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一種深水氣井地面關(guān)井階段天然氣水合物生長(zhǎng)模擬裝置的制作方法

文檔序號(hào):12713731閱讀:389來源:國(guó)知局
一種深水氣井地面關(guān)井階段天然氣水合物生長(zhǎng)模擬裝置的制作方法

本發(fā)明涉及深水氣井勘探開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及深水氣井測(cè)試過程中關(guān)井階段天然氣水合物生長(zhǎng)模擬裝置。



背景技術(shù):

天然氣水合物是由天然氣和水在高于冰點(diǎn)的低溫和一定壓力條件下形成的一種外觀像冰但晶體結(jié)構(gòu)卻與冰不同的籠型化合物。其中,水分子借助氫鍵形成主體結(jié)晶網(wǎng)絡(luò),晶格中的孔穴內(nèi)充滿輕烴(甲烷、乙烷、丙烷、異丁烷)或非輕烴(氮?dú)?、二氧化碳和硫化?分子,即所謂的客體分子。

在深水氣井勘探開發(fā)過程中,主要形成的是以甲烷CH4為客體分子的甲烷水合物。其形成需要經(jīng)歷成核和生長(zhǎng)兩個(gè)階段,水合物在成核后,只有在條件合適的情況下才會(huì)繼續(xù)生長(zhǎng),否則生長(zhǎng)過程不會(huì)繼續(xù)進(jìn)行。所述合適的生長(zhǎng)條件為:水合物核周圍的溶液處于過飽和狀態(tài),周圍環(huán)境具有適宜的低溫高壓條件和良好的散熱條件,同時(shí)氣液接觸面積足夠大,有利于物質(zhì)傳遞?,F(xiàn)階段的諸多研究已經(jīng)證明,在深水氣井測(cè)試過程中初開井階段和關(guān)井階段是水合物形成堵塞風(fēng)險(xiǎn)最大的兩個(gè)階段。

目前深水氣井的測(cè)試工作是從避免水合物形成的角度出發(fā)制定的,而并未考慮水合物生長(zhǎng)的過程。但是實(shí)際測(cè)試過程中,只有當(dāng)水合物生長(zhǎng)到一定程度才會(huì)影響測(cè)試工作的進(jìn)行,并給后續(xù)的鉆進(jìn)、開采等工作帶來極大的麻煩。因此,如果能夠針對(duì)深水氣井關(guān)井期間水合物生長(zhǎng)情況提供一套合理的模擬方法和裝置,將對(duì)測(cè)試工作制度的制定具有一定的參考意義,有利于提高經(jīng)濟(jì)效益,降低安全隱患。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)上述深水氣井開發(fā)中存在的問題,本發(fā)明提供一種深水氣井測(cè)試過程中關(guān)井階段水合物生長(zhǎng)模擬裝置。利用該裝置可以模擬深水氣井測(cè)試地面關(guān)井過程中水合物的生長(zhǎng)情況,得到不同含水率、溫度、壓力等條件下水合物生長(zhǎng)規(guī)律,從而用于研究深水氣井測(cè)試“二開二關(guān)”生產(chǎn)制度的可行性,為合理地制定工作制度提供參考。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下:

一種深水氣井測(cè)試過程中地面關(guān)井階段水合物生長(zhǎng)模擬裝置,由反應(yīng)管柱、恒溫控制系統(tǒng)、天然氣供氣系統(tǒng)、天然氣增壓系統(tǒng)、供液系統(tǒng)、排泄系統(tǒng)、參數(shù)監(jiān)測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)終端組成;其中:

所述反應(yīng)管柱為水和天然氣反應(yīng)提供場(chǎng)所,其下端分別與所述供液系統(tǒng)、所述天然氣增壓系統(tǒng)管道連接;所述天然氣增壓系統(tǒng)與所述天然氣供氣系統(tǒng)管道連接;所述反應(yīng)管柱的上端與所述排泄系統(tǒng)管道連接;

所述天然氣供氣系統(tǒng)用于向反應(yīng)管柱內(nèi)注入天然氣;

所述天然氣增壓系統(tǒng)用于增壓所述天然氣供氣系統(tǒng)提供的天然氣,及將反應(yīng)管柱抽真空;

所述供液系統(tǒng)用于向反應(yīng)管柱內(nèi)注入液體,并維持反應(yīng)管柱內(nèi)液面高度;

所述排液系統(tǒng)用于排泄反應(yīng)結(jié)束后的天然氣和液體;

所述恒溫控制系統(tǒng)包括設(shè)置于所述反應(yīng)管柱上的局部溫度控制裝置、內(nèi)置反應(yīng)管柱的第一溫控槽、及內(nèi)置所述供液系統(tǒng)和所述天然氣供氣系統(tǒng)的第二溫控槽;所述恒溫控制系統(tǒng)用于控制反應(yīng)管柱的溫度梯度和整體溫度,及供液系統(tǒng)和天然氣供氣系統(tǒng)的溫度;

所述參數(shù)監(jiān)測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通過設(shè)置于各待測(cè)系統(tǒng)的傳感器將數(shù)據(jù)傳送至計(jì)算機(jī)終端。

通過上述各系統(tǒng)的相互配合,可以最大程度模擬深水氣井測(cè)試過程中地面關(guān)井階段的水合物生長(zhǎng)情況,從而得到不同含水率、溫度、壓力等條件下水合物生長(zhǎng)規(guī)律,有利于研究深水氣井測(cè)試“二開二關(guān)”生產(chǎn)制度的可行性,為合理地制定工作制度提供參考。

下面針對(duì)各系統(tǒng)做詳細(xì)說明:

所述反應(yīng)管柱包括兩種:一種是采用能夠承受至少30MPa壓力的不銹鋼材料制成的反應(yīng)管柱;另一種是采用能夠承受至少10MPa壓力的藍(lán)寶石或者高強(qiáng)度玻璃制成的可視化反應(yīng)管柱。

所述反應(yīng)管柱上下兩端均安裝有法蘭,下端法蘭堵頭設(shè)一個(gè)接口,所述接口分別與所述天然氣增壓系統(tǒng)、供液系統(tǒng)相連。

所述反應(yīng)管柱釜體上留有用于安裝各類傳感器的位置??梢暬磻?yīng)管柱側(cè)面安置一個(gè)攝像機(jī)對(duì)反應(yīng)管柱內(nèi)的水合物生長(zhǎng)情況進(jìn)行拍攝記錄,并將影像信息傳輸給計(jì)算機(jī)。不銹鋼材質(zhì)制成的反應(yīng)管柱則通過水合物厚度測(cè)量傳感器測(cè)量水合物層生長(zhǎng)厚度,通過計(jì)算機(jī)記錄水合物生長(zhǎng)數(shù)據(jù)。反應(yīng)管柱主要為水合物生成提供場(chǎng)所,生成的水合物會(huì)附著在反應(yīng)管柱壁上。

所述恒溫控制系統(tǒng)主要包含有兩個(gè)溫控槽及一個(gè)安置在反應(yīng)管柱上的局部溫度控制裝置。

所述溫控槽中一個(gè)用于調(diào)節(jié)控制注入反應(yīng)管柱內(nèi)的水和天然氣溫度,一個(gè)用于控制反應(yīng)管柱的整體環(huán)境溫度。

所述局部溫度控制裝置用于調(diào)節(jié)反應(yīng)管柱內(nèi)不同位置的溫度使其模擬深水測(cè)試過程中測(cè)試管柱內(nèi)溫度場(chǎng)分布,從而控制水合物生長(zhǎng)速度、控制水蒸發(fā)速度。所述溫度分布場(chǎng)并不是單一遞增或單一遞減的溫度梯度,而是分成兩段(即從海平面到泥線溫度遞減,從泥線到氣藏深度溫度遞增)。所述局部溫度控制裝置通過兩段溫度調(diào)節(jié)來實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度分布場(chǎng)的模擬,首先通過溫控槽降低反應(yīng)管柱的整體管柱溫度,然后對(duì)管柱局部位置進(jìn)行加熱,改變管柱溫度場(chǎng)分布,模擬現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況。針對(duì)不通氣藏、不同海洋,可能會(huì)有不同的溫度,因此,所述局部溫度控制裝置可調(diào)節(jié)的溫度范圍在0-90℃之間。

所述天然氣供氣系統(tǒng)用于向反應(yīng)管柱內(nèi)注入實(shí)驗(yàn)天然氣氣體,主要包括一個(gè)氣罐和一個(gè)進(jìn)氣閥;

所述天然氣增壓系統(tǒng)主要包括一個(gè)增壓泵和一個(gè)真空泵。所述增壓泵用于增壓來自于所述天然氣供氣系統(tǒng)輸出的天然氣并調(diào)整反應(yīng)管柱內(nèi)反應(yīng)壓力。所述天然氣供氣系統(tǒng)中輸出的氣體首先經(jīng)過所述天然氣增壓系統(tǒng)的增壓泵增壓再注入反應(yīng)管柱中。所述真空泵用于在氣體注入之前將反應(yīng)管柱內(nèi)抽至真空狀態(tài)。

所述供液系統(tǒng)主要包括一個(gè)進(jìn)液閥、一個(gè)電動(dòng)泵及一個(gè)供水罐。所述供液系統(tǒng)用于給反應(yīng)管柱內(nèi)提供液體,維持反應(yīng)管柱內(nèi)液面高度。

所述排泄系統(tǒng)主要包括有一個(gè)排泄閥和一個(gè)泄水罐。

所述參數(shù)監(jiān)測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括一個(gè)氣體流量計(jì)、一個(gè)液體流量計(jì)、一個(gè)液體溫度傳感器、四個(gè)溫度傳感器、兩個(gè)氣體壓力傳感器、一個(gè)水合物層超聲波厚度傳感器、一個(gè)濕度計(jì)。所述參數(shù)監(jiān)測(cè)及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)用于監(jiān)測(cè)反應(yīng)管柱內(nèi)氣體和液體消耗情況、溫度壓力濕度變化情況、反應(yīng)管柱內(nèi)壁上水合物層的厚度、反應(yīng)時(shí)間等參數(shù)并采集傳輸給計(jì)算機(jī)終端。

本發(fā)明中所有管道連接方式均采用抗高壓不銹鋼管線。

本發(fā)明還進(jìn)一步提供了利用上述模擬裝置判斷水合物形成風(fēng)險(xiǎn)程度的方法:在反應(yīng)管柱內(nèi),水合物以貼壁方式生長(zhǎng),并以水合物層的形式逐漸增厚。水合物層優(yōu)先在管柱內(nèi)模擬泥線處的部位生長(zhǎng),管柱各個(gè)部位水合物貼壁生長(zhǎng)速度不同。如果在關(guān)井時(shí)間內(nèi),水合物層生長(zhǎng)并徹底堵塞井筒,則該溫度壓力條件下,不適宜使用地面關(guān)井形式,應(yīng)盡量減少開關(guān)井次數(shù),根據(jù)實(shí)際情況采取水合物抑制措施。如果水合物層形成一定厚度但尚未堵塞整個(gè)管柱,可以根據(jù)再次開井后的情況來判斷是否構(gòu)成堵塞風(fēng)險(xiǎn)。具體判斷方法如下:

假設(shè)管壁水合物厚度為d,則該處氣體流動(dòng)剖面半徑為R=(L-2d)/2,氣體流動(dòng)速度為:

式中L為井筒直徑,m;Q為氣體流量,m3/d。

則壁面水合物顆粒所受合力為:

F=Ff-Gcosθ-Fc

將重力、拖曳力等代入可得

當(dāng)水合物顆粒處于受力平衡臨界狀態(tài)時(shí),合力F=0,則有

此時(shí)氣體流動(dòng)截面半徑為:

此時(shí)水合物厚度

當(dāng)R>r時(shí),表明隨著氣體流態(tài)面積減小,再次開井定產(chǎn)量Q情況下,井筒內(nèi)氣體流速增加,對(duì)應(yīng)拖曳力增加,井筒內(nèi)水合物無法形成凝聚堵塞。

當(dāng)R<r時(shí),表明在該開井產(chǎn)量下拖曳力無法將水合物攜帶至井口,會(huì)在井筒內(nèi)形成堵塞。

本發(fā)明所述方案的技術(shù)效果在于:

(1)利用雙重溫度控制系統(tǒng),包括溫控槽和局部溫度控制裝置模擬關(guān)井期間井筒內(nèi)溫度場(chǎng)分布,使得水合物生成區(qū)域與反應(yīng)管柱釜底水蒸發(fā)區(qū)域溫度區(qū)分開,最大程度地接近現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試工作中采用地面關(guān)井的實(shí)際情況;

(2)本發(fā)明設(shè)計(jì)了兩種反應(yīng)管柱,適合于不同壓力條件下模擬地面關(guān)井水合物生長(zhǎng)情況。低壓條件下使用可視化管柱能夠直接觀察到水合物在反應(yīng)管柱上的附著位置。同時(shí)兩個(gè)反應(yīng)管柱均可通過數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)計(jì)量氣相和液相流量壓力變化,計(jì)算出生成水合物生長(zhǎng)過程中氣相與液相的消耗量,結(jié)合水合物層厚度傳感器的數(shù)值,可以得到水合物在實(shí)驗(yàn)條件下的生長(zhǎng)速度,對(duì)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試工作的進(jìn)行具有指導(dǎo)作用;

(3)本發(fā)明將關(guān)井期間氣水分布規(guī)律與水合物生長(zhǎng)情況相結(jié)合,通過改變反應(yīng)管柱內(nèi)液面高度大小、積液處反應(yīng)管柱的溫度高低,來影響水蒸氣擴(kuò)散的速度;根據(jù)不同液面高度、溫度情況下水合物形成風(fēng)險(xiǎn)情況,提出針對(duì)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試工作時(shí),不同的氣藏溫度、積液高度是否應(yīng)采取水合物抑制措施。

附圖說明

圖1為深水氣井測(cè)試地面關(guān)井水合物生長(zhǎng)情況示意圖。

圖2為深水氣井測(cè)試管柱內(nèi)氣體為連續(xù)相情況下水合物生長(zhǎng)原理圖。

圖3為深水氣井測(cè)試管柱內(nèi)液滴形成水合物生長(zhǎng)原理圖。

圖4為深水氣井測(cè)試地面關(guān)井水合物生長(zhǎng)模擬裝置工作原理框圖。

圖5為水氣井測(cè)試地面關(guān)井水合物生長(zhǎng)模擬裝置的系統(tǒng)圖。

圖6為耐壓反應(yīng)管柱結(jié)構(gòu)圖。

圖中:

1、反應(yīng)管柱;2、恒溫控制系統(tǒng);2-a、溫控槽;2-b、溫控槽;3、法蘭堵頭;4、氣體流量計(jì);5、氣閥;6、增壓泵;7、氣罐;8、進(jìn)液閥;9、供水罐;10、液體流量計(jì);11、電動(dòng)泵;12、真空泵;13、排泄閥;14、排泄罐;15、計(jì)算機(jī);16、水合物層厚度測(cè)量傳感器;17、進(jìn)氣溫度傳感器;18、進(jìn)氣壓力傳感器;19、液體溫度傳感器;20、局部溫度控制裝置;21、反應(yīng)管柱內(nèi)溫度傳感器;22、濕度計(jì);23、氣體壓力傳感器;24、流體注入口;25、溫度傳感器安裝接口;26、壓力傳感器安裝接口;27、流體排出口;28、濕度計(jì)傳感器安裝接口;29、管柱局部溫度控制裝置;30、攝像機(jī);31、水合物厚度超聲波傳感器安裝接口。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。

圖2為深水氣井測(cè)試地面關(guān)井階段水合物生長(zhǎng)原理圖,針對(duì)于測(cè)試管柱內(nèi)水合物的生長(zhǎng)建立了“潑水結(jié)冰”式的生長(zhǎng)特征模型。深水氣井測(cè)試關(guān)井階段,測(cè)試管柱內(nèi)氣相為連續(xù)相,氣相中溶解有水蒸氣分子,除此之外還夾帶有少量小液滴。地面關(guān)井后,測(cè)試管柱內(nèi)壁上的液相主要以液膜的形式存在,由于關(guān)井流體不流動(dòng),液膜會(huì)在重力作用下逐漸向井底滑落。井筒內(nèi)的水蒸氣在做無規(guī)則的自由運(yùn)動(dòng),其中一些水蒸氣分子在運(yùn)動(dòng)過程中運(yùn)移至測(cè)試管柱壁上的液膜處,由于水合物的成核是異相成核,發(fā)生在氣液界面處,因此水合物會(huì)在測(cè)試管柱壁上的液膜表面處成核并生長(zhǎng),水蒸氣與甲烷在此處被消耗。由于水蒸氣的消耗造成了井筒內(nèi)存在濃度差,在濃度差的作用下,井底的水會(huì)蒸發(fā)出水分子,這些水蒸氣分子會(huì)向上擴(kuò)散至水合物生成區(qū)域繼續(xù)促使水合物生長(zhǎng)。水合物層是具有孔隙的膜狀結(jié)構(gòu),氣相與液相通過孔隙擴(kuò)散接觸,水合物不斷生長(zhǎng)。隨著水合物的生長(zhǎng),孔隙會(huì)逐漸變小,直至完全被水合物充滿。此時(shí)氣相與液相被分隔開,無法進(jìn)一步成核生長(zhǎng)。如果在測(cè)試管柱的內(nèi)壁上仍殘留有液膜,液膜會(huì)在重力的作用下進(jìn)一步向下運(yùn)移,最終只留下水合物層附著在測(cè)試管柱內(nèi)壁上。

圖3為深水氣井測(cè)試管柱內(nèi)液滴形成水合物生長(zhǎng)原理圖。在關(guān)井階段,除了溶解在氣相中的水蒸氣分子之外,還存在有一些少量的霧狀液滴。這些霧狀液滴在井筒中與氣相分子充分接觸,首先會(huì)在氣體與液滴接觸界面形成很薄的水合物膜,水合物膜是具有孔隙的結(jié)構(gòu),氣相分子和液相分子通過孔隙傳遞,膜內(nèi)的液體不斷消耗,水合物膜逐漸變厚、水合物生長(zhǎng)。對(duì)于較小的液滴來說,最終會(huì)形成水合物顆粒,水合物顆粒會(huì)在重力作用下向下滑落,接遇到井壁時(shí)有可能停滯并粘附在測(cè)試管柱內(nèi)壁上。對(duì)于較大的液滴來說,在生長(zhǎng)階段后期水合物膜較厚,阻礙了液相與氣相分子的擴(kuò)散,因此后期生長(zhǎng)速度緩慢,最終會(huì)形成內(nèi)部含有液體的水合物顆粒。

圖4為深水氣井測(cè)試水合物生長(zhǎng)模擬裝置的系統(tǒng)圖,針對(duì)該發(fā)明的深水測(cè)試地面關(guān)井期間水合物生長(zhǎng)模擬實(shí)驗(yàn)步驟進(jìn)行以下說明(反應(yīng)管柱采用耐壓10MPa可視化反應(yīng)管柱):

(1)預(yù)處理反應(yīng)管柱:檢測(cè)反應(yīng)管柱密封性能之后,對(duì)反應(yīng)管柱進(jìn)行沖洗。預(yù)處理后的反應(yīng)管柱與其他裝置連接并檢查管線連接處密封情況,此時(shí)所有閥門處于關(guān)閉狀態(tài)。

(2)反應(yīng)管柱處理:利用真空泵12將反應(yīng)管柱內(nèi)抽至真空狀態(tài),關(guān)閉真空泵12。

(3)溫度控制:利用溫控槽2-a將反應(yīng)管柱1溫度控制至測(cè)試過程中海底泥線處溫度狀況,利用溫控槽2-b將氣罐7與供水罐9內(nèi)溫度調(diào)整至測(cè)試過程中氣藏內(nèi)溫度狀況。調(diào)整局部溫度控制裝置20對(duì)反應(yīng)管柱增溫,改變反應(yīng)管柱內(nèi)溫度分布狀況,模擬深水氣井測(cè)試過程中測(cè)試管柱溫度場(chǎng)狀況。

(4)注入實(shí)驗(yàn)液體:打開進(jìn)液閥8,通過可視化反應(yīng)管柱觀察液面高度,利用電動(dòng)泵11向反應(yīng)管柱內(nèi)泵入所需實(shí)驗(yàn)液體到指定高度,關(guān)閉進(jìn)液閥8和電動(dòng)泵11。

(5)注入實(shí)驗(yàn)氣體:打開進(jìn)氣閥5和增壓泵6,向反應(yīng)管柱內(nèi)供氣并增壓,通過反應(yīng)管柱內(nèi)的氣體壓力傳感器23監(jiān)測(cè)反應(yīng)管柱內(nèi)壓力大小,當(dāng)反應(yīng)管柱內(nèi)達(dá)到實(shí)驗(yàn)壓力時(shí),關(guān)閉進(jìn)氣閥5和增壓泵6,監(jiān)測(cè)反應(yīng)管柱內(nèi)壓力,若能夠保持一段時(shí)間穩(wěn)定不變即可進(jìn)行下一步操作。

(6)拍攝記錄:調(diào)整實(shí)驗(yàn)溫度操作完成后打開攝像機(jī)對(duì)反應(yīng)釜內(nèi)水合物生成區(qū)域進(jìn)行拍攝記錄。

(7)水合物生長(zhǎng)過程:開始拍攝的同時(shí)開始計(jì)時(shí),根據(jù)水合物層厚度測(cè)量傳感器16傳輸至計(jì)算機(jī)15的數(shù)據(jù)及攝像機(jī)拍攝的影像觀察水合物層的生長(zhǎng)情況。

(8)排水排氣:達(dá)到實(shí)驗(yàn)指定時(shí)間后,打開排泄閥13放出反應(yīng)管柱內(nèi)氣體,打開進(jìn)液閥5將反應(yīng)管柱底部剩余的水排至供水罐9內(nèi)。卸掉反應(yīng)管柱1上的法蘭盤堵頭3,觀察反應(yīng)管柱內(nèi)水合物層生長(zhǎng)情況。

(9)參數(shù)檢測(cè)及數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)工作情況:氣體流量計(jì)4監(jiān)測(cè)注入反應(yīng)管柱內(nèi)的氣體流量;液體流量計(jì)10監(jiān)測(cè)注入反應(yīng)管柱內(nèi)的液體流量;進(jìn)氣溫度傳感器17監(jiān)測(cè)注入反應(yīng)管柱內(nèi)氣體溫度,為局部溫度控制裝置提供溫度參考;液體溫度傳感器19監(jiān)測(cè)反應(yīng)管注入反應(yīng)管柱內(nèi)的液體溫度,為溫度控制裝置提供溫度參考;管柱內(nèi)氣體壓力傳感器23監(jiān)測(cè)反應(yīng)管柱內(nèi)壓力大小,為增壓系統(tǒng)提供參考;管柱內(nèi)溫度傳感器21監(jiān)測(cè)反應(yīng)過程中管柱內(nèi)溫度,為局部溫度控制裝置提供參考;濕度計(jì)22監(jiān)測(cè)水合物生長(zhǎng)過程中反應(yīng)管柱內(nèi)含水率變化;水合物層厚度傳感器16在水合物生長(zhǎng)過程中監(jiān)測(cè)水合物層的生長(zhǎng)厚度變化。系統(tǒng)內(nèi)的所有傳感器監(jiān)測(cè)參數(shù)的同時(shí)將采集到的數(shù)據(jù)傳輸至計(jì)算機(jī),以便于針對(duì)水合物生長(zhǎng)情況進(jìn)行量化分析。通過采集到的參數(shù)以及其變化趨勢(shì),可以對(duì)水合物的生長(zhǎng)過程進(jìn)行深入量化研究,以便對(duì)深水氣井測(cè)試過程的工作制度的制定提供參考。

使用耐壓30MPa反應(yīng)管柱的實(shí)驗(yàn)步驟與使用耐壓10MPa反應(yīng)管柱實(shí)驗(yàn)基本一致,由于耐壓30MPa反應(yīng)管柱不可視,因此省略步驟(7)即可。

圖6為系統(tǒng)圖中的反應(yīng)管柱結(jié)構(gòu)圖,在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)之前,先向反應(yīng)管柱內(nèi)通入氣體以檢驗(yàn)反應(yīng)管柱與法蘭堵頭之間的密封性,確認(rèn)密封性能良好后再與其他系統(tǒng)的裝置連接。耐壓10MPa可視化反應(yīng)釜與耐壓30MPa反應(yīng)釜結(jié)構(gòu)一致,但區(qū)別在于:可視化反應(yīng)釜能夠直接通過肉眼或者攝像機(jī)來記錄水合物生長(zhǎng)過程,非可視化反應(yīng)釜由于需要采用耐壓程度較高的材料,只能夠通過超聲波傳感器來監(jiān)測(cè)水合物的生長(zhǎng)情況。

雖然,上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明作了詳盡的描述,但在本發(fā)明基礎(chǔ)上,可以對(duì)之作一些修改或改進(jìn),這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此,在不偏離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進(jìn),均屬于本發(fā)明要求保護(hù)的范圍。

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