亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

IGBT模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置及測(cè)量方法與流程

文檔序號(hào):11431450閱讀:1550來(lái)源:國(guó)知局
IGBT模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置及測(cè)量方法與流程

本發(fā)明涉及一種測(cè)量裝置,具體涉及一種igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置,屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

igbt模塊廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)。igbt模塊由igbt芯片和封裝兩部分組成,封裝存在一定的寄生電感,影響igbt芯片的安全工作裕量。目前關(guān)于igbt內(nèi)部封裝寄生電感提取的研究相對(duì)較少,常規(guī)的方法是采用有限元分析仿真,然而該方法只能估算出igbt出廠時(shí)的寄生電感參數(shù),是基于仿真參數(shù)的,與實(shí)際存在一定的誤差。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明正是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題,提供一種igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置,該裝置能夠有效評(píng)估在igbt模塊關(guān)斷暫態(tài),內(nèi)部封裝寄生參數(shù)的感應(yīng)電壓,根據(jù)寄生電感兩端的電壓和電流計(jì)算出封裝的雜散電感,更切合實(shí)際,可以用來(lái)評(píng)估igbt安全裕量,同時(shí)也可以驗(yàn)證igbt模塊設(shè)計(jì),對(duì)半導(dǎo)體廠商和igbt應(yīng)用方具有一定的意義。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下,一種igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置,其特征在于,所述測(cè)量裝置包括電源裝置、待測(cè)igbt模塊、電流探頭、電壓探頭、示波器、脈沖觸發(fā)裝置,可控開(kāi)關(guān)s1、s2、s3、直流電容c1、直流泄放電阻r1、負(fù)載電感l(wèi)1和續(xù)流二極管d1,所述可控開(kāi)關(guān)s2和直流泄放電阻r1串聯(lián),并與直流電容c1并聯(lián),續(xù)流二極管d1、可控開(kāi)關(guān)s3與待測(cè)igbt模塊串聯(lián),脈沖觸發(fā)裝置連接可控開(kāi)關(guān)s3,負(fù)載電感l(wèi)1并聯(lián)在續(xù)流二極管d1的兩側(cè),所述電源裝置的正極與可控開(kāi)關(guān)s1的一端相連,可控開(kāi)關(guān)s1的另一端與直流電容c1正極、可控開(kāi)關(guān)s2的一端相連,所述可控開(kāi)關(guān)s2的另一端與直流泄放電阻r1的一端相連,直流泄放電阻r1的另一端與直流電容c1的負(fù)極、電源裝置的負(fù)極相連,所述直流電容c1與igbt模塊集電極功率端子相連,igbt模塊發(fā)射極功率端子與續(xù)流二極管陰極相連,負(fù)載電感l(wèi)并接在續(xù)流二極管兩端,所述續(xù)流二極管陽(yáng)極與可控開(kāi)關(guān)s3一端相連,可控開(kāi)關(guān)s3與直流電容c1的負(fù)極相連,所述電流探頭繞在igbt模塊集電極功率端子上,所述電壓探頭并接在igbt模塊集電極與發(fā)射極功率端子上。電流探頭和電壓探頭為商用探頭,采用同軸電纜,與示波器配套使用。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn),所述可控開(kāi)關(guān)s1和s2設(shè)置為機(jī)械開(kāi)關(guān)或者為電子開(kāi)關(guān)。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn),所述機(jī)械開(kāi)關(guān)為接觸器,刀閘;所述電子開(kāi)關(guān)為igbt,mosfet。

作為本發(fā)明的一種改進(jìn),所述電壓、電流探頭為高帶寬探頭,帶寬在10mhz以上。

igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置的測(cè)量方法,所述測(cè)量方法如下:測(cè)量開(kāi)始之前確保s1、s2、s3斷開(kāi),待測(cè)igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài),即門(mén)極電壓為+15v;

1)s1閉合c1充電,待電壓穩(wěn)定后進(jìn)行測(cè)量;

2)以關(guān)斷暫態(tài)為例進(jìn)行測(cè)量,需要對(duì)s3進(jìn)行單脈沖觸發(fā),讀取示波器上s3關(guān)斷暫態(tài)的電壓與電流波形,設(shè)置電流開(kāi)始下降為90%的時(shí)刻為t1,電流下降到10%的時(shí)刻為t2,基于開(kāi)通測(cè)量原理的方法,要對(duì)s3進(jìn)行雙脈沖觸發(fā)讀取s3第二次開(kāi)通暫態(tài)的電壓與電流波形,設(shè)電流開(kāi)始上升至穩(wěn)定值的10%的時(shí)刻為t3,電流上升至穩(wěn)定值的90%的時(shí)刻為t4;

3)示波器波形采集完成后,采用示波器的積分功能,對(duì)電壓u(t)進(jìn)行積分運(yùn)算,基于關(guān)斷暫態(tài)測(cè)量方法的積分時(shí)間為t1與t2,基于開(kāi)通暫態(tài)測(cè)量時(shí)間為t3與t4,同時(shí)記錄兩個(gè)時(shí)刻的電流值,設(shè)為i(t1)、i(t2),或i(t3)、i(t4),以關(guān)斷暫態(tài)為例,按照公式即可求出igbt模塊內(nèi)部雜散電感;

4)測(cè)量完成后,為了保證人員安全,需要將s2開(kāi)關(guān)閉合,將直流電容c1上的能量泄放完。作為本發(fā)明的一種改進(jìn),所述對(duì)電壓u(t):進(jìn)行積分運(yùn)算如下得到即igbt模塊內(nèi)部雜散電感。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn),1)該技術(shù)方案整體設(shè)計(jì)巧妙、結(jié)構(gòu)緊湊;其測(cè)量平臺(tái)容易搭建;2)采用該方法能夠精確測(cè)量功率電子設(shè)備的寄生電感。對(duì)于分析電力電子領(lǐng)域igbt過(guò)壓以及評(píng)估igbt安全工作區(qū)有重要意義。

附圖說(shuō)明

圖1是igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置整體結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為定義被測(cè)電感電壓和電流方向;

圖3測(cè)量電壓電流波形;

圖4為igbt內(nèi)部寄生電感測(cè)量示意圖;

圖5為雜散電感測(cè)量脈沖觸發(fā)示意圖。

具體實(shí)施方式:

為了加深對(duì)本發(fā)明的理解,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例1:參見(jiàn)圖1、圖2,一種igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置,所述測(cè)量裝置包括電源裝置、待測(cè)igbt模塊、電流探頭、電壓探頭、示波器、脈沖觸發(fā)裝置,可控開(kāi)關(guān)s1、s2、s3、直流電容c1、直流泄放電阻r1、負(fù)載電感l(wèi)1和續(xù)流二極管d1,所述可控開(kāi)關(guān)s2和直流泄放電阻r1串聯(lián),并與直流電容c1并聯(lián),續(xù)流二極管d1、可控開(kāi)關(guān)s3與待測(cè)igbt模塊串聯(lián),脈沖觸發(fā)裝置連接可控開(kāi)關(guān)s3,負(fù)載電感l(wèi)1并聯(lián)在續(xù)流二極管d1的兩側(cè),所述電源裝置的正極與可控開(kāi)關(guān)s1的一端相連,可控開(kāi)關(guān)s1的另一端與直流電容c1正極、可控開(kāi)關(guān)s2的一端相連,所述可控開(kāi)關(guān)s2的另一端與直流泄放電阻r1的一端相連,直流泄放電阻r1的另一端與直流電容c1的負(fù)極、電源裝置的負(fù)極相連,所述直流電容c1與igbt模塊集電極功率端子相連,igbt模塊發(fā)射極功率端子與續(xù)流二極管陰極相連,負(fù)載電感l(wèi)并接在續(xù)流二極管兩端,所述續(xù)流二極管陽(yáng)極與可控開(kāi)關(guān)s3一端相連,可控開(kāi)關(guān)s3與直流電容c1的負(fù)極相連,所述電流探頭繞在igbt模塊集電極功率端子上,所述電壓探頭并接在igbt模塊集電極與發(fā)射極功率端子上。電流探頭和電壓探頭為商用探頭,采用同軸電纜,與示波器配套使用。所述可控開(kāi)關(guān)s1和s2設(shè)置為機(jī)械開(kāi)關(guān)或者為電子開(kāi)關(guān);所述機(jī)械開(kāi)關(guān)為接觸器,刀閘;所述電子開(kāi)關(guān)為igbt,mosfet;所述電壓、電流探頭為高帶寬探頭,帶寬在10mhz以上。

實(shí)施例2:參見(jiàn)圖1、圖2,igbt模塊內(nèi)部雜散電感測(cè)量裝置的測(cè)量方法,所述測(cè)量方法如下:測(cè)量開(kāi)始之前確保s1、s2、s3斷開(kāi),待測(cè)igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài),即門(mén)極電壓為+15v;

1)s1閉合c1充電,待電壓穩(wěn)定后進(jìn)行測(cè)量;

2)以關(guān)斷暫態(tài)為例進(jìn)行測(cè)量,需要對(duì)s3進(jìn)行單脈沖觸發(fā),讀取示波器上s3關(guān)斷暫態(tài)的電壓與電流波形,設(shè)置電流開(kāi)始下降為90%的時(shí)刻為t1,電流下降到10%的時(shí)刻為t2基于開(kāi)通測(cè)量原理的方法,要對(duì)s3進(jìn)行雙脈沖觸發(fā)讀取s3第二次開(kāi)通暫態(tài)的電壓與電流波形,設(shè)電流開(kāi)始上升至穩(wěn)定值的10%的時(shí)刻為t3,電流上升至穩(wěn)定值的90%的時(shí)刻為t4;

3)示波器波形采集完成后,采用示波器的積分功能,對(duì)電壓u(t)進(jìn)行積分運(yùn)算,基于關(guān)斷暫態(tài)測(cè)量方法的積分時(shí)間為t1與t2,基于開(kāi)通暫態(tài)測(cè)量時(shí)間為t3與t4,同時(shí)記錄兩個(gè)時(shí)刻的電流值,設(shè)為i(t1)、i(t2),或i(t3)、i(t4),以關(guān)斷暫態(tài)為例,按照公式即可求出igbt模塊內(nèi)部雜散電感;

4)測(cè)量完成后,為了保證人員安全,需要將s2開(kāi)關(guān)閉合,將直流電容c1上的能量泄放完。

該技術(shù)方案中,雜散電感測(cè)量原理是基于電感電壓積分法。由于雜散電感在高頻下主要取決于導(dǎo)體外電感,趨于恒定。雜散電感上的電壓取決于電流的變化率,滿足式

對(duì)公式(1)進(jìn)行定積分求解,求出雜散電感,其中t1-t2對(duì)應(yīng)igbt開(kāi)通或關(guān)斷暫態(tài)過(guò)程。

關(guān)斷暫態(tài)測(cè)量方法,按照?qǐng)D2所示定義被測(cè)對(duì)象的電壓和電流方向,電流方向從a指向b,電壓方向b端正,a端為負(fù)。當(dāng)電流由于回路中的開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)致電流i暫態(tài)減小時(shí),電感上的電流和電壓方向如圖2所示。采用示波器的積分功能對(duì)電壓波形u(t)進(jìn)行積分運(yùn)算,根據(jù)公式(2)就可以求出電感的取值。

以關(guān)斷暫態(tài)為例測(cè)量某半導(dǎo)體廠商igbt,開(kāi)關(guān)暫態(tài)在i(t1)和i(t2)的電流分別為655a和10a,其中測(cè)量電壓在t1-t2時(shí)間段的積分為:則igbt模塊內(nèi)部雜散電感

需要說(shuō)明的是上述實(shí)施例,并非用來(lái)限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上所作出的等同變換或替代均落入本發(fā)明權(quán)利要求所保護(hù)的范圍。

當(dāng)前第1頁(yè)1 2 
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1