本實(shí)用新型涉及電學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及一種負(fù)載檢測(cè)電路。

背景技術(shù)：

負(fù)載測(cè)試(Load testing)，通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)在資源超負(fù)荷情況下的表現(xiàn)，以發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)上的錯(cuò)誤或驗(yàn)證系統(tǒng)的負(fù)載能力。現(xiàn)有負(fù)載檢測(cè)的電路存在以下不足：不能檢測(cè)非常小的電流且檢測(cè)成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種負(fù)載檢測(cè)電路，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的前述問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所述負(fù)載檢測(cè)電路，所述電路包括電源、接口、NMOS晶體管Q2和運(yùn)算放大器；所述接口正極與所述電源連接，所述接口的負(fù)極分別與所述運(yùn)算放大器的正極、NMOS晶體管Q2的漏極連接，所述運(yùn)算放大器的輸出腳與所述NMOS晶體管Q2的柵極連接，所述電源還與所述運(yùn)算放大器連接，所述NMOS晶體管Q2的源極、所述電源、所述運(yùn)算放大器負(fù)極均接地。

優(yōu)選地，所述電源包括輸出電源和內(nèi)部供電電源，所述輸出電源與接口正極連接，所述內(nèi)部供電電源與所述運(yùn)算放大器連接。

優(yōu)選地，所述負(fù)載檢測(cè)電路還包括NMOS晶體管Q4、NMOS晶體管Q5和PMOS晶體管Q6；所述NMOS晶體管Q4的漏極指示pin、源極接地、柵極連接接口的負(fù)極；所述NMOS晶體管Q5的漏極指示pin外露、源極接地、柵極連接運(yùn)算放大器的輸出腳；所述PMOS晶體管Q6的漏極連接運(yùn)算放大器的正極、源極連接電源BAT的正極、柵極通過(guò)電阻R6與電源BAT的正極連接。

更優(yōu)選地，所述NMOS晶體管Q4的源極與所述NMOS晶體管Q4的柵極之間并聯(lián)電阻R4。

更優(yōu)選地，所述NMOS晶體管Q2的柵極與大地之間串聯(lián)電阻R5。

本實(shí)用新型的有益效果是：

1、本實(shí)用新型為調(diào)節(jié)NMOS晶體管導(dǎo)通阻抗動(dòng)態(tài)檢測(cè)負(fù)載電流的方式，能檢測(cè)非常小的電流。

2、因本實(shí)用新型對(duì)器件的要求比較低，相對(duì)于現(xiàn)有高精度檢測(cè)方案，本實(shí)用新型成本低。

3、因?yàn)楸緦?shí)用新型為動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)NMOS晶體管的導(dǎo)通阻抗，所以本實(shí)用新型所述負(fù)載檢測(cè)電路通過(guò)的電流比現(xiàn)有檢測(cè)電路通過(guò)的電流大，且不影響最小負(fù)載的檢測(cè)。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施例1中負(fù)載檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是實(shí)施例1中工作原理的曲線示意圖；

圖3是實(shí)施例2中負(fù)載檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施方式僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

參照?qǐng)D1，本實(shí)施例所述負(fù)載檢測(cè)電路，所述電路包括輸出電源3、內(nèi)部供電電源4、接口1、NMOS晶體管Q2和運(yùn)算放大器2；

所述接口1正極與所述輸出電源連接，所述接口1的負(fù)極分別與所述運(yùn)算放大器2的正極、NMOS晶體管Q2的漏極連接，所述運(yùn)算放大器2的輸出腳與所述NMOS晶體管Q2的柵極連接，所述NMOS晶體管Q2的源極、所述輸出電源3、所述內(nèi)部供電電源4、所述運(yùn)算放大器2負(fù)極均接地，所述內(nèi)部供電電源4與所述運(yùn)算放大器2連接，所述接口1上并聯(lián)連接電阻R1。

本實(shí)施例中涉及到的器件說(shuō)明：

(1)輸出電源3是提供接口外設(shè)備供電的電源；

(2)內(nèi)部供電電源4是提供內(nèi)部電路的電源；

(3)輸出電源3和內(nèi)部供電電源4可以是同一個(gè)電源，也可以不同；

(4)電阻R1是接口外設(shè)的等效電阻；

(5)NMOS晶體管Q2是接口到地設(shè)備到地的一個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)；

(6)運(yùn)算放大器2是放大NMOS晶體管Q2兩端電壓后驅(qū)動(dòng)MOS管的柵極。

參照?qǐng)D2，本實(shí)用新型的核心功能：本實(shí)用新型所述電路檢測(cè)負(fù)載從接口接入還是移除。原理：NMOS晶體管的導(dǎo)通阻抗和柵極的電壓在一定范圍內(nèi)成單調(diào)關(guān)系的，即：控制電壓越高NMOS晶體管的阻抗越低。NMOS晶體管兩端的電壓在一定電流下和阻抗成正比關(guān)系，當(dāng)外部負(fù)載電流減小時(shí)，隨NMOS晶體管兩端的電壓減小，運(yùn)算放大器輸出電壓也變小，NMOS晶體管阻抗增大，直到平衡；但，當(dāng)外部負(fù)載移除時(shí)電流直接為0，運(yùn)放即運(yùn)算放大器輸出也會(huì)變?yōu)?，NMOS晶體管關(guān)閉。通過(guò)運(yùn)放輸出是否為低于NMOS晶體管開(kāi)啟電壓就可以判斷負(fù)載是否插入。

實(shí)施例2

參照?qǐng)D3，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于所述負(fù)載檢測(cè)電路還包括NMOS晶體管Q4、NMOS晶體管Q5和PMOS晶體管Q6；

所述NMOS晶體管Q4的漏極指示pin、源極接地、柵極連接接口的負(fù)極；

所述NMOS晶體管Q5的漏極指示pin外露、源極接地、柵極連接運(yùn)算放大器的輸出腳；

所述PMOS晶體管Q6的漏極連接運(yùn)算放大器的正極、源極連接電源BAT的正極、柵極通過(guò)電阻R6與電源BAT的正極連接。

其中，所述NMOS晶體管Q4源極與柵極之間并聯(lián)電阻R4。所述NMOS晶體管Q2的柵極與大地之間串聯(lián)電阻R5。

本實(shí)施例所述電路增加使能Pin，可以強(qiáng)制關(guān)閉PMOS晶體管切斷電流通路；增加NMOS晶體管關(guān)閉時(shí)負(fù)載插入檢測(cè)電路，即使使能關(guān)閉時(shí)也能檢測(cè)到插入負(fù)載。增加負(fù)載移除指示，使判斷負(fù)載不需要ADC采集驅(qū)動(dòng)電壓。NMOS晶體管Q5的導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓要低于NMOS晶體管Q2；增加電阻R4和電阻R5，以增加電路的抗干擾能力。

通過(guò)采用本實(shí)用新型公開(kāi)的上述技術(shù)方案，得到了如下有益的效果：

1、本實(shí)用新型為調(diào)節(jié)NMOS晶體管導(dǎo)通阻抗動(dòng)態(tài)檢測(cè)負(fù)載電流的方式，能檢測(cè)非常小的電流。

2、因本實(shí)用新型對(duì)器件的要求比較低，相對(duì)于現(xiàn)有高精度檢測(cè)方案，本實(shí)用新型成本低。

3、因?yàn)楸緦?shí)用新型為動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)NMOS晶體管的導(dǎo)通阻抗，所以本實(shí)用新型所述負(fù)載檢測(cè)電路通過(guò)的電流比現(xiàn)有檢測(cè)電路通過(guò)的電流大，且不影響最小負(fù)載的檢測(cè)。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。