1.一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：所述的方法包括如下步驟：
步驟一，掃描測量：使用光學輪廓儀，配合TTM物鏡，掃描獲取待檢測器件的外形輪廓數(shù)據(jù)；
步驟二，數(shù)據(jù)處理：在得到器件初始外形輪廓基礎上，進行去除邊緣效應和設置評價基準的處理，以獲得預期的器件的真實三維外形輪廓；
步驟三，評價判斷：以經(jīng)過數(shù)據(jù)處理的輪廓為基礎，分別在X、Y方向上作該外形輪廓的二維截線，查看輪廓的傾斜和扭曲變形量，并根據(jù)設定的輪廓谷值和峰值參數(shù)，判斷外形輪廓的變形是否符合設計要求。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：在去除邊緣效應的影響時，剔除輪廓邊緣3％-4％的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：當評價器件的局部變形時，還要進行評價基準設置的處理，即去除放置傾斜。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：使用光學輪廓儀及透過透明材料測量物鏡，獲取小封裝間隙待檢測器件的外形輪廓數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：當評價器件整體的工藝變形時，選擇器件外 框作為基準面找平；當評價器件局部的工藝變形時，只需將被測區(qū)域?qū)拐移健?/p>
6.根據(jù)權利要求4所述的一種硅片陽極鍵合工藝變形的光學檢測評價方法，其特征為：將光學輪廓儀的參數(shù)做如下設置：測量模式為VSI或Z軸掃描范圍大于50μm，物鏡型號為TTM，掃描長度為在所測表面輪廓峰谷值的基礎上增加10-20％，測量平均選3-8次，回掃長度為掃描長度的20％。