1.一種檢測(cè)裝置，其特征在于，包括檢測(cè)單元和提示單元，所述檢測(cè)單元與所述提示單元連接；
所述檢測(cè)單元用于對(duì)待測(cè)基板的表面進(jìn)行檢測(cè)，以形成檢測(cè)信號(hào)；
所述提示單元用于當(dāng)所述檢測(cè)信號(hào)大于或者等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)進(jìn)行提示。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)單元包括電荷模塊和信號(hào)模塊，所述電荷模塊負(fù)載電荷，所述電荷模塊與所述信號(hào)模塊連接；
所述電荷模塊用于在檢測(cè)過程之中與待測(cè)基板接觸時(shí)形成電荷變化量；
所述信號(hào)模塊用于根據(jù)所述電荷變化量形成檢測(cè)信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述提示單元包括比較模塊和提示模塊，所述比較模塊與所述提示模塊連接；
所述比較模塊用于將所述檢測(cè)信號(hào)與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較；
所述提示模塊用于當(dāng)比較結(jié)果為所述檢測(cè)信號(hào)大于或者等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)進(jìn)行提示。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電荷模塊負(fù)載正電荷；
所述電荷模塊用于在檢測(cè)過程之中與待測(cè)基板接觸時(shí)形成正電荷減少量；
所述信號(hào)模塊用于根據(jù)所述正電荷減少量形成信號(hào)衰減幅度；
所述提示單元用于當(dāng)所述信號(hào)衰減幅度大于或者等于預(yù)設(shè)幅度時(shí)進(jìn)行提示。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電荷模塊負(fù)載負(fù)電荷；
所述電荷模塊用于在檢測(cè)過程之中與待測(cè)基板接觸時(shí)形成負(fù)電荷減少量；
所述信號(hào)模塊用于根據(jù)所述負(fù)電荷減少量形成信號(hào)衰減幅度；
所述提示單元用于當(dāng)所述信號(hào)衰減幅度大于或者等于預(yù)設(shè)幅度時(shí)進(jìn)行提示。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括保護(hù)板，所述保護(hù)板的一端與所述電荷模塊連接，所述保護(hù)板的另一端與噴嘴結(jié)構(gòu)連接，所述電荷模塊與所述待測(cè)基板之間具有預(yù)設(shè)距離，所述保護(hù)板用于根據(jù)預(yù)設(shè)的不良允許范圍調(diào)整所述預(yù)設(shè)距離的大小。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電荷模塊為離子發(fā)生器，所述信號(hào)模塊為信號(hào)處理器，所述信號(hào)處理器設(shè)置在噴嘴結(jié)構(gòu)之內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述比較模塊為比較器，所述提示模塊為報(bào)警器。
9.一種檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括噴嘴結(jié)構(gòu)和權(quán)利要求1至8任一所述的檢測(cè)裝置，所述檢測(cè)單元設(shè)置在噴嘴結(jié)構(gòu)的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，還包括承載平臺(tái)，所述承載平臺(tái)設(shè)置在所述噴嘴結(jié)構(gòu)的下方，用于承載待測(cè)基板。