技術(shù)編號：11860417
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料實驗測試的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種復(fù)合結(jié)構(gòu)SiC襯底的隱切實驗測試方法。背景技術(shù)SiC材料具有良好的物理和化學(xué)性能，如化學(xué)性能穩(wěn)定、熱膨脹系數(shù)小、耐腐蝕、抗磨損、高強度、高硬度等一系列優(yōu)點，因而在機械電子、復(fù)合材料、航空航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。特別是隨著武器裝備現(xiàn)代化的迅速發(fā)展，各種先進(jìn)技術(shù)的不斷發(fā)展，對耐高溫、抗輻照等惡劣環(huán)境工作的高性能電子器件的需求日益迫切，而傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件在高功率、高溫領(lǐng)域已顯現(xiàn)出諸多局限性。因此，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體...
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