1.一種帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：包括：由四個(gè)壓敏電阻組成的應(yīng)變敏感器件，四個(gè)壓敏電阻尺寸相同，相互連接并組建Wheatstone全橋；由兩個(gè)CMOS晶體管組成的溫度敏感器件，兩個(gè)CMOS晶體管尺寸相同，位于Wheatstone全橋的四個(gè)壓敏電阻中間；CMOS晶體管和Wheatstone全橋共用一個(gè)恒壓激勵(lì)源，且其負(fù)激勵(lì)端接地，兩個(gè)CMOS晶體管的基極直接連至全橋輸入端的接地端，兩個(gè)CMOS晶體管的集電極均由外部固定電阻連接至恒壓激勵(lì)源，且這兩個(gè)外部固定電阻阻值不同。
2.如權(quán)利要求1所述的帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：所述應(yīng)變敏感器件和溫度敏感器件均集成在半導(dǎo)體材料的應(yīng)變計(jì)基底(1)上。
3.如權(quán)利要求2所述的帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：所述應(yīng)變計(jì)基底(1)的材料選用高阻n型硅晶片。
4.如權(quán)利要求1所述的帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：所述應(yīng)變敏感器件和溫度敏感器件均由離子摻雜或擴(kuò)散工藝制作。
5.如權(quán)利要求1所述的帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：應(yīng)變敏感器件和溫度敏感器件的輸出信號(hào)依次經(jīng)過(guò)信號(hào)放大器、信號(hào)緩沖器、模擬信號(hào)-數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換后，處理器根據(jù)存儲(chǔ)器內(nèi)預(yù)先校準(zhǔn)的補(bǔ)償系數(shù)，對(duì)應(yīng)變計(jì)的溫度輸出進(jìn)行補(bǔ)償。
6.如權(quán)利要求5所述的帶CMOS溫度傳感器的溫度補(bǔ)償型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)，其特征在于：所述信號(hào)緩沖器為放大器、信號(hào)隔絕器或電壓跟隨器。