1.一種鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：包括離子遷移譜主機(jī)(1)、鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)、支架(4)、金屬夾(5)和電源線(6)；所述離子遷移譜主機(jī)(1)包括電噴霧進(jìn)樣口，在所述電噴霧進(jìn)樣口處設(shè)置有透鏡，所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)的前端設(shè)置在靠近所述透鏡之處，所述支架(4)的前端設(shè)置有固定部(2)，所述固定部(2)與所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)相連，所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)的后端與所述金屬夾(5)相連，所述金屬夾(5)通過所述電源線(6)與所述離子遷移譜主機(jī)(1)的高壓輸出接口相連；所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)由硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管和設(shè)置在其外壁上的膜層構(gòu)成，所述膜層為金屬材料；所述固定部(2)為中空圓柱形結(jié)構(gòu)或開口向上的半圓形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述金屬材料為高純金，所述膜層的厚度為30～40nm，方阻為30歐姆每平方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述金屬材料為銀，所述膜層的厚度為30～40nm，方阻為30歐姆每平方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述金屬材料為鉑，所述膜層的厚度為21～28nm，方阻為32歐姆每平方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置還包括安全聯(lián)鎖裝置(7)，所述安全聯(lián)鎖裝置(7)設(shè)置在所述離子遷移譜主機(jī)(1)上，并靠近所述電噴霧進(jìn)樣口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)的前端與所述透鏡之間的距離為3～5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜導(dǎo)電毛細(xì)管噴霧離子化裝置，其特征在于：所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)的長度為5cm，前端即尖端的內(nèi)徑為5～15μm，所述鍍膜硼硅酸鹽玻璃毛細(xì)管(3)的后端外徑為1.5mm，內(nèi)徑為0.86mm。