輸出和來自該標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的輸出可以一起用來確定在包括這兩種類型泄漏和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間這兩種類型的環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，多對泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在管芯或芯片的多個位置中以確定在該管芯或芯片的操作期間那多個位置處的溫度和電壓。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器100的方框圖。泄漏反相器100包括上拉部件110、泄漏部件120和下拉部件130。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏部件120串聯(lián)耦合在上拉部件110和下拉部件130之間。泄漏反相器100的部件協(xié)同操作以上拉和下拉信號。在一個實(shí)施例中，上拉部件110可配置為執(zhí)行上拉操作以上拉信號，下拉部件130可配置為執(zhí)行下拉操作以下拉該信號，并且泄漏部件120中的泄漏影響該信號的至少一個躍遷。在一個實(shí)施例中，與下拉操作關(guān)聯(lián)的躍遷延遲相對于與上拉操作關(guān)聯(lián)的躍遷延遲是不對稱的，并且該不對稱性與泄漏電流對信號的所述至少一個躍遷的影響關(guān)聯(lián)。在一個示例性實(shí)施方式中，信號的至少一個躍遷由具有相對快的上升躍遷延遲141和相對慢的躍遷延遲142的圖形140代表。在一個示例性實(shí)施方式中，信號的至少一個躍遷由具有相對慢的上升躍遷延遲151和相對快的躍遷延遲152的圖形150代表。要明白，上拉部件110、泄漏部件120和下拉部件130可以包括各種部件。在一個實(shí)施例中，泄漏部件包括處于允許泄漏電流流動的關(guān)閉狀態(tài)中的晶體管。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有MOS部件的示例性泄漏反相器的方框圖。要明白，存在各種其它泄漏反相器配置。泄漏反相器210包括NMOS泄漏晶體管212而泄漏反相器220包括PMOS泄漏晶體管222。泄漏反相器210包括上拉部件PMOS晶體管211、泄漏部件NMOS泄漏晶體管212和下拉部件NMOS晶體管213。在一個示例性實(shí)施方式中，入射信號為低并且下拉部件NMOS晶體管213關(guān)斷，上拉部件PMOS晶體管211接通以執(zhí)行上拉操作并且泄漏部件NMOS晶體管212不影響輸出信號躍遷至上拉值。在一個示例性實(shí)施方式中，入射信號為高并且上拉部件PMOS晶體管211關(guān)斷，下拉部件NMOS晶體管213接通以執(zhí)行下拉操作但是泄漏部件NMOS晶體管212影響輸出信號躍遷。因?yàn)樾孤┎考﨨MOS晶體管212關(guān)閉，下拉躍遷延遲對應(yīng)于泄漏電流和對應(yīng)的下拉值“傳播”經(jīng)過泄漏部件NMOS晶體管212的延遲。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器210的操作由具有相對快的上升躍遷延遲217和相對慢的下降躍遷延遲219的圖形214代表。泄漏反相器220包括上拉部件PMOS晶體管221、泄漏部件PMOS泄漏晶體管222和下拉部件NMOS晶體管223。在一個示例性實(shí)施方式中，入射信號為高并且上拉部件PMOS晶體管221關(guān)斷，下拉部件NMOS晶體管223接通以執(zhí)行下拉操作并且泄漏部件PMOS晶體管222不影響輸出信號躍遷至下拉值。在一個示例性實(shí)施方式中，入射信號為低并且下拉部件NMOS晶體管223關(guān)斷，上拉部件PMOS晶體管221接通以執(zhí)行上拉操作但是泄漏部件PMOS晶體管222影響輸出信號躍遷。因?yàn)樾孤┎考MOS晶體管222關(guān)閉，下拉躍遷延遲對應(yīng)于泄漏電流和對應(yīng)的上拉值“傳播”經(jīng)過泄漏部件PMOS晶體管222的延遲。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器220的操作由具有相對慢的上升躍遷延遲227和相對快的下降躍遷延遲229的圖形224代表。要明白，泄漏反相器可以被包括在各種部件配置中。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器可以被包括在環(huán)形配置中。在一個示例性實(shí)施方式中，環(huán)形振蕩器包括被配置為使信號躍遷的至少一個泄漏反相器，其中泄漏電流影響信號的躍遷并且所述至少一個泄漏反相器被耦合作為環(huán)形路徑的一部分。該至少一個泄漏反相器可以包括串聯(lián)耦合在上拉部件和下拉部件之間的泄漏部件，其中所述泄漏部件中的泄漏影響至少一個躍遷。該至少一個泄漏反相器可以具有不對稱的上升躍遷延遲和下降躍遷延遲。環(huán)形振蕩器可以包括包含信號中的躍遷延遲指示的輸出并且可以包括耦合到環(huán)形路徑以控制信號狀態(tài)的控制部件。要明白，環(huán)形振蕩器可以包括多個泄漏反相器。在一個示例性實(shí)施方式中，至少一個泄漏反相器串聯(lián)耦合到環(huán)形路徑中的另一個泄漏反相器。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性環(huán)形振蕩器300的方框圖。環(huán)形振蕩器300包括泄漏反相器320和340、與邏輯(AND logic)部件310和330、以及驅(qū)動反相器350。這些部件串聯(lián)耦合在環(huán)形路徑中。泄漏反相器320和340包括NMOS泄漏晶體管。環(huán)形振蕩器300的多個部件協(xié)同操作以使信號振蕩。在一個實(shí)施例中，振蕩包括信號狀態(tài)的反相(inversion)。泄漏反相器320和340使信號狀態(tài)振蕩或反相，其中至少一個反相躍遷受泄漏反相器的泄漏特性影響。在一個示例性實(shí)施方式中，振蕩上升躍遷和下降躍遷具有不對稱的躍遷延遲。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器320是與泄漏反相器210類似的NMOS泄漏反相器。與邏輯部件310和330可以控制信號并且把信號驅(qū)動至一個值。使能信號(enable signal) 303可以用來“使能”與控制邏輯部件310和330。雖然環(huán)形振蕩器300的本實(shí)施例被示出為相同的使能信號303 “使能”與控制邏輯部件310和330，但是要明白可用不同的相應(yīng)使能信號分別“使能”與邏輯部件310和330中的每一個。驅(qū)動反相器350響應(yīng)于驅(qū)動信號而轉(zhuǎn)換至開啟和切斷狀態(tài)，而沒有與泄漏晶體管關(guān)聯(lián)的影響。環(huán)形振蕩器300具有轉(zhuǎn)送輸出304的環(huán)形路徑中的分路307。輸出304的狀態(tài)與到泄漏反相器320的輸入的狀態(tài)類似。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相圖形400的方框圖。使能信號303被設(shè)定為高以“使能”針對輸出的經(jīng)過與門310和320的信息流，其模仿這些與門的另一輸入上的邏輯值。在一個示例性實(shí)施方式中，該使能發(fā)起在振蕩環(huán)300的點(diǎn)391處的信號中向高邏輯值的躍遷。在泄漏反相器340的輸入處的這個高邏輯值觸發(fā)在來自泄漏反相器340的輸出信號的點(diǎn)392處向低邏輯值的反相躍遷或下降躍遷。如圖中所示，在完成來自泄漏反相器340的信號中的下降躍遷時的延遲與在點(diǎn)391處的信號中的上升躍遷相比是相對長的。在后續(xù)的驅(qū)動反相器350的點(diǎn)393處的輸出被反相。輸出信號304中的躍遷模仿點(diǎn)393處的躍遷，其中由于傳播經(jīng)過與部件310而有微小的時間移位。在點(diǎn)394處來自泄漏反相器320的輸出再次具有相對慢或長的下降躍遷和相對快或短的上升躍遷。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性環(huán)形振蕩器500的方框圖。環(huán)形振蕩器500包括泄漏反相器520和540、控制部件510、530和550。這些部件串聯(lián)耦合在環(huán)形路徑中。泄漏反相器520和540包括PMOS泄漏晶體管。環(huán)形振蕩器500的多個部件協(xié)同操作以使信號振蕩。在一個實(shí)施例中，振蕩包括信號狀態(tài)的反相。泄漏反相器520和540使信號狀態(tài)振蕩或反相，其中至少一個反相躍遷受泄漏反相器的泄漏特性影響。在一個示例性實(shí)施方式中，振蕩上升躍遷和下降躍遷具有不對稱的躍遷延遲。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器520和540是與泄漏反相器220類似的PMOS泄漏反相器。控制部件510和530可以控制信號并且把信號驅(qū)動至一個值。在一個實(shí)施例中，控制部件510和530分別包括具有耦合到使能的第一輸入和耦合到環(huán)形路徑的反相第二輸入的與非(NAND)邏輯部件。使能信號503可以用來“使能”與非控制邏輯部件510和530。要明白可用不同的相應(yīng)使能信號分別“使能”與非邏輯部件510和530中的每一個?？刂撇考?50包括響應(yīng)于驅(qū)動信號而轉(zhuǎn)換至開啟和切斷狀態(tài)的驅(qū)動反相器。驅(qū)動反相器550響應(yīng)于驅(qū)動信號而轉(zhuǎn)換至開啟和切斷狀態(tài)而沒有與泄漏晶體管關(guān)聯(lián)的影響。環(huán)形振蕩器500具有轉(zhuǎn)送輸出504的環(huán)形路徑中的分路507。輸出504的狀態(tài)與到泄漏反相器520的輸入的狀態(tài)類似。要明白，各種控制可以與泄漏反相器一起利用。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器輸入控制配置600的方框圖。泄漏反相器輸入控制配置600包括控制部件610和泄漏反相器620?？刂撇考?10控制向泄漏反相器620的輸入。要明白，控制部件610可以以各種方式控制向泄漏反相器620的輸入。控制部件610可以包括各種不同的部件(例如，邏輯門、開/關(guān)驅(qū)動反相器等等)?？刂撇考?10可以控制向泄漏反相器620的輸入的狀態(tài)(例如，邏輯值、高/低電壓等等)?？刂撇考?10可以控制向泄漏反相器620的輸入的定時(例如，與其它輸入同步、基于使能來觸發(fā)等等)。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器輸出控制配置700的方框圖。泄漏反相器輸出控制配置700包括控制部件710和泄漏反相器720。控制部件710控制來自泄漏反相器720的輸出。要明白，控制部件610可以以各種方式控制來自泄漏反相器720的輸出。控制部件710可以控制來自泄漏反相器720的輸出的狀態(tài)(例如，邏輯值、高/低電壓等等)?？刂撇考?10可以控制來自泄漏反相器720的輸出的定時(例如，與其它輸出同步、基于使能來觸發(fā)等等)。要明白，至少一個泄漏反相器和控制部件可以單獨(dú)地實(shí)施或者與其它控制部件和泄漏反相器組合地實(shí)施。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器和控制環(huán)配置800的方框圖?？刂骗h(huán)配置800包括控制部件(例如，811、812和813)和泄漏反相器(例如，821和822)?？刂撇考?11、812和813可以用來實(shí)施各種不同類型的控制(例如，狀態(tài)確定、定時等等)。要明白，控制部件811、812和813可以接收指導(dǎo)該控制的輸入(例如，使能、觸發(fā)等等)。在一個實(shí)施例中，控制部件811接收控制輸入809。在一個示例性實(shí)施方式中，控制部件811和812包括邏輯門(例如，類似310、330、510、530等等)并且控制部件813包括開/關(guān)驅(qū)動反相器(例如，類似于350、550等等)。要明白，可以存在其延遲主要由泄漏電流驅(qū)動的各種泄漏反相級。在一個實(shí)施例中，泄漏反相級可以是不必為反相器的泄漏缺乏級(starving stage)。在一個實(shí)施例中，代替僅門控這些級之一，可以基本上門控它們二者。在一個示例性實(shí)施方式中，N和P 二者將用泄漏器件進(jìn)行門控。實(shí)際上可能很少推廣為泄漏電流缺乏反相器。可能存在為關(guān)的傳送門和驅(qū)動反相器，比如實(shí)質(zhì)上為關(guān)的三態(tài)反相器。要明白，本系統(tǒng)和方法可以實(shí)施在各種情況或環(huán)境中以促進(jìn)各種分析。在一個實(shí)施例中，測量信號躍遷延遲。該躍遷延遲可以對應(yīng)于從反相躍遷發(fā)起到反相躍遷完成的延遲。躍遷延遲可以是不對稱的，并且完成上拉或上升躍遷的時間量可以不同于完成下拉或下降躍遷的時間量(例如，快上升躍遷比對(VS)慢下降躍遷，反之亦然，等等)。測量可以與隔離的或特定的躍遷方向關(guān)聯(lián)(例如，與慢下降躍遷關(guān)聯(lián)的延遲測量不同于與快上升躍遷關(guān)聯(lián)的延遲，反之亦然，等等)。延遲可以通過各種操作來引入(例如，與規(guī)則上拉操作關(guān)聯(lián)比對與等待下拉操作上的泄漏條件關(guān)聯(lián)的延遲，與預(yù)充電操作比對讀取操作關(guān)聯(lián)的延遲等等)。延遲測量的指示可以用于各種不同的分析(例如，分析制造過程合規(guī)性和缺陷、泄漏電流功耗等等)。分析過程可以包括基于與躍遷關(guān)聯(lián)的延遲時間量來分析制造過程和操作參數(shù)。在一個實(shí)施例中，分析過程可以包括確定在包括一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間該一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器定位成緊鄰標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器，并且分析過程可以用來確定在包括泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間該泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，多對泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在管芯或芯片的多個位置中并且分析過程可以包括確定在管芯或芯片的操作期間那多個位置處的溫度和電壓。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)900的方框圖。延遲測量系統(tǒng)900包括第一躍遷級910、第二躍遷級920和躍遷完成檢測部件930。在一個實(shí)施例中，第一躍遷級910和第二躍遷級920彼此平行并且與躍遷完成檢測部件930 —起被包括在環(huán)形配置中。第一躍遷級910包括第一待測部件911和驅(qū)動反相器912，并且第一躍遷級910是可操作的，以造成至少一個反相躍遷。第二躍遷級920包括第二待測部件921和驅(qū)動反相器922，并且第二躍遷級920是可操作的，以造成至少一個反相躍遷。躍遷完成檢測部件930耦合到第一待測部件911和第二待測部件921。躍遷完成檢測部件930是可操作的，以檢測從發(fā)起反相躍遷到完成該反相躍遷的延遲時間量的指示。要明白，示例性延遲測量系統(tǒng)900的多個部件可以包括各種不同的配置。在本描述的稍后章節(jié)中描述另外不同的示例性延遲測量系統(tǒng)配置和部件。延遲時間量的指示可以基于躍遷完成檢測器件的輸出并且可以針對不對稱延遲的一個方面(例如，上拉比對下拉、上升躍遷比對下降躍遷等等)。在一個實(shí)施例中，躍遷延遲的指示可以隔離與一個方向上的躍遷(例如，上拉、上升等等)關(guān)聯(lián)的延遲和與另一個方向上的躍遷(例如，下拉、下降等等)關(guān)聯(lián)的延遲，或者反之亦然。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的慢下降躍遷計(jì)數(shù)的示例性時序圖的方框圖。計(jì)數(shù)信號1020的上升沿與躍遷完成檢測器件輸出信號1010的慢下降躍遷關(guān)聯(lián)。慢下降躍遷的計(jì)數(shù)可以用來確定慢下降躍遷延遲時間或者完成慢下降躍遷的時間。要明白，與一個躍遷方向關(guān)聯(lián)的躍遷延遲的隔離指示或測量可以用來細(xì)化與待測部件關(guān)聯(lián)的特性和特征的檢查和分析。在稍后章節(jié)中闡述與待測部件關(guān)聯(lián)的特性和特征的檢查和分析的另外描述。要明白，各種不同的部件可以包括在躍遷級和躍遷完成檢測部件中。躍遷級910和920可以包括上拉部件和下拉部件。待測部件可以躍遷本身或者影響(例如，延遲、更改等等)來自另一個部件的躍遷。待測部件911和待測部件921可以是反相器。反相器可以是泄漏反相器并且具有主要為泄漏電流的函數(shù)的躍遷延遲。躍遷級的輸出可以被反相，無論待測部件911和待測部件921它們本身是否使它們相應(yīng)的輸入反相。在一個實(shí)施例中，躍遷級可以包括具有主要為驅(qū)動電流(例如，飽和電流、導(dǎo)通電流等等)的函數(shù)的躍遷延遲的反相器。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)1100的方框圖。延遲測量系統(tǒng)1100中的待測部件是泄漏反相器。延遲測量系統(tǒng)1100包括第一躍遷級1110、第二躍遷級1120、躍遷完成檢測部件1130和控制部件1150。躍遷級1110包括泄漏反相器1111和驅(qū)動反相器1112。躍遷級1120包括泄漏反相器1121和驅(qū)動反相器1122。躍遷完成檢測部件1130包括C元件1131和驅(qū)動反相器1132。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器1111和1121被配置成使信號躍遷，其中泄漏電流影響信號的躍遷。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏電流特性影響躍遷延遲(例如，從開始躍遷到完成躍遷的延遲等等)。影響可以包括延遲該躍遷。泄漏電流特性可以影響上升或上拉躍遷延遲或者下降或下拉躍遷延遲。圖12是根據(jù)一個實(shí)施例的示例性MullerC元件1200的方框圖。Muller C元件1200包括與非邏輯部件1230和1240、或(OR)邏輯門1210和1220。到或邏輯門1210的輸入被反相。MullerC元件1200具有兩個輸入和一個輸出。MullerC元件1200是可操作的，以使得:在兩個輸入都為邏輯O的情況下輸出邏輯O并且繼續(xù)輸出邏輯O直至兩個輸入為邏輯I ;在兩個輸入都為邏輯I的情況下輸出邏輯I并且繼續(xù)輸出邏輯I直至兩個輸入為邏輯O。在下列情況下輸出不改變:兩個輸入都為邏輯O并且僅一個輸入改變?yōu)檫壿婭 ;或者兩個輸入都為邏輯I并且僅一個輸入改變?yōu)檫壿婳。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性時序圖1300的圖。時序圖1300對應(yīng)于延遲測量系統(tǒng)1100的一個示例性實(shí)施方式并且圖示了在點(diǎn)1171、1172、1173、1174、1175、1177、1178和1179處的相應(yīng)信號躍遷。圖14是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)1400的方框圖。當(dāng)NMOS泄漏反相器為待測部件時，延遲測量系統(tǒng)1400的部件類似于延遲測量系統(tǒng)1100的實(shí)施例。延遲測量系統(tǒng)1400包括第一躍遷級1410、第二躍遷級1420、躍遷完成檢測部件1430和控制部件1450。躍遷級1410包括泄漏反相器1411和驅(qū)動反相器1412。躍遷級1420包括泄漏反相器1421和驅(qū)動反相器1422。躍遷完成檢測部件1430包括C元件1431和驅(qū)動反相器1432。在一個實(shí)施例中，泄漏反相器1411和泄漏反相器1421包括與NMOS泄漏反相器1410類似的NMOS泄漏反相器，并且C元件1431包括與C元件1200類似的C元件。圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)1500的方框圖。分析系統(tǒng)1500包括泄漏反相部件1510和分析部件1520。要明白，泄漏反相部件1510可以包括各種泄漏反相實(shí)施方式。泄漏反相部件1510可以包括至少一個泄漏反相器(例如，100、210、220等等)。泄漏反相部件1510可以包括至少一個控制部件(例如，310、510、610、710等等)。也要明白，分析部件1520可以包括各種實(shí)施方式。分析部件1520可以包括與泄漏反相部件片上(on chip)的部件、從泄漏反相部件片外(off chip)的部件、片上和片外部件的組合。也要明白，分析部件1520可以執(zhí)行各種不同的分析。在一個示例性實(shí)施方式中，該分析可以包括躍遷延遲、泄漏功耗的確定、制造過程合規(guī)性和缺陷等等。圖16是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)1600的方框圖。分析系統(tǒng)1600包括泄漏反相部件1610和分析部件1620。泄漏反相部件1610包括泄漏振蕩環(huán)，其包括在環(huán)形路徑中耦合的與門1611和1613、泄漏反相器1612和1614、以及開/關(guān)驅(qū)動反相器1615。輸出1604從泄漏反相部件1610轉(zhuǎn)送到分析部件1620。分析部件1620包括計(jì)數(shù)器1621和處理部件1622。圖17是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析系統(tǒng)1700的方框圖。分析系統(tǒng)1700包括延遲測量部件或系統(tǒng)1710和分析部件1720。延遲測量系統(tǒng)1710包括第一躍遷級1713、第二躍遷級1714、躍遷完成檢測部件1715和控制部件1711。第一躍遷級1731包括第一待測部件1713和驅(qū)動反相器1732。第二躍遷級1714包括第二待測部件1741和驅(qū)動反相器1742。躍遷完成檢測部件1715包括C元件1751和驅(qū)動反相器1752。延遲測量系統(tǒng)1710的部件與延遲測量系統(tǒng)900的部件類似。分析部件1720基于來自延遲測量系統(tǒng)1710的輸出1704來執(zhí)行分析。在一個實(shí)施例中，分析部件1720執(zhí)行與方框1820的分析過程類似的分析過程。在一個實(shí)施例中，雖然測量泄漏電流的指示，但是分析針對除泄漏電流之外的其它方面。在一個示例性實(shí)施方式中，分析涉及相關(guān)但不同的特性。關(guān)注或檢查可以針對器件的靜態(tài)功耗是什么。要明白，存在能夠在檢查頻率中的延遲時完成的大量分析。在一個實(shí)施例中，部件配置和操作在spice中仿真并且然后與用本系統(tǒng)測量的結(jié)果比較。如果物理實(shí)施方式比仿真版本更快地運(yùn)行，則存在泄漏高于預(yù)期的指示。在一個實(shí)施例中，PMOS和NMOS泄漏之間的差別被分析。這類似于不對稱的情形。在環(huán)形振蕩器方面先前極有挑戰(zhàn)的一件事情是如何算出多少特性(例如，延遲、功耗等等)與NMOS部件關(guān)聯(lián)或可歸因于NMOS部件并且多少與PMOS部件關(guān)聯(lián)或可歸因于PMOS部件。要明白，本系統(tǒng)和方法可以實(shí)施在各種情形或環(huán)境中。本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)芯片符合設(shè)計(jì)規(guī)范的確認(rèn)和制造過程不規(guī)則性的檢測。本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)不對稱特性的檢查和分析。本系統(tǒng)的輸出可以包括對計(jì)數(shù)器可接受的波形。在一個實(shí)施例中，存在可以用來驅(qū)動計(jì)數(shù)器的與時鐘類似的50%占空比輸出，其中頻率和占空比二者由慢躍遷確定。在一個實(shí)施例中，頻率和占空比可以由快躍遷確定。在一個示例性實(shí)施方式中，本操作檢查方法促進(jìn)相對小的環(huán)形振蕩用于實(shí)現(xiàn)適當(dāng)極性的不對稱延遲器件。本方法也可以允許測量和分析部件(例如，系統(tǒng)100、300、800、1300等等的部件)被選擇性地接通和關(guān)斷從而促進(jìn)功耗的進(jìn)一步節(jié)省。本方法促進(jìn)以更低的面積成本比傳統(tǒng)努力實(shí)例化更多監(jiān)控結(jié)構(gòu)。本方法還促進(jìn)對過程和操作參數(shù)的更嚴(yán)密監(jiān)控。在一個實(shí)施例中，本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)確定在包括一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)確定在包括泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，多對泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在管芯或芯片的多個位置中并且本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)確定在管芯或芯片的操作期間那多個位置處的溫度和電壓。圖18是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析方法1800的流程圖。在方框1810中，執(zhí)行泄漏反相過程。在一個實(shí)施例中，泄漏反相過程包括上拉和下拉，其中至少一個躍遷受泄漏特性影響。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏反相過程包括邏輯I狀態(tài)到邏輯O狀態(tài)之間的躍遷。在方框1820中，基于泄漏反相過程來執(zhí)行分析過程。要明白，可以執(zhí)行各種不同的分析。在一個實(shí)施例中，躍遷延遲用于確定頻率并且頻率可以轉(zhuǎn)換回為泄漏電流確定的指示。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏反相器門電容是已知的并且RC (電阻/電容)延遲可以用來確定電流。在一個示例性實(shí)施方式中，頻率劃分或調(diào)整可以是環(huán)中的反相器數(shù)量的函數(shù)。在一個實(shí)施例中，頻率可以用于確定在芯片的操作期間環(huán)形振蕩器的位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，頻率可以用于確定在包括泄漏和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間這兩種類型的環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，來自包括泄漏反相器的環(huán)形振蕩器的結(jié)果與電路的spice仿真比較。如果實(shí)際的物理實(shí)施方式更快地運(yùn)行，則它是泄漏高于預(yù)期的指示。在一個實(shí)施例中，來自包括泄漏反相器的環(huán)形振蕩器的結(jié)果可以用來確定在包括環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間環(huán)形振蕩器的位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，包括泄漏反相器的環(huán)形振蕩器(泄漏環(huán)形振蕩器)定位成緊鄰標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器，并且來自泄漏環(huán)形振蕩器的結(jié)果和來自標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的結(jié)果可以一起用來確定在包括泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，多對包括泄漏反相器的環(huán)形振蕩器(泄漏環(huán)形振蕩器)和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在管芯或芯片的多個位置中以確定在管芯或芯片的操作期間那多個位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，執(zhí)行仿真，其中在該仿真中待測器件或泄漏反相器用電流源替代并且在該源中提出的電流被掃描經(jīng)過各個值。在一個示例性實(shí)施方式中，這些值被掃描直至頻率匹配正在測量的并且可以用作在那些泄漏器件上電流是多少的指示的內(nèi)容。在一個示例性實(shí)施方式中，把硅上泄漏反相器的特性與仿真的理想電流源比較。在一個示例性實(shí)施方式中，仿真的電流源的輸出比對頻率進(jìn)行制圖或繪圖并且如果電流為高則頻率為高。圖形可以用來比較所測量的泄漏反相部件頻率與理想的圖形仿真。仿真圖形可以用來完成頻率與電流之間的相關(guān)性。圖19是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相過程1900的流程圖。在一個實(shí)施例中，泄漏反相過程1900類似于方框1810的泄漏反相過程。在方框1910中,接收處于第一狀態(tài)的信號。信號可以是第一邏輯狀態(tài)信號(例如，信號的特性對應(yīng)于第一邏輯狀態(tài)等等)。在一個實(shí)施例中，第一邏輯狀態(tài)信號可以對應(yīng)于邏輯I。在另一個實(shí)施例中，第一邏輯狀態(tài)信號可以對應(yīng)于邏輯O。在一個示例性實(shí)施方式中，第一邏輯狀態(tài)信號可以對應(yīng)于上拉或高電壓信號。在另一個不例性實(shí)施方式中，第一邏輯狀態(tài)信號可以對應(yīng)于下拉或低電壓信號。在方框1920中，改變至少一個部件的特性。在一個實(shí)施例中，部件是晶體管并且改變至少一個晶體管的特性。晶體管可以是上拉晶體管或下拉晶體管。改變晶體管的特性可以接通或關(guān)斷晶體管。在一個實(shí)施例中，改變晶體管柵極處的電壓值和特性(例如，溝道電阻等等)以接通或關(guān)斷晶體管。在一個示例性實(shí)施方式中，部件中的改變使信號的邏輯值反相。在方框1930中，輸出處于第二狀態(tài)的信號，其中接收第一邏輯狀態(tài)信號與輸出第二邏輯狀態(tài)信號之間的延遲受泄漏電流影響。信號可以是第二邏輯狀態(tài)信號。在一個實(shí)施例中，第二邏輯狀態(tài)是第一邏輯狀態(tài)的對立面或反相。在一個示例性實(shí)施方式中，第一邏輯狀態(tài)是邏輯I而第二邏輯狀態(tài)是邏輯O。在另一個示例性實(shí)施方式中，第一邏輯狀態(tài)是邏輯O而第二邏輯狀態(tài)是邏輯I。在一個實(shí)施例中，泄漏電流增加或者使延遲比在泄漏電流不影響躍遷的情況下否則將花的更長。圖20是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析過程2000的流程圖。在一個實(shí)施例中，分析過程2000類似于方框1820的分析過程。在方框2010中，接收與泄漏特性關(guān)聯(lián)的指示2010。在一個實(shí)施例中，該指示包括其中至少一個躍遷受泄漏特性影響的信號中的躍遷。在方框2020中，確定躍遷延遲時間，其中所述躍遷延遲時間受泄漏特性影響。在方框2030中，基于所述躍遷延遲時間來分析器件的特性。要明白，可以分析各種特性。在一個實(shí)施例中，來自一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)輸出可以用來確定在包括該一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間該一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器定位成緊鄰標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器，并且來自泄漏環(huán)形振蕩器的輸出和來自標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的輸出可以一起用來確定在包括泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的芯片的操作期間泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，多對泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在管芯或芯片的多個位置中以確定在管芯或芯片的操作期間那多個位置處的溫度和電壓。圖21是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的用于確定管芯或半導(dǎo)體器件的位置處的溫度和電壓的方法2100的流程圖。盡管在圖21中公開了具體操作，但是這樣的操作是示例。方法2100可以不包括圖21所圖示的所有操作。此外，方法2100可以包括各種其它操作和/或所示操作的變化。同樣，可以修改流程圖2100的操作順序。要明白，流程圖2100中的并非所有操作可以被執(zhí)行。在各個實(shí)施例中，方法2100的一個或多個操作可以由軟件、由固件、由硬件或者由它們的任何組合執(zhí)行，但是不限于此。方法2100可以包括能夠在計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)的控制下由(一個或多個)處理器和電學(xué)部件執(zhí)行的本發(fā)明的實(shí)施例的過程。計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)可以例如駐留在數(shù)據(jù)存儲特征比如計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用易失性存儲器、計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用非易失性存儲器和/或計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用大容量數(shù)據(jù)存儲中。然而，計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)可以駐留在任何類型的計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀介質(zhì)或存儲器中。在一個實(shí)施例中，方法2100可以用來在芯片運(yùn)行時確定管芯或半導(dǎo)體器件上的每個傳感器位置處的準(zhǔn)確溫度和電壓。因此，在幾乎任何工作負(fù)荷下，可以創(chuàng)建管芯的時變熱和電壓下降熱圖。因此，這個信息可以用來觀測熱點(diǎn)遷移以及管芯上的靜態(tài)電壓下降。另夕卜，注意這種信息可以用于眾多應(yīng)用比如(但不限于):高效熱解決方案的實(shí)施，準(zhǔn)確PVT (過程、電壓和溫度)評價、器件可靠性研究等等。要指出，方法2100 (在一個實(shí)施例中)不受電壓噪聲影響并且實(shí)際計(jì)算或確定每個傳感器位置處的電壓。根據(jù)各個實(shí)施例，方法2100可以實(shí)施為如這里描述的分析部件(例如，1520、1620和/或1720)的一部分，但是不限于此。在方法2100中，兩種類型的傳感器可以被建模為作為獨(dú)立變量的溫度和電壓的函數(shù)。在一個實(shí)施例中，這些函數(shù)用來使用對應(yīng)傳感器(例如，環(huán)形振蕩器)的頻率值來計(jì)算溫度(和電壓)。使用這一技術(shù)，可以基于從兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定節(jié)點(diǎn)溫度和電壓。以這種方式，方法2100可以用來在芯片運(yùn)行時確定管芯或半導(dǎo)體器件上的每個傳感器位置處的準(zhǔn)確溫度和電壓。在圖21的操作2102處，兩種類型的傳感器可以被建模為作為獨(dú)立變量的溫度和電壓的函數(shù)。在一個實(shí)施例中，該建模可以涉及在管芯或芯片操作時在一系列穩(wěn)定的溫度和電壓條件下表征每個傳感器。要指出，操作2102可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，在操作2102處兩種類型的傳感器可以被放置成彼此緊鄰作為管芯或半導(dǎo)體器件(例如，圖形處理器單元(GPU)、中央處理器單元(CPU)、處理器、微處理器等等)的一部分。在一個實(shí)施例中，注意兩個傳感器不需要彼此恰好鄰近而緊鄰。在一個實(shí)施例中，在操作2102處一個傳感器可以被實(shí)施為對溫度敏感的環(huán)形振蕩器，而其它傳感器可以被實(shí)施為對電壓敏感的環(huán)形振蕩器。例如在一個實(shí)施例中，溫度敏感的環(huán)形振蕩器可以用由專門的電流缺乏反相器構(gòu)成的泄漏環(huán)形振蕩器(例如，100、300或500)來實(shí)施，而電壓敏感的環(huán)形振蕩器(例如，圖24的2400)可以用由最小尺寸的反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器來實(shí)施，但是不限于此。在一個實(shí)施例中，要指出，電壓敏感的環(huán)形振蕩器可以用具有奇數(shù)個反相器的一般(或標(biāo)準(zhǔn)或正常或非泄漏)環(huán)形振蕩器來實(shí)施。注意在一個實(shí)施例中，兩個環(huán)形振蕩器均可以對溫度以及電壓敏感，但是它們對溫度和電壓的相對敏感性在本質(zhì)上是正交的。例如在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器可以對溫度很敏感且對電壓不大敏感，而其它環(huán)形振蕩器可以對電壓很敏感且對溫度不大敏感。要注意，在一個實(shí)施例中，在圖21的操作2102處，在兩個環(huán)形振蕩器之間的溫度敏感性和電壓敏感性的差別越大過程2100可以用更少次數(shù)的迭代來產(chǎn)生更準(zhǔn)確的結(jié)果。要指出，在一個實(shí)施例中，溫度敏感傳感器和電壓敏感傳感器可以分別被實(shí)施為泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器。照此，當(dāng)存在兩個環(huán)形振蕩器的電壓改變時，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的頻率將比泄漏環(huán)形振蕩器的頻率展現(xiàn)更急劇的改變。此外，當(dāng)存在兩個環(huán)形振蕩器的溫度改變時，泄漏環(huán)形振蕩器的頻率將比標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的頻率展現(xiàn)更急劇的改變。在一個實(shí)施例中在操作2102處，可以在一系列穩(wěn)定的溫度和電壓條件下執(zhí)行泄漏環(huán)形振蕩器(例如，100,300或500)和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器(例如，2400)的表征。例如在一個實(shí)施例中，作為表征的一部分，芯片或管芯被設(shè)置為已知的溫度(例如，25°C )并且電壓被設(shè)置為已知的值(例如，0.9V)。然后在這些條件下確定泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器二者的計(jì)數(shù)(或頻率)。一旦測量每個的計(jì)數(shù)，存儲器就可以與已知的溫度、電壓和對應(yīng)的環(huán)形振蕩器關(guān)聯(lián)地存儲該數(shù)據(jù)。此后，芯片或管芯的電壓可以被設(shè)置為另一個已知的值(例如，
1.0V)同時保持設(shè)置在先前值(例如，25°C)的溫度。然后在這些改變的條件下確定泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器二者的計(jì)數(shù)(或頻率)。一旦測量每個的計(jì)數(shù)，存儲器就可以與已知的溫度、電壓和對應(yīng)的環(huán)形振蕩器關(guān)聯(lián)地存儲該數(shù)據(jù)。這個過程可以針對不同的電壓值進(jìn)行重復(fù)。一旦在建立的(或已知的)溫度下完成所有的期望電壓值，然后就可以把溫度改變?yōu)椴煌?例如，35°C)。一旦建立新的溫度值，就可以設(shè)置所有的期望電壓值，然后在這些條件下確定泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器二者的計(jì)數(shù)(或頻率)。存儲器可以與特定環(huán)形振蕩器關(guān)聯(lián)地存儲所有這些條件和計(jì)數(shù)。注意，在一個實(shí)施例中這個過程可以逐步針對期望的溫度值范圍(例如，25 °C、35 °C、45 °C、55 °C、65 °C…105 °C )且逐步針對期望的電壓值范圍(例如，0.9V、1.0V- 1.2V)來執(zhí)行。以這種方式，在一個實(shí)施例中，在已知的溫度和已知的電壓下，泄漏環(huán)形振蕩 器的預(yù)測計(jì)數(shù)(或頻率)和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的預(yù)測計(jì)數(shù)(或頻率)是已知的。另外，泄漏環(huán)形振蕩器的計(jì)數(shù)(或頻率)可以與已知的溫度和/或已知的電壓關(guān)聯(lián)。此外，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的計(jì)數(shù)(或頻率)可以與已知的溫度和/或已知的電壓關(guān)聯(lián)。注意，操作2102可以以與這里描述的方式類似的任何方式實(shí)施，但是不限于此。在圖21的操作2104處，可以基于從兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定節(jié)點(diǎn)溫度和電壓。注意，操作2104可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，在操作2104處可以利用交叉耦合的模型，其使用從兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)并且迭代地收斂到實(shí)際的節(jié)點(diǎn)溫度和電壓。在一個實(shí)施例中，在操作2104處，可以執(zhí)行二元方程(每個代表傳感器)的迭代求解以導(dǎo)出或確定節(jié)點(diǎn)溫度和電壓。要注意，在一個實(shí)施例中，在操作2104處，片上實(shí)施的全局觸發(fā)機(jī)構(gòu)可以用來在功能測試期間大約或基本同時(或同時)觸發(fā)所有傳感器(例如，兩個環(huán)形振蕩器)。在一個實(shí)施例中，所有傳感器(例如，兩個環(huán)形振蕩器)可以被配置成在被觸發(fā)時運(yùn)行達(dá)精確相同的持續(xù)時間(或基本類似的持續(xù)時間)。注意，在一個實(shí)施例中半導(dǎo)體芯片正在運(yùn)行功能測試時，在操作2104處讀出環(huán)形振蕩器的每個計(jì)數(shù)并且將其轉(zhuǎn)化成頻率值。在一個實(shí)施例中，可以實(shí)施如下電路:通過大約或基本同時(或同時)開始和停止所有的傳感器，橫跨整個芯片執(zhí)行測量。例如，圖22是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的迭代求解二元方程(每個代表傳感器)以導(dǎo)出節(jié)點(diǎn)溫度和電壓的方框圖2200。組合地描述圖21和22以便提供對操作2104的更好理解。注意在圖22內(nèi)，正常環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202和泄漏環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2204可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2204可以由以下方程L代表:LE0=fL (T, v) =H^a1T+a2v+a3Tv+a4T2+a5v2+a6T2v+a7Tv2并且正常(或標(biāo)準(zhǔn))環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202可以由以下方程Skq代表:SE0=fN (V, t) =a0+a1t+a2V+a3tV+a4t2+a5V2+a6t2V+a7tV2在另一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2204可以由以下方程L代表:LE0=fL (T, v) =A0T+A1v+A2T2+A3v2+A4Tv...
并且正常(或標(biāo)準(zhǔn))環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202可以由以下方程Skq代表:SE0=fN (V, t) =A0t+A1V+A2t2+A3V2+A4tV...
要指出，各種各樣的函數(shù)或公式或方程可以用來建模正常環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202和泄漏環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2204。例如，在一個實(shí)施例中，可以利用對所收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行最佳建模的任何東西(例如，以最小誤差最佳擬合該模型的任何表面函數(shù))。在一個實(shí)施例中，回歸分析可以用于正常環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202和泄漏環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2204。

在一個實(shí)施例中，在操作2104處，可以假設(shè)所有節(jié)點(diǎn)處于室溫(例如，初始條件T=25°C)并且這個值2210可以輸入到正常環(huán)形振蕩器(RO)函數(shù)或模型2202中。照此，在操作2104處，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器模型2202可以把測量的頻率和溫度轉(zhuǎn)換成電壓2206。在一個實(shí)施例中，在操作2104處，計(jì)算的電壓2206形成到泄漏環(huán)形振蕩器(RO)模型2204的輸入，所述泄漏環(huán)形振蕩器(RO)模型2204把測量的頻率和電壓轉(zhuǎn)換成溫度2208。在一個實(shí)施例中，在操作2104處可以重復(fù)這個過程直至計(jì)算或確定的溫度2208和電壓2206收斂到靜態(tài)值(例如，迭代之間的O增量)，但是不限于此。在另一個實(shí)施例中，在操作2104處可以重復(fù)這個過程達(dá)有限的迭代次數(shù)以計(jì)算或確定溫度2208和電壓2206，但是不限于此。在一個實(shí)施例中，注意確定的溫度2208和電壓2206具有它們自己的重要性，因?yàn)樵谝恍?yīng)用中人們將考察靜態(tài)電壓下降以及溫度。另外，就溫度而言，應(yīng)用是什么為管芯或芯片上的最熱點(diǎn)，因?yàn)橛捎谒鼈兊男〕叽缍赡茉诠苄净蛐酒隙ㄎ蝗绱硕嗟倪@些(例如，一對標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器和泄漏環(huán)形振蕩器)。在一個實(shí)施例中，操作2104可以實(shí)施為管芯或芯片或半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)測試，但是不限于此。例如在一個實(shí)施例中，系統(tǒng)測試可以包括:在操作2104處在管芯或芯片或半導(dǎo)體器件上運(yùn)行任何應(yīng)用(例如，游戲、程序等等)；然后在管芯或芯片或半導(dǎo)體器件中確定最熱點(diǎn)或區(qū)域。另外，這一確定的信息可以用來實(shí)現(xiàn)或觸發(fā)用于管芯或芯片或半導(dǎo)體器件的一個或多個冷卻解決方案。以這種方式，操作2104實(shí)現(xiàn)了在芯片(或管芯或半導(dǎo)體器件)正在進(jìn)行任何功能時準(zhǔn)確地預(yù)測或確定芯片(或管芯或半導(dǎo)體器件)中的任何位置處的溫度。操作2104可以以與這里描述的方式類似的任何方式實(shí)施，但是不限于此。
在一個實(shí)施例中，注意圖21的方法2100可以被實(shí)施為與包括溫度敏感傳感器和電壓敏感傳感器的任何數(shù)量的傳感器對一起操作。在一個實(shí)施例中，要指出，當(dāng)溫度敏感傳感器和電壓敏感傳感器分別被實(shí)施為泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器時，它們具有在尺寸上小的好處從而使得它們能夠?qū)嵤┰谛酒?、管芯或半?dǎo)體器件的多個位置中。在一個實(shí)施例中，注意由于泄漏環(huán)形振蕩器和計(jì)數(shù)器(在數(shù)字測量頻率中涉及)與標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器和計(jì)數(shù)器(在數(shù)字測量頻率中涉及)組合的總面積是熱二極管電路的大小的幾分之一，因此它可以廉價地橫跨管芯或芯片分布。注意，對芯片電路行為的更好理解和橫跨管芯或芯片的更準(zhǔn)確感測能力可以實(shí)現(xiàn)更便宜且更高效的熱解決方案連同創(chuàng)建管芯或芯片的時變熱(time-varying thermal)和電壓下降(voltage-droop)熱圖。圖23是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的用于針對管芯內(nèi)過程變化(PV)進(jìn)行校準(zhǔn)的方法2300的流程圖。盡管在圖23中公開了具體操作，但是這樣的操作是示例。方法2300可以不把圖23所圖示的所有操作都包括在內(nèi)。此外，方法2300可以包括各種其它操作和/或所示操作的變化。同樣，可以修改流程圖2300的操作順序。要明白，可以執(zhí)行流程圖2300中的一部分操作。在各個實(shí)施例中，方法2300的一個或多個操作可以由軟件、由固件、由硬件或者由它們的任何組合執(zhí)行，但是不限于此。方法2300可以包括能夠在計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)的控制下由(一個或多個)處理器和電學(xué)部件執(zhí)行的本發(fā)明的實(shí)施例的過程。計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)可以例如駐留在數(shù)據(jù)存儲特征比如計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用易失性存儲器、計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用非易失性存儲器和/或計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可用大容量數(shù)據(jù)存儲中。然而，計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀且可執(zhí)行指令(或代碼)可以駐留在任何類型的計(jì)算機(jī)或計(jì)算器件可讀介質(zhì)或存儲器中。在操作2302處，可以在兩個不同電壓和溫度(v，t)點(diǎn)下測量待測部件(⑶T)環(huán)形振蕩器(RO)值。要指出，操作2302可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，在操作2302處測量的CUT RO值可以是在定義的時間周期或持續(xù)時間后由CUTRO輸出的計(jì)數(shù)。在操作2302處，在第一溫度(tl)和第一電壓(Vl)下⑶T RO的第一測量值(或計(jì)數(shù))可以由⑶Tl代表，而在第二溫度(t2)和第二電壓(v2)下⑶TRO的第二測量值(或計(jì)數(shù))可以由⑶T2代表。另外，在操作2302處,在第一溫度(tl)和第一電壓(vl)下從模型導(dǎo)出的第一參考值(或計(jì)數(shù))可以由REFl代表，而在第二溫度(t2 )和第二電壓(v2 )下從模型導(dǎo)出的第二參考值(或計(jì)數(shù))可以由REF2代表。注意，操作2302可以以與這里描述的方式類似的任何方式實(shí)施，但是不限于此。在圖23的操作2304處，可以計(jì)算或確定移位和縮放因子。注意，操作2304可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，移位因子(b)和縮放因子(m)可以利用以下方程來計(jì)算或確定:m=(CUT2-CUTl)/(REF2-REFl) b=CUT2_m*REF2其中CUT1、CUT2、REFl和REF2是上面參照操作2302定義的。注意，操作2304可以以與這里描述的方式類似的任何方式實(shí)施，但是不限于此。在操作2306處，參考模型可以被變換以導(dǎo)出待測部件模型。注意，操作2306可以以各種各樣的方式實(shí)施。例如在一個實(shí)施例中，參考模型(ROkef)可以在操作2306處被變換以通過利用以下方程來導(dǎo)出待測部件模型(ROot):ROcut (t, V) =m*R0REF (t, v) +b
其中m和b是上面參照操作2304定義的。注意，操作2306可以以與這里描述的方式類似的任何方式實(shí)施，但是不限于此。圖24是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性標(biāo)準(zhǔn)(或正常)環(huán)形振蕩器2400的方框圖。在一個實(shí)施例中，環(huán)形振蕩器2400可以被稱為非泄漏環(huán)形振蕩器，但是不限于此。環(huán)形振蕩器2400包括驅(qū)動反相器2420、2440和2450以及控制邏輯部件2410和2430。這些部件串聯(lián)耦合在環(huán)形路徑中。驅(qū)動反相器2420包括NMOS晶體管和PMOS晶體管。環(huán)形振蕩器2400的多個部件協(xié)同操作以使信號振蕩。在一個實(shí)施例中,振蕩包括信號狀態(tài)的反相。驅(qū)動反相器2420、2440和2450響應(yīng)于驅(qū)動信號而轉(zhuǎn)換至開啟和切斷狀態(tài)?？刂七壿嫴考?410和2430可以控制信號并且把信號驅(qū)動至一個值。使能信號2403可以用來“使能”控制邏輯部件2410和2430。雖然環(huán)形振蕩器2400的本實(shí)施例被示出為相同的使能信號2403 “使能”邏輯部件2410和2430，但是要明白不同的相應(yīng)使能信號可以用來“使能”邏輯部件2410和2430中的每一個。驅(qū)動反相器2450響應(yīng)于驅(qū)動信號而轉(zhuǎn)換至開啟和切斷狀態(tài)。環(huán)形振蕩器具有轉(zhuǎn)送輸出2404的環(huán)形路徑中的分路2407。輸出2404的狀態(tài)與到反相器2420的輸入的狀態(tài)類似。圖25是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性泄漏反相器形成過程2500的流程圖。在方框2510中，制造上拉部件。在一個實(shí)施例中，上拉部件包括開/關(guān)驅(qū)動晶體管(on/off driven transistor)。在一個示例性實(shí)施方式中，上拉部件包括MOS晶體管。在方框2520中，制造下拉部件。在一個實(shí)施例中，下拉部件包括開/關(guān)驅(qū)動晶體管。在一個示例性實(shí)施方式中，下拉部件包括MOS晶體管。在方框2530中，制造影響上拉或下拉躍遷的泄漏部件。在一個實(shí)施例中，泄漏部件包括被驅(qū)動至關(guān)閉狀態(tài)的泄漏晶體管。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏晶體管是在方框2510或2520中制造的上拉或下拉晶體管的幾個量級(例如，3倍、10倍、12倍等等)。泄漏反相器可以具有足夠大或強(qiáng)的泄漏特性以克服在方框2510或2520中制造的晶體管中的至少一個的泄漏特性。泄漏晶體管可以為多指條(例如，多個泄漏晶體管被短路在一起等等)。在一個示例性實(shí)施方式中，泄漏部件包括每個1/2微米的10指條。泄漏晶體管可以足夠大以使擴(kuò)散電容放電而不給方框2510或2520的驅(qū)動開的上拉或下拉部件提供過功率(overpowering)ο圖26是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量系統(tǒng)2600的方框圖。延遲測量系統(tǒng)2600包括存儲器單元作為待測器件。延遲測量系統(tǒng)2600包括第一躍遷級2610、第二躍遷級2620、躍遷完成檢測部件2630和控制部件2650。躍遷級2610包括具有接收器的虛擬隨機(jī)存取存儲器(RAM)列(測試中部件2611)和驅(qū)動反相器2612。躍遷級2620包括具有接收器的虛擬RAM列(測試中部件2621)和驅(qū)動反相器2622。躍遷完成檢測部件2630包括C元件2631和驅(qū)動反相器2632。具有接收器的虛擬RAM列測試中部件2611和2612不使輸出本身反相而是在來自躍遷級的輸出處給相應(yīng)的反相躍遷引入延遲。在一個示例性實(shí)施方式中，驅(qū)動反相器2612和2622使信號反相并且具有接收器的虛擬RAM列測試中部件2611和2612給在躍遷級2610和2620的輸出處的信號躍遷相對于在躍遷級2610和2620的輸入處的信號狀態(tài)造成延遲。要明白，由具有接收器的虛擬RAM列引入的延遲可以對應(yīng)于存儲器操作的相位。在一個實(shí)施例中，由具有接收器的虛擬RAM列引入的延遲對應(yīng)于位線預(yù)充電相位和讀相位。在一個示例性實(shí)施方式中，由具有接收器的虛擬RAM列的不同相位引入的延遲相對于彼此是不對稱的。預(yù)充電相位可以長或慢的延遲而讀相位可以引入短或快的相位，反之亦然。圖27是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性延遲測量方法2700的方框圖。在方框2710中，執(zhí)行第一反相躍遷。第一反相躍遷可以包括邏輯狀態(tài)反相(例如，上拉、下拉等等)。在方框2720中，執(zhí)行第二反相躍遷。在一個實(shí)施例中，第一反相躍遷和第二反相躍遷具有不對稱的延遲特性。在一個示例性實(shí)施方式中，第一反相躍遷與相對慢的第二反相躍遷相比是相對快的。在方框2730中，執(zhí)行與第二反相躍遷關(guān)聯(lián)的躍遷完成測量過程。在一個實(shí)施例中，躍遷完成測量過程測量從發(fā)起第二反相躍遷到完成第二反相躍遷的延遲時間量的指示。在一個示例性實(shí)施方式中，躍遷完成測量過程也可以測量從發(fā)起第二反相躍遷到完成第二反相躍遷的延遲時間量的指示。延遲時間量的指示可以是基于躍遷完成測量過程的輸出的計(jì)數(shù)。圖28是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性躍遷完成檢測過程2800的方框圖。在方框2810中，檢查兩個輸入的邏輯值。在方框2820中，如果兩個輸入都為邏輯O則輸出邏輯O并且繼續(xù)輸出邏輯O直至兩個輸入為邏輯I。在方框2830中，如果兩個輸入都為邏輯I則輸出邏輯I并且繼續(xù)輸出邏輯I直至兩個輸入為邏輯O。在完成檢測過程2800的一個實(shí)施例中，如果一個輸入是邏輯I而另一個輸入是邏輯0，則輸出不改變邏輯狀態(tài)。圖29是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的示例性分析方法2900的方框圖。在方框2910中，執(zhí)行反相過程。在一個實(shí)施例中，反相過程包括上拉和下拉。反相過程可以包括邏輯I狀態(tài)與邏輯O狀態(tài)之間的躍遷。反相過程可以包括在反相躍遷的輸出中引入延遲。該延遲可以關(guān)于躍遷方向是不對稱的(例如，快上升躍遷比對慢下降躍遷、慢上拉躍遷比對快下拉躍遷，反之亦然，等等)。在方框2920中，基于與反相過程關(guān)聯(lián)的延遲來執(zhí)行分析過程。要明白，可以執(zhí)行各種不同的分析。接收與時間延遲關(guān)聯(lián)的指示并且確定躍遷延遲時間。在一個示例性實(shí)施方式中，躍遷延遲與不對稱躍遷的一個方面(例如，上升比對下降、上拉比對下拉等等)關(guān)聯(lián)。在一個實(shí)施例中，可以基于躍遷延遲時間來分析器件的特性。要明白，可以分析各種特性(例如，制造過程合規(guī)性和缺陷、泄漏電流功耗等等)。器件分析過程可以包括基于延遲時間量來分析制造過程和操作參數(shù)。注意，隨著泄漏和有功功率密度增加，高功率密度和日益復(fù)雜的冷卻解決方案已成為尖端圖形處理器單元(GPU)的主要產(chǎn)物。在各種操作模式期間對管芯上溫度和跨芯片溫度變化的更好理解因此變得越來越重要。不幸的是，使用熱二極管的公共管芯上溫度傳感器過大并且一般放置在芯片的最熱最密堆積部分之外。熱解決團(tuán)隊(duì)因此必須依賴裸露硅(沒有熱沉)的IR光譜法或者對熱分析的仿真，它們二者都是不準(zhǔn)確的。增加的功率密度以及為顧及熱點(diǎn)不確定性的保守裕度導(dǎo)致對總功耗以及板成本作出大量貢獻(xiàn)的冷卻解決方案。在一個實(shí)施例中，可以實(shí)施展現(xiàn)極其溫度敏感性的泄漏敏感環(huán)形振蕩器(例如，100、300或500)并且該泄漏敏感環(huán)形振蕩器可以實(shí)施在熱二極管和對應(yīng)電路的1/100的面積中。在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器(例如，100、300或500 )可以由如這里描述的歪斜泄漏電流受限反相器和C元件環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)組成，但是不限于此。在一個實(shí)施例中，下拉電流或延遲可以受NLEAK反相器中的關(guān)NMOS器件的泄漏電流限制，或者上拉電流或延遲可以受PLEAK反相器中的關(guān)PMOS器件的泄漏電流限制。注意在一個實(shí)施例中，泄漏電流受限延遲如此大使其支配環(huán)形振蕩器頻率，其可以用計(jì)數(shù)器進(jìn)行數(shù)字測量。由于泄漏電流具有對溫度的很強(qiáng)依賴性并且對電壓相對不敏感，因此這種類型的泄漏環(huán)形振蕩器可以根據(jù)各個實(shí)施例用作優(yōu)良的溫度傳感器。在一個實(shí)施例中，由于在數(shù)字測量頻率中涉及的計(jì)數(shù)器和泄漏環(huán)形振蕩器的總面積為熱二極管電路的大小的1/100，因此它可以廉價地橫跨芯片分布。注意，對芯片電路行為的更好理解和橫跨芯片的更準(zhǔn)確感測能力可以實(shí)現(xiàn)更便宜且更高效的熱解決方案。另夕卜，這可以直接轉(zhuǎn)化成每瓦更高的性能和更低的板成本。本系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)泄漏特性的檢查和分析。在一個實(shí)施例中，泄漏電流受限延遲如此大使其支配環(huán)形振蕩器頻率，其可以用計(jì)數(shù)器進(jìn)行數(shù)字測量。在一個實(shí)施例中，存在可以用來驅(qū)動計(jì)數(shù)器的與時鐘類似的50%占空比輸出，其中頻率和占空比二者由慢躍遷確定。在一個示例性實(shí)施方式中，本操作檢查方法促進(jìn)相對小的環(huán)形振蕩用于實(shí)現(xiàn)適當(dāng)極性的不對稱延遲器件。本方法也可以允許檢查部件被選擇性地接通和關(guān)斷從而促進(jìn)功耗的進(jìn)一步節(jié)省。本方法促進(jìn)以更低的面積成本比傳統(tǒng)努力實(shí)例化更多監(jiān)控結(jié)構(gòu)。本方法還促進(jìn)對過程和操作參數(shù)的更嚴(yán)密監(jiān)控。本泄漏反相系統(tǒng)和方法可以促進(jìn)芯片符合設(shè)計(jì)規(guī)范的確認(rèn)和制造過程不規(guī)則性的檢測。在一個實(shí)施例中，來自一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)輸出可以用來確定在芯片的操作期間一個或多個泄漏環(huán)形振蕩器的(一個或多個)位置處的溫度。在一個實(shí)施例中，泄漏環(huán)形振蕩器定位成緊鄰標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器，并且來自泄漏環(huán)形振蕩器的輸出和來自標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的輸出可以一起用來確定在芯片的操作期間泄漏環(huán)形振蕩器和標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形振蕩器的位置處的溫度和電壓。詳細(xì)描述的部分是就方法而言給出和討論的。盡管步驟及其排序按照這里描述該方法的操作的圖進(jìn)行公開，但是這種步驟和排序是示例性的。實(shí)施例很好地適合于執(zhí)行各種其它步驟或者以這里圖的流程圖敘述的步驟的變化，并且以除了這里描繪和描述的順序之外的順序執(zhí)行。詳細(xì)描述的一些部分是就規(guī)程、步驟、邏輯方框、處理和可以在計(jì)算機(jī)存儲器內(nèi)執(zhí)行的對數(shù)據(jù)位的操作的其它符號表示而言給出的。這些描述和表示是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的技術(shù)人員用來向本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員最有效地傳達(dá)他們工作實(shí)質(zhì)的手段。規(guī)程、計(jì)算機(jī)執(zhí)行的步驟、邏輯方框、過程等等在這里且一般被設(shè)想為是導(dǎo)致期望結(jié)果的自洽步驟或指令序列。這些步驟包括物理量的物理操縱。通常，盡管不是必要的，這些量采取能夠在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中存儲、轉(zhuǎn)移、組合、比較和以其它方式操縱的電、磁、光或量子信號的形式。主要出于慣用法的原始，把這些信號稱為位、值、元素、符號、字符、項(xiàng)、數(shù)字等等已證明有時是方便的。然而應(yīng)當(dāng)牢記，所有這些和類似的術(shù)語要與適當(dāng)?shù)奈锢砹筷P(guān)聯(lián)并且僅僅是應(yīng)用于這些量的方便標(biāo)記。除非另外具體指出，如根據(jù)以下討論顯現(xiàn)的，要明白利用術(shù)語比如“處理”、“計(jì)算”、“核算”、“確定”、“顯示”、“訪問”、“寫”、“包括”、“存儲”、“發(fā)送”、“遍歷”、“關(guān)聯(lián)”、“識別”等等的討論自始至終指代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算器件的動作和過程，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或類似電子計(jì)算器件把在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的寄存器和存儲器內(nèi)表示為物理(電子)量的數(shù)據(jù)操縱和變換成在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲器或寄存器或者其它這種信息存儲、發(fā)送或顯示器件內(nèi)類似地表示為物理量的其它數(shù)據(jù)。一些實(shí)施例可以在由一個或多個計(jì)算機(jī)或其它器件執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令比如程序模塊的一般背景下描述。一般而言，程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)嵤┨囟ǔ橄髷?shù)據(jù)類型的例程、程序、對象、部件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等等。通常，程序模塊的功能可以如在各個實(shí)施例中期望的那樣進(jìn)行組合或分布。為了說明和描述的目的，已給出根據(jù)本發(fā)明的各個具體實(shí)施例的前面描述。它們不旨在是窮舉的或者把本發(fā)明限制于所公開的精確形式，并且鑒于上面的教導(dǎo)，許多修改和變化是可能的。本發(fā)明要根據(jù)權(quán)利要求書及其等同物進(jìn)行解釋。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括: 對作為半導(dǎo)體器件的一部分的兩種類型的傳感器建模和校準(zhǔn)；以及 基于從所述兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)，確定溫度和電壓。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述兩個傳感器中的第一傳感器包括泄漏環(huán)形振蕩器。
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述兩個傳感器中的第二傳感器包括非泄漏環(huán)形振蕩器。
4.權(quán)利要求2的方法，其中所述泄漏環(huán)形振蕩器包括泄漏反相器。
5.權(quán)利要求4的方法，其中所述泄漏反相器包括上拉部件、泄漏部件和下拉部件。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述確定包括利用回歸分析。
7.權(quán)利要求1的方法，其中所述確定包括利用代表所述第一傳感器的第一模型和代表所述第二傳感器的第二模型。
8.一種系統(tǒng),包括: 第一傳感器； 第二傳感器； 耦合成從所述第一傳感器和第二傳感器二者接收輸出的分析部件，所述分析部件用于執(zhí)行一種方法，所述方法包括: 對作為半導(dǎo)體器件的一部分的所述第一傳感器和第二傳感器建模和校準(zhǔn)；以及 基于從所述第一傳感器和第二傳感器接收的數(shù)據(jù)，確定溫度和電壓。
9.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中所述第一傳感器包括泄漏環(huán)形振蕩器。
10.權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中所述第二傳感器包括非泄漏環(huán)形振蕩器。
11.權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中所述泄漏環(huán)形振蕩器包括泄漏反相器。
12.權(quán)利要求11的系統(tǒng)，其中所述泄漏反相器包括上拉部件、泄漏部件和下拉部件。
13.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中所述確定包括利用回歸分析。
14.權(quán)利要求8的系統(tǒng),其中所述確定包括利用代表所述第一傳感器的第一模型和代表所述第二傳感器的第二模型。
15.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中所述分析部件包括計(jì)數(shù)器和與所述計(jì)數(shù)器耦合的處理部件。
16.一種方法,包括: 對作為半導(dǎo)體器件的一部分的電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器建模和校準(zhǔn)，所述電壓敏感傳感器和所述溫度敏感傳感器處于緊鄰；以及 基于從所述電壓敏感傳感器和所述溫度敏感傳感器接收的數(shù)據(jù)，確定溫度和電壓。
17.權(quán)利要求16的方法，其中所述溫度敏感傳感器包括泄漏環(huán)形振蕩器。
18.權(quán)利要求17的方法，其中所述電壓敏感傳感器包括非泄漏環(huán)形振蕩器。
19.權(quán)利要求17的方法，其中所述泄漏環(huán)形振蕩器包括泄漏反相器。
20.權(quán)利要求19的方法，其中所述泄漏反相器包括串聯(lián)耦合的上拉晶體管、泄漏晶體管和下拉晶體管。
全文摘要
本發(fā)明在一個實(shí)施例中提供了可以包括對作為半導(dǎo)體器件的一部分的兩種類型的傳感器進(jìn)行建模和校準(zhǔn)的方法。另外，該方法可以包括基于從兩個傳感器接收的數(shù)據(jù)來確定溫度和電壓。
文檔編號G01R31/28GK103091619SQ20121043197
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月1日
發(fā)明者安博黑謝克·辛格, 沃伊切赫·雅各布·波普, 伊利亞斯·埃爾金 申請人:輝達(dá)公司