1.一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，其特征是，包括以下步驟：
步驟1，將包含有光耦和接地電阻的檢測電路設(shè)置在被測點和大地之間，采集被測點的對地電壓；
步驟2，芯片控制光耦的通斷，改變接地電阻的阻值，然后再采集被測點的對地電壓，將被測點的對地電壓傳遞到芯片；
步驟3，芯片對采集到的對地電壓建立方程求解，計算實際的接地電阻的阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路，其特征是，所述的步驟2和步驟3具體為：
設(shè)DC+與DC-對地的接地電阻分別為電阻Rx1與電阻Rx2，電阻Rx1與光耦N1配合，電阻Rx2與光耦N2配合，其中DC+和DC-分別表示直流電源正極和直流電源負極，在光耦N1和光耦N2都不導通的情況下電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
當芯片控制光耦N1導通，光耦N2不導通的的情況下，測試電阻R5與電阻R6兩端的電壓，設(shè)測得R5與R6兩端電壓分別為Ux1與Ux2，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U1=Ux1*（R1+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U2=Ux2*（R3+R4+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
由上述可得方程(1):；
同理當芯片控制光耦N1不導通，光耦N2導通的的情況下，測試R5與R6兩端的電壓，設(shè)測得R5與R6兩端電壓分別為Ux3與Ux4，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U3=Ux3*（R1+R2+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U4=Ux4*（R3+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R6；
由上述可得方程(2):
對方程（1）與方程（2）求解，即可得到電阻Rx1與電阻Rx2的具體阻值，即DC+與DC-對地的接地電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，其特征是，在步驟2中，采集被測點的對地電壓后對電壓信號通過運算放大器進行放大處理，然后再傳遞到芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，其特征是，在步驟2中，對地電壓傳遞到智能芯片的傳遞方式是通過線性光耦傳遞。
5.一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路，其特征是，包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、光耦N1和光耦N2，電阻R1、電阻R2和電阻R3串聯(lián)在直流電源正極和地之間，電阻R3、電阻R4和電阻R5串聯(lián)在直流電源負極和地之間，光耦N1并聯(lián)在電阻R2的兩端，光耦N2并聯(lián)在電阻R4的兩端。