本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種檢測裝置和檢測系統(tǒng)。

背景技術：

在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的制造領域，Mura是影響產(chǎn)品良率和產(chǎn)能的重要制約因素。Photo制程作為Array工藝之中承上啟下的工序，由于制程本身的特殊性質，一旦產(chǎn)生Mura，受影響的產(chǎn)品數(shù)量會很多，因此造成的損失也會很大。Photo工序出現(xiàn)的眾多類型的Mura之中，Shell Mura的發(fā)生率最高而且影響很大。Photo工序的Shell Mura是由基板背面的顆粒造成的，基板在涂膠之前會進行真空吸附，如果基板背面具有顆粒，則會使此處基板發(fā)生凸起形變，導致涂膠不均勻，從而形成Shell Mura，最終造成顯示品質不良。

目前的Shell Mura監(jiān)控方式主要以抽查為主，查看方式為人眼觀看。上述監(jiān)控方式具有兩大缺陷：第一，抽查發(fā)現(xiàn)Shell Mura的時候，往往危險批次已經(jīng)有好幾個甚至十幾個以上，不具有及時性；第二，人眼觀看的查看方式具有隨機性和不準確性，容易發(fā)生誤判或者漏判。

技術實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本實用新型提供一種檢測裝置和檢測系統(tǒng)，至少部分解決現(xiàn)有技術檢測基板形變延遲高，容易發(fā)生誤判或者漏判的問題。

為此，本實用新型提供一種檢測裝置，包括檢測單元和提示單元，所述檢測單元與所述提示單元連接；

所述檢測單元用于對待測基板的表面進行檢測，以形成檢測信號；

所述提示單元用于當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。

可選的，所述檢測單元包括電荷模塊和信號模塊，所述電荷模塊負載電荷，所述電荷模塊與所述信號模塊連接；

所述電荷模塊用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成電荷變化量；

所述信號模塊用于根據(jù)所述電荷變化量形成檢測信號。

可選的，所述提示單元包括比較模塊和提示模塊，所述比較模塊與所述提示模塊連接；

所述比較模塊用于將所述檢測信號與預設閾值進行比較；

所述提示模塊用于當比較結果為所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。

可選的，所述電荷模塊負載正電荷；

所述電荷模塊用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成正電荷減少量；

所述信號模塊用于根據(jù)所述正電荷減少量形成信號衰減幅度；

所述提示單元用于當所述信號衰減幅度大于或者等于預設幅度時進行提示。

可選的，所述電荷模塊負載負電荷；

所述電荷模塊用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成負電荷減少量；

所述信號模塊用于根據(jù)所述負電荷減少量形成信號衰減幅度；

所述提示單元用于當所述信號衰減幅度大于或者等于預設幅度時進行提示。

可選的，還包括保護板，所述保護板的一端與所述電荷模塊連接，所述保護板的另一端與噴嘴結構連接，所述電荷模塊與所述待測基板之間具有預設距離，所述保護板用于根據(jù)預設的不良允許范圍調整所述預設距離的大小。

可選的，所述電荷模塊為離子發(fā)生器，所述信號模塊為信號處理器，所述信號處理器設置在噴嘴結構之內。

可選的，所述比較模塊為比較器，所述提示模塊為報警器。

本實用新型還提供一種檢測系統(tǒng)，包括噴嘴結構和上述任一檢測裝置，所述檢測單元設置在噴嘴結構的一側。

可選的，還包括承載平臺，所述承載平臺設置在所述噴嘴結構的下方，用于承載待測基板。

本實用新型具有下述有益效果：

本實用新型提供的檢測裝置和檢測系統(tǒng)之中，所述檢測裝置包括檢測單元和提示單元，所述檢測單元與所述提示單元連接；所述檢測單元用于對待測基板的表面進行檢測，以形成檢測信號；所述提示單元用于當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。本實用新型提供的技術方案根據(jù)待測基板的表面形成檢測信號，將所述檢測信號與預設閾值進行比較，根據(jù)比較結果進行提示，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。因此，本實用新型提供的技術方案檢測待測基板的形變具有及時性，避免了出現(xiàn)誤判或者漏判，減輕了人工負擔。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例一提供的一種檢測裝置的結構示意圖；

圖2為圖1所示檢測裝置的具體結構示意圖；

圖3為檢測信號與預設閾值的比較示意圖；

圖4為本實用新型實施例二提供的一種檢測系統(tǒng)的結構示意圖；

圖5為圖4所示檢測系統(tǒng)的檢測示意圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面結合附圖對本實用新型提供的檢測裝置和檢測系統(tǒng)進行詳細描述。

實施例一

圖1為本實用新型實施例一提供的一種檢測裝置的結構示意圖。如圖1所示，所述檢測裝置包括檢測單元101和提示單元102，所述檢測單元101與所述提示單元102連接。所述檢測單元101用于對待測基板的表面進行檢測，以形成檢測信號；所述提示單元102用于當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。本實施例提供的技術方案根據(jù)待測基板的表面形成檢測信號，將所述檢測信號與預設閾值進行比較，根據(jù)比較結果進行提示，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。因此，本實施例提供的技術方案檢測待測基板的形變具有及時性，避免了出現(xiàn)誤判或者漏判，減輕了人工負擔。

圖2為圖1所示檢測裝置的具體結構示意圖。如圖2所示，所述檢測單元101包括電荷模塊103和信號模塊104，所述電荷模塊103負載電荷，所述電荷模塊103與所述信號模塊104連接。所述電荷模塊103用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成電荷變化量，所述信號模塊104用于根據(jù)所述電荷變化量形成檢測信號。所述電荷模塊103設置在噴嘴結構的一側，當待測基板下存在顆粒物時，該位置的基板表面會出現(xiàn)凸起。當噴嘴結構進行涂膠工藝時，所述電荷模塊103會與凸起部位接觸，從而發(fā)生電荷轉移。所述信號模塊104根據(jù)所述電荷模塊103的電荷變化量形成檢測信號，所述提示單元102根據(jù)所述檢測信號產(chǎn)生報警，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。正常情況下，待測基板下沒有顆粒物時，所述電荷模塊103不會與基板表面接觸，因此所述提示單元102不會產(chǎn)生報警。可選的，所述電荷模塊103為離子發(fā)生器，所述信號模塊104為信號處理器，所述信號處理器設置在噴嘴結構之內。在實際應用之中，所述噴嘴結構包括噴嘴和噴嘴載體，所述噴嘴固定設置在所述噴嘴載體的下方，所述信號處理器設置在所述噴嘴載體之內。

參見圖2，所述提示單元102包括比較模塊105和提示模塊106，所述比較模塊105與所述提示模塊106連接。所述比較模塊105用于將所述檢測信號與預設閾值進行比較，所述提示模塊106用于當比較結果為所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。當待測基板下存在顆粒物時，該位置的基板表面會出現(xiàn)凸起。在噴嘴的涂膠工藝之中，所述電荷模塊103會與凸起部位接觸，從而發(fā)生電荷轉移。所述信號模塊104根據(jù)所述電荷模塊103的電荷變化量形成檢測信號。圖3為檢測信號與預設閾值的比較示意圖。如圖3所示，所述比較模塊105將檢測信號與預設閾值進行比較，當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時，所述提示模塊106產(chǎn)生報警，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。可選的，所述比較模塊105為比較器，所述提示模塊106為報警器。

本實施例中，所述電荷模塊103負載正電荷，所述電荷模塊103用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成正電荷減少量，所述信號模塊104用于根據(jù)所述正電荷減少量形成信號衰減幅度，所述提示單元用于當所述信號衰減幅度大于或者等于預設幅度時進行提示。當待測基板下存在顆粒物時，該位置的基板表面會出現(xiàn)凸起。在噴嘴的涂膠工藝之中，所述電荷模塊103會與凸起部位接觸，從而發(fā)生正電荷的轉移，以形成正電荷減少量。所述信號模塊104根據(jù)所述正電荷減少量形成信號衰減幅度，所述提示單元102根據(jù)所述信號衰減幅度產(chǎn)生報警，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。正常情況下，待測基板下沒有顆粒物時，所述電荷模塊103不會與基板表面接觸，因此所述提示單元102不會產(chǎn)生報警。

本實施例中，所述電荷模塊103負載負電荷，所述電荷模塊103用于在檢測過程之中與待測基板接觸時形成負電荷減少量，所述信號模塊104用于根據(jù)所述負電荷減少量形成信號衰減幅度，所述提示單元102用于當所述信號衰減幅度大于或者等于預設幅度時進行提示。所述電荷模塊103攜帶負電荷與所述電荷模塊103攜帶正電荷的情況相同，此處不再贅述。

當然，待測基板也可以攜帶電荷。例如，所述待測基板攜帶正電荷，所述電荷模塊103攜帶負電荷?？蛇x的，所述待測基板攜帶負電荷，所述電荷模塊103攜帶正電荷。針對不同的待測基板攜帶的電量不同，本實施例提供的檢測裝置可以調節(jié)所述提示模塊106的預設閾值，以實現(xiàn)分類管控，從而避免靈敏度低或者誤報警的情況發(fā)生。

本實施例中，所述檢測裝置還包括保護板，所述保護板的一端與所述電荷模塊103連接，所述保護板的另一端與噴嘴結構連接。可選的，所述電荷模塊103與所述待測基板之間具有預設距離，所述保護板用于根據(jù)預設的不良允許范圍調整所述預設距離的大小。本實施例根據(jù)預設的不良允許范圍設置所述電荷模塊103與所述待測基板之間的距離，從而實現(xiàn)分層管控。例如，源漏金屬層需要管控造成Mura的顆粒物尺寸在30um以下，而ITO透明電極層需要管控顆粒物尺寸在60um以下。此時，可以通過調整電荷模塊103的高度來實現(xiàn)預設的不良允許范圍，從而實現(xiàn)對不同工藝層別的基板進行分層管控。

本實施例提供的檢測裝置包括檢測單元和提示單元，所述檢測單元與所述提示單元連接；所述檢測單元用于對待測基板的表面進行檢測，以形成檢測信號；所述提示單元用于當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。本實施例提供的技術方案根據(jù)待測基板的表面形成檢測信號，將所述檢測信號與預設閾值進行比較，根據(jù)比較結果進行提示，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。因此，本實施例提供的技術方案檢測待測基板的形變具有及時性，避免了出現(xiàn)誤判或者漏判，減輕了人工負擔。

實施例二

圖4為本實用新型實施例二提供的一種檢測系統(tǒng)的結構示意圖。如圖4所示，所述檢測系統(tǒng)包括噴嘴結構201和實施例一提供的檢測裝置，所述檢測單元設置在噴嘴結構的一側，關于檢測裝置的具體內容可參照實施例一的描述，此處不再贅述。

參見圖1和圖2，所述檢測裝置包括檢測單元101和提示單元102，所述檢測單元101與所述提示單元102連接。所述檢測單元101包括電荷模塊103和信號模塊104，所述電荷模塊103負載電荷，所述電荷模塊103與所述信號模塊104連接。所述提示單元102包括比較模塊105和提示模塊106，所述比較模塊105與所述提示模塊106連接。可選的，所述電荷模塊103為離子發(fā)生器，所述信號模塊104為信號處理器，所述比較模塊105為比較器，所述提示模塊106為報警器。

參見圖4，離子發(fā)生器202設置在保護板203的一端，保護板203的另一端與噴嘴結構201連接，信號處理器207設置在噴嘴結構201之內?？蛇x的，所述噴嘴結構201包括噴嘴301和噴嘴載體302，所述噴嘴301固定設置在所述噴嘴載體302的下方，所述信號處理器207設置在所述噴嘴載體302之內。當基板204下存在顆粒物205時，該位置的基板表面會出現(xiàn)凸起。圖5為圖4所示檢測系統(tǒng)的檢測示意圖。如圖5所示，當噴嘴301向基板204涂布光刻膠206時，所述離子發(fā)生器202會與凸起部位接觸，從而發(fā)生電荷轉移。所述信號處理器207根據(jù)所述離子發(fā)生器202的電荷變化量形成檢測信號，所述報警器根據(jù)所述檢測信號產(chǎn)生報警，從而可以在第一時間檢測出基板204的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。

參見圖4和圖5，所述檢測系統(tǒng)還包括承載平臺208，所述承載平臺208設置在所述噴嘴結構201的下方，用于承載基板204?？蛇x的，所述離子發(fā)生器202與所述基板204之間具有預設距離，所述保護板203根據(jù)預設的不良允許范圍調整所述預設距離的大小。本實施例根據(jù)預設的不良允許范圍設置所述離子發(fā)生器202與所述承載平臺208之間的距離，從而實現(xiàn)分層管控。因此，可以通過調整離子發(fā)生器202的高度來實現(xiàn)預設的不良允許范圍，從而實現(xiàn)對不同工藝層別的基板進行分層管控。

本實施例提供的檢測系統(tǒng)之中，所述檢測裝置包括檢測單元和提示單元，所述檢測單元與所述提示單元連接；所述檢測單元用于對待測基板的表面進行檢測，以形成檢測信號；所述提示單元用于當所述檢測信號大于或者等于預設閾值時進行提示。本實施例提供的技術方案根據(jù)待測基板的表面形成檢測信號，將所述檢測信號與預設閾值進行比較，根據(jù)比較結果進行提示，從而可以在第一時間檢測出待測基板的形變，以避免由此產(chǎn)生的Shell Mura風險，從而將生產(chǎn)損失降至最低，有效提升了實際產(chǎn)量和產(chǎn)品良率。因此，本實施例提供的技術方案檢測待測基板的形變具有及時性，避免了出現(xiàn)誤判或者漏判，減輕了人工負擔。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。