1.一種基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述單軸MEMS加速度計包括：
晶圓框體，所述晶圓框體的內(nèi)部空間為封閉的框室；
支撐梁，所述支撐梁設(shè)置于所述框室內(nèi)，且所述支撐梁的一端連接在所述框室的橫框內(nèi)壁上；
檢驗質(zhì)量塊，所述檢驗質(zhì)量塊設(shè)置在所述支撐梁的另一端；
磁源，所述磁源設(shè)置在所述框室的豎框內(nèi)壁上；
各向異性磁電阻傳感器芯片，所述各向異性磁電阻傳感器芯片安裝于所述檢驗質(zhì)量塊上，所述各向異性磁電阻傳感器芯片的中心與所述磁源的中心在同一水平線上，使得所述各向異性磁電阻傳感器芯片的磁敏感方向與所述磁源的磁矩方向相同，且所述檢驗質(zhì)量塊的位移方向與磁矩方向在同一條直線上，以保證各向異性磁電阻傳感器芯片只感受到單一方向的磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述支撐梁為微懸臂梁，所述微懸臂梁包括固定端和可移動端，所述固定端固定連接在所述橫框內(nèi)壁上，所述可移動端與所述檢驗質(zhì)量塊連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述支撐梁為簡支梁，所述檢驗質(zhì)量塊連接于簡支梁的中部，所述簡支梁的兩端分別連接在所述橫框內(nèi)壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述簡支梁的豎直中心線重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述支撐梁沿所述磁源的磁矩方向的厚度小于所述支撐梁垂直于所述磁矩方向的厚度，使得在加速度作用下，所述支撐梁所連接的所述檢驗質(zhì)量塊能夠沿所述磁矩方向所在的直線產(chǎn)生位移。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述磁源為微型永磁體或微型通電線圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述微型永磁體為通過鍍膜方法制備永磁體薄膜，再磁化所述永磁體薄膜制得。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述晶圓外框、支撐梁的材料為非磁性的絕緣材料或高電阻率半導(dǎo)體材料，所述檢驗質(zhì)量塊的材料為非磁性材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于各向異性磁電阻效應(yīng)的單軸MEMS加速度計，其特征在于，所述晶圓框體、支撐梁和檢驗質(zhì)量塊是在晶圓上通過光刻蝕、離子刻蝕或化學(xué)腐蝕而成。