技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC襯底的隱切實驗測試方法，包括步驟：1)提供一片復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC襯底，該襯底的表面已長完GaN層，并能夠后續(xù)做電極形成微波器件；2)將襯底通過完整工藝制做成芯片，形成表面器件圖形，背面有劃切道；3)將芯片移至激光劃切機臺內(nèi)部，采用激光隱切的方式對劃切道進行激光掃描切割，掃描方式分為：不同區(qū)域掃描，分別掃描1/2/3/4/5/6次，即對同一片子的不同區(qū)域進行激光掃描；4)將激光掃描后的芯片進行裂片擴膜，分別取出6個區(qū)域的芯粒，應(yīng)用檢測設(shè)備對芯片的側(cè)壁形貌進行檢測，以分析激光切割側(cè)壁區(qū)域的形貌特征。本發(fā)明采用接近激光破壞閾值的小功率對晶圓進行多次掃描，從而獲得切割剖面平整垂直的SiC襯底芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡仙清;張楊;王青;鄭貴忠;楊翠柏
受保護的技術(shù)使用者：中山德華芯片技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610481195
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.23
技術(shù)公布日：2016.11.16