本實(shí)用新型涉及電力測(cè)量領(lǐng)域,尤其涉及一種高壓電纜局部放電采集裝置。
背景技術(shù):
一般高壓供電電纜大約每300米就存在一處電纜接頭,長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行于高電壓、大電流(過(guò)負(fù)荷)下的電纜接頭,很容易因電纜本身或附件質(zhì)量缺陷、電纜接頭施工質(zhì)量不過(guò)關(guān)、機(jī)械損傷、受潮腐蝕或附件老化等原因造成絕緣損壞并發(fā)生局部放電,電纜接頭發(fā)生局部放電后若得不到及時(shí)處理就很可能進(jìn)一步釀成重大事故,從而嚴(yán)重影響電力系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行,并造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。由于電纜接地線上的干擾十分復(fù)雜,有電纜本身產(chǎn)生的,也有運(yùn)行環(huán)境中當(dāng)中存在的,而且干擾頻帶較寬,所以很難有效的去除各種干擾,從而準(zhǔn)確的測(cè)量出局部放電的電量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型的目的在于提供高壓電纜局部放電采集裝置,從而實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的測(cè)量局部放電電量的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)用新型的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種高壓電纜局部放電采集裝置,包括,信號(hào)采集電路、高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路、輸出電路、一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路、二級(jí)本機(jī)振蕩電路和ARM芯片,所述信號(hào)采集電路的輸出信號(hào)依次經(jīng)高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路和輸出電路后輸出至ARM芯片,所述ARM芯片與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路雙向通信連接,所述一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路的輸出端與第一級(jí)差頻電路連接,所述二級(jí)本機(jī)振蕩電路與第二級(jí)差頻電路連接,所述第一中頻濾波放大電路,包括,三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4和三極管Q5,所述三極管Q2的基極和第一中頻濾波放大電路的輸入端之間串聯(lián)電容C2,三極管Q2的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R1、電阻R2、電阻R6、電容C3和電阻R8,電阻R1和電阻R2之間的節(jié)點(diǎn)與地之間串聯(lián)電容C1,三極管Q2基極和集電極之間依次串聯(lián)電阻R3和電阻R4,電阻R6和電容C3之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q1的基極之間串聯(lián)電阻R7,三極管Q1的基極與發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R7和電容C3,三極管Q1的基極與集電極之間依次川電阻R7和電阻R6,三極管Q3的基極與三極管Q2的集電極連接,三極管Q3的集電極與三極管Q1的基極連接,三極管Q3的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R4和電容C4,三極管Q4的基極與三極管Q3的發(fā)射極連接,三極管Q4的基極與發(fā)射極之間串聯(lián)電阻R5,三極管Q4的集電極與三極管Q1的發(fā)射極連接,三極管Q1的發(fā)射極與三極管Q5的基極之間串聯(lián)電容C6,電容C5與電容C6并聯(lián),三極管Q1的集電極與+5V電源端連接,三極管Q5的基極與地之間連接電阻R11,三極管Q5的發(fā)射極接地,三極管Q5的基極與集電極之間依次串聯(lián)電阻R10、穩(wěn)壓二極管D1、電阻R9和二極管D2,所述二極管D2的陽(yáng)極與三極管Q5的集電極連接,且二極管D2的陽(yáng)極與+5V電源端連接,穩(wěn)壓二極管D1的陽(yáng)極與電阻R10連接。
優(yōu)選的,所述ARM芯片,包括第一A/D轉(zhuǎn)換電路和第二A/D轉(zhuǎn)換電路,所述第一A/D轉(zhuǎn)換電路與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路連接,所述第二A/D轉(zhuǎn)換電路的輸入端與輸出電路連接。
優(yōu)選的,所述電阻R1的電阻值為100KΩ,所述電阻R2的電阻值為33KΩ,所述電阻R3的電阻值為100KΩ,所述電阻R4的電阻值為22KΩ,所述電阻R5的電阻值為2.2KΩ,所述電阻R6的電阻值為220Ω,所述電阻R7的電阻值為220Ω,所述電阻R8的電阻值為2.7KΩ,所述電阻R9的電阻值為10KΩ,所述電阻R10的電阻值為330Ω,所述電阻R11的電阻值為1KΩ。
優(yōu)選的,所述電容C1的電容值為100μF,所述電容C2的電容值為1μF,所述電容C3的電容值為220μF,所述電容C4的電容值為220μF,所述電容C5的電容值為2200μF,所述電容C6的電容值為3.3μF。
相比現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的有益效果在于:
ARM芯片根據(jù)接收的來(lái)自輸出電路的信號(hào),從而改變輸出掃頻信號(hào)控制一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路,調(diào)整輸入信號(hào)的頻帶,實(shí)現(xiàn)ARM芯片對(duì)不同輸入頻帶的信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并存儲(chǔ),最終通過(guò)比較找到干擾最小的頻帶。從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)掃描和鎖定干擾最小的頻率區(qū)域,避開干擾較強(qiáng)頻段。從而達(dá)到準(zhǔn)確的測(cè)量局部放電電量的目的。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的高壓電纜局部放電采集裝置的原理框圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的中頻濾波放大電路的電子電路圖。
具體實(shí)施方式
下面,結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式,對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
如圖1所示,一種高壓電纜局部放電采集裝置,包括,信號(hào)采集電路、高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路、輸出電路、一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路、二級(jí)本機(jī)振蕩電路和ARM芯片,信號(hào)采集電路的輸出信號(hào)依次經(jīng)高頻放大電路、第一級(jí)差頻電路、第一中頻濾波放大電路、第二級(jí)差頻電路、第二中頻濾波放大電路和輸出電路后輸出至ARM芯片,ARM芯片與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路雙向通信連接,一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路的輸出端與第一級(jí)差頻電路連接,二級(jí)本機(jī)振蕩電路與第二級(jí)差頻電路連接,第一中頻濾波放大電路如圖2所示,包括,三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4和三極管Q5,三極管Q2的基極和第一中頻濾波放大電路的輸入端之間串聯(lián)電容C2,三極管Q2的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R1、電阻R2、電阻R6、電容C3和電阻R8,電阻R1和電阻R2之間的節(jié)點(diǎn)與地之間串聯(lián)電容C1,三極管Q2基極和集電極之間依次串聯(lián)電阻R3和電阻R4,電阻R6和電容C3之間的節(jié)點(diǎn)與三極管Q1的基極之間串聯(lián)電阻R7,三極管Q1的基極與發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R7和電容C3,三極管Q1的基極與集電極之間依次川電阻R7和電阻R6,三極管Q3的基極與三極管Q2的集電極連接,三極管Q3的集電極與三極管Q1的基極連接,三極管Q3的基極和發(fā)射極之間依次串聯(lián)電阻R4和電容C4,三極管Q4的基極與三極管Q3的發(fā)射極連接,三極管Q4的基極與發(fā)射極之間串聯(lián)電阻R5,三極管Q4的集電極與三極管Q1的發(fā)射極連接,三極管Q1的發(fā)射極與三極管Q5的基極之間串聯(lián)電容C6,電容C5與電容C6并聯(lián),三極管Q1的集電極與+5V電源端連接,三極管Q5的基極與地之間連接電阻R11,三極管Q5的發(fā)射極接地,三極管Q5的基極與集電極之間依次串聯(lián)電阻R10、穩(wěn)壓二極管D1、電阻R9和二極管D2,二極管D2的陽(yáng)極與三極管Q5的集電極連接,且二極管D2的陽(yáng)極與+5V電源端連接,穩(wěn)壓二極管D1的陽(yáng)極與電阻R10連接。
優(yōu)選的,ARM芯片,包括第一A/D轉(zhuǎn)換電路和第二A/D轉(zhuǎn)換電路,第一A/D轉(zhuǎn)換電路與一級(jí)可變頻本機(jī)振蕩電路連接,第二A/D轉(zhuǎn)換電路的輸入端與輸出電路連接。
優(yōu)選的,電阻R1的電阻值為100KΩ,電阻R2的電阻值為33KΩ,電阻R3的電阻值為100KΩ,電阻R4的電阻值為22KΩ,電阻R5的電阻值為2.2KΩ,電阻R6的電阻值為220Ω,電阻R7的電阻值為220Ω,電阻R8的電阻值為2.7KΩ,電阻R9的電阻值為10KΩ,電阻R10的電阻值為330Ω,電阻R11的電阻值為1KΩ。
優(yōu)選的,電容C1的電容值為100μF,電容C2的電容值為1μF,電容C3的電容值為220μF,電容C4的電容值為220μF,電容C5的電容值為2200μF,電容C6的電容值為3.3μF。
信號(hào)采集電路采用電流互感器。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思,做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變,而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。