1.一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)基片預(yù)處理：將二氧化硅基片在紫外燈下照射，接著將其浸漬于十二烷基硫酸鈉溶液中，之后將二氧化硅基片置于超純水中超聲處理，最后用超純水充分漂洗二氧化硅基片，并用氮?dú)獯蹈?，待用?/p>
2)配置均質(zhì)乙烯-乙烯醇共聚物溶液：將乙烯-乙烯醇共聚物與有機(jī)溶劑按照質(zhì)量百分比為8—15％：85—92％的比例在20—40℃下攪拌溶解，20℃下靜置脫泡，得到均質(zhì)乙烯-乙烯醇共聚物溶液，待用；
3)乙烯-乙烯醇共聚物功能層涂覆：將步驟1)所得二氧化硅基片固定于設(shè)有加熱板的離心旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，接著將體積為8—15μL步驟2)所得乙烯-乙烯醇共聚物溶液置于二氧化硅基片表面，在50℃的恒溫環(huán)境中離心旋轉(zhuǎn)，將乙烯-乙烯醇共聚物均勻涂覆于二氧化硅基片表面；
4)熱處理：將步驟3)所得涂覆有乙烯-乙烯醇共聚物的二氧化硅基片在80—90℃的真空環(huán)境中靜置30—60min，超純水充分漂洗后用氮?dú)獯蹈桑传@得乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，將二氧化硅基片在波長為185nm的紫外燈下照射10min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，十二烷基硫酸鈉溶液的質(zhì)量濃度為2—5％，溫度為20—30℃，二氧化硅基片在十二烷基硫酸鈉溶液中的浸漬時(shí)間為20—30min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，將二氧化硅基片置于溫度為20—30℃超純水中超聲2—5min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，將乙烯-乙烯醇共聚物與有機(jī)溶劑攪拌溶解12h，靜置脫泡4—6h。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為二甲基亞砜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，所述離心旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為4600—5500r/min,旋轉(zhuǎn)時(shí)間為40—80s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片的制備方法，其特征在于，二氧化硅基片可多次循環(huán)利用：步驟4)所得乙烯-乙烯醇共聚物石英晶體芯片使用過后，首先將其置于質(zhì)量濃度為5—10％的二甲基亞砜溶液中超聲5—15min，之后將其置于超純水中繼續(xù)超聲5min，最后用超純水充分漂洗，且用氮?dú)獯蹈?，即獲得干凈的二氧化硅基片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述超聲過程溫度為20—30℃。