1.一種高壓電纜局部放電采集裝置，其特征在于，包括，信號(hào)采集電路、高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路、輸出電路、一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路、二級(jí)本機(jī)振蕩電路和ARM芯片，所述信號(hào)采集電路的輸出信號(hào)依次經(jīng)高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路和輸出電路后輸出至ARM芯片，所述ARM芯片與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路雙向通信連接，所述一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路的輸出端與第一級(jí)差頻電路連接，所述二級(jí)本機(jī)振蕩電路與第二級(jí)差頻電路連接，所述第一中頻濾波放大電路，包括，三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4和三極管Q5，所述三極管Q2的基極和第一中頻濾波放大電路的輸入端之間串聯(lián)電容C2，三極管Q2的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R1、電阻R2、電阻R6、電容C3和電阻R8，電阻R1和電阻R2之間的節(jié)點(diǎn)與地之間串聯(lián)電容C1，三極管Q2基極和集電極之間依次串聯(lián)電阻R3和電阻R4，電阻R6和電容C3之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q1的基極之間串聯(lián)電阻R7，三極管Q1的基極與發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R7和電容C3，三極管Q1的基極與集電極之間依次川電阻R7和電阻R6，三極管Q3的基極與三極管Q2的集電極連接，三極管Q3的集電極與三極管Q1的基極連接，三極管Q3的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R4和電容C4，三極管Q4的基極與三極管Q3的發(fā)射極連接，三極管Q4的基極與發(fā)射極之間串聯(lián)電阻R5，三極管Q4的集電極與三極管Q1的發(fā)射極連接，三極管Q1的發(fā)射極與三極管Q5的基極之間串聯(lián)電容C6，電容C5與電容C6并聯(lián)，三極管Q1的集電極與+5V電源端連接，三極管Q5的基極與地之間連接電阻R11，三極管Q5的發(fā)射極接地，三極管Q5的基極與集電極之間依次串聯(lián)電阻R10、穩(wěn)壓二極管D1、電阻R9和二極管D2，所述二極管D2的陽極與三極管Q5的集電極連接，且二極管D2的陽極與+5V電源端連接，穩(wěn)壓二極管D1的陽極與電阻R10連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓電纜局部放電采集裝置，其特征在于，所述ARM芯片，包括第一A/D轉(zhuǎn)換電路和第二A/D轉(zhuǎn)換電路，所述第一A/D轉(zhuǎn)換電路與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路連接，所述第二A/D轉(zhuǎn)換電路的輸入端與輸出電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓電纜局部放電采集裝置，其特征在于，所述電阻R1的電阻值為100KΩ，所述電阻R2的電阻值為33KΩ，所述電阻R3的電阻值為100KΩ，所述電阻R4的電阻值為22KΩ，所述電阻R5的電阻值為2.2KΩ，所述電阻R6的電阻值為220Ω，所述電阻R7的電阻值為220Ω，所述電阻R8的電阻值為2.7KΩ，所述電阻R9的電阻值為10KΩ，所述電阻R10的電阻值為330Ω，所述電阻R11的電阻值為1KΩ。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓電纜局部放電采集裝置，其特征在于，所述電容C1的電容值為100μF，所述電容C2的電容值為1μF，所述電容C3的電容值為220μF，所述電容C4的電容值為220μF，所述電容C5的電容值為2200μF，所述電容C6的電容值為3.3μF。