1.一種多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：包括單晶硅基板，單晶硅基板上依次設有SiO2薄膜層、SiBCO薄膜層和SiCO薄膜層，SiCO薄膜層上經SiAlCO薄膜層設有電極。
2.根據權利要求1所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述SiO2薄膜層、SiBCO薄膜層的厚度均為95-105nm。
3.根據權利要求1所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述SiAlCO薄膜層的厚度為95-105 nm。
4.根據權利要求1所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述SiCO薄膜層的厚度為800 nm。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：制備方法按下述步驟進行：
①對單晶硅基板用丙酮超聲清洗8分鐘，然后分別用去離子水和酒精超聲波清洗8分鐘；
②重復五遍步驟①，再在真空干燥箱中烘干；
③在真空條件下對單晶硅基板進行離子束濺射清洗；
④在純度為99.99%的氬氣作為工作氣體的環(huán)境下，采用磁控濺射的方法將濺射靶材濺射到單晶硅基板表面形成襯體；所述濺射靶材分別是SiO2，Si、石墨和硼，Si和石墨、Si、石墨和Al2O3；所述襯體分別是SiO2薄膜層、SiBCO薄膜層、SiCO薄膜層和SiAlCO薄膜層；得硅碳基薄膜；
⑤在硅碳基薄膜表面制作電極后封裝得傳感器。
6.根據權利要求5所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述濺射靶材置于距單晶硅基板的距離為5 cm。
7.根據權利要求5所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述靶材SiO2在濺射過程中，濺射壓強為0.3Pa，功率為200w，濺射時間為60min，氬氣流量為30sccm；所述靶材Si、石墨和硼在濺射過程中，濺射壓強為0.2Pa，功率為200w，濺射時間為90min，氬氣流量為30sccm；所述靶材Si和石墨在濺射過程中，濺射壓強為0.2Pa，功率為300w，濺射時間為90min，氬氣流量為30sccm；所述靶材Si、石墨和Al2O3在濺射過程中，濺射壓強為0.3Pa，功率為200w，濺射時間為60min，氬氣流量為30sccm。
8.根據權利要求1或5所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述SiCO薄膜層是具有多孔納米結構的SiCO薄膜層。
9.根據權利要求8所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述具有多孔納米結構的SiCO薄膜層制備方法按下述步驟進行：①將試樣浸入濃度50%的氫氟酸溶液4分鐘，然后浸入濃度30%氫氟酸溶液80分鐘；②用蒸餾水把試樣表面殘留的氫氟酸清洗干凈，并放入150攝氏度烘干箱烘干60分鐘去除殘余水分即得。
10.根據權利要求5所述的多孔SiCO基一氧化氮傳感器，其特征在于：所述⑤中封裝方法是，把銅線從電極引出，銀膠漿在室溫下干燥凝結后，放入馬福爐中進行還原，溫度逐漸上升至790-810℃，恒溫 30 分鐘，再降至室溫，最后焊接在管座上的硅片用 100 目雙層不銹鋼網及卡圈封裝，即制成傳感器。